JPH09107059A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH09107059A JPH09107059A JP26314995A JP26314995A JPH09107059A JP H09107059 A JPH09107059 A JP H09107059A JP 26314995 A JP26314995 A JP 26314995A JP 26314995 A JP26314995 A JP 26314995A JP H09107059 A JPH09107059 A JP H09107059A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボンディング品質に優れた高信頼性の半導体
装置を提供することである。 【解決手段】 外部接続用のターミナルがインサート形
成されると共に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固
着する金属ベースが一体形成された樹脂ケースを備え、
前記厚膜回路板の入／出力端子と前記ターミナルとをワ
イヤーボンディングで接続した半導体装置において、前
記ターミナルのボンディング部の裏面に、前記樹脂ケー
スの樹脂と係着する溝状または突起状の加工を施したも
のである。
装置を提供することである。 【解決手段】 外部接続用のターミナルがインサート形
成されると共に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固
着する金属ベースが一体形成された樹脂ケースを備え、
前記厚膜回路板の入／出力端子と前記ターミナルとをワ
イヤーボンディングで接続した半導体装置において、前
記ターミナルのボンディング部の裏面に、前記樹脂ケー
スの樹脂と係着する溝状または突起状の加工を施したも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部接続用ターミ
ナルがインサート成型された樹脂ケース内に、半導体部
品などを実装した厚膜回路板を封装した半導体装置及び
その製造方法に関する。
ナルがインサート成型された樹脂ケース内に、半導体部
品などを実装した厚膜回路板を封装した半導体装置及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この主の半導体装置としては、例
えば図６（ａ），（ｂ）に示すようなものがあった。
えば図６（ａ），（ｂ）に示すようなものがあった。
【０００３】図６（ａ），（ｂ）は、従来の一般的な半
導体装置の構成を示す図であり、同図（ａ）はその外観
斜視図、同図（ｂ）はその断面図である。
導体装置の構成を示す図であり、同図（ａ）はその外観
斜視図、同図（ｂ）はその断面図である。
【０００４】この半導体装置の樹脂ケース１０１は、外
部接続用のターミナル１０２がインサート成型され、さ
らに金属ベース１０３と一体成型された構造となってい
る。この樹脂ケース１０１には、半導体部品１０４を実
装した厚膜回路板１０５が金属ベース１０３に固着さ
れ、加えてターミナル１０２と厚膜回路板１０５の入／
出力端子１０６がボンディングワイヤ１０７を介して接
続されている。
部接続用のターミナル１０２がインサート成型され、さ
らに金属ベース１０３と一体成型された構造となってい
る。この樹脂ケース１０１には、半導体部品１０４を実
装した厚膜回路板１０５が金属ベース１０３に固着さ
れ、加えてターミナル１０２と厚膜回路板１０５の入／
出力端子１０６がボンディングワイヤ１０７を介して接
続されている。
【０００５】上記ターミナル１０２のボンディング部の
断面形状は、図７（ａ）に示すような凸字型となってお
り、前記樹脂ケース１０１の作製は、ターミナル１０２
及び金属ベース１０３を金型の所定位置に配置し、この
金型に樹脂を充填して行う。その際に、樹脂をターミナ
ル１０２の上面（図７（ａ）のＡライン）まで充填する
ことで、ターミナル１０２の浮きを防止し、安定したボ
ンディングが行えるようにしている。
断面形状は、図７（ａ）に示すような凸字型となってお
り、前記樹脂ケース１０１の作製は、ターミナル１０２
及び金属ベース１０３を金型の所定位置に配置し、この
金型に樹脂を充填して行う。その際に、樹脂をターミナ
ル１０２の上面（図７（ａ）のＡライン）まで充填する
ことで、ターミナル１０２の浮きを防止し、安定したボ
ンディングが行えるようにしている。
【０００６】また、上記のワイヤボンディングには、常
温で実施でき且つ信頼性も高い超音波ボンディング法が
用いられ、ボンディング時には、超音波（ＵＳ）が図７
（ｂ）に示すようにターミナル１０２の長手方向（図示
の矢印）に照射される。
温で実施でき且つ信頼性も高い超音波ボンディング法が
用いられ、ボンディング時には、超音波（ＵＳ）が図７
（ｂ）に示すようにターミナル１０２の長手方向（図示
の矢印）に照射される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では次のような問題点があった。
た従来技術では次のような問題点があった。
【０００８】（１）上述した従来装置におけるボンディ
ングの信頼性は、樹脂の充填量に影響を受けやすいとい
う問題がある。すなわち、図７（ａ）のＡラインより樹
脂の量が多いと、ターミナル１０２のボンディング面に
樹脂がはみ出してバリ等が発生し、ボンディングが行え
なくなり、また、図７（ａ）のＢラインより樹脂量が少
ない場合にはターミナル１０２の浮きを防止することが
できず、凸字型にした効果がない。
ングの信頼性は、樹脂の充填量に影響を受けやすいとい
う問題がある。すなわち、図７（ａ）のＡラインより樹
脂の量が多いと、ターミナル１０２のボンディング面に
樹脂がはみ出してバリ等が発生し、ボンディングが行え
なくなり、また、図７（ａ）のＢラインより樹脂量が少
ない場合にはターミナル１０２の浮きを防止することが
できず、凸字型にした効果がない。
【０００９】（２）ボンディング時に超音波が照射され
る方向は、図７（ｂ）の矢印の方向であるが、従来技術
では、その方向におけるターミナル１０２と樹脂ケース
１０１との食いつきが考慮されていない。そのため、ボ
ンディング中にターミナル１０２が浮く恐れもあり、安
定したボンディングが行えない。
る方向は、図７（ｂ）の矢印の方向であるが、従来技術
では、その方向におけるターミナル１０２と樹脂ケース
１０１との食いつきが考慮されていない。そのため、ボ
ンディング中にターミナル１０２が浮く恐れもあり、安
定したボンディングが行えない。
【００１０】（３）同様に、金属ベース１０３と樹脂ケ
ース１０１との食いつきも考慮されていないため、これ
らの間に隙間が生じた場合には、ボンディング時に共振
を起こす恐れがあった。
ース１０１との食いつきも考慮されていないため、これ
らの間に隙間が生じた場合には、ボンディング時に共振
を起こす恐れがあった。
【００１１】本発明は、上述の如き従来の問題点を解決
するためになされたもので、その目的は、ボンディング
品質に優れた高信頼性の半導体装置を提供することであ
る。またその他の目的は、ターミナルの浮きや、樹脂ケ
ースと金属ベース間の隙間を防ぎ、安定したボンディン
グを可能とする半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
するためになされたもので、その目的は、ボンディング
品質に優れた高信頼性の半導体装置を提供することであ
る。またその他の目的は、ターミナルの浮きや、樹脂ケ
ースと金属ベース間の隙間を防ぎ、安定したボンディン
グを可能とする半導体装置の製造方法を提供することで
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明の半導体装置の特徴は、外部接続用のタ
ーミナルがインサート形成されると共に、半導体部品を
実装した厚膜回路板を固着する金属ベースが一体形成さ
れた樹脂ケースを備え、前記厚膜回路板の入／出力端子
と前記ターミナルとをワイヤーボンディングで接続した
半導体装置において、前記ターミナルのボンディング部
の裏面に、前記樹脂ケースの樹脂と係着する溝状または
突起状の加工を施したことにある。
に、第１の発明の半導体装置の特徴は、外部接続用のタ
ーミナルがインサート形成されると共に、半導体部品を
実装した厚膜回路板を固着する金属ベースが一体形成さ
れた樹脂ケースを備え、前記厚膜回路板の入／出力端子
と前記ターミナルとをワイヤーボンディングで接続した
半導体装置において、前記ターミナルのボンディング部
の裏面に、前記樹脂ケースの樹脂と係着する溝状または
突起状の加工を施したことにある。
【００１３】上述の如き構成の第１の発明の半導体装置
によれば、ターミナルのボンディング部の裏面に、樹脂
ケースの樹脂と係着する溝状または突起状の加工を施し
たので、溝状の加工が施された場合にはターミナル側へ
その溝を通して樹脂が食い込み、突起状の加工が施され
た場合には樹脂ケース側へその突起が食い込む。これに
より、ターミナルと樹脂との食いつきが向上し、安定し
たボンディングが可能となる。
によれば、ターミナルのボンディング部の裏面に、樹脂
ケースの樹脂と係着する溝状または突起状の加工を施し
たので、溝状の加工が施された場合にはターミナル側へ
その溝を通して樹脂が食い込み、突起状の加工が施され
た場合には樹脂ケース側へその突起が食い込む。これに
より、ターミナルと樹脂との食いつきが向上し、安定し
たボンディングが可能となる。
【００１４】第２の発明の半導体装置の特徴は、外部接
続用のターミナルがインサート形成されると共に、半導
体部品を実装した厚膜回路板を固着する金属ベースが一
体形成された樹脂ケースを備え、前記厚膜回路板の入／
出力端子と前記ターミナルとをワイヤーボンディングで
接続した半導体装置において、前記ターミナルのボンデ
ィング部の端部を下方へ折曲して、前記樹脂ケースの樹
脂に係着させる構成としたものである。
続用のターミナルがインサート形成されると共に、半導
体部品を実装した厚膜回路板を固着する金属ベースが一
体形成された樹脂ケースを備え、前記厚膜回路板の入／
出力端子と前記ターミナルとをワイヤーボンディングで
接続した半導体装置において、前記ターミナルのボンデ
ィング部の端部を下方へ折曲して、前記樹脂ケースの樹
脂に係着させる構成としたものである。
【００１５】第２の発明の半導体装置によれば、ターミ
ナルのボンディング部の端部を下方へ折曲して、樹脂ケ
ースの樹脂に係着させる構成としたので、ターミナルの
折り曲げ部分が樹脂に食い込むようになる。これによ
り、ターミナルと樹脂との食いつきが向上し、安定した
ボンディングが可能となる。
ナルのボンディング部の端部を下方へ折曲して、樹脂ケ
ースの樹脂に係着させる構成としたので、ターミナルの
折り曲げ部分が樹脂に食い込むようになる。これによ
り、ターミナルと樹脂との食いつきが向上し、安定した
ボンディングが可能となる。
【００１６】第３の発明の半導体装置の特徴は、上述の
第１または第２の発明において、前記樹脂ケースが接合
する前記金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂
と係着する溝状または突起状の加工を施したことにあ
る。
第１または第２の発明において、前記樹脂ケースが接合
する前記金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂
と係着する溝状または突起状の加工を施したことにあ
る。
【００１７】第３の発明の半導体装置によれば、上述の
第１または第２の発明において、樹脂ケースが接合する
金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂と係着す
る溝状または突起状の加工を施したので、溝状の加工が
施された場合には金属ベース側へその溝を通して樹脂が
食い込み、突起状の加工が施された場合には樹脂ケース
側へその突起が食い込む。これにより、金属ベースと樹
脂との食いつきが向上し、これらの隙間より発生するボ
ンディング共振を防止することができる。
第１または第２の発明において、樹脂ケースが接合する
金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂と係着す
る溝状または突起状の加工を施したので、溝状の加工が
施された場合には金属ベース側へその溝を通して樹脂が
食い込み、突起状の加工が施された場合には樹脂ケース
側へその突起が食い込む。これにより、金属ベースと樹
脂との食いつきが向上し、これらの隙間より発生するボ
ンディング共振を防止することができる。
【００１８】第４の発明の半導体装置の製造方法の特徴
は、外部接続用のターミナル及び金属ベースを金型の所
定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹脂ケースを
作製するケース作製工程と、前記樹脂ケースの底面部に
該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケースの上面
に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着する回路板
固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型された前
記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子とをワイ
ヤボンディングするボンディング工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記樹脂ケースの樹脂が係着
する前記ターミナルのボンディング部裏面と前記金属ベ
ースの端部上面とに溝状または突起状の加工を施す工程
を、前記ケース作製工程の前に行うことにある。
は、外部接続用のターミナル及び金属ベースを金型の所
定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹脂ケースを
作製するケース作製工程と、前記樹脂ケースの底面部に
該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケースの上面
に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着する回路板
固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型された前
記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子とをワイ
ヤボンディングするボンディング工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記樹脂ケースの樹脂が係着
する前記ターミナルのボンディング部裏面と前記金属ベ
ースの端部上面とに溝状または突起状の加工を施す工程
を、前記ケース作製工程の前に行うことにある。
【００１９】第４の発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂ケースの樹脂が係着するターミナルのボンディ
ング部裏面と前記金属ベースの端部上面とに溝状または
突起状の加工を施す工程をケース作製工程の前に行うよ
うにしたので、ケース作製工程時では溝状の加工が施さ
れた場合にはターミナル及び金属ベース側へその溝を通
して樹脂が食い込み、突起状の加工が施された場合には
樹脂ケース側へその突起が食い込み、ケース作製工程の
終了時にはターミナル及び金属ベースと樹脂ケースとの
それぞれの食いつきが向上している。さらに、ターミナ
ルの上面まで樹脂を充填しなくてもターミナルの浮きを
防止できるため、ターミナルのボンディング部表面での
樹脂バリの発生も抑制することができる。そして、次の
ボンディング工程においては、このような状態で超音波
ボンディングを行うので、ボンディング共振を回避で
き、安定したボンディングが可能となる。
ば、樹脂ケースの樹脂が係着するターミナルのボンディ
ング部裏面と前記金属ベースの端部上面とに溝状または
突起状の加工を施す工程をケース作製工程の前に行うよ
うにしたので、ケース作製工程時では溝状の加工が施さ
れた場合にはターミナル及び金属ベース側へその溝を通
して樹脂が食い込み、突起状の加工が施された場合には
樹脂ケース側へその突起が食い込み、ケース作製工程の
終了時にはターミナル及び金属ベースと樹脂ケースとの
それぞれの食いつきが向上している。さらに、ターミナ
ルの上面まで樹脂を充填しなくてもターミナルの浮きを
防止できるため、ターミナルのボンディング部表面での
樹脂バリの発生も抑制することができる。そして、次の
ボンディング工程においては、このような状態で超音波
ボンディングを行うので、ボンディング共振を回避で
き、安定したボンディングが可能となる。
【００２０】第５の発明の半導体装置の製造方法の特徴
は、外部接続用のターミナル及び金属ベースを金型の所
定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹脂ケースを
作製するケース作製工程と、前記樹脂ケースの底面部に
該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケースの上面
に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着する回路板
固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型された前
記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子とをワイ
ヤボンディングするボンディング工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記樹脂ケースの樹脂が裏面
に係着する前記ターミナルのボンディング部の端部を下
方へ折曲する工程を前記ケース作製工程の前に実行する
ことにある。
は、外部接続用のターミナル及び金属ベースを金型の所
定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹脂ケースを
作製するケース作製工程と、前記樹脂ケースの底面部に
該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケースの上面
に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着する回路板
固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型された前
記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子とをワイ
ヤボンディングするボンディング工程とを有する半導体
装置の製造方法において、前記樹脂ケースの樹脂が裏面
に係着する前記ターミナルのボンディング部の端部を下
方へ折曲する工程を前記ケース作製工程の前に実行する
ことにある。
【００２１】第５の発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂ケースの樹脂が裏面に係着するターミナルのボ
ンディング部の端部を下方へ折曲する工程をケース作製
工程の前に実行するので、ケース作製工程時にターミナ
ルの折り曲げ部分が樹脂に食い込み、ケース作製工程の
終了時にはターミナルと樹脂ケースとの食いつきが向上
している。さらに、ターミナルの上面まで樹脂を充填し
なくてもターミナルの浮きを防止できるため、ターミナ
ルのボンディング部表面での樹脂バリの発生も抑制する
ことができる。次のボンディング工程においては、この
ような状態で超音波ボンディングを行うので、安定した
ボンディングが可能となる。
ば、樹脂ケースの樹脂が裏面に係着するターミナルのボ
ンディング部の端部を下方へ折曲する工程をケース作製
工程の前に実行するので、ケース作製工程時にターミナ
ルの折り曲げ部分が樹脂に食い込み、ケース作製工程の
終了時にはターミナルと樹脂ケースとの食いつきが向上
している。さらに、ターミナルの上面まで樹脂を充填し
なくてもターミナルの浮きを防止できるため、ターミナ
ルのボンディング部表面での樹脂バリの発生も抑制する
ことができる。次のボンディング工程においては、この
ような状態で超音波ボンディングを行うので、安定した
ボンディングが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係
る半導体装置の構成を示す断面図である。
基づいて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係
る半導体装置の構成を示す断面図である。
【００２３】本実施形態の半導体装置の外観は、前述の
図６（ａ）に示すものと同様であり、ただ、従来装置と
異なる点は、ターミナルボンディング部の裏面に溝加工
が施されていることである。
図６（ａ）に示すものと同様であり、ただ、従来装置と
異なる点は、ターミナルボンディング部の裏面に溝加工
が施されていることである。
【００２４】すなわち、この半導体装置は、樹脂ケース
１を有している。樹脂ケース１は、外部接続用の複数本
のターミナル２がインサート成形され、且つその底面部
には金属ベース３が一体的に成形されている。ここで、
各ターミナル２のボンディング部の裏面には断面Ｕ字形
の溝２ａが形成され、この溝２ａ内に樹脂ケース１の樹
脂が係着している。金属ベース３の上面の前記ターミナ
ル２の溝２ａと対向する箇所にも同様に断面Ｕ字形の溝
３ａが形成され、この溝３ａ内に樹脂ケース１の樹脂が
係着している。
１を有している。樹脂ケース１は、外部接続用の複数本
のターミナル２がインサート成形され、且つその底面部
には金属ベース３が一体的に成形されている。ここで、
各ターミナル２のボンディング部の裏面には断面Ｕ字形
の溝２ａが形成され、この溝２ａ内に樹脂ケース１の樹
脂が係着している。金属ベース３の上面の前記ターミナ
ル２の溝２ａと対向する箇所にも同様に断面Ｕ字形の溝
３ａが形成され、この溝３ａ内に樹脂ケース１の樹脂が
係着している。
【００２５】さらに、金属ベース３の上面には、厚膜回
路板４が貼り合わされている。厚膜回路板４は、ＬＳＩ
等の電子部品５を実装して電子回路を構成しているボー
トであり、その入／出力端子６がボンディングワイヤ７
を介して前記ターミナル２に接続されている。
路板４が貼り合わされている。厚膜回路板４は、ＬＳＩ
等の電子部品５を実装して電子回路を構成しているボー
トであり、その入／出力端子６がボンディングワイヤ７
を介して前記ターミナル２に接続されている。
【００２６】次に、上記の図１に示す半導体装置の製造
方法について説明する。
方法について説明する。
【００２７】まず、各ターミナル２のボンディング部裏
面及び金属ベース３の端部上面にそれぞれプレス加工等
により、溝２ａ，３ａを形成しておく。
面及び金属ベース３の端部上面にそれぞれプレス加工等
により、溝２ａ，３ａを形成しておく。
【００２８】次いで、樹脂ケース１を作製すべく、溝２
ａと３ａが対向するように金型の所定の位置にターミナ
ル２と金属ベース３とをセットし、その状態の金型に樹
脂を充填して固化する。このとき、上述したようにター
ミナル２と金属ベース３には、それぞれ溝２ａと３ａが
形成されているので、樹脂がその溝２ａ，３ａにも浸入
して固化し係着する。そのため、樹脂ケース１とターミ
ナル２及び金属ベース３とのそれぞれの食いつきが向上
し、ターミナル２の浮きや、金属ベース３と樹脂ケース
１とに隙間が生ずることを防ぐことができる。さらに、
本実施形態では、従来の凸字形のターミナルとは異な
り、ターミナル２の上面まで樹脂を充填しなくてもター
ミナル２の浮きを防止できるため、ターミナル２のボン
ディング部表面での樹脂バリの発生を抑制することがで
きる。
ａと３ａが対向するように金型の所定の位置にターミナ
ル２と金属ベース３とをセットし、その状態の金型に樹
脂を充填して固化する。このとき、上述したようにター
ミナル２と金属ベース３には、それぞれ溝２ａと３ａが
形成されているので、樹脂がその溝２ａ，３ａにも浸入
して固化し係着する。そのため、樹脂ケース１とターミ
ナル２及び金属ベース３とのそれぞれの食いつきが向上
し、ターミナル２の浮きや、金属ベース３と樹脂ケース
１とに隙間が生ずることを防ぐことができる。さらに、
本実施形態では、従来の凸字形のターミナルとは異な
り、ターミナル２の上面まで樹脂を充填しなくてもター
ミナル２の浮きを防止できるため、ターミナル２のボン
ディング部表面での樹脂バリの発生を抑制することがで
きる。
【００２９】こうして作製された樹脂ケース１の金属ベ
ース３の上面に、厚膜回路板４を貼り合わせた後、超音
波ボンディング法を用いて、厚膜回路板４の入／出力端
子６とターミナル２とをボンディングワイヤ７を介して
ボンディングする。
ース３の上面に、厚膜回路板４を貼り合わせた後、超音
波ボンディング法を用いて、厚膜回路板４の入／出力端
子６とターミナル２とをボンディングワイヤ７を介して
ボンディングする。
【００３０】このとき、超音波（ＵＳ）は図２に示す矢
印方向に照射されるが、上述したように、この方向の、
樹脂ケース１とターミナル２との食いつきは、ターミナ
ル２の溝２ａ内に樹脂ケース１の樹脂が係着したことに
よって向上しているので、ボンディングによりターミナ
ル２が浮くようなこともなく、安定したボンディングを
行うことができる。同様に、樹脂ケース１と金属ベース
３との食いつきは、金属ベース３の溝３ａ内に樹脂ケー
ス１の樹脂が係着したことによって向上しているので、
金属ベース３と樹脂ケース１との間に隙間が生ずること
もなく、ボンディング共振を回避することができる。さ
らに、ターミナル２のボンディング部表面には樹脂バリ
が生じていないため、良好なボンディングが可能とな
る。
印方向に照射されるが、上述したように、この方向の、
樹脂ケース１とターミナル２との食いつきは、ターミナ
ル２の溝２ａ内に樹脂ケース１の樹脂が係着したことに
よって向上しているので、ボンディングによりターミナ
ル２が浮くようなこともなく、安定したボンディングを
行うことができる。同様に、樹脂ケース１と金属ベース
３との食いつきは、金属ベース３の溝３ａ内に樹脂ケー
ス１の樹脂が係着したことによって向上しているので、
金属ベース３と樹脂ケース１との間に隙間が生ずること
もなく、ボンディング共振を回避することができる。さ
らに、ターミナル２のボンディング部表面には樹脂バリ
が生じていないため、良好なボンディングが可能とな
る。
【００３１】図３（ａ）〜（ｄ）は、上述の第１実施形
態の変形例を示す図である。
態の変形例を示す図である。
【００３２】ターミナル２のボンディング部裏面、及び
金属ベース３の端部上面に施す加工として、同図（ａ）
に示すものは、それぞれ断面Ｖ字形の溝２ｂ，３ｂにし
たものである。また、同図（ｂ）に示すものは、断面凸
状の突起２ｃ，３ｃにしたものであり、同図（ｃ）に示
すものは、断面逆Ｖ字形の突起２ｄ，３ｄにしたもので
ある。さらに、同図（ｅ）に示すものは、穴２ｅ，３ｅ
を開けて樹脂を食い込ませるようにしたものである。
金属ベース３の端部上面に施す加工として、同図（ａ）
に示すものは、それぞれ断面Ｖ字形の溝２ｂ，３ｂにし
たものである。また、同図（ｂ）に示すものは、断面凸
状の突起２ｃ，３ｃにしたものであり、同図（ｃ）に示
すものは、断面逆Ｖ字形の突起２ｄ，３ｄにしたもので
ある。さらに、同図（ｅ）に示すものは、穴２ｅ，３ｅ
を開けて樹脂を食い込ませるようにしたものである。
【００３３】これらの変形例によっても上記第１実施形
態と同様の作用効果が得られる。
態と同様の作用効果が得られる。
【００３４】図４は、本発明の第２実施形態に係る半導
体装置の構成を示す要部断面図である。
体装置の構成を示す要部断面図である。
【００３５】本実施形態では、ターミナル２のボンディ
ング部の先端部２ｆを下方へ折曲して樹脂ケース１の樹
脂に係着させるようにしたものである。
ング部の先端部２ｆを下方へ折曲して樹脂ケース１の樹
脂に係着させるようにしたものである。
【００３６】このような構成においても、ターミナル２
の折り曲げ部分２ｆが樹脂に食い込むようになるので、
上記第１実施形態と同様に、ターミナルと樹脂との食い
つきが向上し、装置のボンディング時には安定したボン
ディングが可能となる。
の折り曲げ部分２ｆが樹脂に食い込むようになるので、
上記第１実施形態と同様に、ターミナルと樹脂との食い
つきが向上し、装置のボンディング時には安定したボン
ディングが可能となる。
【００３７】図５（ａ）〜（ｂ）は、上記第２実施形態
の変形例を示す図である。
の変形例を示す図である。
【００３８】ターミナル２のボンディング部の端部に施
す加工として、同図（ａ）に示すものは、ターミナル２
のボンディング部の両端面に、それぞれ穴２ｇ’の開い
た突片２ｇを設け、その各突片２ｇを下方へ折曲して樹
脂ケース１の樹脂に食い込ませるようにしたものであ
り、同図（ｂ）に示すものは、鍵形の突片２ｈを食い込
ませるようにしたものである。
す加工として、同図（ａ）に示すものは、ターミナル２
のボンディング部の両端面に、それぞれ穴２ｇ’の開い
た突片２ｇを設け、その各突片２ｇを下方へ折曲して樹
脂ケース１の樹脂に食い込ませるようにしたものであ
り、同図（ｂ）に示すものは、鍵形の突片２ｈを食い込
ませるようにしたものである。
【００３９】これらの変形例によっても上記第２実施形
態と同様の作用効果が得られる。
態と同様の作用効果が得られる。
【００４０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
の半導体装置によれば、ターミナルのボンディング部の
裏面に、樹脂ケースの樹脂と係着する溝状または突起状
の加工を施したので、ターミナルと樹脂との食いつきが
向上し、ボンディング品質に優れた高信頼性の半導体装
置を実現することが可能となる。
の半導体装置によれば、ターミナルのボンディング部の
裏面に、樹脂ケースの樹脂と係着する溝状または突起状
の加工を施したので、ターミナルと樹脂との食いつきが
向上し、ボンディング品質に優れた高信頼性の半導体装
置を実現することが可能となる。
【００４１】第２の発明の半導体装置によれば、ターミ
ナルのボンディング部の端部を下方へ折曲して、樹脂ケ
ースの樹脂に係着させる構成としたので、ターミナルと
樹脂との食いつきが向上し、ボンディング品質に優れた
高信頼性の半導体装置を実現することが可能となる。
ナルのボンディング部の端部を下方へ折曲して、樹脂ケ
ースの樹脂に係着させる構成としたので、ターミナルと
樹脂との食いつきが向上し、ボンディング品質に優れた
高信頼性の半導体装置を実現することが可能となる。
【００４２】第３の発明の半導体装置によれば、上述の
第１または第２の発明において、樹脂ケースが接合する
金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂と係着す
る溝状または突起状の加工を施したので、金属ベースと
樹脂との食いつきが向上し、ボンディング共振を防ぐこ
とができ、ボンディング品質に優れた高信頼性の半導体
装置を実現することが可能となる。
第１または第２の発明において、樹脂ケースが接合する
金属ベースの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂と係着す
る溝状または突起状の加工を施したので、金属ベースと
樹脂との食いつきが向上し、ボンディング共振を防ぐこ
とができ、ボンディング品質に優れた高信頼性の半導体
装置を実現することが可能となる。
【００４３】第４の発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂ケースの樹脂が係着するターミナルのボンディ
ング部裏面と金属ベースの端部上面とに溝状または突起
状の加工を施す工程をケース作製工程の前に行うように
したので、ボンディング共振を回避でき、安定したボン
ディングが可能となる。
ば、樹脂ケースの樹脂が係着するターミナルのボンディ
ング部裏面と金属ベースの端部上面とに溝状または突起
状の加工を施す工程をケース作製工程の前に行うように
したので、ボンディング共振を回避でき、安定したボン
ディングが可能となる。
【００４４】第５の発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、樹脂ケースの樹脂が裏面に係着するターミナルのボ
ンディング部の端部を下方へ折曲する工程をケース作製
工程の前に実行するようにしたので、安定したボンディ
ングが可能となる。
ば、樹脂ケースの樹脂が裏面に係着するターミナルのボ
ンディング部の端部を下方へ折曲する工程をケース作製
工程の前に実行するようにしたので、安定したボンディ
ングが可能となる。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体装置の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１に示すターミナル付近の構成を示す断面図
である。
である。
【図３】第１実施形態の変形例を示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体装置の構成
を示す要部断面図である。
を示す要部断面図である。
【図５】第２実施形態の変形例を示す図である。
【図６】従来の一般的な半導体装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図７】図６に示す半導体装置の要部の断面図である。
１ 樹脂ケース ２ ターミナル ２ａ，３ａ Ｕ字形溝 ２ｂ，３ｂ Ｖ字形溝 ２ｃ，３ｃ 突起 ２ｄ，３ｄ 逆Ｖ字形の突起 ２ｅ，３ｅ 穴 ２ｆ ターミナル２の折り曲げ部分 ２ｇ，２ｈ 突片 ２ｇ’ 突片２ｇの穴 ３ 金属ベース ４ 厚膜回路板 ５ 電子部品 ６ 入／出力端子 ７ ボンディングワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 外部接続用のターミナルがインサート形
成されると共に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固
着する金属ベースが一体形成された樹脂ケースを備え、
前記厚膜回路板の入／出力端子と前記ターミナルとをワ
イヤーボンディングで接続した半導体装置において、 前記ターミナルのボンディング部の裏面に、前記樹脂ケ
ースの樹脂と係着する溝状または突起状の加工を施した
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 外部接続用のターミナルがインサート形
成されると共に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固
着する金属ベースが一体形成された樹脂ケースを備え、
前記厚膜回路板の入／出力端子と前記ターミナルとをワ
イヤーボンディングで接続した半導体装置において、 前記ターミナルのボンディング部の端部を下方へ折曲し
て、前記樹脂ケースの樹脂に係着させる構成としたこと
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 前記樹脂ケースが接合する前記金属ベー
スの端部上面に、該樹脂ケースの樹脂と係着する溝状ま
たは突起状の加工を施したことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 外部接続用のターミナル及び金属ベース
を金型の所定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹
脂ケースを作製するケース作製工程と、前記樹脂ケース
の底面部に該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケー
スの上面に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着す
る回路板固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型
された前記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子
とをワイヤボンディングするボンディング工程とを有す
る半導体装置の製造方法において、 前記樹脂ケースの樹脂が係着する前記ターミナルのボン
ディング部裏面と前記金属ベースの端部上面とに溝状ま
たは突起状の加工を施す工程を、前記ケース作製工程の
前に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 外部接続用のターミナル及び金属ベース
を金型の所定位置に配置し、該金型に樹脂を充填して樹
脂ケースを作製するケース作製工程と、前記樹脂ケース
の底面部に該樹脂ケースと一体成型された前記金属ケー
スの上面に、半導体部品を実装した厚膜回路板を固着す
る回路板固着工程と、前記樹脂ケースにインサート成型
された前記ターミナルと前記厚膜回路板の入／出力端子
とをワイヤボンディングするボンディング工程とを有す
る半導体装置の製造方法において、 前記樹脂ケースの樹脂が裏面に係着する前記ターミナル
のボンディング部の端部を下方へ折曲する工程を前記ケ
ース作製工程の前に実行することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26314995A JPH09107059A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26314995A JPH09107059A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09107059A true JPH09107059A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=17385493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26314995A Pending JPH09107059A (ja) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09107059A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000306653A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Denso Corp | ワイヤボンディング用コネクタ及びその製造方法 |
| JP2002033438A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
| EP1627419A2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-22 | Quantum Leap Packaging, Inc. | Package for integrated circuit die |
| US7255610B2 (en) | 2005-02-21 | 2007-08-14 | Hitachi, Ltd. | Molded part and electronic device using the same |
| US7429790B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-09-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure and method of manufacture |
| US7849431B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS inverter layout for increasing effective channel length |
| JP2012151198A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Toyota Motor Corp | バスバと配線の接合構造 |
| US8797758B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-08-05 | Nissan Kogyo Co., Ltd. | Electrical connection structure of electronic board |
| JP2019067885A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-10-11 JP JP26314995A patent/JPH09107059A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000306653A (ja) * | 1999-04-20 | 2000-11-02 | Denso Corp | ワイヤボンディング用コネクタ及びその製造方法 |
| JP2002033438A (ja) * | 2000-07-13 | 2002-01-31 | Denso Corp | 樹脂封入型回路装置 |
| EP1627419A2 (en) * | 2003-01-29 | 2006-02-22 | Quantum Leap Packaging, Inc. | Package for integrated circuit die |
| EP1627419A4 (en) * | 2003-01-29 | 2011-02-23 | Interplex Qlp Inc | CAPSULATION FOR AN INTEGRATED CIRCUIT SCHIP |
| US8728606B2 (en) | 2003-01-29 | 2014-05-20 | Iqlp, Llc | Thermoplastic material |
| US7255610B2 (en) | 2005-02-21 | 2007-08-14 | Hitachi, Ltd. | Molded part and electronic device using the same |
| US7429790B2 (en) * | 2005-10-24 | 2008-09-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure and method of manufacture |
| US7849431B2 (en) | 2006-04-10 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | CMOS inverter layout for increasing effective channel length |
| US8797758B2 (en) | 2010-03-12 | 2014-08-05 | Nissan Kogyo Co., Ltd. | Electrical connection structure of electronic board |
| JP2012151198A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Toyota Motor Corp | バスバと配線の接合構造 |
| JP2019067885A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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