JPH088195A - 成膜方法 - Google Patents
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- JPH088195A JPH088195A JP6159532A JP15953294A JPH088195A JP H088195 A JPH088195 A JP H088195A JP 6159532 A JP6159532 A JP 6159532A JP 15953294 A JP15953294 A JP 15953294A JP H088195 A JPH088195 A JP H088195A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3215—Doping the layers
- H01L21/32155—Doping polycristalline - or amorphous silicon layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ポリシリコン膜の微細素子間の抵抗値の均一
性を高めること。 【構成】 ウエハボートに多数のウエハを搭載して反応
管内にロードし、反応管２内にモノシランガスとフォス
フィンガスとＮ2 Ｏガスとを導入して例えばリンをドー
プしたアモルファスシリコン膜を形成し、しかる後例え
ば別の反応管２内にて当該ウエハＷをアニールし、アモ
ルファスシリコン膜をポリ化する。成膜時にＮ2 Ｏの分
解により生成したＯが膜中に取り込まれ、これがシリコ
ン結晶の核となって結晶が微小化しかつそのサイズが揃
うことによりポリシリコン膜の微細素子間抵抗値の均一
性が向上すると考えられる。また酸素を添加することに
よりポリシリコン膜の抵抗値を容易に制御できる。
性を高めること。 【構成】 ウエハボートに多数のウエハを搭載して反応
管内にロードし、反応管２内にモノシランガスとフォス
フィンガスとＮ2 Ｏガスとを導入して例えばリンをドー
プしたアモルファスシリコン膜を形成し、しかる後例え
ば別の反応管２内にて当該ウエハＷをアニールし、アモ
ルファスシリコン膜をポリ化する。成膜時にＮ2 Ｏの分
解により生成したＯが膜中に取り込まれ、これがシリコ
ン結晶の核となって結晶が微小化しかつそのサイズが揃
うことによりポリシリコン膜の微細素子間抵抗値の均一
性が向上すると考えられる。また酸素を添加することに
よりポリシリコン膜の抵抗値を容易に制御できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは種々の薄膜が積層され
て構成されており、リン（Ｐ）をドープしたポリシリコ
ン膜もその一つである。この種のポリシリコン膜は抵抗
素子、ゲート、配線などとして用いられており、その製
法については、制御性に優れ、またイオン打ち込みのよ
うな基板の損傷がないことから、減圧ＣＶＤ（Chemical
vapor deposition)が広く利用されている。
て構成されており、リン（Ｐ）をドープしたポリシリコ
ン膜もその一つである。この種のポリシリコン膜は抵抗
素子、ゲート、配線などとして用いられており、その製
法については、制御性に優れ、またイオン打ち込みのよ
うな基板の損傷がないことから、減圧ＣＶＤ（Chemical
vapor deposition)が広く利用されている。
【０００３】リンドープのポリシリコン膜を減圧ＣＶＤ
により成膜する従来方法について、縦型熱処理装置を用
いた場合について述べると、ウエハボートに多数枚の半
導体ウエハ（「以下ウエハという。」）を載せて反応管
内にロードし、反応管内の温度を例えば５９０℃以上に
設定すると共に、例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス及
びフォスフィン（ＰＨ3 ）ガスを反応管内に導入して所
定の真空度に維持しながらリンをドープしたポリシリコ
ン膜を成膜するようにしている。また成膜ガスとしてモ
ノシランガスの代りにジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）ガスを用
い、例えば５８０℃以下の温度でリンをドープしたアモ
ルファスシリコン膜を成膜し、この薄膜を例えば６００
〜１０００℃程度の温度でアニールしてポリ化する方法
も用いられている。
により成膜する従来方法について、縦型熱処理装置を用
いた場合について述べると、ウエハボートに多数枚の半
導体ウエハ（「以下ウエハという。」）を載せて反応管
内にロードし、反応管内の温度を例えば５９０℃以上に
設定すると共に、例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス及
びフォスフィン（ＰＨ3 ）ガスを反応管内に導入して所
定の真空度に維持しながらリンをドープしたポリシリコ
ン膜を成膜するようにしている。また成膜ガスとしてモ
ノシランガスの代りにジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）ガスを用
い、例えば５８０℃以下の温度でリンをドープしたアモ
ルファスシリコン膜を成膜し、この薄膜を例えば６００
〜１０００℃程度の温度でアニールしてポリ化する方法
も用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで半導体デバイ
スのパターン線幅は非常に微細化しつつあり、リンをド
ープしたポリシリコン膜が用いられる抵抗素子の線幅も
例えば幅２μｍと微細なものになることがある。このよ
うにパターンの線幅が微細化すると、抵抗素子の抵抗値
のばらつきが、これが組み込まれるデバイスの特性のば
らつきとして大きく反映されてくる。従ってウエハ面
内、ウエハ面間、バッチ間における上述のポリシリコン
膜の抵抗値（シート抵抗）について非常に高い均一性が
要求されており、また微細化した夫々の素子間の抵抗値
についても高い均一性が要求されてくる。
スのパターン線幅は非常に微細化しつつあり、リンをド
ープしたポリシリコン膜が用いられる抵抗素子の線幅も
例えば幅２μｍと微細なものになることがある。このよ
うにパターンの線幅が微細化すると、抵抗素子の抵抗値
のばらつきが、これが組み込まれるデバイスの特性のば
らつきとして大きく反映されてくる。従ってウエハ面
内、ウエハ面間、バッチ間における上述のポリシリコン
膜の抵抗値（シート抵抗）について非常に高い均一性が
要求されており、また微細化した夫々の素子間の抵抗値
についても高い均一性が要求されてくる。
【０００５】ここでポリシリコン膜の抵抗値を左右する
要因の一つとしてシリコン結晶のサイズが挙げられ、比
較的結晶サイズが大きいとポリシリコン微細抵抗素子間
のばらつきが生じる。その理由については、ポリシリコ
ン膜が例え同じ結晶粒径の集合体であったとしても、ウ
エハを各デバイスに切るときに図４（ａ）、（ｂ）に示
すようにポリシリコン膜の微細な抵抗素子に含まれる結
晶の数が抵抗素子間で異なってくる。そして微細な抵抗
素子間の結晶１０１の数のばらつきの程度は、結晶のサ
イズが大きい程高くなってくる。ここで例えばリンをド
ープする場合シリコン結晶の界面にリン１０２が析出し
て薄膜の抵抗値を高めるため、結晶の数のばらつきの程
度が高くなると、微細な抵抗素子間の均一性が低くなっ
てしまい、その結果デバイスの歩留まりが悪くなる。
要因の一つとしてシリコン結晶のサイズが挙げられ、比
較的結晶サイズが大きいとポリシリコン微細抵抗素子間
のばらつきが生じる。その理由については、ポリシリコ
ン膜が例え同じ結晶粒径の集合体であったとしても、ウ
エハを各デバイスに切るときに図４（ａ）、（ｂ）に示
すようにポリシリコン膜の微細な抵抗素子に含まれる結
晶の数が抵抗素子間で異なってくる。そして微細な抵抗
素子間の結晶１０１の数のばらつきの程度は、結晶のサ
イズが大きい程高くなってくる。ここで例えばリンをド
ープする場合シリコン結晶の界面にリン１０２が析出し
て薄膜の抵抗値を高めるため、結晶の数のばらつきの程
度が高くなると、微細な抵抗素子間の均一性が低くなっ
てしまい、その結果デバイスの歩留まりが悪くなる。
【０００６】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、ポリシリコン膜の抵抗値の
均一性を高めることのできる成膜方法を提供することに
ある。
たものであり、その目的は、ポリシリコン膜の抵抗値の
均一性を高めることのできる成膜方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、気密
な反応容器内に被処理体を配置し、加熱雰囲気にされた
反応容器内にシラン系のガスを導入して化学的気相反応
により被処理体にシリコン膜を形成する成膜方法におい
て、シリコン結晶の成長を妨げる成分を含むガスを反応
容器内に供給することを特徴とする。
な反応容器内に被処理体を配置し、加熱雰囲気にされた
反応容器内にシラン系のガスを導入して化学的気相反応
により被処理体にシリコン膜を形成する成膜方法におい
て、シリコン結晶の成長を妨げる成分を含むガスを反応
容器内に供給することを特徴とする。
【０００８】請求項２の発明は、シリコン結晶の成長を
妨げる成分を含むガスは、Ｎ2 Ｏ、Ｏ2 、Ｏ3 またはＣ
Ｏ2 ガスから選ばれる１種以上のガスであることを特徴
とする。
妨げる成分を含むガスは、Ｎ2 Ｏ、Ｏ2 、Ｏ3 またはＣ
Ｏ2 ガスから選ばれる１種以上のガスであることを特徴
とする。
【０００９】
【作用】反応管内にシラン系のガスと例えばＮ2 Ｏガス
とを導入して成膜を行うと、微小素子間の抵抗値が均一
なシリコン膜が得られる。これは、シラン系のガス例え
ばモノシランガスを用いて例えばアモルファスシリコン
膜を形成し、その後熱処理例えばアニールしてポリ化す
る場合、及び成膜時の温度をポリ化できる温度に設定し
てポリシリコン膜を成膜する場合の両方が含まれる。膜
の抵抗値が均一な理由は例えばＮ2 Ｏの分解により生成
された酸素がシリコン結晶の核となり、この結果シリコ
ン結晶のサイズが小さくなると共にそのサイズのばらつ
きも小さくなることによると推察される。
とを導入して成膜を行うと、微小素子間の抵抗値が均一
なシリコン膜が得られる。これは、シラン系のガス例え
ばモノシランガスを用いて例えばアモルファスシリコン
膜を形成し、その後熱処理例えばアニールしてポリ化す
る場合、及び成膜時の温度をポリ化できる温度に設定し
てポリシリコン膜を成膜する場合の両方が含まれる。膜
の抵抗値が均一な理由は例えばＮ2 Ｏの分解により生成
された酸素がシリコン結晶の核となり、この結果シリコ
ン結晶のサイズが小さくなると共にそのサイズのばらつ
きも小さくなることによると推察される。
【００１０】
【実施例】図１は本発明を実施するための成膜装置の一
例を示す縦断側面図である。加熱炉１はベースプレート
１０上に設置されており、断熱層１１の内周面に、後述
の反応管を囲統するようにヒータ１２を設けて構成され
る。
例を示す縦断側面図である。加熱炉１はベースプレート
１０上に設置されており、断熱層１１の内周面に、後述
の反応管を囲統するようにヒータ１２を設けて構成され
る。
【００１１】前記加熱炉１内には、例えば石英からな
る。上端が閉じている外管２１と、この外管２１内に同
心状に設置された例えば石英からなる内管２２とを備え
た被処理雰囲気を形成する２重管構造の反応容器である
反応管２が設けられている。
る。上端が閉じている外管２１と、この外管２１内に同
心状に設置された例えば石英からなる内管２２とを備え
た被処理雰囲気を形成する２重管構造の反応容器である
反応管２が設けられている。
【００１２】前記外管２１及び内管２２は、各々その下
端にてステンレス等からなる筒状のマニホールド３に保
持されており、このマニホールド３の下端開口部には、
当該開口を気密に封止するためのキャップ部３１が開閉
自在に設けられている。
端にてステンレス等からなる筒状のマニホールド３に保
持されており、このマニホールド３の下端開口部には、
当該開口を気密に封止するためのキャップ部３１が開閉
自在に設けられている。
【００１３】前記キャップ部３１の中心部には、例えば
磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸３２が
挿通されており、回転軸３２の下端は昇降台３３の回転
機構３４に接続されると共に、上端はターンテーブル３
５に固定されている。前記ターンテーブル３５の上方側
には、保温筒４０を介して被処理体保持具である例えば
石英製のウエハボート４が搭載されており、このウエハ
ボート４は、例えば１５０枚のウエハＷを所定間隔のピ
ッチで積み重ねて収容できるように構成されている。
磁気シールにより気密な状態で回転可能な回転軸３２が
挿通されており、回転軸３２の下端は昇降台３３の回転
機構３４に接続されると共に、上端はターンテーブル３
５に固定されている。前記ターンテーブル３５の上方側
には、保温筒４０を介して被処理体保持具である例えば
石英製のウエハボート４が搭載されており、このウエハ
ボート４は、例えば１５０枚のウエハＷを所定間隔のピ
ッチで積み重ねて収容できるように構成されている。
【００１４】前記マニホールド３の下部側面には、成膜
用ガス導入管５、ドープ用ガス導入管６及び結晶核用ガ
ス導入管７が挿設されている。成膜用ガス導入管５及び
ドープ用ガス導入管６は、夫々マスフロコントローラ５
１、６１を介して図示しないガス供給源に接続され、夫
々成膜用ガスである例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス
及びドープ用ガス例えばフォスフィン（ＰＨ3 ）ガスを
内管２２内に導入するように構成される。また前記結晶
核用ガス導入管７は、マスフロコントローラ７１を介し
て図示しないガス供給源に接続され、シリコン結晶の核
となる成分を含むガス例えばＮ2 Ｏガスを内管２２内に
導入するように構成される。
用ガス導入管５、ドープ用ガス導入管６及び結晶核用ガ
ス導入管７が挿設されている。成膜用ガス導入管５及び
ドープ用ガス導入管６は、夫々マスフロコントローラ５
１、６１を介して図示しないガス供給源に接続され、夫
々成膜用ガスである例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）ガス
及びドープ用ガス例えばフォスフィン（ＰＨ3 ）ガスを
内管２２内に導入するように構成される。また前記結晶
核用ガス導入管７は、マスフロコントローラ７１を介し
て図示しないガス供給源に接続され、シリコン結晶の核
となる成分を含むガス例えばＮ2 Ｏガスを内管２２内に
導入するように構成される。
【００１５】また前記マニホールド３の上部側面には、
外管２１と内管２２との間隙から処理ガスを排出して反
応管２内を所定の減圧雰囲気に設定するために、真空ポ
ンプ８１に連結された排気管８が接続されている。
外管２１と内管２２との間隙から処理ガスを排出して反
応管２内を所定の減圧雰囲気に設定するために、真空ポ
ンプ８１に連結された排気管８が接続されている。
【００１６】次に上述の成膜装置を用いて行われる本発
明の実施例について説明する。先ずヒータ１２によりウ
エハボート４のセンター部（上下方向の中央部）の温度
が例えば５８０℃となるように反応管２内の被処理雰囲
気を加熱しておいて、例えば１５０枚のウエハＷを保持
したウエハボート５を反応管３内に下方開口部から昇降
台３３により搬入する。
明の実施例について説明する。先ずヒータ１２によりウ
エハボート４のセンター部（上下方向の中央部）の温度
が例えば５８０℃となるように反応管２内の被処理雰囲
気を加熱しておいて、例えば１５０枚のウエハＷを保持
したウエハボート５を反応管３内に下方開口部から昇降
台３３により搬入する。
【００１７】続いて反応管２内を例えば１ｍｍＴｏｒｒ
の真空度まで真空引きした後に成膜用ガス導入管５及び
ドープ用ガス導入管６からモノシランガス及びフォスフ
ィンガスを夫々８００〜１０００ＳＣＣＭ、１５０ＳＣ
ＣＭの流量で内管３２内に導入すると共に、結晶核用ガ
ス導入管７からＮ2 Ｏガスを例えば１〜５０ＳＣＣＭの
流量で内管３２内に導入し、反応管３内を例えば１．０
Ｔｏｒｒの圧力となるように排気を行い、ウエハボート
５を例えば１．０ｒｐｍの回転数で回転させながら３０
分間成膜を行う。
の真空度まで真空引きした後に成膜用ガス導入管５及び
ドープ用ガス導入管６からモノシランガス及びフォスフ
ィンガスを夫々８００〜１０００ＳＣＣＭ、１５０ＳＣ
ＣＭの流量で内管３２内に導入すると共に、結晶核用ガ
ス導入管７からＮ2 Ｏガスを例えば１〜５０ＳＣＣＭの
流量で内管３２内に導入し、反応管３内を例えば１．０
Ｔｏｒｒの圧力となるように排気を行い、ウエハボート
５を例えば１．０ｒｐｍの回転数で回転させながら３０
分間成膜を行う。
【００１８】このような成膜処理を行うことによりリン
をドープしたアモルファスシリコン膜が得られ、これを
例えば別の熱処理装置にて例えば８００℃の温度でアニ
ールすることによりポリシリコン膜が得られる。このよ
うなポリシリコン膜はウエハの面内及び面間においてま
たバッチ処理間においてもシート抵抗の均一性が高く、
その理由については次のように推察される。即ちＮ2 Ｏ
ガスは５８０℃付近でＮとＯとに分解し、このＯがポリ
シリコンまたはアモルファスシリコン膜中に取り込まれ
る。次いでこのシリコン膜をアニールしてポリ化（多結
晶化）するときに、膜中の前記Ｏがシリコン結晶の核と
なり、その核の数つまりＯの数が多いのでシリコン結晶
のサイズが小さくて揃ったものになる。ただし５８０℃
付近で成膜した場合、アモルファスシリコン膜とはいっ
ても一部ポリ化しているが、そのポリ化の部分において
もＯが結晶の核となるため、結晶のサイズが小さくて揃
っていることによりシリコン膜の素子間の抵抗値（シー
ト抵抗）の均一性が向上すると考えられる。
をドープしたアモルファスシリコン膜が得られ、これを
例えば別の熱処理装置にて例えば８００℃の温度でアニ
ールすることによりポリシリコン膜が得られる。このよ
うなポリシリコン膜はウエハの面内及び面間においてま
たバッチ処理間においてもシート抵抗の均一性が高く、
その理由については次のように推察される。即ちＮ2 Ｏ
ガスは５８０℃付近でＮとＯとに分解し、このＯがポリ
シリコンまたはアモルファスシリコン膜中に取り込まれ
る。次いでこのシリコン膜をアニールしてポリ化（多結
晶化）するときに、膜中の前記Ｏがシリコン結晶の核と
なり、その核の数つまりＯの数が多いのでシリコン結晶
のサイズが小さくて揃ったものになる。ただし５８０℃
付近で成膜した場合、アモルファスシリコン膜とはいっ
ても一部ポリ化しているが、そのポリ化の部分において
もＯが結晶の核となるため、結晶のサイズが小さくて揃
っていることによりシリコン膜の素子間の抵抗値（シー
ト抵抗）の均一性が向上すると考えられる。
【００１９】ここで本発明方法の効果を確認するために
成膜時にガスを供給した場合と供給しない場合とについ
て、ポリシリコン膜中のシリコン結晶のサイズを調べた
ところ、図２に示す結果が得られた。ただしＳｉＨ4 ガ
ス及びＰＨ3 ガスの流量を夫々９５０ＳＣＣＭ、１３０
ＳＣＣＭとし、アニール温度を約９５０℃とした。
成膜時にガスを供給した場合と供給しない場合とについ
て、ポリシリコン膜中のシリコン結晶のサイズを調べた
ところ、図２に示す結果が得られた。ただしＳｉＨ4 ガ
ス及びＰＨ3 ガスの流量を夫々９５０ＳＣＣＭ、１３０
ＳＣＣＭとし、アニール温度を約９５０℃とした。
【００２０】この結果からＮ2 Ｏガスを供給することに
よりＯが結晶の核となってシリコン結晶のサイズが小さ
くなっていることがわかる。従ってウエハを各デバイス
に分断した場合、切った個所によってデバイス中の微小
抵抗素子に含まれる結晶の数は異なっているものの、結
晶のサイズが小さいため、微小抵抗素子間での結晶の数
の差の程度が小さくなるので、この結果ポリシリコン膜
の微小抵抗素子間で抵抗値の均一性が向上する。
よりＯが結晶の核となってシリコン結晶のサイズが小さ
くなっていることがわかる。従ってウエハを各デバイス
に分断した場合、切った個所によってデバイス中の微小
抵抗素子に含まれる結晶の数は異なっているものの、結
晶のサイズが小さいため、微小抵抗素子間での結晶の数
の差の程度が小さくなるので、この結果ポリシリコン膜
の微小抵抗素子間で抵抗値の均一性が向上する。
【００２１】またＮ2 Ｏガスの流量を変えてポリシリコ
ン膜の抵抗値を調べたところ図３に示す結果が得られ
た。ただしＳｉＨ4 ガス及びＰＨ3 ガスの流量を夫々９
５０ＳＣＣＭ、１３０ＳＣＣＭとし、アニール温度を約
９５０℃とした。図２中○、△、□、◇は、夫々Ｎ2 Ｏ
ガスの流量が０（Ｎ2 Ｏガスを供給しない）、３ＳＣＣ
Ｍ、１５ＳＣＣＭ、７０ＳＣＣＭである。この結果から
わかるように、Ｎ2 Ｏガスの流量を大きくするにつれて
膜の抵抗値が高くなっている。その理由については、酸
素が膜中に取り込まれることによりシリコン結晶の成長
が遅れ、このためシリコンとリンとの結合が不十分とな
り抵抗値が高くなっていくと考えられる。そしてこの結
合の状態はＮ2 Ｏガスの流量により制御できるため、結
果としてＮ2 Ｏガスの流量によりポリシリコン膜の抵抗
値を制御できることになる。
ン膜の抵抗値を調べたところ図３に示す結果が得られ
た。ただしＳｉＨ4 ガス及びＰＨ3 ガスの流量を夫々９
５０ＳＣＣＭ、１３０ＳＣＣＭとし、アニール温度を約
９５０℃とした。図２中○、△、□、◇は、夫々Ｎ2 Ｏ
ガスの流量が０（Ｎ2 Ｏガスを供給しない）、３ＳＣＣ
Ｍ、１５ＳＣＣＭ、７０ＳＣＣＭである。この結果から
わかるように、Ｎ2 Ｏガスの流量を大きくするにつれて
膜の抵抗値が高くなっている。その理由については、酸
素が膜中に取り込まれることによりシリコン結晶の成長
が遅れ、このためシリコンとリンとの結合が不十分とな
り抵抗値が高くなっていくと考えられる。そしてこの結
合の状態はＮ2 Ｏガスの流量により制御できるため、結
果としてＮ2 Ｏガスの流量によりポリシリコン膜の抵抗
値を制御できることになる。
【００２２】以上において、本発明は、ポリシリコン膜
にリンをドープすることに限られず、例えばＢＦ3 ガス
を用いてＢをドープする場合にも適用できるし、あるい
は不純物をドープしない場合にも結晶のサイズを小さく
出来るので有効である。。
にリンをドープすることに限られず、例えばＢＦ3 ガス
を用いてＢをドープする場合にも適用できるし、あるい
は不純物をドープしない場合にも結晶のサイズを小さく
出来るので有効である。。
【００２３】また本発明は、アモルファスシリコン膜を
アニールしてポリ化する場合に限らず、例えば６００℃
以上の成膜温度で成膜してポリシリコン膜を得る場合に
も適用してもよいし、処理の方式としは、バッチ式に限
らず枚葉式であってもよい。
アニールしてポリ化する場合に限らず、例えば６００℃
以上の成膜温度で成膜してポリシリコン膜を得る場合に
も適用してもよいし、処理の方式としは、バッチ式に限
らず枚葉式であってもよい。
【００２４】そしてまたシリコン結晶の核を形成する成
分を含むガスとしては、Ｎ2 Ｏガスに限らず、Ｏ2 ガス
やＯ3 ガスあるいはＣＯ2 などであってもよいし、更に
その成分としては、酸素以外のものであってもよい。な
お被処理体としてはウエハに限らず液晶パネルの製造工
程に用いられるガラス基板であってもよい。
分を含むガスとしては、Ｎ2 Ｏガスに限らず、Ｏ2 ガス
やＯ3 ガスあるいはＣＯ2 などであってもよいし、更に
その成分としては、酸素以外のものであってもよい。な
お被処理体としてはウエハに限らず液晶パネルの製造工
程に用いられるガラス基板であってもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、ポリシリコン膜の結晶
のサイズを小さくすることができ、素子間抵抗値につい
て高い均一性を得ることができ、歩留まりを向上させる
ことができる。
のサイズを小さくすることができ、素子間抵抗値につい
て高い均一性を得ることができ、歩留まりを向上させる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するために用いられる成膜装
置の一例を示す断面図である。
置の一例を示す断面図である。
【図２】Ｎ2 Ｏガスの流量とポリシリコン膜の結晶のサ
イズとの関係を示す特性図である。
イズとの関係を示す特性図である。
【図３】ポリシリコン膜の抵抗値とＮ2 Ｏガスの流量と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図４】ポリシリコン膜の結晶構造を模式的に示す模式
図である。
図である。
１ 加熱炉 ２ 反応管 ３ マニホールド ４ ウエハボート ５ 成膜用ガス導入管 ６ ドープ用ガス導入管 ７ 結晶核用導入管
フロントページの続き (72)発明者 長谷部 一秀 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 重松 伸明 東京都新宿区西新宿２丁目３番１号 東京 エレクトロン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 気密な反応容器内に被処理体を配置し、
加熱雰囲気にされた反応容器内にシラン系のガスを導入
して化学的気相反応により被処理体にシリコン膜を形成
する成膜方法において、 シリコン結晶の成長を妨げる成分を含むガスを反応容器
内に供給することを特徴とする成膜方法。 - 【請求項２】 シリコン結晶の成長を妨げる成分を含む
ガスは、Ｎ2 Ｏ、Ｏ2 、Ｏ3 またはＣＯ2 のガスから選
ばれる１種以上のガスであることを特徴とする請求項１
の成膜方法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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ID=15695832
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|---|---|---|---|
| JP15953294A Expired - Fee Related JP3432601B2 (ja) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 成膜方法 |
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- 1994-06-17 JP JP15953294A patent/JP3432601B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-16 TW TW084106198A patent/TW271504B/zh not_active IP Right Cessation
- 1995-06-17 KR KR1019950016167A patent/KR100413914B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-29 US US08/864,907 patent/US5783257A/en not_active Expired - Lifetime
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| GB2335928A (en) * | 1998-04-03 | 1999-10-06 | Nec Corp | Production of semiconductors |
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| KR100413914B1 (ko) | 2004-03-30 |
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