JPH0881220A - 希土類オキシ硫化物、その製造方法、及びその発光団としての使用 - Google Patents
希土類オキシ硫化物、その製造方法、及びその発光団としての使用Info
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- JPH0881220A JPH0881220A JP7185039A JP18503995A JPH0881220A JP H0881220 A JPH0881220 A JP H0881220A JP 7185039 A JP7185039 A JP 7185039A JP 18503995 A JP18503995 A JP 18503995A JP H0881220 A JPH0881220 A JP H0881220A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7767—Chalcogenides
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- C09K11/7771—Oxysulfides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
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- C01F17/294—Oxysulfides
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 充分な発光効率と、要求される用途に対応す
る電圧範囲（２００〜８００Ｖ）における導電性とを組
合せて示す物質を提供すること。 【構成】 本発明は、添加剤として少なくとも１種の他
の希土類を含む希土類オキシ硫化物であって、表面にお
いて酸素に関して平衡又は不足を示すことを特徴とする
前記希土類オキシ硫化物に関する。本発明に従うオキシ
硫化物の製造方法は、添加剤として少なくとも１種の他
の希土類を含む希土類オキシ硫化物を水素の存在下で焼
成することを特徴とする。本発明はまた、前記のタイプ
の希土類オキシ硫化物を含有する発光性組成物をも包含
する。
る電圧範囲（２００〜８００Ｖ）における導電性とを組
合せて示す物質を提供すること。 【構成】 本発明は、添加剤として少なくとも１種の他
の希土類を含む希土類オキシ硫化物であって、表面にお
いて酸素に関して平衡又は不足を示すことを特徴とする
前記希土類オキシ硫化物に関する。本発明に従うオキシ
硫化物の製造方法は、添加剤として少なくとも１種の他
の希土類を含む希土類オキシ硫化物を水素の存在下で焼
成することを特徴とする。本発明はまた、前記のタイプ
の希土類オキシ硫化物を含有する発光性組成物をも包含
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、希土類オキシ硫化
物、その製造方法及び発光団としてのその使用に関す
る。
物、その製造方法及び発光団としてのその使用に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクスの分野においては、陰
極線管は約３００００Ｖのかなりのエネルギーレベルを
用いて機能することが知られている。しかし、あるタイ
プの用途においては、２００〜８００Ｖ程度の低エネル
ギー電子を用いることが望まれる。それは、電界放射デ
ィスプレー（ＦＥＤ）の場合である。このタイプの装置
においては、金属製微小点（micropointes）が低エネル
ギーの電子を放射し、これがディスプレースクリーン上
に配置された発光性物質を励起する。
極線管は約３００００Ｖのかなりのエネルギーレベルを
用いて機能することが知られている。しかし、あるタイ
プの用途においては、２００〜８００Ｖ程度の低エネル
ギー電子を用いることが望まれる。それは、電界放射デ
ィスプレー（ＦＥＤ）の場合である。このタイプの装置
においては、金属製微小点（micropointes）が低エネル
ギーの電子を放射し、これがディスプレースクリーン上
に配置された発光性物質を励起する。
【０００３】この発光性物質は、２つの本質的な性質を
持っていなければならない。初めに、この発光性物質
は、充分な光学特性を有していなければならず、これは
ここではそのルミネセンス性質のことであり、そして、
これは、求められる色で効果的に放射しなければならな
い。もう一方の必要な性質は、導電性である。発光性物
質は、実際、前記の用途に用いられる場合には、電荷を
移動させることができなければならない。
持っていなければならない。初めに、この発光性物質
は、充分な光学特性を有していなければならず、これは
ここではそのルミネセンス性質のことであり、そして、
これは、求められる色で効果的に放射しなければならな
い。もう一方の必要な性質は、導電性である。発光性物
質は、実際、前記の用途に用いられる場合には、電荷を
移動させることができなければならない。
【０００４】問題点は、これら２つの性質を充分な程度
で組合せて持つ物質を見出すことの困難さにある。実
際、物質の発光効率は励起電位と共に低減する。さら
に、それ以下では物質はもはや導電性を示さないという
最低励起電位（Ｖamin）が存在する。前記したような２
００〜８００Ｖ程度のできるだけ低い電位範囲を用いる
ことが求められる場合には、充分な発光効率を維持しな
がら、できる限り低いＶam inを持つ物質についての要求
がある。
で組合せて持つ物質を見出すことの困難さにある。実
際、物質の発光効率は励起電位と共に低減する。さら
に、それ以下では物質はもはや導電性を示さないという
最低励起電位（Ｖamin）が存在する。前記したような２
００〜８００Ｖ程度のできるだけ低い電位範囲を用いる
ことが求められる場合には、充分な発光効率を維持しな
がら、できる限り低いＶam inを持つ物質についての要求
がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、生じる問題
は、充分な発光効率と、要求される用途に対応する電圧
範囲（２００〜８００Ｖ）における導電性とを組合せて
示す物質についての要求として現れる。本発明の主題
は、かかる特性を有する物質にある。
は、充分な発光効率と、要求される用途に対応する電圧
範囲（２００〜８００Ｖ）における導電性とを組合せて
示す物質についての要求として現れる。本発明の主題
は、かかる特性を有する物質にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的のために、本発
明の希土類オキシ硫化物は少なくとも１種の別の希土類
を添加剤として含み、その表面において酸素に関して平
衡又は不足を示すことを特徴とする。本発明はまた、少
なくとも１種の別の希土類を添加剤として含む希土類オ
キシ硫化物を水素の存在下で焼成することを特徴とす
る、希土類オキシ硫化物の製造方法にも関する。本発明
はまた、前記のタイプの希土類オキシ硫化物を含有する
発光性組成物をも包含する。
明の希土類オキシ硫化物は少なくとも１種の別の希土類
を添加剤として含み、その表面において酸素に関して平
衡又は不足を示すことを特徴とする。本発明はまた、少
なくとも１種の別の希土類を添加剤として含む希土類オ
キシ硫化物を水素の存在下で焼成することを特徴とす
る、希土類オキシ硫化物の製造方法にも関する。本発明
はまた、前記のタイプの希土類オキシ硫化物を含有する
発光性組成物をも包含する。
【０００７】従って、本発明の物質は、発光団として用
いるための満足できる発光効率を維持しながら、比較的
低いＶaminを有する。本発明の物質は、低電圧発光にお
ける用途（これらの物質が少なくとも約２００Ｖでしか
しせいぜい約８００Ｖの程度の低エネルギーにおける電
子の照射に付される用途）に特に適している。本発明の
その他の特徴、詳細及び利点は、以下の説明及び添付図
面からより一層明らかになるだろう。図１は、本発明に
従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクトル図である。図２
は、従来技術に従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクトル図
である。
いるための満足できる発光効率を維持しながら、比較的
低いＶaminを有する。本発明の物質は、低電圧発光にお
ける用途（これらの物質が少なくとも約２００Ｖでしか
しせいぜい約８００Ｖの程度の低エネルギーにおける電
子の照射に付される用途）に特に適している。本発明の
その他の特徴、詳細及び利点は、以下の説明及び添付図
面からより一層明らかになるだろう。図１は、本発明に
従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクトル図である。図２
は、従来技術に従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクトル図
である。
【０００８】本発明の物質は、希土類オキシ硫化物であ
る。用語「希土類」とは、本明細書においては、イット
リウム及び元素の周期分類中の原子番号５７〜７１の元
素によって形成される群の元素を示すために用いられ
る。ここで言う原子の周期分類とは、フランス化学会誌
第１号（１９６６年１月）の補遺に示されたものであ
る。本発明の希土類オキシ硫化物は、より特定的には、
式Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ（ここで、Ｌｎは希土類を表わす）に従
うことができる。この希土類は、ランタン、イットリウ
ム、ガドリニウム及びルテチウムを含む群から選択する
ことができる。本発明の特定的な具体例に従えば、希土
類はガドリニウムである。後記する添加剤の存在に拘ら
ず、本発明の物質は、オキシ硫化物自体の組成に入る希
土類を複数含むことができるということに留意された
い。
る。用語「希土類」とは、本明細書においては、イット
リウム及び元素の周期分類中の原子番号５７〜７１の元
素によって形成される群の元素を示すために用いられ
る。ここで言う原子の周期分類とは、フランス化学会誌
第１号（１９６６年１月）の補遺に示されたものであ
る。本発明の希土類オキシ硫化物は、より特定的には、
式Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓ（ここで、Ｌｎは希土類を表わす）に従
うことができる。この希土類は、ランタン、イットリウ
ム、ガドリニウム及びルテチウムを含む群から選択する
ことができる。本発明の特定的な具体例に従えば、希土
類はガドリニウムである。後記する添加剤の存在に拘ら
ず、本発明の物質は、オキシ硫化物自体の組成に入る希
土類を複数含むことができるということに留意された
い。
【０００９】本発明の希土類オキシ硫化物は、さらに、
少なくとも１種のその他の希土類を添加剤又はドーピン
グ物質として含む。この添加剤又はドーピング物質の目
的は、オキシ硫化物にルミネセンス性質を付与すること
である。このその他の希土類は、一般的には、真の意味
でのオキシ硫化物を形成するものとは異なるものであ
る。この希土類は、発光体に望まれる放射色に応じて選
択される。より特定的には、この添加剤又はドーピング
物質は、テルビウム、プラセオジム、ユーロピウム及び
サマリウムを含む群から選択することができる。緑色の
発光体を製造するためには、より特定的には、テルビウ
ム及びプラセオジムを選択する。赤色の発光体について
は、添加剤はユーロピウム又はサマリウムである。例え
ばテルビウムとプラセオジムとの組合せ又はユーロピウ
ムとサマリウムとの組合せのように、複数の添加剤を組
合せて用いることができる。
少なくとも１種のその他の希土類を添加剤又はドーピン
グ物質として含む。この添加剤又はドーピング物質の目
的は、オキシ硫化物にルミネセンス性質を付与すること
である。このその他の希土類は、一般的には、真の意味
でのオキシ硫化物を形成するものとは異なるものであ
る。この希土類は、発光体に望まれる放射色に応じて選
択される。より特定的には、この添加剤又はドーピング
物質は、テルビウム、プラセオジム、ユーロピウム及び
サマリウムを含む群から選択することができる。緑色の
発光体を製造するためには、より特定的には、テルビウ
ム及びプラセオジムを選択する。赤色の発光体について
は、添加剤はユーロピウム又はサマリウムである。例え
ばテルビウムとプラセオジムとの組合せ又はユーロピウ
ムとサマリウムとの組合せのように、複数の添加剤を組
合せて用いることができる。
【００１０】添加剤は、（添加剤のモル数）／（添加剤
のモル数＋希土類オキシ硫化物Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓのモル数）
に関して計算した比として、一般的には０．１〜７モル
％の範囲、特に０．１〜４％の範囲の量で存在させる。
この比はより特定的には０．３〜２％の範囲であること
ができる。
のモル数＋希土類オキシ硫化物Ｌｎ2 Ｏ2 Ｓのモル数）
に関して計算した比として、一般的には０．１〜７モル
％の範囲、特に０．１〜４％の範囲の量で存在させる。
この比はより特定的には０．３〜２％の範囲であること
ができる。
【００１１】本発明のオキシ硫化物の主な特徴は、その
構造にある。実際、本発明のオキシ硫化物は、その表面
において酸素に関して平衡又は不足を示す。非限定的な
例として、そしてさらに、用いられる分析操作を考慮に
入れて、用語「表面」とは、本明細書においては、原子
約５個分に相当する厚さに関する。用語「酸素に関して
平衡」及び「酸素に関して不足」とは、オキシ硫化物の
表面における原子比Ｏ／Ｓを測定した時に、この原子比
が、それぞれのオキシ硫化物のＯ／Ｓの化学量論的比と
同等又はそれより低いという事実を示す。例えば、式Ｌ
ｎ2 Ｏ2 Ｓのオキシ硫化物については、化学量論的比は
２である。本発明の物質の場合、この比は多くとも２で
ある。既知のオキシ硫化物の場合には、この比は特に酸
化作用の結果として２より大きい。本発明の好ましい具
体例に従えば、比Ｏ／Ｓは２より著しく低く、０に等し
いこともできる。
構造にある。実際、本発明のオキシ硫化物は、その表面
において酸素に関して平衡又は不足を示す。非限定的な
例として、そしてさらに、用いられる分析操作を考慮に
入れて、用語「表面」とは、本明細書においては、原子
約５個分に相当する厚さに関する。用語「酸素に関して
平衡」及び「酸素に関して不足」とは、オキシ硫化物の
表面における原子比Ｏ／Ｓを測定した時に、この原子比
が、それぞれのオキシ硫化物のＯ／Ｓの化学量論的比と
同等又はそれより低いという事実を示す。例えば、式Ｌ
ｎ2 Ｏ2 Ｓのオキシ硫化物については、化学量論的比は
２である。本発明の物質の場合、この比は多くとも２で
ある。既知のオキシ硫化物の場合には、この比は特に酸
化作用の結果として２より大きい。本発明の好ましい具
体例に従えば、比Ｏ／Ｓは２より著しく低く、０に等し
いこともできる。
【００１２】前記した本発明の物質の表面状態は、ＥＳ
ＣＡ分析｛化学分析のための電気分光分析法（Electro
Spectroscopy for Chemical Analysis）｝によって示す
ことができる。この操作は、化学的な表面の分析を可能
にする。スペクトル上のピークの存在は、分析した物質
の表面の元素の性状を示す。また、この表面状態は、物
質のζ電位の測定及びその等電点の決定によって示すこ
ともできる。従来技術の物質、即ち本発明の処理に付さ
れていない物質が有する等電点についてのｐＨと比較す
ると、同一の組成を有ししかし処理された後の本発明の
物質が有する等電点についてのｐＨは、異なり、一般的
に前者より低い。例えば、テルビウムドープガドリニウ
ム（テルビウムをドープしたガドリニウム）オキシ硫化
物の等電点についてのｐＨは１０であり、他方、本発明
に従う同じ組成のガドリニウムオキシ硫化物が有する等
電点についてのｐＨは、それより低い。最後に、この物
質は、粉体の形にあるのが好ましい。この場合、粉体の
平均粒子寸法は１〜１２μｍの範囲であるのが一般的で
ある。
ＣＡ分析｛化学分析のための電気分光分析法（Electro
Spectroscopy for Chemical Analysis）｝によって示す
ことができる。この操作は、化学的な表面の分析を可能
にする。スペクトル上のピークの存在は、分析した物質
の表面の元素の性状を示す。また、この表面状態は、物
質のζ電位の測定及びその等電点の決定によって示すこ
ともできる。従来技術の物質、即ち本発明の処理に付さ
れていない物質が有する等電点についてのｐＨと比較す
ると、同一の組成を有ししかし処理された後の本発明の
物質が有する等電点についてのｐＨは、異なり、一般的
に前者より低い。例えば、テルビウムドープガドリニウ
ム（テルビウムをドープしたガドリニウム）オキシ硫化
物の等電点についてのｐＨは１０であり、他方、本発明
に従う同じ組成のガドリニウムオキシ硫化物が有する等
電点についてのｐＨは、それより低い。最後に、この物
質は、粉体の形にあるのが好ましい。この場合、粉体の
平均粒子寸法は１〜１２μｍの範囲であるのが一般的で
ある。
【００１３】次に、本発明の物質の製造方法を説明す
る。この方法は、本質的に、水素の存在下でのオキシ硫
化物の焼成を含む。用いる出発物質は、任意の既知の手
段、例えばシャモット化（chamottage）によって製造さ
れたオキシ硫化物である。
る。この方法は、本質的に、水素の存在下でのオキシ硫
化物の焼成を含む。用いる出発物質は、任意の既知の手
段、例えばシャモット化（chamottage）によって製造さ
れたオキシ硫化物である。
【００１４】本発明の特定的な具体例に従えば、純粋な
水素を用いる代わりに水素含有不活性気体を用いる。こ
の場合、不活性気体の性状は重要ではない。通常はアル
ゴンが用いられる。水素の量は、焼成操作の時間及び処
理すべきオキシ硫化物の量並びに生成物に望まれる酸素
に関する不足の割合に依存する。水素含有不活性気体を
用いる場合、水素の量は一般的に１〜２０容量％の範囲
で変化する。オキシ硫化物の焼成工程において、水素又
は水素含有気体を用いた吹きかけ（balayage）（掃去）
操作を行うのが好ましい。
水素を用いる代わりに水素含有不活性気体を用いる。こ
の場合、不活性気体の性状は重要ではない。通常はアル
ゴンが用いられる。水素の量は、焼成操作の時間及び処
理すべきオキシ硫化物の量並びに生成物に望まれる酸素
に関する不足の割合に依存する。水素含有不活性気体を
用いる場合、水素の量は一般的に１〜２０容量％の範囲
で変化する。オキシ硫化物の焼成工程において、水素又
は水素含有気体を用いた吹きかけ（balayage）（掃去）
操作を行うのが好ましい。
【００１５】焼成温度は焼成される物質のタイプに依存
する。しかしながら、この温度は８００〜１２００℃の
範囲であるのが一般的であり、１０００〜１１５０℃の
範囲であるのが好ましい。過度に低い温度は、物質の光
学的性質に対して有害であることがある。過度に高い温
度は、出発物質の分解又は焼結を引き起こすことがあ
る。焼成温度の時間は、温度及び処理すべきオキシ硫化
物の量並びに生成物に望まれる酸素に関する不足の割合
に依存する。焼成操作は通常１〜２時間の範囲で行なわ
れる。例えば白金のような不活性金属のるつぼを用いる
のが好ましい。これは、より良好な発光効率を有する生
成物を得ることを可能にし、粒子の凝集を少なくする。
する。しかしながら、この温度は８００〜１２００℃の
範囲であるのが一般的であり、１０００〜１１５０℃の
範囲であるのが好ましい。過度に低い温度は、物質の光
学的性質に対して有害であることがある。過度に高い温
度は、出発物質の分解又は焼結を引き起こすことがあ
る。焼成温度の時間は、温度及び処理すべきオキシ硫化
物の量並びに生成物に望まれる酸素に関する不足の割合
に依存する。焼成操作は通常１〜２時間の範囲で行なわ
れる。例えば白金のような不活性金属のるつぼを用いる
のが好ましい。これは、より良好な発光効率を有する生
成物を得ることを可能にし、粒子の凝集を少なくする。
【００１６】本発明はまた、前記のタイプの希土類オキ
シ硫化物又は前記の方法によって得られるタイプの希土
類オキシ硫化物を含有する発光性組成物にも関する。こ
れらの組成物及び本発明のオキシ硫化物は、低電圧発光
における発光体として、特にかかる低電圧発光を用いた
任意の装置、例えば電界放射ディスプレースクリーンの
製造に用いることができる。
シ硫化物又は前記の方法によって得られるタイプの希土
類オキシ硫化物を含有する発光性組成物にも関する。こ
れらの組成物及び本発明のオキシ硫化物は、低電圧発光
における発光体として、特にかかる低電圧発光を用いた
任意の装置、例えば電界放射ディスプレースクリーンの
製造に用いることができる。
【００１７】最後に、本発明はまた前記した組成物又は
前記したオキシ硫化物若しくは前記した方法によって得
られたオキシ硫化物が組み込まれた発光装置、例えば電
界放射ディスプレースクリーンタイプの発光装置にも関
する。この装置においては、オキシ硫化物は低エネルギ
ー励起に付されるスクリーン上に配置される。また、低
電圧ルミネセンス装置の製造におけるこの発光体の使用
は、よく知られた操作に従い、例えばスクリーン印刷、
沈降又は電気泳動によってスクリーン上に付着させるこ
とによって行なわれる。
前記したオキシ硫化物若しくは前記した方法によって得
られたオキシ硫化物が組み込まれた発光装置、例えば電
界放射ディスプレースクリーンタイプの発光装置にも関
する。この装置においては、オキシ硫化物は低エネルギ
ー励起に付されるスクリーン上に配置される。また、低
電圧ルミネセンス装置の製造におけるこの発光体の使用
は、よく知られた操作に従い、例えばスクリーン印刷、
沈降又は電気泳動によってスクリーン上に付着させるこ
とによって行なわれる。
【００１８】
【実施例】次に、実施例を説明する。これら実施例にお
いて、ζ電位及び等電点の測定は、次のようにして行な
った。０．０１ＭのＫＮＯ3 １３０ミリリットル中に物
質２ｇを含有する濃厚溶液を調製する。少なくとも２４
時間撹拌を実施し、この溶液を少なくとも２４時間静置
して沈降させる。次いで沈降後に採集された上澄み物質
中に底部から採取した物質数マイクロリットルを導入す
ることによって希薄懸濁液を調製する。移動度、ｐＨ及
び導電性に関して３回測定を行ない、ヒストグラムの平
均を計算する。平均移動度の特徴に応じて、ＫＯＨ又は
ＨＮＯ3 を用いて等電点を調べるための手動式の滴定を
行なう。酸又は塩基の添加と移動度の測定との間に５分
間の待ち時間を保つ。それぞれのｐＨにおいて３回の測
定を行ない、それらの平均を計算する。最後に、実施例
に記載する物質のルミネセンス性質に関しては、これら
は、透明基材上にバインダーを用いずに塗布した物質の
直流の１μＡ／ｍｍ2 の励起条件下での低電圧陰極線ル
ミネセンスによって測定する。基材上の物質の層の厚さ
は１０μｍにする。
いて、ζ電位及び等電点の測定は、次のようにして行な
った。０．０１ＭのＫＮＯ3 １３０ミリリットル中に物
質２ｇを含有する濃厚溶液を調製する。少なくとも２４
時間撹拌を実施し、この溶液を少なくとも２４時間静置
して沈降させる。次いで沈降後に採集された上澄み物質
中に底部から採取した物質数マイクロリットルを導入す
ることによって希薄懸濁液を調製する。移動度、ｐＨ及
び導電性に関して３回測定を行ない、ヒストグラムの平
均を計算する。平均移動度の特徴に応じて、ＫＯＨ又は
ＨＮＯ3 を用いて等電点を調べるための手動式の滴定を
行なう。酸又は塩基の添加と移動度の測定との間に５分
間の待ち時間を保つ。それぞれのｐＨにおいて３回の測
定を行ない、それらの平均を計算する。最後に、実施例
に記載する物質のルミネセンス性質に関しては、これら
は、透明基材上にバインダーを用いずに塗布した物質の
直流の１μＡ／ｍｍ2 の励起条件下での低電圧陰極線ル
ミネセンスによって測定する。基材上の物質の層の厚さ
は１０μｍにする。
【００１９】例１ テルビウム（１．５モル％）をドープしたガドリニウム
オキシ硫化物Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓを出発物質とする。この出発
物質を、１０％水素含有アルゴンを吹きかけながら、白
金るつぼ中で様々な温度で焼成する。２時間の焼成時間
を用いる。焼成生成物は緑色のルミネセンスを放射し
た。結果を次の表にまとめる。
オキシ硫化物Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓを出発物質とする。この出発
物質を、１０％水素含有アルゴンを吹きかけながら、白
金るつぼ中で様々な温度で焼成する。２時間の焼成時間
を用いる。焼成生成物は緑色のルミネセンスを放射し
た。結果を次の表にまとめる。
【００２０】
【表１】
【００２１】１２００℃において焼成した生成物の等電
点のｐＨは８．５だった。比較として、同じ物質におい
て焼成しなかったものは、等電点のｐＨ１０を有し、２
００〜８００Ｖの範囲で測定できるルミネセンスを示さ
なかった。図１及び図２は、本発明の物質と比較用物質
との間の違いを示す。これらの図はＥＳＣＡスペクトル
図である。横座標の軸は結合エネルギーを示し、他方、
縦座標の軸はストローク数を示す。約１２００ｅＶにお
けるピーク１はガドリニウムの３ｄレベルの電子に関係
し、ピーク２は酸素の１ｓレベルの電子に関係する。図
１のピーク２の高さと図２のピーク２の高さとの間の比
較から、酸素とガドリニウムとの間の相対割合の変化が
はっきり示され、より特定的には、図１においては酸素
に関する不足がはっきり示された。
点のｐＨは８．５だった。比較として、同じ物質におい
て焼成しなかったものは、等電点のｐＨ１０を有し、２
００〜８００Ｖの範囲で測定できるルミネセンスを示さ
なかった。図１及び図２は、本発明の物質と比較用物質
との間の違いを示す。これらの図はＥＳＣＡスペクトル
図である。横座標の軸は結合エネルギーを示し、他方、
縦座標の軸はストローク数を示す。約１２００ｅＶにお
けるピーク１はガドリニウムの３ｄレベルの電子に関係
し、ピーク２は酸素の１ｓレベルの電子に関係する。図
１のピーク２の高さと図２のピーク２の高さとの間の比
較から、酸素とガドリニウムとの間の相対割合の変化が
はっきり示され、より特定的には、図１においては酸素
に関する不足がはっきり示された。
【００２２】例２ この例は、ユーロピウム（３モル％）をドープしたイッ
トリウムオキシ硫化物Ｙ2 Ｏ2 Ｓを用いる。これを、１
０％水素含有アルゴンを吹きかけながら、白金るつぼ中
で１２００℃において焼成する。２時間の焼成時間を用
いる。生成物は赤色のルミネセンスを放射した。この生
成物は、４００Ｖにおける発光効率２．５Ｌｍ／Ｗ及び
２５０ＶのＶaminを有する。焼成しない物質は４００Ｖ
のＶamin及び４００Ｖにおける発光効率０．８Ｌｍ／Ｗ
を有する。
トリウムオキシ硫化物Ｙ2 Ｏ2 Ｓを用いる。これを、１
０％水素含有アルゴンを吹きかけながら、白金るつぼ中
で１２００℃において焼成する。２時間の焼成時間を用
いる。生成物は赤色のルミネセンスを放射した。この生
成物は、４００Ｖにおける発光効率２．５Ｌｍ／Ｗ及び
２５０ＶのＶaminを有する。焼成しない物質は４００Ｖ
のＶamin及び４００Ｖにおける発光効率０．８Ｌｍ／Ｗ
を有する。
【図１】本発明に従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクトル
図である。
図である。
【図２】従来技術に従う物質のＥＳＣＡ分析のスペクト
ル図である。
ル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フランソワ・ルビ フランス国クレイ、リュ・デュ・オーン ズ・ノバンブル、23
Claims (11)
- 【請求項１】 添加剤として少なくとも１種の他の希土
類を含む希土類オキシ硫化物であって、その表面におい
て酸素に関して平衡を示すことを特徴とする、前記希土
類オキシ硫化物。 - 【請求項２】 添加剤として少なくとも１種の他の希土
類を含む希土類オキシ硫化物であって、その表面におい
て酸素に関して不足を示すことを特徴とする、前記希土
類オキシ硫化物。 - 【請求項３】 オキシ硫化物の希土類がランタン、イッ
トリウム、ガドリニウム及びルテチウムより成る群から
選択されることを特徴とする、請求項１又は２記載のオ
キシ硫化物。 - 【請求項４】 添加剤がテルビウム、プラセオジム、ユ
ーロピウム及びサマリウムより成る群から選択されるこ
とを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のオキ
シ硫化物。 - 【請求項５】 添加剤が０．１〜７モル％の範囲の量で
存在することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに
記載のオキシ硫化物。 - 【請求項６】 添加剤として少なくとも１種の他の希土
類を含む希土類オキシ硫化物を水素の存在下で焼成する
ことを特徴とする、希土類オキシ硫化物の製造方法。 - 【請求項７】 水素含有不活性気体の存在下、より特定
的には水素含有率が１〜２０容量％の範囲である気体の
存在下で焼成操作を実施することを特徴とする、請求項
６記載の方法。 - 【請求項８】 希土類オキシ硫化物に対して水素又は水
素含有不活性気体を吹きかけながら焼成操作を実施する
ことを特徴とする、請求項６又は７記載の方法。 - 【請求項９】 請求項１〜５のいずれかに記載の希土類
オキシ硫化物又は請求項６〜８のいずれかに記載の方法
に従って製造された希土類オキシ硫化物を含有すること
を特徴とする、発光性組成物。 - 【請求項１０】 請求項１〜５のいずれかに記載の希土
類オキシ硫化物若しくは請求項６〜８のいずれかに記載
の方法に従って製造された希土類オキシ硫化物又は請求
項９記載の組成物から成る、低電圧ルミネセンスにおい
て用いられる発光体。 - 【請求項１１】 請求項１〜５のいずれかに記載の希土
類オキシ硫化物若しくは請求項６〜８のいずれかに記載
の方法に従って製造された希土類オキシ硫化物又は請求
項９記載の組成物を含むことを特徴とする、低電圧ルミ
ネセンスを用いた、特に電界放射ディスプレースクリー
ンタイプの装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR94-07993 | 1994-06-29 | ||
| FR9407993A FR2721918B1 (fr) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | Oxysulfure de terre rare, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881220A true JPH0881220A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=9464775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7185039A Pending JPH0881220A (ja) | 1994-06-29 | 1995-06-29 | 希土類オキシ硫化物、その製造方法、及びその発光団としての使用 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0690116A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0881220A (ja) |
| KR (1) | KR960000774A (ja) |
| CN (1) | CN1124758A (ja) |
| CA (1) | CA2152871A1 (ja) |
| FR (1) | FR2721918B1 (ja) |
| SG (1) | SG59910A1 (ja) |
| TW (1) | TW301758B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003081145A1 (fr) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Dispositif de stockage a temperature cryogenique et refrigerateur |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW469292B (en) * | 1996-10-31 | 2001-12-21 | Samsung Display Devices Co Ltd | An improved phosphor complex having high brightness |
| EP1457745B1 (en) * | 2001-06-18 | 2016-06-01 | Konoshima Chemical Co., Ltd. | Rare earth metal oxysulfide cool storage material |
| RU2350579C2 (ru) | 2004-05-17 | 2009-03-27 | Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Исследовательский И Технологический Институт Оптического Материаловедения" Всероссийского Научного Центра "Государственный Оптический Институт Им. С.И.Вавилова" | Флуоресцентная керамика |
| CN101024770B (zh) * | 2007-01-30 | 2010-10-06 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种稀土硫氧化物发光材料的合成方法 |
| CN106835180B (zh) * | 2017-02-15 | 2018-10-23 | 东华理工大学 | 一种共沉积制备稀土硫氧化物发光体基质材料的方法 |
| CN109574063B (zh) * | 2019-01-14 | 2021-03-16 | 东北大学 | 低波长低透光型稀土硫氧复合化合物的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2464983A1 (fr) * | 1979-09-07 | 1981-03-20 | Anvar | Procede de preparation de couches luminescentes d'oxysulfures de terres rares ou d'yttrium actives, moyen pour sa mise en oeuvre et materiaux obtenus |
| JPH06139974A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板型画像表示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2685867B2 (ja) * | 1989-02-09 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 蛍光性セラミックスの製造方法 |
-
1994
- 1994-06-29 FR FR9407993A patent/FR2721918B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-06-23 EP EP95401487A patent/EP0690116A1/fr not_active Withdrawn
- 1995-06-27 SG SG1995000737A patent/SG59910A1/en unknown
- 1995-06-28 CA CA002152871A patent/CA2152871A1/fr not_active Abandoned
- 1995-06-28 CN CN95108105A patent/CN1124758A/zh active Pending
- 1995-06-28 KR KR1019950017758A patent/KR960000774A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-06-29 JP JP7185039A patent/JPH0881220A/ja active Pending
- 1995-07-20 TW TW084107524A patent/TW301758B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2464983A1 (fr) * | 1979-09-07 | 1981-03-20 | Anvar | Procede de preparation de couches luminescentes d'oxysulfures de terres rares ou d'yttrium actives, moyen pour sa mise en oeuvre et materiaux obtenus |
| JPH06139974A (ja) * | 1992-10-26 | 1994-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板型画像表示装置 |
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| WO2003081145A1 (fr) * | 2002-03-22 | 2003-10-02 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Dispositif de stockage a temperature cryogenique et refrigerateur |
| US7404295B2 (en) * | 2002-03-22 | 2008-07-29 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Ultra-low temperature regenerator and refrigerator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2721918A1 (fr) | 1996-01-05 |
| CN1124758A (zh) | 1996-06-19 |
| FR2721918B1 (fr) | 1996-09-06 |
| SG59910A1 (en) | 1999-02-22 |
| KR960000774A (ko) | 1996-01-25 |
| CA2152871A1 (fr) | 1995-12-30 |
| EP0690116A1 (fr) | 1996-01-03 |
| TW301758B (ja) | 1997-04-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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