JPH09119067A

JPH09119067A - ワイピングクロス、精密機器用ワイパー、クリーンルーム用ワイパーおよびワイピングクロスの製造方法

Info

Publication number: JPH09119067A
Application number: JP7275717A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Hosoda; 義則細田; Shigeru Ota; 成太田
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1995-10-24
Filing date: 1995-10-24
Publication date: 1997-05-06
Anticipated expiration: 2015-10-24
Also published as: JP3402019B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は発塵の極めて少ない、絶縁破壊の心配
のない高度な拭取性を有するワイピングクロス、精密機
器用ワイパー、クリーンルーム用ワイパーおよびその製
造方法を提供せんとするものである。【解決手段】本発明のワイピングクロスは、単糸繊度
０．１デニール以下の極細繊維フィラメントからなる編
織物からなり、かつ、該編織物が実質的に親水性物質ま
たは導電性物質を含有しないことを特徴とするものであ
る。また、本発明の精密機器用ワイパーは、かかるワイ
ピングクロスでワイパー部分が構成されていることを特
徴とするものであり、また、本発明のクリーンルーム用
ワイパーは、かかるワイピングクロスでワイパー部分が
構成されていることを特徴とするものである。本発明の
ワイピングクロスの製造方法は、単糸繊度０．１デニー
ル以下の極細繊維フィラメントからなる編織物を、実質
的に親水性物質または導電性物質を含有しない系で、繊
維製造から仕上加工まで行うことにより製造することを
特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発塵性が極めて少
ないワイピングクロス、すなわち精密機器用またはクリ
ーンルーム用のワイパーおよびその製造法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】電子情報社会の急速な進歩とともに従来
のメガネやレンズだけでなく、液晶画面に代表される電
子機器のスクリーンのクリーン化には高度な汚染物除去
性能だけでなく、ワイピングクロスから塵埃、特に親水
性物質や導電性物質のごとき絶縁破壊を惹起する塵埃を
発生してはならない。特にクリーンルームにおける液晶
材料や半導体の製造過程における製品や製造装置のワイ
ピングには、特にかかる発塵性の少ないものが要求され
る。毛羽や発塵を嫌う分野でのワイピングクロスとして
は従来の木綿、紙では対応できない。近年、極細繊維を
用いた編織物がワイピングクロスとして提案されてい
る。例えば、０．９デニール以下の極細繊維からなる布
帛の嵩高性を特徴とするワイピングクロスが特開昭61-1
03428 号公報で提案され、０．２デニール以下の超極細
糸と０．５〜１０デニールの繊維からなる交絡編織物お
よびその製造方法が特開昭63-211364 号公報で提案され
ている。しかし、これら提案の織物では風合いが硬いだ
けでなく、ガラスを基板とする材料に対しては滑りすぎ
たり、逆に滑らずに拭取作業性が悪いなどの欠点があ
る。また編物では編物特有の伸縮性の大きさによる変形
や笑いと称する延ばした後の変形が欠点である。また滑
り過ぎたり、網目の粗さのため十分な拭取性が得られな
いなどの問題がある。さらに、ワイピングクロスの発塵
性を少なくすることは困難であった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は上述の
ような欠点を改良し、クリーン度が要求される産業界で
の使用に適した発塵性の極めて少ない、絶縁破壊の心配
のない高度な拭取性を有するワイピングクロス、精密機
器用ワイパー、クリーンルーム用ワイパーおよびその製
造方法を提供せんとするものである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するため次の構成を有する。すなわち、本発明のワイピ
ングクロスは、単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維
フィラメントからなる編織物からなり、かつ、該編織物
が実質的に親水性物質または導電性物質を含有しないこ
とを特徴とするものである。また、本発明の精密機器用
ワイパーは、かかるワイピングクロスでワイパー部分が
構成されていることを特徴とするものであり、また、本
発明のクリーンルーム用ワイパーは、かかるワイピング
クロスでワイパー部分が構成されていることを特徴とす
るものである。本発明のワイピングクロスの製造方法
は、単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維フィラメン
トからなる編織物を、実質的に親水性物質または導電性
物質を含有しない系で、繊維製造から仕上加工まで行う
ことにより製造することを特徴とするものである。

【０００５】

【発明の実施の形態】本発明は、精密機器、特に液晶材
料および半導体などの製造工程や製品の清掃に使用され
るワイピングクロス、ワイパーとして好適な材料につい
て、まず、発塵がないこと、絶縁破壊を起こすことがな
いことに着目して鋭意検討したところ、極細繊維フィラ
メント製で、しかも親水性物質や導電性物質を徹底的に
排除したクロスとすることにより、極めて信頼性の高い
ワイピングクロスを提供することができることに成功し
たものである。

【０００６】本発明のワイピングクロスを構成する素材
は、ポリエステル、ポリアミドなどの合成繊維の極細フ
ィラメントからなるものであるが、かかる極細フィラメ
ントは、該ワイピングクロスを構成する繊維の内少なく
とも３０重量％以上含まれておれば拭き取り性にすぐれ
たものを提供することができる。ここで極細繊維とは
０．１デニール以下の単繊維繊度を有する繊維であり、
好ましくは０．０８〜０．０１デニール、さらに好まし
くは０．０６〜０．０５デニールの範囲のものがよい。
かかる極細繊維以外の他の繊維を併用する場合は、１デ
ニール以上の高収縮フィラメント糸を使用するのが好ま
しい。極細繊維以外の繊維は特に制限するものではない
が、布帛の嵩高性を得るには高収縮糸が好ましく、繊度
は１デニール以上、さらには２〜６デニールのものが好
ましい。極細繊維と高収縮糸との複合割合としては、極
細繊維は少なくとも布帛重量の好ましくは３０％以上、
さらに好ましくは５０〜８０重量％、特に好ましくは６
０〜７０重量％のが、布帛の嵩高性、風合い、拭取性の
点からよい。１デニール以上の高収縮糸は残りの部分を
占めるのが基本であるが、この１デニール以上の高収縮
糸とは、高い収縮特性を有するものであれば、その収縮
率は特に限定されるべきものではなく、重要なことは極
細繊維よりも熱に対する収縮特性が大きいことである。
極細繊維の沸騰水収縮率が４〜８％であれば、高収縮糸
は１０〜２５％程度の収縮率を有するものがよい。特に
極細繊維の沸騰水収縮率より４〜８％大きい収縮率を有
するものがより好ましい。すなわち、熱処理により極細
繊維より大きな収縮が発現され編組織の繊維束内部を形
成する。一方、極細繊維は１本の単繊維配列を乱し、布
帛表面の嵩高性を大きくする。

【０００７】布帛の形態は織物でも編物でもよいが、ワ
イピングクロスの発塵量は編物の方が少ないのでより好
ましい。さらに編物は織物に比較し嵩高性や拭取作業性
に優れるなどの利点がある。

【０００８】本発明の目的とする精密機器用、クリーン
ルーム用のワイピングクロスとしては、粒子径５ミクロ
ン以上粒子が、皆無もしくは１０個／ft・100 cm²以下
でなければならない。さらにクリーン度が要求される半
導体製造過程においては、１ミクロン以上の粒子径の異
物の発生は極力避けなければならない。特に、かかる発
塵のなかでも親水性物質や導電性物質が存在しては、曇
り現象や絶縁破壊を惹起するので、これはもはや致命的
欠点となる。そこで本発明ではかかる親水性物質や導電
性物質を極力排除することで、精密機器やクリーンルー
ムでの清掃における信頼性を著しく高めたものである。

【０００９】すなわち、染色加工や柔軟加工などで使用
される、ポリアルキレングリコール系化合物、水溶性ポ
リエステルなどの親水化剤、ポリアクリル酸エステルな
どの防汚剤、カチオン系高分子活性剤などの帯電防止
剤、高級アルコール硫酸エステルやベタイン型両性活性
剤などの分散剤、導電性金属や導電性金属化合物、炭素
粉末、制電性繊維、炭素繊維などの導電性繊維、さらに
は制電性の樹脂など、曇り現象や絶縁破壊を惹起しそう
な物質は、本発明に使用する繊維の製造から編織物の各
種加工に至るまで慎重に排除することに努力して、本発
明のワイピングクロスは製造される。すなわち、本発明
のワイピングクロスの特徴は、かかる親水性物質または
導電性物質の含有量が、好ましくは０．５重量％以下、
さらに好ましくは０．１重量％以下、特に好ましくは０
であるものであるところに特徴を有する。

【００１０】JIS B-9923の「光散乱式粒子計数器法」に
準じて測定される０．５μｍ以上の浮遊粒子が、１００
個／ft³以下であるクリーンルームにおいて使用される
ワイピングクロスは、拭取性、少ない発塵に加えて、汚
れを吸収する吸水性が速く、しかも吸水量が大きいこと
が好ましい。吸油性に対しても同様である。吸水速度は
１秒以下であることが好ましく、さらに、好ましくは瞬
時に吸水されるもの、吸水量は２００％以上であること
が好ましく、さらに好ましくは３００％以上であるもの
がよい。しかも、水や油類により抽出される成分の存在
は皆無もしくは微量でなければならない。かかる機能
は、構成繊維の充填密度によって達成されるものであ
り、そのために、布帛表面をウオータージェットパンチ
加工される。このウオータージェットパンチ加工によ
り、ワイピングクロスに含まれる塵挨やワイピング作業
中に出る塵挨を最小限に抑えるとともに、布帛の形態は
安定性し、繊維と繊維の絡み効果が十分に達成されワイ
ピング作業時の発塵が少なくなる。さらに水流により布
帛に付着した異物も除去される効果をも奏する。

【００１１】以下に本発明のワイピングクロスの代表的
製造方法を説明する。本発明のワイピングクロスを製造
する際の留意点は、実質的に親水性物質または導電性物
質を含有しない系で、繊維製造から仕上加工まで行うこ
とにより製造することにある。

【００１２】まず、親水性物質や導電性物質を含有しな
い樹脂組成からなる海島型複合繊維からなるポリエステ
ルフィラメント糸と高収縮糸とを引き揃えた繊維の海成
分を除去することにより、０．１デニール以下の極細繊
維と高収縮糸からなる複合繊維を得ることができる。海
成分の除去はアルカリの存在下での処理が有効であり、
通常水酸化ナトリウムが使用される。また剥離型の分割
繊維を使用することも可能である。複合繊維の製造時に
仮ヨリ加工なども適用できる。

【００１３】編織物を作る方法は、いかなる方法によっ
てもよいが、編物の場合、丸編でインターロック方式が
生産性、裁断のほつれ防止などで効果的である。得られ
た布帛すなわち編物は脱海により極細繊維を形成した
後、１００℃以上の熱水中で処理される。その後通常の
編物は染色・仕上セットされるが、この場合も親水性物
質や導電性物質を含有しない系で加工することが重要で
ある。

【００１４】本発明のワイピングクロスの製造にはウオ
ータージェットパンチ加工を実施する。すなわち濾過し
て浄化された水を小孔より布帛の表面に圧力噴射させ
る。水圧は好ましくは３０〜１２０ kgf／cm²、さらに
好ましくは５０〜８０ kgf／cm²である。３０ kgf／cm
²未満の場合には加工の効果は現れず、形態安定性に欠
け、繊維と繊維の絡み効果が不十分である。１２０ kgf
／cm²を越える場合には、極細繊維の単糸が水圧により
部分切断されることがあり、毛羽の原因になることもあ
り好ましくない。

【００１５】ウオータージェットパンチ加工した布帛
は、仕上セットとともに１００℃以上の温度で乾熱、乾
燥し、水分や親水系成分を揮発させる。この場合にも、
布帛に親水性物質や導電性物質が残留しないように注意
することが肝要である。その後、製品としてのサイズに
裁断され、最後に純水（蒸留水、イオン交換水など）で
洗浄、乾燥し、さらにクリーンパックされて商品化され
る。ここでクリーンパックとは、JIS B-9923の「光散乱
式粒子計数器法」に準じて測定される０．５μｍ以上の
浮遊粒子が、１００個／ft³以下である空間を有するク
リーンルーム内でパック包装することを意味する。

【００１６】本発明のワイピングクロスは、発塵が極め
て少なく、精密機器用として、また、クリーンルーム用
として優れた効果・性能を発揮する。従って、かかるワ
イピングクロスをそのまま使用するか、またはワイパー
部分を該クロスで構成したワイパーを用いて、液晶材料
や半導体の製造工程やその製品、さらには電子情報材料
などを、発塵がなく、しかも、曇り現象や絶縁破壊を起
こすことなく清掃することができ、さらに真珠、宝石、
家具や自動車の窓などの油膜・汚れを精度高く拭きとる
ことができる。

【００１７】

【実施例】以下実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る。発塵性の評価は、JIS-B9923 （シェーキング法）で
測定した。吸水性は、JIS-1096で測定し、吸水量は、試
料を２分間水に浸した後、試料を引き上げて１分間ドリ
ップ後の重量増加率で評価した。

【００１８】なお、拭取性は次の方法で評価した。シリ
コーンオイルSH200(東レ・ダウコーニング・シリコン株
式会社製）を注射針で約５mgガラス板上に落とし、直径
４５mm、重さ１ kgfの円柱状荷重の一端面に厚さ約１mm
相当の織物を介して固定された試料（ワイピングクロ
ス）をガラス板上に乗せ１m/min の速度で移動し、シリ
コーンを拭きとる。次ぎに乾式複写機用トナー（ＳＦ−
７６Ｔ：シャープ株式会社製）をガラス板上に振りか
け、そのトナーを圧縮空気（１ kgf／cm²）で吹き飛ば
す。ガラス板表面にセロテープ（積水化学工業株式会社
製、登録商標）を貼り付けてガラス板上の残留トナーを
剥ぎ取り、セロテープに付着したトナーの程度を判定す
る。トナーがまったく付着しないもの（ガラス板のシリ
コーンを完全に拭きとったもの）を５級、トナーが極め
て多量に残るものを１級として５段階で肉眼判定した。

【００１９】実施例１極細繊維は５０デニール、９フィラメント（７０島／フ
ィラメント：東レ株式会社製）の海島型ポリエステル
で、島成分がポリエチレンテレフタレートで、海成分が
ポリエステルの酸成分としてテレフタル酸と５−ナトリ
ウムスルホイソフタル酸の共重合体からなるアルカリ熱
水可溶型ポリエステルからなる繊維（海島の比率は１０
／９０）を用いた。この糸の沸騰水収縮率は５．８％で
あった。

【００２０】高収縮糸は３０デニール、１２フィラメン
トのポリエステル糸（東レ株式会社製）を用いた。この
糸の収縮率は１３．８％であった。一方、極細繊維は脱
海することなく、高収縮糸と引き揃えて、丸編機（３２
Ｇ、３６インチ）を用いてインターロック方式で編成し
生機とした。この生機を一旦、１３０℃、２０分の熱処
理後、さらに８０℃で３０分間、水酸化ナトリウム１％
の水溶液（蒸留水使用）で処理することにより、完全に
海成分を除去した。その後，表面から８０ kgf／cm²の
圧力で、濾過水を使用してウオータージェットパンチ加
工した。その後１３０℃でヒートセットした。目付は２
１０ｇ／ｍ²で、生機に対して、幅：６８％、長さ：７
２％に収縮した。

【００２１】得られた布帛は、しなやかなセーム調で寸
法安定性に優れワイピングクロスとして作業性のよいも
のであった。なお、この布帛を１００ｇ裁断して試料と
し、エタノールを用いてソックスレー法により親水性物
質を抽出したところ、該物質は０％であった。

【００２２】実施例２実施例１と同様の複合糸からなる編物を同方法で作製
し、実施例１と同様に親水性物質や導電性物質などが混
入しないように注意しながら、海成分を除去した後表面
から８０ kgf／cm²の圧力でウオータージェットパンチ
加工し、さらに裏面から１００ kgf／cm²の圧力でウオ
ータージェットパンチ加工した。その後１６０℃でヒー
トセットした。目付は２１８ｇ／ｍ²で、生機に対し
て、幅：６８％、長さ：７０％に収縮した。この布帛の
親水性物質は０％であった。

【００２３】得られた布帛は、しなやかなセーム調で寸
法安定性に優れワイピングクロスとして作業性のよいも
のであった。

【００２４】実施例１〜２の布帛についてクリーンルー
ムでのワイピングクロスとして要求される性能を評価し
た。その結果を表１に示した。

【００２５】

【表１】本発明の実施例１および２の布帛は、発塵性が著しく少
なく、しかも親水性物質を含有しないので、絶縁破壊を
心配することなく、清掃することができ、さらに吸水速
度も速く、吸水量に富み拭取性も非常に優れたものであ
った。

【００２６】比較例１実施例１で製造されたワイピングクロスを使用し、この
布帛を水溶性ポリエステル系親水化剤（ＳＲ−１００
０：高松油脂株式会社製）を含浸した後、乾燥、ヒート
セットした。この布帛の該親水化剤の付着量は、１．６
重量％であった。得られた布帛の表面品位、風合は、実
施例１とほぼ同じで、吸水速度がさらに改善去れたもの
の、この布帛で、液晶用基板のガラス材を拭き取り作業
をしたところ、ガラス表面に曇りを発生し、実用できな
いものであった。

【００２７】比較例２実施例１の糸構成に、炭素粉末含有制電性繊維を１．２
重量％混合して、編成して、後は実施例１と同様にウオ
ータージェットパンチ加工し、ヒートセットしてワイピ
ングクロスを作成した。該炭素粉末含有制電性繊維は、
６５重量％のナイロン６に３５重量％の炭素粉末を混合
した制電成分を５重量％芯成分とし、ポリエステル（９
５重量％）を鞘成分として被覆した，２０デニールのモ
ノフィラメントである。

【００２８】このワイピングクロスは、制電性は改善さ
れたが、この布帛で、半導体のワイピングクロスとして
拭き取り作業をしたところ、半導体基板表面に炭素粉末
が痕跡付着し、絶縁破壊を発生してしまい、実用できな
いものであった。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、裁断ほつれがなく、発
塵が極めて少ないワイピングクロスを提供することがで
き、拭取性・拭取作業性はもちろん、親水性物質や導電
性物質を含まないので、抜群の信頼性のもとに、液晶材
料や半導体などの精密機器や製品およびその生産設備の
ワイピングクロスとして使用することができるものを提
供することができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維フ
ィラメントからなる編織物からなり、かつ、該編織物が
実質的に親水性物質または導電性物質を含有しないこと
を特徴とするワイピングクロス。
【請求項２】該編織物が、該極細繊維と該極細繊維より
も収縮率が高いフィラメント糸とからなる編織物である
請求項１記載のワイピングクロス。
【請求項３】該親水性物質または導電性物質の含有量
が、０．５重量％以下であるワイピングクロス。
【請求項４】該親水性物質または導電性物質の含有量
が、０．１重量％以下であるワイピングクロス。
【請求項５】該単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維
が、３０重量％以上含有されている請求項１記載のワイ
ピングクロス。
【請求項６】該極細繊維よりも収縮率が高いフィラメン
ト糸が、該極細繊維より太い単糸繊度を有するもので構
成されている請求項１記載のワイピングクロス。
【請求項７】該極細繊維が、該編織物の表面を選択的に
形成している請求項１記載のワイピングクロス。
【請求項８】該極細繊維が、ポリエステルフィラメント
である請求項１記載のワイピングクロス。
【請求項９】該編織物のJIS B-9923（シェーキング法）
で測定される粒子径５ミクロン以上の発塵量が、１０個
／ft³・100 cm²以下である請求項１記載のワイピング
クロス。
【請求項１０】該編織物のJIS L-1096で測定される吸水
速度が、１秒以下である請求項１記載のワイピングクロ
ス。
【請求項１１】該編織物のJIS L-1096で測定される吸水
量が、２００重量％以上である請求項１記載のワイピン
グクロス。
【請求項１２】請求項１〜１１記載のワイピングクロス
でワイパー部分が構成されていることを特徴とする精密
機器用ワイパー。
【請求項１３】該精密機器が、液晶材料および半導体の
製造過程での機器および製品である請求項１２記載の精
密機器用ワイパー。
【請求項１４】請求項１〜１１記載のワイピングクロス
でワイパー部分が構成されていることを特徴とするクリ
ーンルーム用ワイパー。
【請求項１５】該クリーンルームが、液晶材料および半
導体の製造ルームである請求項１４記載のクリーンルー
ム用ワイパー。
【請求項１６】該クリーンルーム用ワイパーが、粒子径
０．５ミクロン以上の浮遊粒子が１００個／ft³以下で
あるクリーンルーム内でパツク包装されてなる請求項１
４のクリーンルーム用ワイパー。
【請求項１７】単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維
フィラメントからなる編織物を、実質的に親水性物質ま
たは導電性物質を含有しない系で、繊維製造から仕上加
工まで行うことにより製造することを特徴とするワイピ
ングクロスの製造方法。
【請求項１８】単糸繊度０．１デニール以下の極細繊維
と、該極細繊維よりも収縮率が高いフィラメント糸とか
らなる編織物を加熱処理後、該編織物の表面をウオータ
ージェットパンチ加工することを特徴とする請求項１７
記載のワイピングクロスの製造方法。
【請求項１９】該ウオータージェットパンチ加工が、濾
過水を用い、かつ、３０〜１２０ kgf／cm²の圧力で行
うものである請求項１７記載のワイピングクロスの製造
方法。
【請求項２０】該加熱処理が、精練および染色加工を含
むものである請求項１７記載のワイピングクロスの製造
方法。