JPH0873569A - ポリパラキシリレンの被覆方法 - Google Patents
ポリパラキシリレンの被覆方法Info
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- JPH0873569A JPH0873569A JP6208350A JP20835094A JPH0873569A JP H0873569 A JPH0873569 A JP H0873569A JP 6208350 A JP6208350 A JP 6208350A JP 20835094 A JP20835094 A JP 20835094A JP H0873569 A JPH0873569 A JP H0873569A
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- polyparaxylylene
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
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- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】空隙部を被覆することが可能なポリパラキシリ
レンの被覆方法を得る。 【構成】ポリパラキシリレン膜５の被着体２に液状樹脂
膜６を薄く塗布する工程とジパラキシリレンを昇華さ
せ、発生した蒸気を加熱分解し、得られたモノマラジカ
ルを室温で前記液状樹脂膜の表面にポリパラキシリレン
膜５を析出させる。
レンの被覆方法を得る。 【構成】ポリパラキシリレン膜５の被着体２に液状樹脂
膜６を薄く塗布する工程とジパラキシリレンを昇華さ
せ、発生した蒸気を加熱分解し、得られたモノマラジカ
ルを室温で前記液状樹脂膜の表面にポリパラキシリレン
膜５を析出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣチップやセンサの
基板等に対するポリパラキシリレンの被覆方法に係り、
特に狭い空隙にもポリパラキシリレン膜を被覆すること
が可能なポリパラキシリレンの被覆方法に関する。
基板等に対するポリパラキシリレンの被覆方法に係り、
特に狭い空隙にもポリパラキシリレン膜を被覆すること
が可能なポリパラキシリレンの被覆方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリパラキシリレン誘導体膜はガスバリ
ア性や電気絶縁性に優れているためにＩＣチップやセン
サの基板に施されて防湿皮膜あるいは電気絶縁皮膜とし
て利用される。特に塩素原子を導入した誘導体はガスバ
リア性が良好で防湿性が高い。また置換基を有しないポ
リパラキシリレン膜は電気絶縁性と耐熱性に優れる。
ア性や電気絶縁性に優れているためにＩＣチップやセン
サの基板に施されて防湿皮膜あるいは電気絶縁皮膜とし
て利用される。特に塩素原子を導入した誘導体はガスバ
リア性が良好で防湿性が高い。また置換基を有しないポ
リパラキシリレン膜は電気絶縁性と耐熱性に優れる。
【０００３】塩素で置換したポリパラキシリレン膜はそ
の高いガスバリア性と良好な成膜性のために最も多く利
用されている。ポリパラキシリレン膜は通常以下の蒸着
重合により成膜される。
の高いガスバリア性と良好な成膜性のために最も多く利
用されている。ポリパラキシリレン膜は通常以下の蒸着
重合により成膜される。
【０００４】
【化２】
【０００５】反応式（２）中のＸは水素原子，ハロゲン
原子．アルキル基，フロロカーボンを示す。 反応はジパラキシリレン系ダイマを１５０℃で昇華さ
せて気体にする工程。 数１０ｍｍＨｇの減圧下に気体を６５０ないし７００
℃に加熱し、モノマラジカルを作る工程。
原子．アルキル基，フロロカーボンを示す。 反応はジパラキシリレン系ダイマを１５０℃で昇華さ
せて気体にする工程。 数１０ｍｍＨｇの減圧下に気体を６５０ないし７００
℃に加熱し、モノマラジカルを作る工程。
【０００６】モノマラジカルを常温下で基板に付着さ
せてポリパラキシリレンの高分子の膜を得る工程。の三
つからなる。 図４はポリパラキシリレン膜の製造装置を示す配置図で
ある。製造装置は昇華室３１と、熱分解室３２と、蒸着
室３３とからなり、排気により物質移動が起こる。
せてポリパラキシリレンの高分子の膜を得る工程。の三
つからなる。 図４はポリパラキシリレン膜の製造装置を示す配置図で
ある。製造装置は昇華室３１と、熱分解室３２と、蒸着
室３３とからなり、排気により物質移動が起こる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図２は従来のワイヤボ
ンディグされた電子素子を示す斜視図である。図３は従
来のポリパラキシリレンの被覆方法を示す断面図であ
る。両図はシリコンウエハ２上のバッド３にワイヤ１が
ボンディングされ、ポリパラキシリレン膜５が設けられ
た電子素子を示している。
ンディグされた電子素子を示す斜視図である。図３は従
来のポリパラキシリレンの被覆方法を示す断面図であ
る。両図はシリコンウエハ２上のバッド３にワイヤ１が
ボンディングされ、ポリパラキシリレン膜５が設けられ
た電子素子を示している。
【０００８】ポリパラキシリレン膜５を基板の上に成膜
する際にはその被覆は基板の形状に従ってなされる。し
かしながら基板に１０μｍ以下の狭い空隙が存在すると
きにはパラキシリレンモノマはこの空隙に進入すること
ができないため空隙の部分は極めて薄いポリパラキシリ
レンの膜しか成長しないか、あるいは全くポリパラキシ
リレンの膜が成長しない。そのために得られた素子をプ
レッシャクッカ試験等の耐湿試験にかけると、空隙の部
分から水分が進入して腐食が進行するという問題があっ
た。
する際にはその被覆は基板の形状に従ってなされる。し
かしながら基板に１０μｍ以下の狭い空隙が存在すると
きにはパラキシリレンモノマはこの空隙に進入すること
ができないため空隙の部分は極めて薄いポリパラキシリ
レンの膜しか成長しないか、あるいは全くポリパラキシ
リレンの膜が成長しない。そのために得られた素子をプ
レッシャクッカ試験等の耐湿試験にかけると、空隙の部
分から水分が進入して腐食が進行するという問題があっ
た。
【０００９】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的はポリパラキシリレン膜を形成する際にポリパラキシ
リレンの被着体に狭い空隙が存在しないようにして信頼
性に優れるポリパラキシリレンの被覆方法を提供するこ
とにある。
的はポリパラキシリレン膜を形成する際にポリパラキシ
リレンの被着体に狭い空隙が存在しないようにして信頼
性に優れるポリパラキシリレンの被覆方法を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば第一の工程と第二の工程を有し、第一の工程はポ
リパラキシリレン膜の被着体に液状樹脂膜を薄く塗布す
る工程であり、第二の工程はジパラキシリレンを昇華さ
せ、発生した蒸気を加熱分解し、得られたモノマラジカ
ルを室温で前記液状樹脂膜の表面に析出させる工程であ
るとすることにより達成される。
よれば第一の工程と第二の工程を有し、第一の工程はポ
リパラキシリレン膜の被着体に液状樹脂膜を薄く塗布す
る工程であり、第二の工程はジパラキシリレンを昇華さ
せ、発生した蒸気を加熱分解し、得られたモノマラジカ
ルを室温で前記液状樹脂膜の表面に析出させる工程であ
るとすることにより達成される。
【００１１】
【化３】
【００１２】（ここに置換基Ｘは水素原子，ハロゲン原
子．アルキル基，フロロカーボンである。） 上記の被覆方法において液状樹脂膜とポリパラキシリレ
ン膜の中間に活性膜を設けるとすることが有効である。
さらにジパラキシリレンは一般式（１）に示されるジパ
ラキシリレンの誘導体であるとすることが有効である。
子．アルキル基，フロロカーボンである。） 上記の被覆方法において液状樹脂膜とポリパラキシリレ
ン膜の中間に活性膜を設けるとすることが有効である。
さらにジパラキシリレンは一般式（１）に示されるジパ
ラキシリレンの誘導体であるとすることが有効である。
【００１３】
【作用】第一の工程により液状樹脂膜が空隙を満たして
被着体を被覆する。第二の工程によりポリパラキシリレ
ン膜が液状樹脂膜の上に析出する。液状樹脂膜の表面に
活性膜が存在するとポリパラキシリレン膜の析出が容易
になる。
被着体を被覆する。第二の工程によりポリパラキシリレ
ン膜が液状樹脂膜の上に析出する。液状樹脂膜の表面に
活性膜が存在するとポリパラキシリレン膜の析出が容易
になる。
【００１４】ジパラキシリレンの誘導体は防湿作用にす
ぐれているので液状樹脂膜の選択の幅が広まる。
ぐれているので液状樹脂膜の選択の幅が広まる。
【００１５】
実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る被覆方法を示す断面図で
ある。シリコンウエハ２上のバッド３にワイヤ１がボン
ディングされ、ワイヤ１とパッド３の空隙に液状樹脂膜
６が薄く被覆され、液状樹脂膜６の表面には活性膜７と
ポリパラキシリレン膜５がそれそれ設けられた電子素子
を示している。
ある。シリコンウエハ２上のバッド３にワイヤ１がボン
ディングされ、ワイヤ１とパッド３の空隙に液状樹脂膜
６が薄く被覆され、液状樹脂膜６の表面には活性膜７と
ポリパラキシリレン膜５がそれそれ設けられた電子素子
を示している。
【００１６】このような電子素子は以下の方法で調製さ
れる。即ち、純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボ
ンディングし、次いで素子の表面にシリコーン樹脂（信
越化学製：ＫＪＲ９０３２）を塗布した。スピンコータ
に載せ５０００ＲＰＭで５ｓ間回転して６０μｍ厚さに
シリコーン樹脂を塗布した。シリコーン樹脂は加熱によ
り硬化する。シリコーン樹脂とポリパラキシリレン膜の
密着性を高めるためにシリコーン樹脂の表面に短波長の
紫外線（１８５ｎｍ．２５４ｎｍ）を２分間照射して活
性膜７を調製した。
れる。即ち、純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボ
ンディングし、次いで素子の表面にシリコーン樹脂（信
越化学製：ＫＪＲ９０３２）を塗布した。スピンコータ
に載せ５０００ＲＰＭで５ｓ間回転して６０μｍ厚さに
シリコーン樹脂を塗布した。シリコーン樹脂は加熱によ
り硬化する。シリコーン樹脂とポリパラキシリレン膜の
密着性を高めるためにシリコーン樹脂の表面に短波長の
紫外線（１８５ｎｍ．２５４ｎｍ）を２分間照射して活
性膜７を調製した。
【００１７】この素子を蒸着室３３に装着し、昇華室３
１にはビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマを１
２ｇ投入し蒸着室３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから
昇華室の温度を１７０℃まで上昇させた。熱分解は６９
０℃で行った。約１時間で蒸着が終了し、昇華室から素
子を取り出した。また比較のために液状樹脂膜を使用し
ない素子を製作した。
１にはビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマを１
２ｇ投入し蒸着室３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから
昇華室の温度を１７０℃まで上昇させた。熱分解は６９
０℃で行った。約１時間で蒸着が終了し、昇華室から素
子を取り出した。また比較のために液状樹脂膜を使用し
ない素子を製作した。
【００１８】このようにして膜厚３μｍのポリパラキシ
リレ膜６が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は８５％に腐食が発生した。 実施例２ 純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボンディング
し、次いで素子の表面にシリコーン樹脂（信越化学製：
ＫＪＲ９０３２）を塗布した。スピンコータに載せ５０
００ＲＰＭで５ｓ間回転して６０μｍ厚さにシリコーン
樹脂を塗布した。シリコーン樹脂とポリパラキシリレン
膜の密着性を高めるためにシリコーン樹脂の表面に短波
長の紫外線（１８５ｎｍ．２５４ｎｍ）を２分間照射し
た。
リレ膜６が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は８５％に腐食が発生した。 実施例２ 純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボンディング
し、次いで素子の表面にシリコーン樹脂（信越化学製：
ＫＪＲ９０３２）を塗布した。スピンコータに載せ５０
００ＲＰＭで５ｓ間回転して６０μｍ厚さにシリコーン
樹脂を塗布した。シリコーン樹脂とポリパラキシリレン
膜の密着性を高めるためにシリコーン樹脂の表面に短波
長の紫外線（１８５ｎｍ．２５４ｎｍ）を２分間照射し
た。
【００１９】この素子を蒸着室３３に装着し、昇華室３
１にはビスパラキシリレンダイマを１２ｇ投入し蒸着室
３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから昇華室の温度を１
７０℃まで上昇させた。熱分解は６９０℃で行った。約
１２時間で蒸着が終了し、昇華室から素子を取り出し
た。また比較のために液状樹脂膜を使用しない素子を製
作した。
１にはビスパラキシリレンダイマを１２ｇ投入し蒸着室
３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから昇華室の温度を１
７０℃まで上昇させた。熱分解は６９０℃で行った。約
１２時間で蒸着が終了し、昇華室から素子を取り出し
た。また比較のために液状樹脂膜を使用しない素子を製
作した。
【００２０】このようにして膜厚３μｍのポリパラキシ
リレ膜６が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は９５％に腐食が発生した。 実施例３ 純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボンディングし
た素子の表面に紫外線硬化型アクリル樹脂（スリーボン
ド製：ＴＢ３０８０）を塗布した。スピンコータに載せ
５０００ＲＰＭで５ｓ間回転して２０μｍ厚さに紫外線
硬化型アクリル樹脂を塗布した。紫外線硬化型アクリル
樹脂に紫外線を照射してアクリル樹脂を硬化した。紫外
線硬化型アクリル樹脂とポリパラキシリレン膜の密着性
を高めるためにアクリル樹脂の表面に予め調製したシラ
カカプリング剤（信越化学製：ＫＢＭ３０３）のイソプ
ロピルアルコール一％溶液を塗布し、乾燥させた。
リレ膜６が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は９５％に腐食が発生した。 実施例３ 純アルミワイヤを素子のアルミパッドにボンディングし
た素子の表面に紫外線硬化型アクリル樹脂（スリーボン
ド製：ＴＢ３０８０）を塗布した。スピンコータに載せ
５０００ＲＰＭで５ｓ間回転して２０μｍ厚さに紫外線
硬化型アクリル樹脂を塗布した。紫外線硬化型アクリル
樹脂に紫外線を照射してアクリル樹脂を硬化した。紫外
線硬化型アクリル樹脂とポリパラキシリレン膜の密着性
を高めるためにアクリル樹脂の表面に予め調製したシラ
カカプリング剤（信越化学製：ＫＢＭ３０３）のイソプ
ロピルアルコール一％溶液を塗布し、乾燥させた。
【００２１】この素子を蒸着室３３に装着し、昇華室３
１にはビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマを１
２ｇ投入し蒸着室３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから
昇華室の温度を１７０℃まで上昇させた。熱分解は６９
０℃で行った。約１時間で蒸着が終了し、昇華室から素
子を取り出した。また比較のために液状樹脂膜を使用し
ない素子を製作した。
１にはビス（１―クロロ―パラキシリレン）ダイマを１
２ｇ投入し蒸着室３３を１５ｍＴｏｒｒに減圧してから
昇華室の温度を１７０℃まで上昇させた。熱分解は６９
０℃で行った。約１時間で蒸着が終了し、昇華室から素
子を取り出した。また比較のために液状樹脂膜を使用し
ない素子を製作した。
【００２２】このようにして膜厚３μｍのポリパラキシ
リレ膜が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は９０％に腐食が発生した。
リレ膜が得られた。この素子にプレッシャクッカ試験
（１２１℃．２気圧飽和水蒸気）を１００時間行い、ワ
イヤとパッドの腐食を調べた結果、本実施例の液状樹脂
膜を施した素子では腐食が発生しなかったのに対し、液
状樹脂膜を使用しない素子は９０％に腐食が発生した。
【００２３】
【発明の効果】この発明によれば液状樹脂膜を薄く塗布
する第一の工程とポリパラキシリレン膜を析出させる第
二の工程を有するので、ポリパラキシリレン膜により空
隙を被覆することができ耐湿性の良好な電子素子が得ら
れる。液状樹脂膜とポリパラキシリレン膜の中間に活性
膜を設けるとポリパラキシリレン膜の密着性が向上し耐
湿性が向上する。
する第一の工程とポリパラキシリレン膜を析出させる第
二の工程を有するので、ポリパラキシリレン膜により空
隙を被覆することができ耐湿性の良好な電子素子が得ら
れる。液状樹脂膜とポリパラキシリレン膜の中間に活性
膜を設けるとポリパラキシリレン膜の密着性が向上し耐
湿性が向上する。
【００２４】またジパラキシリレンに置換基Ｘを有する
誘導体を用いると、この誘導体は耐湿性に優れるために
液状樹脂膜の耐湿性に考慮を払う必要がなくなり、液状
樹脂選択の幅が広がって多様な方法で電子素子を製造す
ることが可能になる。
誘導体を用いると、この誘導体は耐湿性に優れるために
液状樹脂膜の耐湿性に考慮を払う必要がなくなり、液状
樹脂選択の幅が広がって多様な方法で電子素子を製造す
ることが可能になる。
【図１】この発明の実施例に係る被覆方法を示す断面図
【図２】従来のワイヤボンディグされた電子素子を示す
斜視図
斜視図
【図３】従来のポリパラキシリレンの被覆方法を示す断
面図
面図
【図４】ポリパラキシリレン膜の製造装置を示す配置図
１ ワイヤ ２ シリコンウエハ ３ パッド ４ 空隙 ５ ポリパラキシリレン膜 ６ 液状樹脂膜 ７ 活性膜 ３１ 昇華室 ３２ 熱分解室 ３３ 蒸着室
Claims (3)
- 【請求項１】第一の工程と第二の工程を有し、 第一の工程はポリパラキシリレン膜の被着体に液状樹脂
膜を薄く塗布する工程であり、 第二の工程はジパラキシリレンを昇華させ、発生した蒸
気を加熱分解し、得られたモノマラジカルを室温で前記
液状樹脂膜の表面に析出させる工程であることを特徴と
するポリパラキシリレンの被覆方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の被覆方法において、液状
樹脂膜とポリパラキシリレン膜の中間に活性膜を設ける
ことを特徴とするポリパラキシリレンの被覆方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の被覆方法において、ジパ
ラキシリレンは一般式（１）に示されるジパラキシリレ
ンの誘導体であることを特徴とするポリパラキシリレン
の被覆方法。 【化１】 （ここに置換基Ｘは水素原子，ハロゲン原子．アルキル
基，フロロカーボンである。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208350A JPH0873569A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ポリパラキシリレンの被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6208350A JPH0873569A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ポリパラキシリレンの被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0873569A true JPH0873569A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=16554832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6208350A Pending JPH0873569A (ja) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | ポリパラキシリレンの被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0873569A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10195181A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-28 | Daisan Kasei Kk | 耐熱性ポリ−α，α−ジフルオロ−パラキシリレン膜 |
| JP2006502452A (ja) * | 2002-08-15 | 2006-01-19 | ノースロップ グラマン コーポレーション | 光ファイバ・コイルの湿分遮断シーリング |
| JP2008143167A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-26 | Konica Minolta Ij Technologies Inc | インクジェットヘッド |
| US7867688B2 (en) * | 2006-05-30 | 2011-01-11 | Eastman Kodak Company | Laser ablation resist |
| FR2991810A1 (fr) * | 2012-06-11 | 2013-12-13 | Sagem Defense Securite | Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection |
| WO2014084033A1 (ja) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 富士電機株式会社 | 圧力センサ装置および圧力センサ装置の製造方法 |
| CN113659057A (zh) * | 2021-08-10 | 2021-11-16 | 深圳莱特光学科技有限公司 | 一种半导体封装方法及其半导体结构 |
-
1994
- 1994-09-01 JP JP6208350A patent/JPH0873569A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10195181A (ja) * | 1997-01-14 | 1998-07-28 | Daisan Kasei Kk | 耐熱性ポリ−α，α−ジフルオロ−パラキシリレン膜 |
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