JPH09120987A - 静電チャックアセンブリ - Google Patents
静電チャックアセンブリInfo
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- JPH09120987A JPH09120987A JP17913496A JP17913496A JPH09120987A JP H09120987 A JPH09120987 A JP H09120987A JP 17913496 A JP17913496 A JP 17913496A JP 17913496 A JP17913496 A JP 17913496A JP H09120987 A JPH09120987 A JP H09120987A
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Links
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Classifications
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
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-
- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理中にウェハを支持する静電支持アセンブ
リを提供する。 【解決手段】 ウェハを保持する支持表面を有した、処
理チャンバに位置付け可能な支持本体と、ウェハを支持
表面に静電的に結合するために支持面に結合された電圧
源と、ウェハを冷却する冷却システムを備える。更に、
冷却システムは、ガス状基体の源と、支持面に形成され
且つウェハと支持面の間にガス状基体を一様に分散させ
る形状とされた複数のガス分散溝と、ガス源をガス分散
溝に接続してガス状基体をガス源からガス分散溝へ流す
導管とを有する。
リを提供する。 【解決手段】 ウェハを保持する支持表面を有した、処
理チャンバに位置付け可能な支持本体と、ウェハを支持
表面に静電的に結合するために支持面に結合された電圧
源と、ウェハを冷却する冷却システムを備える。更に、
冷却システムは、ガス状基体の源と、支持面に形成され
且つウェハと支持面の間にガス状基体を一様に分散させ
る形状とされた複数のガス分散溝と、ガス源をガス分散
溝に接続してガス状基体をガス源からガス分散溝へ流す
導管とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に、導電部材
をその前面若しくは側面を接触させずに支持面上へ保持
する方法に関する。更に言えば、処理中に半導体ウェハ
を支持するための静電クランプに関する。
をその前面若しくは側面を接触させずに支持面上へ保持
する方法に関する。更に言えば、処理中に半導体ウェハ
を支持するための静電クランプに関する。
【０００２】
【従来の技術】気相成長、スパッタリング、エッチン
グ、および他の処理中に半導体ウェハを支持するために
様々な支持システムが使用されてきた。支持システム
は、実質的に一定のウェハ温度を維持しようとするため
にしばしば冷却される。処理中にウェハを一定温度に維
持することは、化学処理を制御し、処理を均一化し、ウ
ェハ上にすでに形成されている集積回路への損傷を防ぐ
のに重要である。ウェハは一般に支持部材に固定され、
処理中にウェハを所定の位置に保持し、ウェハと支持面
の間の熱転送を改善する。支持システムの１つのタイプ
は、ウェハをある位置に保持するためにウェハの周辺エ
ッジにわたって延長している周囲クランプリングを使用
する。リング下側のウェハの部分が支持面に対してしっ
かりとクランプされる。クランプリングは、回路形成に
利用できる総領域を制限する。なぜなら、ウェハの周辺
エッジがリングで覆われるからである。最初の側面接触
は、ウェハに不純物をもたらすことがある。他のタイプ
の支持システムは、ウェハを支持面に静電的にクランプ
する。これは支持部材に電圧を印加し、且つ、ウェハ上
に画像電荷を誘導することにより達成される。異なるポ
テンシャルがウェハを支持面に引きつけ、ウェハ全体を
支持部材にしっかりとクランプする。ウェハの全表面領
域がここでは集積回路の形成のために利用できるように
になる。更に、表面に汚れは存在しない。
グ、および他の処理中に半導体ウェハを支持するために
様々な支持システムが使用されてきた。支持システム
は、実質的に一定のウェハ温度を維持しようとするため
にしばしば冷却される。処理中にウェハを一定温度に維
持することは、化学処理を制御し、処理を均一化し、ウ
ェハ上にすでに形成されている集積回路への損傷を防ぐ
のに重要である。ウェハは一般に支持部材に固定され、
処理中にウェハを所定の位置に保持し、ウェハと支持面
の間の熱転送を改善する。支持システムの１つのタイプ
は、ウェハをある位置に保持するためにウェハの周辺エ
ッジにわたって延長している周囲クランプリングを使用
する。リング下側のウェハの部分が支持面に対してしっ
かりとクランプされる。クランプリングは、回路形成に
利用できる総領域を制限する。なぜなら、ウェハの周辺
エッジがリングで覆われるからである。最初の側面接触
は、ウェハに不純物をもたらすことがある。他のタイプ
の支持システムは、ウェハを支持面に静電的にクランプ
する。これは支持部材に電圧を印加し、且つ、ウェハ上
に画像電荷を誘導することにより達成される。異なるポ
テンシャルがウェハを支持面に引きつけ、ウェハ全体を
支持部材にしっかりとクランプする。ウェハの全表面領
域がここでは集積回路の形成のために利用できるように
になる。更に、表面に汚れは存在しない。
【０００３】静電支持システムは、一般に、処理チャン
バの底にしっかりと支持されている。この結果、システ
ムポンプを他の位置に、例えば、チャンバの側部へ位置
付けなければならない。この形態は、チャンバを通じる
処理ガスの流れの一様性を減少させ、システム全体のフ
ットプリントを増大させる。チャンバの底からウェハ支
持システムを除去することにより、ポンプを軸的にウェ
ハと整列させることができ、処理システムの一様性を改
善し、フットプリントを減少させる。
バの底にしっかりと支持されている。この結果、システ
ムポンプを他の位置に、例えば、チャンバの側部へ位置
付けなければならない。この形態は、チャンバを通じる
処理ガスの流れの一様性を減少させ、システム全体のフ
ットプリントを増大させる。チャンバの底からウェハ支
持システムを除去することにより、ポンプを軸的にウェ
ハと整列させることができ、処理システムの一様性を改
善し、フットプリントを減少させる。
【０００４】
【発明の概要】本発明の主な目的は、処理中にウェハを
支持する静電支持アセンブリを提供することにある。本
発明の更なる目的は、処理中にウェハを低圧で支持して
ウェハの周囲の処理ガスの流れを一様なものにする静電
支持システムを提供することにある。本発明の他の目的
は、処理中に一定かつ一様なウェハ温度を効率的に維持
する冷却システムを有した静電支持アセンブリを提供す
ることにある。本発明の他の更なる目的は、ウェハを迅
速且つ効率的に支持アセンブリから除去することができ
る静電支持アセンブリを提供することにある。本発明の
更なる目的は、処理中にウェハをしっかりと保持する一
方、多すぎる熱によってウェハの露出面上の素子が損傷
してしまうリスクや、過渡電流、ウェハが支持部材から
早期に分離してしまうこと、を最小とするような静電支
持システムを提供することにある。本発明の他の一般的
な目的は、静電支持システムを提供することにあり、該
静電支持システムによって、ウェハの表面全体が処理ガ
スに一様に露出され得るようにし、また、それが効率的
に製造され操作され得ることにある。
支持する静電支持アセンブリを提供することにある。本
発明の更なる目的は、処理中にウェハを低圧で支持して
ウェハの周囲の処理ガスの流れを一様なものにする静電
支持システムを提供することにある。本発明の他の目的
は、処理中に一定かつ一様なウェハ温度を効率的に維持
する冷却システムを有した静電支持アセンブリを提供す
ることにある。本発明の他の更なる目的は、ウェハを迅
速且つ効率的に支持アセンブリから除去することができ
る静電支持アセンブリを提供することにある。本発明の
更なる目的は、処理中にウェハをしっかりと保持する一
方、多すぎる熱によってウェハの露出面上の素子が損傷
してしまうリスクや、過渡電流、ウェハが支持部材から
早期に分離してしまうこと、を最小とするような静電支
持システムを提供することにある。本発明の他の一般的
な目的は、静電支持システムを提供することにあり、該
静電支持システムによって、ウェハの表面全体が処理ガ
スに一様に露出され得るようにし、また、それが効率的
に製造され操作され得ることにある。
【０００５】まとめれば、本発明は、処理中にウェハを
保持するのに特に適した静電支持アセンブリを提供す
る。この支持アセンブリは、一般に、ウェハを保持する
支持面を有した支持本体と、ウェハを支持面に静電的に
結合させるために支持本体に結合された電圧源と、ウェ
ハを冷却する冷却システムとを含む。冷却システムは、
支持面に形成された複数のガス分散溝を含み、これはウ
ェハと支持面の間にガス状の基層を高速に分散させる。
冷却システムは、ウェハの一部が支持面から分離された
場合に、ウェハが支持面から破壊的に分離してしまうの
を防ぐため、ガス源とガス分散溝の間の導管に制限メカ
ニズムを有している。支持本体から延びている複数のア
ーム部材は処理チャンバに取り付けることができ、ま
た、これら支持本体とアーム部材は、チャンバの底から
離間されている。本発明はまた、ウェハを処理チャンバ
に支持する方法を含んでおり、該方法は少なくとも１つ
の電極を有した支持本体のウェハ支持面の上に前記ウェ
ハを位置付ける段階と、前記電極に電圧を与えて前記ウ
ェハを前記支持面に静電的に引きつける静電的な引きつ
け力を誘導する段階と、前記ウェハを処理した後に前記
電極を実質的にグランド接続し、前記静電電荷を十分に
非作動として前記ウェハを前記支持面から解放する段階
と、を備える。本発明の好ましい形態では、支持本体は
２つの電極を含み、電圧を与える段階は、電極の一方に
正電圧を与え、他方の電極に負電圧を与えることを含
む。ウェハがチャンバから取り除かれた後、電極の極性
が次のウェハに対しては反転される。プラズマ強化処理
で使用される本発明の実施例では、この方法に、ＲＦバ
イアスを電極若しくは電極の組合せに与える段階も含ま
れる。
保持するのに特に適した静電支持アセンブリを提供す
る。この支持アセンブリは、一般に、ウェハを保持する
支持面を有した支持本体と、ウェハを支持面に静電的に
結合させるために支持本体に結合された電圧源と、ウェ
ハを冷却する冷却システムとを含む。冷却システムは、
支持面に形成された複数のガス分散溝を含み、これはウ
ェハと支持面の間にガス状の基層を高速に分散させる。
冷却システムは、ウェハの一部が支持面から分離された
場合に、ウェハが支持面から破壊的に分離してしまうの
を防ぐため、ガス源とガス分散溝の間の導管に制限メカ
ニズムを有している。支持本体から延びている複数のア
ーム部材は処理チャンバに取り付けることができ、ま
た、これら支持本体とアーム部材は、チャンバの底から
離間されている。本発明はまた、ウェハを処理チャンバ
に支持する方法を含んでおり、該方法は少なくとも１つ
の電極を有した支持本体のウェハ支持面の上に前記ウェ
ハを位置付ける段階と、前記電極に電圧を与えて前記ウ
ェハを前記支持面に静電的に引きつける静電的な引きつ
け力を誘導する段階と、前記ウェハを処理した後に前記
電極を実質的にグランド接続し、前記静電電荷を十分に
非作動として前記ウェハを前記支持面から解放する段階
と、を備える。本発明の好ましい形態では、支持本体は
２つの電極を含み、電圧を与える段階は、電極の一方に
正電圧を与え、他方の電極に負電圧を与えることを含
む。ウェハがチャンバから取り除かれた後、電極の極性
が次のウェハに対しては反転される。プラズマ強化処理
で使用される本発明の実施例では、この方法に、ＲＦバ
イアスを電極若しくは電極の組合せに与える段階も含ま
れる。
【０００６】本発明の他の目的および特徴は、以下の詳
細な記述と添付クレームとを図面とともに参照すること
によってより容易に明らかとなるだろう。
細な記述と添付クレームとを図面とともに参照すること
によってより容易に明らかとなるだろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施例を詳細に
参照する。この実施例は添付図面に示されている。これ
らの図では、様々な図を通じて同様の素子は同様の参照
番号で示されている。図１、２を検討する。図１および
図２は、静電支持システム、即ち、チャックアセンブリ
１０を示す。この静電支持システムは、プラズマ強化型
気相成長の最中に処理チャンバ８にウェハ６を保持する
のに特に適しているが、この支持システム１０は、他の
タイプの処理、即ち、これらに限定されるわけではない
が、気相成長、スパッタリング、エッチングおよびその
ようなもの、にも使用され得る。支持システム１０は、
特に、本明細書に参照によって組み入れられている、同
時継続中のＮｏ．（Flehr, Hohback, Test, Albritton
& Herbert File No. A-62268/AJT) に示されているタイ
プの高密度のプラズマ強化型気相成長システムとともに
使用するのに特に適している。支持システム１０は、ウ
ェハを保持する支持面１４と、本体をチャンバに取り付
けるために支持本体１２から外側に向かって延びている
複数のアーム部材１６とを含む。本実施例では、アーム
部材１６はキャリッジアセンブリ１７に取り付けられて
おり、これは、チャンバに取り外し可能に固定されてい
る。動作中、ウェハ６の全体が静電力によって支持面１
４にしっかりとクランプされる。静電クランプによって
提供される一様な接触によってウェハと支持面１４の間
の熱転送が制御され、ウェハ全体を処理を通じて所望の
温度に保持できるようにする。ウェハを一様な温度に保
持することは、物質の蒸着に所望されるフィルム特性、
若しくは、物質の除去のための一様なエッチング速度、
を達成するのに必要とされる。
参照する。この実施例は添付図面に示されている。これ
らの図では、様々な図を通じて同様の素子は同様の参照
番号で示されている。図１、２を検討する。図１および
図２は、静電支持システム、即ち、チャックアセンブリ
１０を示す。この静電支持システムは、プラズマ強化型
気相成長の最中に処理チャンバ８にウェハ６を保持する
のに特に適しているが、この支持システム１０は、他の
タイプの処理、即ち、これらに限定されるわけではない
が、気相成長、スパッタリング、エッチングおよびその
ようなもの、にも使用され得る。支持システム１０は、
特に、本明細書に参照によって組み入れられている、同
時継続中のＮｏ．（Flehr, Hohback, Test, Albritton
& Herbert File No. A-62268/AJT) に示されているタイ
プの高密度のプラズマ強化型気相成長システムとともに
使用するのに特に適している。支持システム１０は、ウ
ェハを保持する支持面１４と、本体をチャンバに取り付
けるために支持本体１２から外側に向かって延びている
複数のアーム部材１６とを含む。本実施例では、アーム
部材１６はキャリッジアセンブリ１７に取り付けられて
おり、これは、チャンバに取り外し可能に固定されてい
る。動作中、ウェハ６の全体が静電力によって支持面１
４にしっかりとクランプされる。静電クランプによって
提供される一様な接触によってウェハと支持面１４の間
の熱転送が制御され、ウェハ全体を処理を通じて所望の
温度に保持できるようにする。ウェハを一様な温度に保
持することは、物質の蒸着に所望されるフィルム特性、
若しくは、物質の除去のための一様なエッチング速度、
を達成するのに必要とされる。
【０００８】支持本体１２は、特に図４〜７に示された
電極アセンブリ２０を含んでおり、これは一般に支持面
を定める。電極アセンブリ２０は、メンテナンスと修理
のために支持本体１２の内部にアクセスできるよう除去
可能なカバー１９を有した支持ベース１８に取り付けら
れている。適当なシール部材が各接合部に設けられてい
る。電極アセンブリ２０は、内部電極２２と、環状外部
電極２４と、ベース２８に取り付けられた環状ガードリ
ング２６とを含む。ベース２８は、それら電極からは電
気的に隔離されているがガードリングからは隔離されて
いない。内部電極２２、外部電極２４、ガードリング２
６は、誘電体で覆われており、電極２２、２４を処理チ
ャンバと同様に互いに隔離する。電極２２と２４の周辺
エッジとガードリング２６は好ましくは湾曲されてお
り、誘電コーティングを一様に与えてアーク放電から保
護している。本実施例では、ベース２８はアルミニウム
で形成されており、酸化アルミニウムのような高質の誘
電コーティングで覆われている。しかしながら、ベース
２８を電極やガードリングから電気的に隔離するために
他の手段を使用するできることも理解されよう。流体チ
ャネル３０はベースを通じて延長されており、ベース２
８に取り付けられたカバープレート３２によって閉じら
れている。図５に特に示されているように、チャネル３
０は、ベース２８のかなりの部分にわたって蛇行して、
一様な冷却を行い、支持本体１４の他の構成部材を不要
とする。水若しくは他の適当な液体のような冷却用の流
体がチャンネルを通じて循環するよう、チャネルの入口
３１と出口３３は導管３５（図２参照）を通じて流体源
３６へ結合されている。ガスケット３４が、ベース２８
とカバープレート３２の間に圧縮されて、ベースとカバ
ープレートの間のシールを形成し、また、冷却用の流体
がベース２８から漏れるのを防止する。
電極アセンブリ２０を含んでおり、これは一般に支持面
を定める。電極アセンブリ２０は、メンテナンスと修理
のために支持本体１２の内部にアクセスできるよう除去
可能なカバー１９を有した支持ベース１８に取り付けら
れている。適当なシール部材が各接合部に設けられてい
る。電極アセンブリ２０は、内部電極２２と、環状外部
電極２４と、ベース２８に取り付けられた環状ガードリ
ング２６とを含む。ベース２８は、それら電極からは電
気的に隔離されているがガードリングからは隔離されて
いない。内部電極２２、外部電極２４、ガードリング２
６は、誘電体で覆われており、電極２２、２４を処理チ
ャンバと同様に互いに隔離する。電極２２と２４の周辺
エッジとガードリング２６は好ましくは湾曲されてお
り、誘電コーティングを一様に与えてアーク放電から保
護している。本実施例では、ベース２８はアルミニウム
で形成されており、酸化アルミニウムのような高質の誘
電コーティングで覆われている。しかしながら、ベース
２８を電極やガードリングから電気的に隔離するために
他の手段を使用するできることも理解されよう。流体チ
ャネル３０はベースを通じて延長されており、ベース２
８に取り付けられたカバープレート３２によって閉じら
れている。図５に特に示されているように、チャネル３
０は、ベース２８のかなりの部分にわたって蛇行して、
一様な冷却を行い、支持本体１４の他の構成部材を不要
とする。水若しくは他の適当な液体のような冷却用の流
体がチャンネルを通じて循環するよう、チャネルの入口
３１と出口３３は導管３５（図２参照）を通じて流体源
３６へ結合されている。ガスケット３４が、ベース２８
とカバープレート３２の間に圧縮されて、ベースとカバ
ープレートの間のシールを形成し、また、冷却用の流体
がベース２８から漏れるのを防止する。
【０００９】チャネル３０がベース２８を通じる通路を
提供し、水や他の液体のような冷却用の流体がベース２
８を通じて電極アセンブリ２０から熱を効果的に取り除
く。本発明の電極アセンブリ２０は、電極２２、２４と
ガードリング２６が冷却用の流体の接地効果（groundin
g effect) から隔離されている点で特に利点がある。冷
却用の流体をベース２８を通じて転送することは好まし
い。なぜなら、熱が急速に取り除かれ、温度勾配を除去
し、支持面１４の平坦さを維持され得るからである。し
かしながら、本発明の他の変形では、電極冷却システム
をベース２８や電極２２、２４と別にすることもでき
る。更に、この電極冷却システムは、アセンブリの所望
の温度をプロセス形成温度に設定する手段として使用さ
れ得る。電極システム２０は、ウェハ６を支持面１４に
静電的に引きつけるために使用される。特に図６に示さ
れているように、電極システム２０は、内部電極２２を
ＲＣフィルタ４３を通じて電源４２に結合する第１の電
気コネクタ４０と、外部電極２４をＲＣフィルタ４５を
通じて電源４２へ結合する第２の電極コネクタ４４を含
む。電源４２は直流バイアスを印加するものであり、ま
た、外部電極２４の極性は内部電極２２の極性と逆であ
る。電極２２と２４に印加された直流ポテンシャルは、
ウェハの背面に画像電荷を生成し、ウェハを支持面１４
に静電的に引きつけ、該ウェハを支持面にしっかりとク
ランプする。電極の極性は、ウェハが支持面から除去さ
れる毎に連結スイッチ４６を作動させることにより反転
され、ウェハを支持面から解放するのを妨げることがあ
る誘電コーティングにおける何らかの残留電荷や分極を
最小とする。
提供し、水や他の液体のような冷却用の流体がベース２
８を通じて電極アセンブリ２０から熱を効果的に取り除
く。本発明の電極アセンブリ２０は、電極２２、２４と
ガードリング２６が冷却用の流体の接地効果（groundin
g effect) から隔離されている点で特に利点がある。冷
却用の流体をベース２８を通じて転送することは好まし
い。なぜなら、熱が急速に取り除かれ、温度勾配を除去
し、支持面１４の平坦さを維持され得るからである。し
かしながら、本発明の他の変形では、電極冷却システム
をベース２８や電極２２、２４と別にすることもでき
る。更に、この電極冷却システムは、アセンブリの所望
の温度をプロセス形成温度に設定する手段として使用さ
れ得る。電極システム２０は、ウェハ６を支持面１４に
静電的に引きつけるために使用される。特に図６に示さ
れているように、電極システム２０は、内部電極２２を
ＲＣフィルタ４３を通じて電源４２に結合する第１の電
気コネクタ４０と、外部電極２４をＲＣフィルタ４５を
通じて電源４２へ結合する第２の電極コネクタ４４を含
む。電源４２は直流バイアスを印加するものであり、ま
た、外部電極２４の極性は内部電極２２の極性と逆であ
る。電極２２と２４に印加された直流ポテンシャルは、
ウェハの背面に画像電荷を生成し、ウェハを支持面１４
に静電的に引きつけ、該ウェハを支持面にしっかりとク
ランプする。電極の極性は、ウェハが支持面から除去さ
れる毎に連結スイッチ４６を作動させることにより反転
され、ウェハを支持面から解放するのを妨げることがあ
る誘電コーティングにおける何らかの残留電荷や分極を
最小とする。
【００１０】内部および外部電極２２、２４の表面領域
は実質的に等しく、支持システム１０にわたって一様な
バイポーラ電荷を与える。支持システム１０がプラズマ
強化型システムで使用される場合、電極２２と２４は、
プラズマに対して電気的に浮動してプラズマへ電流が漏
れるのを防止する。電極２２、２４は、好ましくは、電
極をガードリング２６へ中央タップすることによって参
照され、これは、プラズマによってウェハに誘導された
ポテンシャル周囲の直流ポテンシャルを実質的に中央化
する。この結果、一定のポテンシャルが支持面全体にわ
たって分散され、一様なクランプ機能が維持される。本
実施例では、支持システム１０がプラズマ強化型処理シ
ステムで使用されるような所で、ウェハは、２０００ワ
ットの一般的なＲＦバイアスに対して約−３００Ｖのポ
テンシャルを有する。電極２２と２４を連結リング２６
へ中央タップすることにより、８００Ｖの電源に結合さ
れたとき、一方の電極は＋１００Ｖのポテンシャルを有
し、他方の電極は−７００Ｖのポテンシャルを有する。
これらの電極がグランドに中央タップされたときは、電
極のポテンシャルはバイアスされたウェハに関して一様
ではない。電源がグランドから完全に浮動するように電
源が十分に高いインピーダンスを有している場合、電源
を連結リング２６へ中央タップすることは不要であろ
う。なぜなら、電極２２、２４は、ウェハで誘導された
バイアスの周囲で「自己中央化」して、所望の一様なク
ランプを与えるからである。
は実質的に等しく、支持システム１０にわたって一様な
バイポーラ電荷を与える。支持システム１０がプラズマ
強化型システムで使用される場合、電極２２と２４は、
プラズマに対して電気的に浮動してプラズマへ電流が漏
れるのを防止する。電極２２、２４は、好ましくは、電
極をガードリング２６へ中央タップすることによって参
照され、これは、プラズマによってウェハに誘導された
ポテンシャル周囲の直流ポテンシャルを実質的に中央化
する。この結果、一定のポテンシャルが支持面全体にわ
たって分散され、一様なクランプ機能が維持される。本
実施例では、支持システム１０がプラズマ強化型処理シ
ステムで使用されるような所で、ウェハは、２０００ワ
ットの一般的なＲＦバイアスに対して約−３００Ｖのポ
テンシャルを有する。電極２２と２４を連結リング２６
へ中央タップすることにより、８００Ｖの電源に結合さ
れたとき、一方の電極は＋１００Ｖのポテンシャルを有
し、他方の電極は−７００Ｖのポテンシャルを有する。
これらの電極がグランドに中央タップされたときは、電
極のポテンシャルはバイアスされたウェハに関して一様
ではない。電源がグランドから完全に浮動するように電
源が十分に高いインピーダンスを有している場合、電源
を連結リング２６へ中央タップすることは不要であろ
う。なぜなら、電極２２、２４は、ウェハで誘導された
バイアスの周囲で「自己中央化」して、所望の一様なク
ランプを与えるからである。
【００１１】電極２２、２４は、ウェハ全体にわたる温
度の一様性を改善するために実質的に滑らかで平坦な上
部表面を有しているのが好ましく、これによって、支持
面１４の平坦さを維持する。電極の表面を平坦とするこ
とによって安定性を増大させることは、高密度のプラズ
マ強化型処理中は特に重要である。この高密度プラズマ
強化型処理では、フィルムの蒸着はウェハの高い熱負荷
で発生しているが、このような場合には、熱的な非一様
性によってウェハにストレスが引き起こされ、ウェハが
破壊されることがある。ウェハへの可能な損傷を防ぐこ
とにより、電極アセンブリは処理システムの実効性を実
質的に改善する。ウェハ６と支持面１４の間の静電電荷
は、ウェハが支持本体１２から安全に取り除かれる前
に、非作動とされなければならない。好ましい実施例で
は、電極２２と２４は、約１００ｋΩを有する抵抗を通
じて電極を電源４２からグランドへ切り換えることによ
って放電される。抵抗は、放電の速度を制御し、ウェハ
の表面の構成部材に損傷を与え得る過渡電圧の発生を防
止する。支持システム１０に対するいずれのＲＦバイア
スの付与も中断される。この間中、処理システムのプラ
ズマ源は作動したままであり、ウェハに残っているいず
れの電荷をも排出させる。電極２２、２４とウェハ６を
効果的にグランドに接続することによって静電界が除去
され、ウェハは容易且つ安全に支持面１４から取り除か
れる。
度の一様性を改善するために実質的に滑らかで平坦な上
部表面を有しているのが好ましく、これによって、支持
面１４の平坦さを維持する。電極の表面を平坦とするこ
とによって安定性を増大させることは、高密度のプラズ
マ強化型処理中は特に重要である。この高密度プラズマ
強化型処理では、フィルムの蒸着はウェハの高い熱負荷
で発生しているが、このような場合には、熱的な非一様
性によってウェハにストレスが引き起こされ、ウェハが
破壊されることがある。ウェハへの可能な損傷を防ぐこ
とにより、電極アセンブリは処理システムの実効性を実
質的に改善する。ウェハ６と支持面１４の間の静電電荷
は、ウェハが支持本体１２から安全に取り除かれる前
に、非作動とされなければならない。好ましい実施例で
は、電極２２と２４は、約１００ｋΩを有する抵抗を通
じて電極を電源４２からグランドへ切り換えることによ
って放電される。抵抗は、放電の速度を制御し、ウェハ
の表面の構成部材に損傷を与え得る過渡電圧の発生を防
止する。支持システム１０に対するいずれのＲＦバイア
スの付与も中断される。この間中、処理システムのプラ
ズマ源は作動したままであり、ウェハに残っているいず
れの電荷をも排出させる。電極２２、２４とウェハ６を
効果的にグランドに接続することによって静電界が除去
され、ウェハは容易且つ安全に支持面１４から取り除か
れる。
【００１２】本実施例では、支持システム１０は、プラ
ズマ強化型処理システムでの使用に特に適する。電極ア
センブリ２０は、ＲＦバイアスを支持本体に与える手段
を含む。特に図６に示されているように、電極アセンブ
リ２０は、内部および外部電極２２、２４をマッチング
ネットワーク５６を通じてＲＦ源５４にそれぞれ結合す
る電気コネクタ５２を含む。ＲＦバイアスを支持面に与
えることによってウェハ上に生成された自己誘導バイア
スは、イオンをプラズマシースからウェハへ加速する。
エネルギーを付与されたこれらのイオンは、ステップカ
バー気相成長（step coverage chemical vapor deposit
ion)の間のボイドの形成を防止するために必要とされ
る。支持面１４に印加されるＲＦバイアスの周期は、４
５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚの範囲内にある。プラズマ源の
ＲＦ周波数は、チャックのそれとは異なっており、周波
数ビーティングを最小としている。本実施例では、ＲＦ
源５４の周波数は、ほぼ１３．５６ＭＨｚのプラズマ源
周波数に対して、ほぼ３．３９ＭＨｚである。好ましい
マッチングネットワーク５６が図６に示されている。マ
ッチングネットワーク５６は一般に、インダクタ５７
と、このインダクタ５７に接続された一対の可変キャパ
シタ５８、５９を有し、ＲＦ源５４をウェハ２２に対し
て位相マッチングして、ウェハに対するＲＦ送出パター
ンを変更する。支持本体１２は、処理中に５０°Ｃ〜７
５°Ｃで約４〜７Ωであるような非常に良好な容量イン
ダクタンスを有する。調整可能なキャパシタ５８、５９
とインダクタ５７は、プラスマが存在しない場合にマッ
チングの範囲外となり、ＲＦ発生装置によってその出力
レベルが減少され、アンロード共鳴回路における過剰な
電圧による支持アセンブリ１０への損傷が防止されるよ
うにして設計されている。インダクタ５７は、インダク
タンス損失を最小とするためアイロンパウダーコア物質
を有する。パウダーの高い透磁率により、必要とされる
ターンの回数が減少され、Ｑ値やインダクタのスペース
の要請を改善する。約３．３９ＭＨｚのＲＦ源周波数に
対して、インダクタ５７は好ましくは約１３μＨのイン
ダクタンスを有する。マッチングネットワーク５６は、
標準システムに比べて約５０％の実効率の増加を提供す
ることから好ましい。しかしながら、本発明の他の変更
において、他のタイプのマッチングネットワークを使用
できることも理解されるべきである。
ズマ強化型処理システムでの使用に特に適する。電極ア
センブリ２０は、ＲＦバイアスを支持本体に与える手段
を含む。特に図６に示されているように、電極アセンブ
リ２０は、内部および外部電極２２、２４をマッチング
ネットワーク５６を通じてＲＦ源５４にそれぞれ結合す
る電気コネクタ５２を含む。ＲＦバイアスを支持面に与
えることによってウェハ上に生成された自己誘導バイア
スは、イオンをプラズマシースからウェハへ加速する。
エネルギーを付与されたこれらのイオンは、ステップカ
バー気相成長（step coverage chemical vapor deposit
ion)の間のボイドの形成を防止するために必要とされ
る。支持面１４に印加されるＲＦバイアスの周期は、４
５０ｋＨｚ〜６０ＭＨｚの範囲内にある。プラズマ源の
ＲＦ周波数は、チャックのそれとは異なっており、周波
数ビーティングを最小としている。本実施例では、ＲＦ
源５４の周波数は、ほぼ１３．５６ＭＨｚのプラズマ源
周波数に対して、ほぼ３．３９ＭＨｚである。好ましい
マッチングネットワーク５６が図６に示されている。マ
ッチングネットワーク５６は一般に、インダクタ５７
と、このインダクタ５７に接続された一対の可変キャパ
シタ５８、５９を有し、ＲＦ源５４をウェハ２２に対し
て位相マッチングして、ウェハに対するＲＦ送出パター
ンを変更する。支持本体１２は、処理中に５０°Ｃ〜７
５°Ｃで約４〜７Ωであるような非常に良好な容量イン
ダクタンスを有する。調整可能なキャパシタ５８、５９
とインダクタ５７は、プラスマが存在しない場合にマッ
チングの範囲外となり、ＲＦ発生装置によってその出力
レベルが減少され、アンロード共鳴回路における過剰な
電圧による支持アセンブリ１０への損傷が防止されるよ
うにして設計されている。インダクタ５７は、インダク
タンス損失を最小とするためアイロンパウダーコア物質
を有する。パウダーの高い透磁率により、必要とされる
ターンの回数が減少され、Ｑ値やインダクタのスペース
の要請を改善する。約３．３９ＭＨｚのＲＦ源周波数に
対して、インダクタ５７は好ましくは約１３μＨのイン
ダクタンスを有する。マッチングネットワーク５６は、
標準システムに比べて約５０％の実効率の増加を提供す
ることから好ましい。しかしながら、本発明の他の変更
において、他のタイプのマッチングネットワークを使用
できることも理解されるべきである。
【００１３】本発明の好ましい実施例では、直流電圧源
４２とＲＦバイアス源５４とが図６に示されているよう
に組み合わされる。源４２、５４は共に電極２２、２４
に直接接続され、直流電圧源４２はＲＣフィルタ４３、
４５を通じて同じ接続に結合される。直流源４２とＲＦ
源５４を組み合わせることにより、支持本体への接続の
数を減少させ、支持本体１２に必要とされるサイズの全
体を最小とする。これは本発明の特別の利点であり、こ
こでは、支持本体１２をチャンバフロアの上部に持ち上
げることによって利用可能なスペースの量を制限した。
ＲＦ源５４と電極２２、２４の間に位置づけられたキャ
パシタ６２は、内部電極２２と外部電極２４へのＲＦバ
イアスの印加速度を制御し、ウェハの全体にわたって一
様なＲＦ分散が得られるようにする調整メカニズムを提
供し、ウェハ表面上での一様な処理を確実なものとす
る。前述のように、支持システム１０をプラズマ強化型
処理システムとともに使用する場合には、ガードリング
２６を直流電圧源４２の中央タップに接続し、ウェハに
わたって一様な直流電圧を提供することもできる。更
に、ガードリング２６をＲＦ源５４に結合して、ウェハ
平面に送出されるＲＦバイアスを更に制御する手段を提
供することもできる。
４２とＲＦバイアス源５４とが図６に示されているよう
に組み合わされる。源４２、５４は共に電極２２、２４
に直接接続され、直流電圧源４２はＲＣフィルタ４３、
４５を通じて同じ接続に結合される。直流源４２とＲＦ
源５４を組み合わせることにより、支持本体への接続の
数を減少させ、支持本体１２に必要とされるサイズの全
体を最小とする。これは本発明の特別の利点であり、こ
こでは、支持本体１２をチャンバフロアの上部に持ち上
げることによって利用可能なスペースの量を制限した。
ＲＦ源５４と電極２２、２４の間に位置づけられたキャ
パシタ６２は、内部電極２２と外部電極２４へのＲＦバ
イアスの印加速度を制御し、ウェハの全体にわたって一
様なＲＦ分散が得られるようにする調整メカニズムを提
供し、ウェハ表面上での一様な処理を確実なものとす
る。前述のように、支持システム１０をプラズマ強化型
処理システムとともに使用する場合には、ガードリング
２６を直流電圧源４２の中央タップに接続し、ウェハに
わたって一様な直流電圧を提供することもできる。更
に、ガードリング２６をＲＦ源５４に結合して、ウェハ
平面に送出されるＲＦバイアスを更に制御する手段を提
供することもできる。
【００１４】ガードリング２６をアルミニウムのような
電気導電物質で形成することもできる。例えば図６に示
されているように、電気導電性のガードリング２６をＲ
Ｆ源に結合させることによって、ウェハと電気接触が確
立されたときに接合部６４で誘導ウェハバイアスを直接
測定することもできる。支持本体１０は、電極アセンブ
リ２０の周囲周りに延長されてプラズマから動作中の電
極を保護するイオンフォーカスリング７２を含む。イオ
ンフォーカスリング７２は、セラミック物質や他の適当
な誘電物質で形成されている。特に図７に示されている
ように、ウェハは、ガードリング２６とイオンフォーカ
スリング７２の一部にわたって拡張される。本実施例で
は、環状ショルダー７４を含む。環状ショルダー７４
は、ウェハを支持して、イオンフォーカスリング７２に
よってウェハがプラズマから少なくとも部分的に保護さ
れるようにしている。ウェハとイオンフォーカスリング
７２の間におけるいずれのプラズマ滲出もガードリング
２６と出くわすことになり、プラズマを動作中の電極２
２、２４から効果的に隔離する。ウェハ６は、ウェハ押
し上げアセンブリ８６によって支持面１４上へ下降さ
れ、また、支持面１４から上昇される。押し上げアセン
ブリ８６は、支持面１４と電極アセンブリ２０に形成さ
れた開口９０を通じて延長する複数の押し上げピン８８
を有する。押し上げピン８８は、ピン８８を用いてウェ
ハ６を支持面１４の上部に保持する図４に示された延長
位置と、図８に示された引っ込み位置との間で移動する
ことができる。本実施例では、押し上げメカニズム８６
は、３つの押し上げピン８８（図１）を含む。これらの
ピンは、ウェハ６を支持面に対して移動させるときに該
ウェハを均等に支持するのに必要とされる最小の数であ
る。ピン８８は、ウェハの中央と周辺エッジの間のほぼ
半ばに位置づけられている。最小数のピンを使用するこ
とが望ましいが、ピン８８と開口９０の数および位置を
望み通りに変更できることは理解されよう。
電気導電物質で形成することもできる。例えば図６に示
されているように、電気導電性のガードリング２６をＲ
Ｆ源に結合させることによって、ウェハと電気接触が確
立されたときに接合部６４で誘導ウェハバイアスを直接
測定することもできる。支持本体１０は、電極アセンブ
リ２０の周囲周りに延長されてプラズマから動作中の電
極を保護するイオンフォーカスリング７２を含む。イオ
ンフォーカスリング７２は、セラミック物質や他の適当
な誘電物質で形成されている。特に図７に示されている
ように、ウェハは、ガードリング２６とイオンフォーカ
スリング７２の一部にわたって拡張される。本実施例で
は、環状ショルダー７４を含む。環状ショルダー７４
は、ウェハを支持して、イオンフォーカスリング７２に
よってウェハがプラズマから少なくとも部分的に保護さ
れるようにしている。ウェハとイオンフォーカスリング
７２の間におけるいずれのプラズマ滲出もガードリング
２６と出くわすことになり、プラズマを動作中の電極２
２、２４から効果的に隔離する。ウェハ６は、ウェハ押
し上げアセンブリ８６によって支持面１４上へ下降さ
れ、また、支持面１４から上昇される。押し上げアセン
ブリ８６は、支持面１４と電極アセンブリ２０に形成さ
れた開口９０を通じて延長する複数の押し上げピン８８
を有する。押し上げピン８８は、ピン８８を用いてウェ
ハ６を支持面１４の上部に保持する図４に示された延長
位置と、図８に示された引っ込み位置との間で移動する
ことができる。本実施例では、押し上げメカニズム８６
は、３つの押し上げピン８８（図１）を含む。これらの
ピンは、ウェハ６を支持面に対して移動させるときに該
ウェハを均等に支持するのに必要とされる最小の数であ
る。ピン８８は、ウェハの中央と周辺エッジの間のほぼ
半ばに位置づけられている。最小数のピンを使用するこ
とが望ましいが、ピン８８と開口９０の数および位置を
望み通りに変更できることは理解されよう。
【００１５】本実施例では、３つの押し上げピン８８が
ヨーク部材９２によって運搬される。ヨーク部材９２が
支持面１４の後方および前方に移動され、押し上げピン
８８は、図４と図８に示された拡張位置と引っ込み位置
の間で、電極アセンブリ２０とヨーク部材９２の間に配
置されたアクチュエータ９４によって移動する。押し上
げピン８８の移動はヨーク部材９２と同期され、ウェハ
が押し上げピン８８によって移動されたときに、ウェハ
６が実質的に水平な方向に保持されることを確実にす
る。本実施例のアクチュエータ９４は空気シリンダによ
って提供されているが、他のアクチュエータ手段もヨー
ク部材９２を上昇および下降させるために使用され得る
ことは理解されよう。特に図８に示されているように、
押し上げピン８８は、カラー９６に取り付けられてい
る。本実施例では、カラー９６は、引っ込み位置と拡張
位置の間でピン８８が移動されるときにコンプライアン
スを増加させフリクションを減少させるよう、プラスチ
ック物質で形成されているのが好ましい。押し上げピン
８８とカラー９６は、ベアリング９８の長手方向の内腔
を通じて延びている。本実施例では、ベアリング９８
は、電極アセンブリ２０のベース２８に形成された開口
９９に位置付けられている。シャフト１００は、カラー
９６をヨーク部材９２によって運搬されるソケット１０
２に結合する。カラー９６、シャフト１００、ソケット
１０２は、電極アセンブリ２０とヨーク部材９２に取り
付けられたベローアセンブリ１０４によって囲まれてい
る。適当なシールリングが、ベローアセンブリ１０４と
電極アセンブリおよびヨーク部材の間に圧縮される。ベ
ローアセンブリ１０４は膨張および収縮し、ヨーク部材
９２は電極アセンブリ２０に対して上昇されおよび下降
される。以下により詳細に記述するように、本発明の押
し上げメカニズム８６は、ガス状基体を支持面１４に送
出する際にウェハ冷却システムと協動する点に特に利点
がある。押し上げメカニズム８６の様々な構成部材を本
発明の範囲内で変更できることは理解されよう。更に、
本発明の他の変更では、支持システム１０はウェハ６を
支持面から取り除くために異なるメカニズムを使用でき
ることも理解されよう。
ヨーク部材９２によって運搬される。ヨーク部材９２が
支持面１４の後方および前方に移動され、押し上げピン
８８は、図４と図８に示された拡張位置と引っ込み位置
の間で、電極アセンブリ２０とヨーク部材９２の間に配
置されたアクチュエータ９４によって移動する。押し上
げピン８８の移動はヨーク部材９２と同期され、ウェハ
が押し上げピン８８によって移動されたときに、ウェハ
６が実質的に水平な方向に保持されることを確実にす
る。本実施例のアクチュエータ９４は空気シリンダによ
って提供されているが、他のアクチュエータ手段もヨー
ク部材９２を上昇および下降させるために使用され得る
ことは理解されよう。特に図８に示されているように、
押し上げピン８８は、カラー９６に取り付けられてい
る。本実施例では、カラー９６は、引っ込み位置と拡張
位置の間でピン８８が移動されるときにコンプライアン
スを増加させフリクションを減少させるよう、プラスチ
ック物質で形成されているのが好ましい。押し上げピン
８８とカラー９６は、ベアリング９８の長手方向の内腔
を通じて延びている。本実施例では、ベアリング９８
は、電極アセンブリ２０のベース２８に形成された開口
９９に位置付けられている。シャフト１００は、カラー
９６をヨーク部材９２によって運搬されるソケット１０
２に結合する。カラー９６、シャフト１００、ソケット
１０２は、電極アセンブリ２０とヨーク部材９２に取り
付けられたベローアセンブリ１０４によって囲まれてい
る。適当なシールリングが、ベローアセンブリ１０４と
電極アセンブリおよびヨーク部材の間に圧縮される。ベ
ローアセンブリ１０４は膨張および収縮し、ヨーク部材
９２は電極アセンブリ２０に対して上昇されおよび下降
される。以下により詳細に記述するように、本発明の押
し上げメカニズム８６は、ガス状基体を支持面１４に送
出する際にウェハ冷却システムと協動する点に特に利点
がある。押し上げメカニズム８６の様々な構成部材を本
発明の範囲内で変更できることは理解されよう。更に、
本発明の他の変更では、支持システム１０はウェハ６を
支持面から取り除くために異なるメカニズムを使用でき
ることも理解されよう。
【００１６】支持システム１０は、処理の中にウェハを
冷却するためにガス状冷却システムを使用する。ヘリウ
ム、アルゴン、酸素、水素のような無反応ガス状基体が
支持面１４とウェハ６の間に送出され、ウェハ全体に実
質的に一様な冷却を提供する。処理中にウェハ全体を一
様な温度に保持することは、ウェハ表面上に形成される
層の一様性を大きく改善する。本実施例では、ガス状基
体は押し上げメカニズム８６を通じて支持面１４に送出
される。ガス源１１４は、導管１１５を通じて押し上げ
メカニズムのヨーク部材９２に結合される。ヨーク部材
９２は、特に図９に示されているように、ガス基体を３
つの押し上げピン８８の間に分配するためにチャネルネ
ットワーク１１６を用いて形成される。ガス状基体は、
ガス入口１１８を通じて入り、チャネルネットワーク１
１６を通じてヨーク部材９２の脚に沿ってソケット１０
２へ進む。ソケット１０２は、該ソケットの内部キャビ
ティ１２２に向かって内部方向に延長されるようにして
そこに形成された穴１２０を有する。シャフト１００
は、ソケットキャビティ１２２内に緩く適合し、シャフ
ト１００とソケット１０２の間のガス状基体のための通
路を与える。ガス状基体は、シャフト１００の周囲を上
部に向かってベローアセンブリ１０４の内部へ流れる。
ガスは、ベローアセンブリ１０４から、カラー９６とベ
アリング９８の間へ電極アセンブリ２０に形成された開
口を通じて上部方向に支持面１４へ流れる。電極アセン
ブリ２０を通じて延びている開口９０は、誘電物質によ
ってコーティングされており、直流電圧をガス状基体か
ら隔離する。ガス状基体が直流電圧に露出されるのを防
ぐことは、アーク電流を防止するのに特に重要である。
冷却するためにガス状冷却システムを使用する。ヘリウ
ム、アルゴン、酸素、水素のような無反応ガス状基体が
支持面１４とウェハ６の間に送出され、ウェハ全体に実
質的に一様な冷却を提供する。処理中にウェハ全体を一
様な温度に保持することは、ウェハ表面上に形成される
層の一様性を大きく改善する。本実施例では、ガス状基
体は押し上げメカニズム８６を通じて支持面１４に送出
される。ガス源１１４は、導管１１５を通じて押し上げ
メカニズムのヨーク部材９２に結合される。ヨーク部材
９２は、特に図９に示されているように、ガス基体を３
つの押し上げピン８８の間に分配するためにチャネルネ
ットワーク１１６を用いて形成される。ガス状基体は、
ガス入口１１８を通じて入り、チャネルネットワーク１
１６を通じてヨーク部材９２の脚に沿ってソケット１０
２へ進む。ソケット１０２は、該ソケットの内部キャビ
ティ１２２に向かって内部方向に延長されるようにして
そこに形成された穴１２０を有する。シャフト１００
は、ソケットキャビティ１２２内に緩く適合し、シャフ
ト１００とソケット１０２の間のガス状基体のための通
路を与える。ガス状基体は、シャフト１００の周囲を上
部に向かってベローアセンブリ１０４の内部へ流れる。
ガスは、ベローアセンブリ１０４から、カラー９６とベ
アリング９８の間へ電極アセンブリ２０に形成された開
口を通じて上部方向に支持面１４へ流れる。電極アセン
ブリ２０を通じて延びている開口９０は、誘電物質によ
ってコーティングされており、直流電圧をガス状基体か
ら隔離する。ガス状基体が直流電圧に露出されるのを防
ぐことは、アーク電流を防止するのに特に重要である。
【００１７】ガス状基体を押し上げアセンブリ８６を通
じて転送することは、電極に形成されら穴の数を最小と
するのに特に利点がある。このことは、取り分け、支持
システム１０がプラズマ強化型処理システムに使用され
たときに、可能なアーク放電の領域を最小にすることに
よって電極アセンブリの信頼性を改善するという点で所
望されるものである。また、穴の数を最小にすることに
より支持本体１２の製造コストも減少する。開口９０
は、押し上げピン８８と開口９０の対称的な配列故に、
ガスを支持面１４に一様に分配するのに特に適してい
る。本発明の冷却システムは、処理中にウェハ６が支持
本体６から外れて破壊されてしまうことを防止する手段
を含む。特に図１０に示されているように、押し上げピ
ン８８のカラーの外部直径はベアリング９８の長手方向
の内腔の内部直径に実質的に等しい。ベアリング９８の
内部壁に形成された長手方向に延長している浅溝１２６
とカラー９６の外面上で長手方向に延長している浅溝１
２８が、ベローアセンブリ１０４と開口９０の間のガス
状基体のための導管を与える。溝１２６と１２８は本実
施例では実質的に整列されているが、溝１２６、１２８
は、もし所望なら、互いに周辺で離間されていてもよ
い。浅溝１２６と１２８は、ガス状基体の流れ速度を大
きく減少させる制限部を提供する。制限部は、ガスの流
路を、ガス源１１４とベアリング９８の間の第１のプレ
ナムと、ベアリングと支持面の間の第２のプレナムに分
割し、ここで、第２のプレナムは、利用可能なガスの少
量だけを含み、支持面１４の隣接で利用可能なガスの量
を減少させる。
じて転送することは、電極に形成されら穴の数を最小と
するのに特に利点がある。このことは、取り分け、支持
システム１０がプラズマ強化型処理システムに使用され
たときに、可能なアーク放電の領域を最小にすることに
よって電極アセンブリの信頼性を改善するという点で所
望されるものである。また、穴の数を最小にすることに
より支持本体１２の製造コストも減少する。開口９０
は、押し上げピン８８と開口９０の対称的な配列故に、
ガスを支持面１４に一様に分配するのに特に適してい
る。本発明の冷却システムは、処理中にウェハ６が支持
本体６から外れて破壊されてしまうことを防止する手段
を含む。特に図１０に示されているように、押し上げピ
ン８８のカラーの外部直径はベアリング９８の長手方向
の内腔の内部直径に実質的に等しい。ベアリング９８の
内部壁に形成された長手方向に延長している浅溝１２６
とカラー９６の外面上で長手方向に延長している浅溝１
２８が、ベローアセンブリ１０４と開口９０の間のガス
状基体のための導管を与える。溝１２６と１２８は本実
施例では実質的に整列されているが、溝１２６、１２８
は、もし所望なら、互いに周辺で離間されていてもよ
い。浅溝１２６と１２８は、ガス状基体の流れ速度を大
きく減少させる制限部を提供する。制限部は、ガスの流
路を、ガス源１１４とベアリング９８の間の第１のプレ
ナムと、ベアリングと支持面の間の第２のプレナムに分
割し、ここで、第２のプレナムは、利用可能なガスの少
量だけを含み、支持面１４の隣接で利用可能なガスの量
を減少させる。
【００１８】幾つかの例では、ウェハと支持面の間の静
電電荷は、処理中に、部分的に崩壊される。ウェハの一
部が支持面から離れされた場合には、第２のプレナムの
ガスが結果として生じたギャップを通じて処理チャンバ
の中へ流れ出る。全ての供給ガスが支持面に露出された
場合には、圧力によってウェハは支持面１４から無理や
り剥がされる。支持面からのこの破壊的な分離は、第２
のプレナムにおけるガスの量を制限することによって防
止される。第２のプレナムにおけるガス状基体が漏れた
後、ウェハは自由に支持面に引き戻されたり支持本体に
再びくっつけられる。浅溝１２６と１２８によって提供
される制限部を使用することにより、静電電荷の一部が
喪失されることに因るウェハへの可能な損傷は実質的に
取り除かれる。本実施例では、制限部は、ベアリング９
８の内部に形成された浅溝１２６と、カラー９６の外部
上に形成された浅溝１２８とによって提供される。しか
しながら、支持面に対する制限部の位置はもし所望なら
ば変更できることを理解すべきである。更に、ガス源１
１４と支持面１４の間のガス流を制限するために本発明
の範囲内で他の手段を使用することもできる。制限部に
より、第２のプレナム、及び、ウェハと支持面１４の間
のスペースをガスで満たすために付加的な時間が必要と
される。この結果、ウェハは、所望の処理温度に急速に
到達することができる。制限部による他の利点は、この
制限部によって細管供給が提供され、支持面１４と押し
上げメカニズム８６の間に高いポテンシャル差が存在す
る場合にもアーク放電が防止されることである。
電電荷は、処理中に、部分的に崩壊される。ウェハの一
部が支持面から離れされた場合には、第２のプレナムの
ガスが結果として生じたギャップを通じて処理チャンバ
の中へ流れ出る。全ての供給ガスが支持面に露出された
場合には、圧力によってウェハは支持面１４から無理や
り剥がされる。支持面からのこの破壊的な分離は、第２
のプレナムにおけるガスの量を制限することによって防
止される。第２のプレナムにおけるガス状基体が漏れた
後、ウェハは自由に支持面に引き戻されたり支持本体に
再びくっつけられる。浅溝１２６と１２８によって提供
される制限部を使用することにより、静電電荷の一部が
喪失されることに因るウェハへの可能な損傷は実質的に
取り除かれる。本実施例では、制限部は、ベアリング９
８の内部に形成された浅溝１２６と、カラー９６の外部
上に形成された浅溝１２８とによって提供される。しか
しながら、支持面に対する制限部の位置はもし所望なら
ば変更できることを理解すべきである。更に、ガス源１
１４と支持面１４の間のガス流を制限するために本発明
の範囲内で他の手段を使用することもできる。制限部に
より、第２のプレナム、及び、ウェハと支持面１４の間
のスペースをガスで満たすために付加的な時間が必要と
される。この結果、ウェハは、所望の処理温度に急速に
到達することができる。制限部による他の利点は、この
制限部によって細管供給が提供され、支持面１４と押し
上げメカニズム８６の間に高いポテンシャル差が存在す
る場合にもアーク放電が防止されることである。
【００１９】図示されていないが、本発明の支持本体を
使用することにより、処理中にウェハを冷却するために
使用されるガス状基体を用いて、押し上げピン８８を上
昇及び下降させることもできる。変更された実施例で
は、押し上げピン８８は適当な支持構造によって運搬さ
れ、また、バネに結合される。ガス状基体の圧力とバネ
が、図４と図８に示された拡張位置と引っ込み位置の間
の押し上げピンの移動を制御する。本発明の支持面１４
は、ガス状基体をウェハ全体に一様に分散する手段を含
む。特に図３に示されているように、複数のガス分散溝
１３６が支持面１４に形成される。本実施例では、開口
９０の位置は溝と一致しているため、ガスはガス分散溝
に直接供給される。ガスはその後溝を通じてウェハの後
面と支持面１４の間のスペース中に流れ込む。溝１３６
は好ましくは、支持面１４を複数のセグメン１３８に分
割し、ここで、各セグメントの総表面領域は実質的に等
しい。本実施例では、ウェハの周囲周りに６０°の間隔
で位置づけられた放射状に延びる６つの溝と周囲に延び
る５つの溝が溝形状に含まれる。支持本体１２が８イン
チのウェハを保持するために使用される場合、各セグメ
ント１３８は約２平方インチの表面領域を有する。しか
しながら、セグメントの表面領域をより大きく若しくは
より小さくすることも本発明の範囲内であることは理解
されよう。ガス分散溝１３６の形態により、ガスは支持
面の全体にわたって実質的に一様に分散され、処理を通
じてウェハが一様に冷却される。
使用することにより、処理中にウェハを冷却するために
使用されるガス状基体を用いて、押し上げピン８８を上
昇及び下降させることもできる。変更された実施例で
は、押し上げピン８８は適当な支持構造によって運搬さ
れ、また、バネに結合される。ガス状基体の圧力とバネ
が、図４と図８に示された拡張位置と引っ込み位置の間
の押し上げピンの移動を制御する。本発明の支持面１４
は、ガス状基体をウェハ全体に一様に分散する手段を含
む。特に図３に示されているように、複数のガス分散溝
１３６が支持面１４に形成される。本実施例では、開口
９０の位置は溝と一致しているため、ガスはガス分散溝
に直接供給される。ガスはその後溝を通じてウェハの後
面と支持面１４の間のスペース中に流れ込む。溝１３６
は好ましくは、支持面１４を複数のセグメン１３８に分
割し、ここで、各セグメントの総表面領域は実質的に等
しい。本実施例では、ウェハの周囲周りに６０°の間隔
で位置づけられた放射状に延びる６つの溝と周囲に延び
る５つの溝が溝形状に含まれる。支持本体１２が８イン
チのウェハを保持するために使用される場合、各セグメ
ント１３８は約２平方インチの表面領域を有する。しか
しながら、セグメントの表面領域をより大きく若しくは
より小さくすることも本発明の範囲内であることは理解
されよう。ガス分散溝１３６の形態により、ガスは支持
面の全体にわたって実質的に一様に分散され、処理を通
じてウェハが一様に冷却される。
【００２０】溝の形態は、ウェハと電極の間に、特にプ
ラズマ強化型システムにおいて、ポテンシャルが存在す
ることに起因して、ガス状基体が発火するのを防止する
のに特に重要である。溝の幅はほぼ０．０３１〜０．１
２５インチ、好ましくは約０．０６２インチを示し、一
方、最大深さはほぼ０．０１０〜０．０３１インチ、好
ましくは約０．０１５インチである。特に図１１に示さ
れているように、溝１３６は湾曲されている。溝のエッ
ジは０．０３１〜０．０６２インチの範囲の曲率半径Ｒ
１を有し、一方、溝の曲率半径Ｒ２は０．０３１〜０．
０９３インチの範囲にある。本実施例では、外部溝エッ
ジは、好ましくは、約０．０４５インチの曲率半径を有
し、一方、溝の曲率半径は約０．０６２インチである。
これらの大きさを使用した場合、本実施例で使用される
ヘリウムの発火は実質的に防止される。本発明の支持シ
ステム１０では、アーム部材１６が支持本体１２を処理
チャンバへ取り付けており、ここでは、支持本体はチャ
ンバのフロアから離間されている。チャンバのフロアか
ら支持本体１２を取り除くことにより、処理システム全
体設計における柔軟性が増大する。例えば、ポンプ（図
示していない）を支持本体１２と軸的に整列させること
により、システム全体のフットプリントを最小とし、処
理中のポンプの有効性を改善することもできる。本実施
例では、支持システム１０は、処理チャンバ８の１つの
壁に向かって延びている２つのアーム１６Ａ、１６Ｂを
含む。しかしながら、アームの数を増やすこともできる
し、また、もし所望ならば、１つのアーム部材だけを使
用できることも理解すべきである。複数のアーム部材を
使用することによって安定性の増加やサイズの減少のよ
うな幾つかの利点が得られる。アーム部材１６の直径が
減少することにより、ポンプに対するガス流の対称性の
妨害量が減少する。これは、感圧性を付与するために特
に重要である。本実施例では、アーム部材１６Ａ、１６
Ｂはチャンバの一方の壁に取り付けられている。しかし
ながら、アーム部材は処理チャンバのコーナーに向かっ
て延びていてもよいし、また、もし所望なら、複数の異
なるチャンバの壁に向かって延びていてもよいことを理
解すべきである。
ラズマ強化型システムにおいて、ポテンシャルが存在す
ることに起因して、ガス状基体が発火するのを防止する
のに特に重要である。溝の幅はほぼ０．０３１〜０．１
２５インチ、好ましくは約０．０６２インチを示し、一
方、最大深さはほぼ０．０１０〜０．０３１インチ、好
ましくは約０．０１５インチである。特に図１１に示さ
れているように、溝１３６は湾曲されている。溝のエッ
ジは０．０３１〜０．０６２インチの範囲の曲率半径Ｒ
１を有し、一方、溝の曲率半径Ｒ２は０．０３１〜０．
０９３インチの範囲にある。本実施例では、外部溝エッ
ジは、好ましくは、約０．０４５インチの曲率半径を有
し、一方、溝の曲率半径は約０．０６２インチである。
これらの大きさを使用した場合、本実施例で使用される
ヘリウムの発火は実質的に防止される。本発明の支持シ
ステム１０では、アーム部材１６が支持本体１２を処理
チャンバへ取り付けており、ここでは、支持本体はチャ
ンバのフロアから離間されている。チャンバのフロアか
ら支持本体１２を取り除くことにより、処理システム全
体設計における柔軟性が増大する。例えば、ポンプ（図
示していない）を支持本体１２と軸的に整列させること
により、システム全体のフットプリントを最小とし、処
理中のポンプの有効性を改善することもできる。本実施
例では、支持システム１０は、処理チャンバ８の１つの
壁に向かって延びている２つのアーム１６Ａ、１６Ｂを
含む。しかしながら、アームの数を増やすこともできる
し、また、もし所望ならば、１つのアーム部材だけを使
用できることも理解すべきである。複数のアーム部材を
使用することによって安定性の増加やサイズの減少のよ
うな幾つかの利点が得られる。アーム部材１６の直径が
減少することにより、ポンプに対するガス流の対称性の
妨害量が減少する。これは、感圧性を付与するために特
に重要である。本実施例では、アーム部材１６Ａ、１６
Ｂはチャンバの一方の壁に取り付けられている。しかし
ながら、アーム部材は処理チャンバのコーナーに向かっ
て延びていてもよいし、また、もし所望なら、複数の異
なるチャンバの壁に向かって延びていてもよいことを理
解すべきである。
【００２１】アーム部材１６は各々、長手方向に延びる
内腔１４４を用いて形成される。図２に示されているよ
うに、アーム部材１６Ａの一方の内腔は、電極２２と２
４を電圧源に結合する電気コネクタ４０、４４とＲＦ源
５４を電極に結合する電気コネクタ５２のために支持本
体１２からの導管を提供する。ガス源１１４と電極アセ
ンブリ２０のための流体源３６は、それぞれ、導管１１
５、３５を通じて支持本体１２に接続される。図示され
ていないが、アクチュエータ９４を動作させる空気ライ
ンもまたアーム部材１６Ｂの内腔１４４を通じて延びて
いる。２つのアーム部材１６を使用することにより、電
気的な構成部材はウェハを冷却するのに使用されるガス
状基体と同様に液体の冷却用流体から安全に分離され
る。図１および図２に示されているように、本実施例で
は、アーム部材１６は好ましくはキャリッジ構造１７の
支持プレート１５０に取り付けられる。支持システム１
０は、支持本体１２とアーム部材１６をチャンバの壁に
形成された開口を通じて挿入し、支持プレート１５０を
適当な締結具を用いてチャンバの外面に固定することに
よって取り付けられる。支持本体１２は、支持プレート
１５０をチャンバの外面から外して、ユニット全体をチ
ャンバから引っ張ることによって取り除くことができ
る。支持プレート１５０の反対側に取り付けられたハウ
ジング１５２は、ＲＦ／ＤＣ結合器、整合ネットワー
ク、および、直流電源のような支持システム１０の構成
部材を密封する。結合部材（図示されていない）は、電
極アセンブリ２０を冷却する流体源３６とウェハ６を冷
却するガス源１１４を導管３５、１１５にそれぞれ結合
する。トラック構造１５４は、支持プレート１５０とハ
ウジング１５４を支持し、支持本体１２をチャンバへ挿
入し、また、支持本体をチャンバから除去するために、
支持プレート１５０が移動できるようにしている。
内腔１４４を用いて形成される。図２に示されているよ
うに、アーム部材１６Ａの一方の内腔は、電極２２と２
４を電圧源に結合する電気コネクタ４０、４４とＲＦ源
５４を電極に結合する電気コネクタ５２のために支持本
体１２からの導管を提供する。ガス源１１４と電極アセ
ンブリ２０のための流体源３６は、それぞれ、導管１１
５、３５を通じて支持本体１２に接続される。図示され
ていないが、アクチュエータ９４を動作させる空気ライ
ンもまたアーム部材１６Ｂの内腔１４４を通じて延びて
いる。２つのアーム部材１６を使用することにより、電
気的な構成部材はウェハを冷却するのに使用されるガス
状基体と同様に液体の冷却用流体から安全に分離され
る。図１および図２に示されているように、本実施例で
は、アーム部材１６は好ましくはキャリッジ構造１７の
支持プレート１５０に取り付けられる。支持システム１
０は、支持本体１２とアーム部材１６をチャンバの壁に
形成された開口を通じて挿入し、支持プレート１５０を
適当な締結具を用いてチャンバの外面に固定することに
よって取り付けられる。支持本体１２は、支持プレート
１５０をチャンバの外面から外して、ユニット全体をチ
ャンバから引っ張ることによって取り除くことができ
る。支持プレート１５０の反対側に取り付けられたハウ
ジング１５２は、ＲＦ／ＤＣ結合器、整合ネットワー
ク、および、直流電源のような支持システム１０の構成
部材を密封する。結合部材（図示されていない）は、電
極アセンブリ２０を冷却する流体源３６とウェハ６を冷
却するガス源１１４を導管３５、１１５にそれぞれ結合
する。トラック構造１５４は、支持プレート１５０とハ
ウジング１５４を支持し、支持本体１２をチャンバへ挿
入し、また、支持本体をチャンバから除去するために、
支持プレート１５０が移動できるようにしている。
【００２２】キャリッジアセンブリ１７を使用した場
合、支持本体１２は、実効的且つ容易に処理チャンバに
位置づけられ、また、そこから取り除かれる。キャリッ
ジアセンブリ１７は、生成されたウェハのメンテナンス
と清掃のためにチャンバへのアクセスを改善する。アー
ム部材１６はキャリッジ構造に取り付けることが可能で
あり、また、必要な接続は処理チャンバの外側で完成さ
れることから、処理チャンバの製造は簡易化される。キ
ャリッジアセンブリ１７の使用が好ましいが、アセンブ
リを省くことも可能であるし、また、アーム部材１６を
チャンバの壁に直接取り付けることも可能であることを
理解すべきである。本発明の特別の実施例の前記の記述
は、説明および記述を目的としたものである。これらは
他を排し、また、本発明を開示された形態そのままに限
定することを意図するものではなく、多くの変形と変更
が上の教示から可能である。これらの実施例は、本発明
の原理とその実際の使用法を最も良く説明するために選
択され記述されており、これにより、他の当業者が、本
発明や、意図した特別の使用に適合するように様々な変
更を加えた様々な実施例を、最もよく使用できるように
したものである。本発明の範囲は、本明細書に添付され
た請求項とそれらの同等物によって規定される。
合、支持本体１２は、実効的且つ容易に処理チャンバに
位置づけられ、また、そこから取り除かれる。キャリッ
ジアセンブリ１７は、生成されたウェハのメンテナンス
と清掃のためにチャンバへのアクセスを改善する。アー
ム部材１６はキャリッジ構造に取り付けることが可能で
あり、また、必要な接続は処理チャンバの外側で完成さ
れることから、処理チャンバの製造は簡易化される。キ
ャリッジアセンブリ１７の使用が好ましいが、アセンブ
リを省くことも可能であるし、また、アーム部材１６を
チャンバの壁に直接取り付けることも可能であることを
理解すべきである。本発明の特別の実施例の前記の記述
は、説明および記述を目的としたものである。これらは
他を排し、また、本発明を開示された形態そのままに限
定することを意図するものではなく、多くの変形と変更
が上の教示から可能である。これらの実施例は、本発明
の原理とその実際の使用法を最も良く説明するために選
択され記述されており、これにより、他の当業者が、本
発明や、意図した特別の使用に適合するように様々な変
更を加えた様々な実施例を、最もよく使用できるように
したものである。本発明の範囲は、本明細書に添付され
た請求項とそれらの同等物によって規定される。
【図１】処理チャンバに取り付けられた状態で示された
本発明によって構成された静電支持システムを示す図。
本発明によって構成された静電支持システムを示す図。
【図２】ウェハを支持するようにして示した図１の静電
支持システムの部分破壊上面図。
支持システムの部分破壊上面図。
【図３】図１の静電支持システムの支持面の上面図。
【図４】ウェハを支持する拡張位置にある押し上げピン
を有するようにして示された、図３の線４−４に実質的
に沿う断面図。
を有するようにして示された、図３の線４−４に実質的
に沿う断面図。
【図５】電極アセンブリのベースの底面図。
【図６】本発明の電極アセンブリと直流およびＲＦ電圧
源の部分破壊拡大断面図。
源の部分破壊拡大断面図。
【図７】支持本体１２のイオンフォーカスリングとガー
ドリングの部分破壊拡大断面図。
ドリングの部分破壊拡大断面図。
【図８】支持面上のウェハと、押し上げピンが引っ込み
位置にあるようにして示された押し上げメカニズムと、
の部分破壊拡大断面図。
位置にあるようにして示された押し上げメカニズムと、
の部分破壊拡大断面図。
【図９】図４の線９−９に実質的に沿う断面図。
【図１０】図８の線１０−１０に実質的に沿う断面図。
【図１１】図３の線１１−１１に実質的に沿う断面図。
６ ウェハ ８ 処理チャンバ １０ 支持システム １２ 支持本体 １４ 支持面 １６ アーム部材 １７ キャリッジアセンブリ １８ 支持ベース １９ カバー ２０ 電極アセンブリ ２２ 内部電極 ２４ 環状外部電極 ２８ ベース ２６ 環状ガードリング ３０ チャネル ３６ 流体源 ４０ 電気コネクタ ４２ 電源 ４６ 連結スイッチ ５６ マッチングネットワーク ８６ ウェハ押し上げアセンブリ ８８ 押し上げピン ９２ ヨーク部材 ９６ カラー １００ シャフト １０２ ソケット １０４ ベローアセンブリ １３６ ガス分散溝
Claims (10)
- 【請求項１】 ウェハを支持する静電支持システムにお
いて、 前記ウェハを保持する支持表面を有した、処理チャンバ
に位置付け可能な支持本体と、 前記ウェハを前記支持表面に静電的に結合するために前
記支持面に結合された電圧源と、 前記ウェハを冷却する冷却システムと、を備え、 前記冷却システムは、ガス状基体の源、前記支持面に形
成され且つ前記ウェハと前記支持面の間にガス状基体を
一様に分散させる形状とされた複数のガス分散溝、及
び、前記ガス源を前記ガス分散溝に接続して前記ガス状
基体を前記ガス源から前記ガス分散溝へ流す導管、を有
することを特徴とするシステム。 - 【請求項２】 請求項１記載の静電支持システムにおい
て、前記支持本体は、前記ウェハが前記支持面から破壊
的に分離されることを防止する防護手段を有するシステ
ム。 - 【請求項３】 請求項１記載の静電支持システムにおい
て、前記導管は、前記ガス分散溝と前記ガス源の間の前
記ガス状基体の流れを制限する手段を有するシステム。 - 【請求項４】 チャンバ壁とチャンバフロアを有する処
理チャンバにウェハを保持する静電支持システムにおい
て、 前記ウェハを保持する支持面を有する本体部分と、 前記本体部分を前記処理チャンバに支持するために前記
本体部分から外部に向かって延びている複数のアーム部
材であって、前記本体部分と前記アーム部材は前記チャ
ンバフロアから離間されている、アーム部材と、 前記支持面に電荷を与えて前記ウェハを前記支持面へ静
電的に結合する手段と、を備えることを特徴とする静電
支持システム。 - 【請求項５】 請求項４記載の静電支持システムにおい
て、前記電荷を与える手段は、前記本体部分から離され
た電圧源と、前記電圧源に接続され且つ前記アーム部材
の１つに形成された通路を通じて延びているような少な
くとも１つの電気コネクタとを有するシステム。 - 【請求項６】 請求項４記載の静電支持システムにおい
て、前記電荷を与える手段は、前記本体部分によって運
搬される少なくとも１つの電極と、前記電極を冷却する
電極冷却システムとを有し、前記電極冷却システムは、
前記本体部分から離された液体源と、前記複数のアーム
部材の中の他のアーム部材に形成された通路を通じて延
びている導管とを有するシステム。 - 【請求項７】 ウェハを処理するために該ウェハを処理
チャンバに支持する方法において、 少なくとも１つの電極を有した支持本体のウェハ支持面
の上に前記ウェハを位置付ける段階と、 前記電極に電圧を与えて前記ウェハを前記支持面に静電
的に引きつける段階と、 前記ウェハを処理した後に前記電極を実質的にグランド
接続し、前記電極を十分に非作動として前記ウェハを前
記支持面から解放する段階と、を備えることを特徴とす
る方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の方法において、前記支持
本体は一対の電極を有し、ここで、前記電圧を与える段
階は、前記電極の一方に正電圧を与え、前記電極の他方
に負電圧を与えることを含む方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の方法において、前記電圧
を与える段階は、前記ウェハを前記処理チャンバから取
り除いた後に、前記一対の電極に与える電圧の極性を切
り換えることを含む方法。 - 【請求項１０】 請求項７記載の方法において、更に、
ＲＦバイアスを前記支持本体に与える段階を備える方
法。
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