JP2015532001A - 異なるサイズのワークを取り扱う装置及び方法 - Google Patents

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Abstract

異なる直径のワークをプラズマ処理するための装置及び方法。本装置は、外周縁部65と、外周縁部65の内側にある開口部70と、開口部70と外周縁部65との間に延在する間隙72とを有するリフト板52を含む。リフト板52は、第1のワーク28及び第2のワーク30をそれぞれ支持する、異なる内径の環状縁部120を含む。

Description

本発明は包括的にはワークを取り扱う装置及び方法に関し、より詳細には、プラズマ処理システムの電極へ及びプラズマ処理システムの電極から、異なるサイズの基板を移送する装置及び方法に関する。
プラズマ処理ツールのような処理システムは、処理プロセスの実行中にプロセスチャンバ内で半導体、セラミック若しくは金属の基板又はウェハーを支持する保持機構に依存する。或る特定の保持機構は、支持体の上面に対してワークを昇降させるために一体となって上下に動くように構成されたリフトピンを含む。降下位置では、ワークが支持体の上面と少なくとも部分的に接触するように、リフトピンの先端は、支持体の上面と同一平面をなすか、又は支持体の上面から下方にわずかにくぼむ。上昇位置では、リフトピンの先端はワークの底面(背面)と接触し、支持体の上面より上方にワークを持ち上げる。通常、複数のリフトピンが、ワークの背面との複数の接触点を確立する。持ち上げられたワークと支持体の表面との間に結果として生じる間隙によって、エンドエフェクタを挿入するためのアクセス空間を与える。
リフトピンに関する要件は、プロセスチャンバの外部の場所からリフトピンまで機械的な動きを伝達するために、プロセスチャンバ内に1つ又は複数の機械的フィードスルーを必然的に伴う。各機械的フィードスルーはプロセスチャンバのチャンバ壁を貫通して延在する少なくとも1つのポートを必要とする。各ポートは真空漏れを生じる主な場所となる。さらに、リフトピンとワークとの間の接触は、ワークの背面に損傷を与えるか、又は汚染するおそれがある。さらに、リフトピンを昇降する過程は、プロセスチャンバを汚染する粒子を生成し、改善されない場合には、最終的に、処理されたワークの汚染につながるおそれがある。
それゆえ、リフトピンを不要にする改善された処理方法及びシステムを提供することが望まれている。
1つの実施形態では、異なる直径の第1のワーク及び第2のワークのプラズマ処理に用いる装置が提供される。その装置は、外周部と、外周部の内側にある開口部と、開口部を包囲する第1の縁部と、開口部を包囲する第2の縁部と、第1の縁部及び第2の縁部が不連続であるように開口部と外周部との間に延在する間隙とを有するリフト板を含む。第1の縁部は第1のワークを支持するように構成される。第2の縁部は第2のワークを支持するように構成される。第1の縁部は、第1の縁部の内径より大きい内径を有する。
更に別の実施形態では、プロセスチャンバにおいて異なる直径の第1のワーク及び第2のワークを処理する方法が提供される。その方法は、内径を有する第1の縁部におけるリフト板上に、第1のワークを外周縁部において支持することと、リフト板から下側電極の台座(pedestal)部分まで第1のワークを移送するように、台座部分に向かってリフト板を移動させることとを含む。その方法は、第1のワークが台座部分上に支持されている間に、第1のワークをプラズマで処理することも含む。その方法は、リフト板から第1のワークを取り外すことを含む。その方法は、第1の縁部の内径より大きい内径を有する第2の縁部におけるリフト板上に、第2のワークを外周縁部において支持することを更に含む。
本明細書に援用されるとともに本明細書の一部をなす添付の図面は、本発明の実施形態を示し、上記で述べた本発明の包括的な説明及び以下で述べる詳細な説明とともに、本発明の実施形態の原理を説明する役割を果たす。
本発明の一実施形態による、ウェハーリフト機構を含むプラズマ処理システムのための真空プロセスチャンバの分解図である。 ウェハーリフト機構のリフト板及び固定板の分解図である。 ウェハーリフト機構のリフト板及び固定板の分解図である。 ウェハーリフト機構のリフト板及び固定板と、プラズマ処理システムの電極の台座部分との組立斜視図である。 図4の概ね線5−5に沿って見た断面図である。 比較的小さい直径のウェハーがウェハーリフト機構のリフト板上に配置されるように位置決めされる、図4に類似の斜視図である。 ウェハーがウェハーリフト機構のリフト板によって支持され、リフト板が電極の台座部分に対して持ち上げられた状態にある、図6Aに類似の斜視図である。 リフト板が降下状態に配置された後に、ウェハーが電極の台座部分によって支持される、図6Bに類似の斜視図である。 比較的大きい直径のウェハーがウェハーリフト機構のリフト板上に配置されるように位置決めされる、図4に類似の斜視図である。 ウェハーがウェハーリフト機構のリフト板によって支持され、リフト板が電極の台座部分に対して持ち上げられた状態にある、図7Aに類似の斜視図である。 リフト板が降下状態に配置された後に、ウェハーが電極の台座部分によって支持される、図7Bに類似の斜視図である。
図1を参照すると、プラズマ処理システムとともに用いるためのプロセスチャンバ10が、包括的には、蓋部14と、その上に蓋部14が載っている基部16とを有する真空容器又は筐体と、下側電極24と、上側電極(図示せず)と、プロセスチャンバ10内に位置し、下側電極24へ及び下側電極24からウェハーを自動的に移送する役割を果たすアセンブリ48とを含む。蓋部14は持上げ装置(図示せず)と機械的に結合され、持上げ装置は、基部16に対して蓋部14を上昇位置と降下位置との間で垂直に昇降することができる。蓋部14及び基部16が接触している関係にあるとき、電極の内側に面した水平面によって垂直方向に囲まれ、かつ分離リングによって画定される側壁の内側に面した垂直面によって横方向に囲まれた空間として処理領域が画定される。蓋部14が上昇位置にあるとき、未処理のワーク28、30(図6A、図7A)を挿入するために、かつ処理済みのワーク28、30を取り外すために、処理領域にアクセス可能である。蓋部14が降下位置にあるとき、処理領域内に位置決めされた一連の各ワーク28、30をプラズマ処理するのに適した環境を処理領域内に確立することができる。上側電極は、蓋部14が持上げ装置によって基部16に対して上昇位置と降下位置との間で移動するときに、蓋部14とともに移動する。
ワーク28、30の処理中に、電源によって電極間にかけられる電力が、蓋部14と基部16とが接触しているときに電極間に画定される処理領域内に電磁場を生成し、プラズマ処理のために適した環境が処理領域内に存在している。電磁場は、処理領域内に存在している原料ガスの原子又は分子をプラズマ状態に励起し、そのプラズマ状態はプラズマ処理の持続時間にわたって電源から電力を印加することによって持続される。
プラズマからの構成種(constituent species)がワーク28、30上に露出した材料と接触し、相互作用して、所望の表面改質を実行する。プラズマは、原料ガスの化学的性質、処理領域内の圧力、並びに電極に加えられる電力量及び/又は周波数のようなパラメータを選択することによって、ワーク28、30の所望の表面改質を実行するように構成される。処理システムは、プラズマプロセス(例えば、エッチングプロセス)が所定の終点に達した時点を自動的に認識する終点認識システム(図示せず)を含むことができるか、又は代替的には、プラズマプロセスは、プロセスレシピの実験的に決定された時間に基づいて計時することができる。
図1〜図5を続けて参照すると、プロセスチャンバ10は、下側電極24の台座部分104へ及び下側電極24の台座部分104から異なる外径のワーク28、30を移送するための、ウェハーリフト機構の構成要素としての役割を果たすアセンブリ48を含む。ワーク28、30のうちの一方又は他方が下側電極24上に支持されるとき、アセンブリ48は処理中にワーク28、30を円周方向において包囲する。ワーク28は、上主面及び下主面と、上主面と下主面とをつなぐ外周縁部29とを有する。ワーク30は、上主面及び下主面と、上主面と下主面とをつなぐ外周縁部31とを有する。ワーク30の外周縁部31は、ワーク28の外周縁部29より大きい外径を有する。例えば、ワーク28の外周縁部29は200ミリメートルの外径を有することができ、ワーク30の外周縁部31は、300ミリメートルの外径を有することができる。
アセンブリ48とともに用いるためのウェハーリフト機構の更なる詳細は、本明細書に引用することによりその全体が本明細書の一部をなす米国特許出願公開第2009/0311088号において開示される。
アセンブリ48は、動作中に下側電極24に対して固定された位置を有する固定板56と、リフト板52とを含む。リフト板52は、ワーク28、30のうちの一方又は他方を下側電極24上に配置するとき、又はワーク28、30のうちの一方又は他方を下側電極24から取り外すとき、固定板56及び下側電極24に対して移動する、アセンブリ48の可動部分を構成する。具体的には、リフト板52は、下側電極24に対してかつ固定板56に対して持ち上げられた状態において、ワーク28、30のうちの一方又は他方を受ける。リフト板52は、蓋部14が開けられたときの上昇位置と、蓋部14が基部16に対して閉じられた位置にあるときの降下位置との間で、蓋部14の開閉に連動しかつ操作者が介在することなく自動的に移動可能である。言い換えると、リフト板52は、上側電極が蓋部14によって下側電極24に向かって動かされ、処理領域を封止するときに上昇位置から降下位置に向かって移動し、リフト板52は、上側電極が蓋部14によって下側電極24から離れるように動かされるときに、降下位置から上昇位置に向かって移動する。
アセンブリ48のリフト板52は、1組の弾性的に付勢される支持体54によって下側電極24と機械的に結合される。1組の弾性的に付勢された押圧デバイス(図示せず)が、上側電極から下側電極24に向かって突出し、蓋部14が閉じられるときに、リフト板52と接触し、下側電極24に対する移動を引き起こす。蓋部14が降下位置に配置されるとき、蓋部14は基部16と接触して処理領域を周囲環境から封止し、リフト板52は、下側電極24の台座部分104上の処理位置にワーク28、30のうちの一方を自動的に配置するように移動する。蓋部14が下げられるとき、リフト板52及び固定板56はそれぞれ、下側電極24との良好な電気的接触を有する。結果として、プラズマ処理システムが処理領域内でプラズマを生成するように動作しているときに、リフト板52、固定板56、下側電極24上に支持されるワーク28、30及び下側電極24は、略同等の電位にある。
リフト板52は、ともに接合される複数の部材58、60、128を含む。リフト板52は、部材58、60を完全に貫通して延在する中央開口部70と、外周縁部すなわち外周部65と、リフト板52の中央開口部70から外周部65まで径方向に延在する間隙72とを含む。中央開口部70は代表的な実施形態では円形であるが、中央開口部70は、他の形状(例えば、長方形)を有することができる。部材128は部材58の中央開口部70に隣接する凹部126内に取り付けられる。
間隙72は、対面する側壁78と80との間に画定され、リフト板52の厚みを貫通して延在する。未処理のワーク28、30をリフト板52に移送し且つ処理済みのワーク28、30をリフト板52から取り外すために、間隙72を通過するようにエンドエフェクタ90を操作でき且つ中央開口部70にアクセスできるように、リフト板52内の間隙72の幅の寸法が決定され且つ構成される。このようにして、エンドエフェクタ90は、支持されたワーク28、30を搬送でき、ワーク28、30をプロセスチャンバの外部の位置からプロセスチャンバ内のアセンブリ48まで移送し、逆もまた同様である。エンドエフェクタ90は、当業者によって理解されるような、選択的適合性多関節/組立ロボットアーム(SCARA:selective compliant articulated/assembly robot arm)のようなロボットと作動的に連結される。
リフト板52と同様に、固定板56は、ともに接合される複数の部材66、68、130を含む。固定板56は、間隙72の幅よりもわずかに小さな幅を有するように寸法決めされる。リフト板52が処理位置に下げられるとき、固定板56は、中央開口部70が、リフト板52の上面74及び固定板56の上面76によって合わせて画定される概ね平坦な表面によって包囲されるように、間隙72を塞ぐ。要求される同一平面構成を助長するために、固定板56及びリフト板52のそれぞれの厚みは略等しくなるように選択され、それにより、リフト板52がその降下位置にあるときに、上面74、76が概ね同一平面をなすことができるようにする。
下側電極24は、取外し可能電極セクション100を更に備えており、取外し可能電極セクション100は、下側電極24内に画定される凹部内に位置する取付フランジ102と、台座部分104とを含む。台座部分104は、ワーク支持体としての役割を果たし、取付フランジ102から上側電極に向かって突出する。電極セクション100は、従来の締結具を用いて、下側電極24の下部及び周囲の残りの部分に固定される。プラズマ処理システムが動作しており、処理領域内にプラズマが存在しているときに、台座部分104が下側電極24と実質的に同じ電位にあるように、電極セクション100は下側電極24の残りの部分との良好な電気的接触を有する。
下側電極24の上面92及び取付フランジ102の上面94は概ね同一平面をなす。周囲の取付フランジ102の上方に持ち上げられた台座部分104の上面106の表面積は、リフト板52の中央開口部70の径方向内側における開口断面積に略等しい。台座部分104の直径は、リフト板52の中央開口部70の直径よりわずかに小さい。
固定板56は取付フランジ102の平面から上方に突出する。固定板56及び台座部分104は、取付フランジ102から突出する単一又は一体の隆起領域を備えることができる。代替的には、固定板56は、電極セクション100に取り付けられる別個の構成要素を備えることができ、この例では、リフト板52の中央開口部70に対して固定板56を自動的に位置決めするために用いられる位置決めピン(図示せず)等を含むことができる。一実施形態では、固定板56の上面76は、台座部分104の上面106の平面よりわずかに低い平面内にある。
蓋部14が閉じられるのに応じて、リフト板52が処理位置に向かって下げられるとき、リフト板52によって保持されるワーク28、30のうちの一方と台座部分104の上面106との間の接触によって、リフト板52によって保持されるワーク28、30のうちの一方がリフト板52から台座部分104に移送される。ワーク移送は、台座部分104、下側電極24又は筐体12内の基部16上のいかなる構造もそれぞれのワーク28、30を台座部分104上に案内することなく成し遂げられる。プラズマ処理中に、ワーク28、30のうちの一方は、台座部分104の上面106上に位置決めされるボス108によって支持される。台座部分104の上面106は中実の板とすることができるか、又は溝110、若しくは別の非平坦な上面106を有することができる(図2)。そのような溝110又は非平坦な表面は、ワーク下のエアポケットの形成を防ぐのを助け、及び/又は台座部分104の上面106に対するワークの滑動を防ぐのを助ける。
リフト板52は、ワーク28の外周縁部29の寸法に対応するように、寸法決めされ、形作られる縁部120及び壁部132を含む。縁部120は環形の一部を画定するように湾曲し、ワーク28の外周縁部29の外径よりわずかに小さい内径を有する。壁部132は凹形であり、縁部120と同じ公称曲率を有するように湾曲し、環形の一部を画定する。壁部132は、ワーク28の外周縁部29の外径よりわずかに大きい内径を有する。1つの実施形態では、ワーク28が200mmの公称外径を有する場合には、縁部120の内径は200ミリメートルよりわずかに小さくすることができ、壁部132の内径は200ミリメートルより大きくすることができる。壁部132は、ワーク28の外周縁部29を縁部120上に支持することができ且つワーク28の外周縁部29が壁部132の径方向内側に存在するように、縁部120より上方に突出する。壁部132は、ワーク28の厚みと略等しい高さを有することができる。
典型的な実施形態では、縁部120及び壁部132は、部材58とは別個の部材128上に配置される。代替的な一実施形態では、部材58及び128は、別々の構造を含むのではなく、一体構成を有することができる。
リフト板52は、ワーク30の外周縁部31の寸法に対応するように、寸法決めされ且つ形作られる縁部122及び壁部134も含む。縁部122は環形の一部を画定するように湾曲し、ワーク30の外周縁部31の外径よりわずかに小さい内径を有する。壁部134は凹形であり、縁部122と同じ公称曲率を有するように湾曲し、環形の一部を画定する。壁部134はワーク30の外周縁部31の外径よりわずかに大きく、かつ縁部122の内径よりわずかに大きい内径を有する。1つの実施形態では、ワーク30が300mmの公称外径を有する場合には、縁部122の内径は300ミリメートルよりわずかに小さくすることができ、壁部134の内径は300ミリメートルより大きくすることができる。壁部134は、ワーク30の外周縁部31を縁部122上に支持することができ且つワーク30の外周縁部31が壁部134の径方向内側に存在するように、縁部122の上方に突出する。壁部134は、ワーク30の厚みと略等しい、縁部122に対する高さを有することができる。縁部122は、ワーク30が縁部122上に支持されるときに、ワーク30のための更なる支持を与えるように構成される1つ又は複数の拡幅領域168を有することができる。
縁部120、122は中央開口部70の周囲に円周方向に延在し、縁部120は中央開口部70と同様の広がりを有する。縁部120、122は、より大きな半径を有する縁部122と同心であることが好ましい。同様に、壁部132、134のそれぞれの内側に面する凹面は、中央開口部70の周囲に円周方向に延在し、より大きい半径を有する縁部122と同心であることが好ましい。代表的な実施形態では、縁部122及び壁部134は縁部120及び壁部132と境界を共有する。間隙72が存在する結果として、縁部120、122及び壁部132、134は、側壁78と80との間に円周方向の切れ目を有することになり、その切れ目は角度の範囲に関して間隙72の弧長に等しく、かつそれぞれの環形の一部を画定する。1つの実施形態では、縁部120、122及び壁部132、134はそれぞれ、180度より大きく、好ましくは270度より大きい弧長を有する。壁部132、134は、ワーク28、30のうちの一方又は他方をエンドエフェクタからリフト板52に移送するときにガイドとしての役割を果たすようにテーパー付けすることができる。
固定板56は、ワーク28の外周縁部29の寸法に対応するように、寸法決めされ且つ形作られる壁部142及び縁部144を含む。縁部144は、環形の一部を画定するように湾曲し、ワーク28の外周縁部29の外径よりわずかに小さい内径を有する。壁部142は凹形であり、縁部144と同じ公称曲率を有するように湾曲し、環形の一部を画定する。壁部142は、ワーク28の外周縁部29の外径よりわずかに大きい内径を有する。壁部142は、リフト板52が降下位置にあるときに、ワーク28の外周縁部29が縁部144の上に重なり、壁部142の径方向内側に配置されるように、縁部144の上方に突出する。壁部142は、ワーク28の厚みに略等しい高さを有することができる。
壁部142及び縁部144は、リフト板52がその降下位置にあるときに、リフト板52の縁部120と壁部132との間の間隙72を占めるように寸法決めされ且つ湾曲する。そのため、壁部132、142の弧長の和は、閉じた環形を与えるために2πラジアン(360度)に等しく、縁部120、144の弧長の和は、閉じた環形を与えるために2πラジアン(360度)に等しい。壁部142及び縁部144は、リフト板52の壁部132及び縁部120より短い弧長を有する。1つの実施形態では、壁部142及び縁部144はそれぞれ、180度未満、好ましくは90度未満の弧長を有する。
固定板56は、ワーク30の外周縁部31の寸法に対応するように、寸法決めされ且つ形作られる壁部162及び縁部164を含む。縁部164は、環形の一部を画定するように湾曲し、ワーク30の外周縁部31の外径よりわずかに小さい内径を有する。壁部162は凹形であり、縁部164と同じ一般曲率を有するように湾曲する。壁部162は、ワーク30の外周縁部31の外径よりわずかに大きい内径を有する。壁部162は、リフト板52が降下位置にあるときに、ワーク30の外周縁部31が縁部164の上に重なり、壁部162の径方向内側に配置されるように、縁部164の上方に突出する。壁部162は、ワーク30の厚みに略等しい高さを有することができる。
壁部162及び縁部164は、リフト板52がその降下位置にあるときに、リフト板52の縁部122と壁部134との間の間隙72を占めるように、寸法決めされ且つ湾曲する。そのため、壁部134、162の弧長の和は、閉じた環形を与えるために2πラジアン(360度)に等しく、縁部122、164の弧長の和は、閉じた環形を与えるために2πラジアン(360度)に等しい。壁部162及び縁部164は、リフト板52の壁部134及び縁部122より短い弧長を有する。1つの実施形態では、壁部162及び縁部164はそれぞれ、180度未満、好ましくは90度未満の弧長を有する。リフト板52が降下処理位置にあり(図6C)、かつ固定板56と公称的に同じ平面内にあるとき、壁部134、162は端面接続構成を有し、縁部122、164は端面接続構成を有する。
リフト板52が降下処理位置にあり(図6C)、かつ固定板56と公称的に同じ平面内にあるとき、壁部132、162の端面接続構成及び縁部120、164の端面接続構成は、材料の閉じた環形又はリングを画定する。リフト板52の縁部120は、ワーク28の底面上の狭い環状領域のみが縁部120と接触するように選択された内径及び外径の差によって与えられる径方向寸法を有することができる。1つの実施形態では、接触領域は、ワーク28の周縁部29から径方向内側に3ミリメートルに略等しい距離だけ延在する環形とすることができる。
降下処理位置において、ワーク28が縁部120上に支持されないように、リフト板52の縁部120は台座部分104の上面106より下方にくぼんでいることができる。代わりに、ワーク28は複数のボス108によって支持することができ、それにより、電極24の台座部分104の上面106の上方にわずかに持ち上げられる。そのため、リフト板52がその降下位置にあるとき、縁部120はワーク28と非接触の関係を有する。
リフト板52は2つの異なるサイズのワーク28、30を収容する縁部120、122を含むので、リフト板52を用いて、ワーク28又はワーク30のいずれかを処理することができる。言い換えると、ワーク28の処理が完了すると、同じプロセスチャンバ10を用いてワーク30を処理することができ、その逆も同様であり、リフト板52又は固定板56のいかなる部品も切り替えたり、取り替えたりする必要はない。
図6A〜図7Cを使用及び参照して、ワーク28、30を処理する方法が説明される。プロセスチャンバ10の蓋部14が基部16に対して持ち上げられている状態で、ワーク28をプロセスチャンバ10の外部の位置からプラズマプロセスチャンバ内の位置に移送するように、エンドエフェクタ90を用いることができる。より具体的には、ワーク28を、プロセスチャンバの外部の位置においてエンドエフェクタ90上で支持することができ、その後、支持されたワーク28を搬送し、アセンブリ48、具体的にはリフト板52上の縁部120まで移送するように、エンドエフェクタ90を操作することができる。図6Aに示されるように、ワーク28の外周縁部が縁部120上に支持されるように、ワーク28はエンドエフェクタ90によって縁部120上に配置される。その後、エンドエフェクタ90は、間隙72を通ってプロセスチャンバから引き出される。
図6Bに示されるように、ワーク28がリフト板52上に位置決めされると、プロセスチャンバ10の蓋部14が基部16に対して下げられるのに応じて、リフト板52は下側電極24の台座部分104に向かって下方に移動する。蓋部14を下げると、上側電極が下側電極24に向かって移動する。図6Cに示されるように、リフト板52が実質的に下げられたとき、ワーク28は縁部120から台座部分104上のボス108に移送される。
ワーク28が台座部分104上に位置決めされると、プロセスチャンバは真空ポンプを用いて真空にされ、ガス注入板からプロセスガスが導入され、適切な低大気圧の圧力を確立する。上側電極及び下側電極24は電源によって電圧を印加され、プロセスチャンバにおいてプロセスガスからプラズマを生成する。このようにして、ワーク28は、所定の時間だけ暴露するか、又は終点まで暴露するように、プラズマで処理される。ワーク28のプラズマ処理が完了するとき、プロセスチャンバはガス抜きされ、筐体12の蓋部14が基部16に対して持ち上げられる。蓋部14が持ち上げられるのに応じて、リフト板52が上昇位置に移動するので、ワーク28は縁部120と接触し、台座部分104から持ち上げられる。蓋部14が開けられると、ワーク28は、リフト板52によって持ち上げられた状態において再び支持される(図6B)。
再び、エンドエフェクタ90を操作して、リフト板52からワーク28を取り外すことができる。下側電極24とリフト板52の中央開口部70との間の分離は、エンドエフェクタ90が処理済みのワーク28の背面にアクセスし、処理済みのワーク28を中央開口部70から持ち上げ、処理済みのワーク28をプラズマ処理システムのプロセスチャンバ10から引き出す空間を与える。エンドエフェクタ90は、この一連の動きの中で間隙72内に物理的に収まる。
エンドエフェクタ90を用いて、複数のワーク28をリフト板52の縁部120上の位置に順次に移送することができる。エンドエフェクタ90を用いて、1つ又は複数のワーク30をリフト板52の縁部122上の位置に移送することもできる。より大きい直径のワーク30を処理するための切替は、リフト板52のいずれの部品も、又は固定板56のいずれの部品も取り替えることなく成し遂げることができる。その後、上記で図7A〜図7Cを参照しながら説明されたのと同じ方法を、ワーク30のうちの1つ又は複数を処理するために用いることができる。
本明細書において「垂直」、「水平」等の用語は、3次元座標系を確立するために、一例として参照されており、限定するものではない。「水平」という用語は、本明細書において用いられるときに、その向きに関係なく、電極24の台座部分104の上面106を含む平面に対して実質的に水平な平面と定義される。「垂直」という用語は、先に定義されたような水平に対して垂直な方向を指している。「上側」、「下側」、「上」、「上方」、「下方」、「側方」(「側壁」等)、「より高い」、「より低い」、「真上」、「真下」、「下」等のような用語は、水平面に対して定義される。定義される座標系が、絶対座標ではなく相対座標であることを当業者が理解するように、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、種々の他の座標系を利用できることは理解されたい。
本発明を様々な実施形態の記載によって示し、これらの実施形態をかなり詳細に記載してきたが、添付の特許請求の範囲の範囲をそのような詳細に制限又はいかようにも限定することは本出願人の意図ではない。更なる利点及び変更は、当業者には容易に明らかであろう。したがって、本発明は、そのより広い態様において、特定の詳細、代表的な装置及び方法、並びに、図示及び記載される例示的な例に限定されない。したがって、本出願人の包括的な発明概念の精神又は範囲から逸脱することなくそのような詳細から逸脱することができる。本発明の範囲そのものは、添付の特許請求の範囲によってのみ規定されるべきである。

Claims (12)

  1. 異なる直径を有する第1のワーク及び第2のワークのプラズマ処理に用いる装置であって、前記装置は、
    外周縁部と、前記外周縁部の内側にある開口部と、前記開口部を包囲し、前記第1のワークを支持する第1の縁部と、前記開口部を包囲し、前記第2のワークを支持する第2の縁部と、前記第1の縁部及び前記第2の縁部が不連続であるように、前記開口部と前記外周縁部との間に延在する間隙とを有するリフト板を備え、
    前記第1の縁部は内径を有し、前記第2の縁部は内径を有し、且つ前記第2の縁部の前記内径は前記第1の縁部の前記内径より大きい、装置。
  2. 前記第1の縁部の前記内径は、前記第1の縁部が前記第1のワークの外径付近において前記第1のワークを支持するように、前記第1のワークの前記外径に略等しく、前記第2の縁部の前記内径は、前記第2の縁部が前記第2のワークの外径付近において前記第2のワークを支持するように、前記第2のワークの前記外径に略等しい、請求項1に記載の装置。
  3. 前記第1の縁部の径方向外側に位置決めされ、前記第1の縁部の上方に突出する第1の凹形壁部と、
    前記第2の縁部の径方向外側に位置決めされ、前記第2の縁部の上方に突出する第2の凹形壁部と、
    を更に備える、請求項1に記載の装置。
  4. 前記第1の凹形壁部は、前記第1のワークの厚みに略等しい高さを有し、前記第2の凹形壁部は前記第2のワークの厚みに略等しい高さを有する、請求項3に記載の装置。
  5. 前記第1の縁部及び前記第2の縁部は同心配置を有し、前記第1の凹形壁部及び前記第2の凹形壁部は同心配置を有する、請求項1に記載の装置。
  6. 前記間隙に収まるように寸法決めされ且つ位置決めされる固定板を更に備え、
    前記固定板は、内径を有する第3の縁部と、内径を有する第4の縁部とを含み、前記第4の縁部の前記内径は前記第3の縁部の前記内径より大きい、請求項1に記載の装置。
  7. 前記第1の縁部及び前記第4の縁部のそれぞれの弧長が合わせて2πラジアンになるように、前記第3の縁部の前記内径は前記第1の縁部の前記内径に等しく、前記第2の縁部及び前記第4の縁部のそれぞれの弧長が合わせて2πラジアンになるように、前記第4の縁部の前記内径は前記第2の縁部の前記内径に等しい、請求項6に記載の装置。
  8. 前記第1の縁部及び前記第2の縁部は同心配置を有する、請求項1に記載の装置。
  9. プロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバ内にある電極であって、前記第1のワーク又は前記第2のワークを支持する台座部分を含む、電極と、
    を更に備え、
    前記リフト板は前記台座部分に対して移動可能である、請求項1に記載の装置。
  10. 前記台座部分は、前記リフト板内の前記開口部内に収まるように構成され且つ寸法決めされる、請求項9に記載の装置。
  11. プロセスチャンバにおいて異なる直径の第1のワーク及び第2のワークを処理する方法であって、前記方法は、
    前記第1のワークの第1の外周縁部を、リフト板の第1の縁部上で支持することと、
    前記第1のワークを前記リフト板から下側電極の台座部分まで移送するように、前記台座部分に向かって前記リフト板を移動させることと、
    前記第1のワークが前記台座部分上に支持されている間に、前記第1のワークをプラズマで処理することと、
    前記第1のワークを前記リフト板から取り外すことと、
    前記第2のワークの第2の外周縁部を、前記リフト板の第2の縁部上で支持することと、
    を含み、
    前記第2の縁部は、前記第1の縁部の前記第1の内径より大きい第2の内径を有する、方法。
  12. 前記第2のワークは、前記リフト板のいかなる部分も取り替えることなく、前記リフト板の前記第2の縁部上で支持される、請求項11に記載の方法。
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