FR2991810A1 - Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection - Google Patents

Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection Download PDF

Info

Publication number
FR2991810A1
FR2991810A1 FR1255457A FR1255457A FR2991810A1 FR 2991810 A1 FR2991810 A1 FR 2991810A1 FR 1255457 A FR1255457 A FR 1255457A FR 1255457 A FR1255457 A FR 1255457A FR 2991810 A1 FR2991810 A1 FR 2991810A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
circuit
polyxylylene
power
module
vicinity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1255457A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2991810B1 (fr
Inventor
Jean-Christophe Riou
Olivier Roche
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Safran Electronics and Defense SAS
Original Assignee
Sagem Defense Securite SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sagem Defense Securite SA filed Critical Sagem Defense Securite SA
Priority to FR1255457A priority Critical patent/FR2991810B1/fr
Publication of FR2991810A1 publication Critical patent/FR2991810A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2991810B1 publication Critical patent/FR2991810B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157Partial encapsulation or coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/162Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H01L2224/48229Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad protruding from the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

Module électronique comportant un circuit (1) ayant au moins un composant de puissance (11, 12) relié au circuit, le circuit étant recouvert d'un revêtement d'isolement électrique et d'étanchéité, caractérisé en ce que le revêtement est une couche de polyxylylène (30) agencée pour assurer une répartition de contraintes mécaniques et thermomécaniques au moins au voisinage de la liaison du composant de puissance au circuit.

Description

La présente invention concerne un module électronique de puissance. Le module est plus particulièrement un module électronique de puissance d'un équipement embarqué sur un véhicule aéronautique tel qu'un aéronef. Un tel module est soumis à des températures pouvant atteindre 225°C environ, des courants de l'ordre de la centaine d'ampères et des tensions de plusieurs milliers de volts.
Un module électronique de puissance comprend généralement un boîtier dans lequel est logé un circuit comportant des composants de puissance. Les composants de puissance sont reliés au circuit par des liaisons comportant des fils ayant une extrémité soudée à une plage du circuit et une extrémité opposée soudée à un plot du composant (ces liaisons sont usuellement appelées « bondings » ou « wirebondings »). Classiquement, les modules de puissance sont protégés vis à vis de perturbations diverses (particules conductrices libres, humidité...) par une couche d'un gel, par exemple de silicone ou d'époxy, généralement appliqué sur plusieurs millimètres d'épaisseur. L'efficacité de la protection procurée par le gel dépend de la maîtrise du remplissage pour atteindre le niveau de gel requis en évitant les bulles d'air et les coulures... Le remplissage est en outre une opération manuelle qui engendre un surcoût relativement important sur le prix de revient du module. Lors du vol, les modules de puissance d'un avion subissent de nombreux cycles thermiques : - lorsqu'ils doivent délivrer de la puissance (cyclage actif) ; - lors des phases de vol à forts gradients thermiques comme les atterrissages, décollages, freinages_ (cyclage passif).
Les amplitudes thermiques considérées peuvent s'étendent de - 60°C (pendant plusieurs heures en vol) à une valeur pouvant monter dans certains cas jusqu'à +225°C en raison de l'élévation de température des organes dissipatifs de l'avion et ce pour des milliers de cycles. A la température, s'ajoutent la propre dissipation thermique du module de puissance, des chocs et des vibrations à l'atterrissage qui peuvent engendrer une détérioration mécanique des équipements.
Les modules et circuits électroniques sont particulièrement sensibles à ce type de sollicitations. En particulier : - les variations de température provoquent des cycles de dilatations et contractions des composants des circuits, - une exposition prolongée (en durée cumulée) à une température élevée génère des composés intermétalliques entre les matériaux en présence qui fragilisent les assemblages et peuvent entraîner des ruptures soudaines en chocs ou en cycles thermiques, en basse température les matériaux rigides peuvent montrer des faiblesses en cas de chocs (transitions ductiles / fragiles), - les variations d'altitudes provoquent aussi des variations de taux d'humidité et de pression ambiante qui vont agir en détériorant petit à petit l'adhérence du gel sur les substrats par exemple. Compte tenu de l'épaisseur de la couche de gel qui est nécessaire à la fonction de protection assurée par le gel, notamment avec la présence de hautes tensions (de quelques centaines de vols à plusieurs milliers de volts), les dilatations différentielles sont telles qu'elles entraînent une rupture de la liaison entre la couche de gel et le circuit, autorisant le passage de l'humidité ou engendrant des contraintes importantes sur la liaison des composants de surface au circuit. Il existe également des modules comportant des circuits enfermés dans des boîtiers hermétiques sous gaz neutre ou sous vide. Ceci permet de réduire les problèmes de dilatations différentielles et de vieillissement en général mais augmente considérablement le poids, l'encombrement, la complexité, et donc le coût de ces modules tout en complexifiant également les opérations de contrôle nécessaires à la vérification de l'intégrité ou de la conformité du module électronique. Des études menées par la demanderesse ont en outre montré que : - d'une part les gels classiquement utilisés entraînent des défaillances en chocs et vibrations sur les bondings de faibles diamètre (< 50pm), - les gels peuvent se décoller, en fonction des conditions de vieillissement des substrats qu'ils recouvrent, créant localement des pertes d'isolement, ceci entraînant potentiellement une incompatibilité d'utilisation de ce type de protection vis-à-vis des exigences liées au développement des actionneurs électriques dans les avions. En effet, sous l'effet d'un choc ou de vibrations la masse importante de gel entourant un fil de wirebonding tend à se déplacer par rapport au circuit en entraînant avec elle le câble. Il en résulte des contraintes sur les extrémités qui risquent de se détacher des parties auxquelles elles sont reliées. Un des objectifs de l'invention est donc de fournir un moyen pour limiter l'influence des variations de températures, de pression et d'humidité, sur des modules électroniques de puissance destinées aux applications aéronautiques pouvant fonctionner jusqu'à +225°C.
A cet effet, on prévoit, selon l'invention, un module électronique comportant un circuit ayant au moins un composant de puissance relié au circuit, le circuit étant recouvert d'un revêtement d'isolement électrique et d'étanchéité, caractérisé en ce que le revêtement est une couche de polyxylylène agencée pour assurer une répartition de contraintes mécaniques et thermomécaniques au moins au voisinage de la liaison du composant de puissance au circuit. Le module électronique est par exemple un module d'équipement aéronautique embarqué, comportant un circuit électronique peuplé de composants sous forme de puces en silicium, de composants discrets, montés en surface, à piquer_ et recouvert d'un revêtement de polyxylylène. Le circuit en question peut lui-même être monté (par brasage ou collage par exemple) sur un autre module comportant lui-même des composants du même type, le polyxylylène protégeant ainsi l'ensemble des composants de tous les modules. La présente innovation consiste donc en la protection du module de puissance et de tous ces constituants internes par du polyxylylène qui est un polymère organique déposé en phase vapeur sous vide et non pas par enduction comme les gels silicone. Cette opération est automatique, peut se faire sur plusieurs dizaines de modules en simultané, et engendre du fait de la phase vapeur un dépôt d'épaisseur constante et homogène sur toutes les faces des constituants internes au module. Le polyxylylène possède des propriétés permettant au revêtement d'étanchéité d'assurer sa fonction même avec une épaisseur très faible. De part cette faible épaisseur, les effets induits par les dilatations différentielles sont très limités et n'engendrent pas de contraintes suffisantes pour provoquer la rupture de liaison des composants de surface au circuit ou engendrer des passages d'humidité à l'interface entre le circuit et le revêtement. Au contraire, ce matériau permet notamment de prolonger la durée de vie des wirebondings. Plusieurs avantages sont attendus.
La couche de polyxylylène nécessaire pour garantir l'isolement en haute tension n'étant que de quelques dizaines de microns (<30 pm pour des tensions allant jusqu'à 1200V en ambiance de vol), cela résulte en une diminution importante du stress mécanique et thermomécanique sur les constituants internes du module (wirebondings, puces, capacités céramiques."). Par rapport au profil de tests appliqué (cyclage thermiques passifs, vibrations et chocs, cyclages actifs....) pendant la validation de cette innovation, c'est la seule protection qui a permis de protéger l'électronique tout en garantissant le tenue des wirebondings en aluminium sur des diamètres allant de 20 à 400 pm. Le polyxylylène ainsi rajouté sur notamment les puces de puissance permet de garantir la tenue intrinsèque de l'isolement de la puce en tension dans le temps si la protection intrinsèque de la puce (exemple : Si3N4, polyimide... sur les composants de type SiCJfet par exemple) s'avérait défaillante (exemple tenue du polyimide en haute tension et en température élevée proche de 200°C) De ce fait, le polyxylylène apparaît comme une solution robuste, fiable (pas de décollement, de bulle ou de fissuration de la couche protectrice) dans le temps et en fonction des conditions environnementales de vol, permettant ainsi de garantir l'absence de problème de décharges partielles dans le module de puissance. Le module devient réparable par simple abrasion de la couche de polyxylylène et rajout après réparation d'une couche de polyxylylène ou de vernis localement.
La phase de protection devient automatique (fait grâce à une machine) ce qui entraîne obligatoirement un gain au niveau du coût final du module et une reproductibilité du processus de protection. La couche de polyxylylène, de part ces caractéristiques thermomécaniques et du fait de son mode de dépôt va agir comme un répartiteur de contrainte au niveau notamment de la zone de câblage par wirebonding et va donc prolonger la durée de vie des modules (homogénéisation des concentrations de contraintes).
Augmentation de la taille des zones soumises aux contraintes. Il sera fait référence aux dessins annexés, parmi lesquels : - la figure 1 est une vue schématique partielle et en coupe illustrant les différents assemblages présents sur un module électronique aéronautique conforme à l'invention, - les figures 2 et 4 sont des vues schématiques partielles et en coupe de câblages par wirebonding de puces, - la figure 3 est une vue de détail en coupe d'un report de composant passif. En référence aux figures, l'invention est ici décrite en application à un équipement de véhicule aéronautique pouvant être appliquée à tout module électronique devant fonctionner sur des gammes de températures extrêmes, typiquement de -60°C à -225°C environ. Le module électronique comprend un circuit, généralement désigné en 1, comportant un substrat 2 formé de façon connue en soi d'une alternance de couches conductrices superposées en alternance avec des couches de substrat électriquement isolantes et éventuellement des couches de substrat résistives. Ces couches ne sont pas apparentes sur les figures pour préserver la clarté de celles-ci. Des composants de puissance 11, 12, dont deux sont représentés ici, sont fixés sur une face du substrat 2 et sont reliés à des pistes conductrices s'étendant en surface du substrat pour constituer un sous-circuit de puissance 10. Le circuit 1 comprend en outre un sous-circuit de commande 10 qui comprend un substrat 21, analogue au substrat 2, et fixé sur le substrat 2. Des pistes du sous-circuit de commande sont reliées à des pistes courant en surface du substrat 2. Le sous-circuit de commande 20 comporte des composants de commande dont un seul est représenté ici. Le composant de commande 22 et les composants de puissance 11, 12 peuvent être des microcircuits, des composants passifs_ Ces composants peuvent être de type traversant ou monté en surface. Le composant de commande 22 et le composant de puissance 11 ont des bornes 13, 23 reliées à des plages conductrices 25, 15 du circuit par des fils de liaison 14, 24 dont les extrémités sont soudées aux bornes 13, 23 et aux plages conductrices 25, 15. Le composant de puissance 12 a des bornes 16 brasées sur des plages 15 du circuit.
Les pistes des sous-circuits 10, 20 sont formées par des couches conductrices qui ont ainsi des portions reliées les unes aux autres par des trous métallisés, des portions reliées à des fils de liaison 14, 24 par soudage, des portions reliées à des composants 12 par une brasure. Le circuit est recouvert d'un revêtement d'isolement électrique et d'étanchéité. Le revêtement est une couche 30 de polyxylylène agencée pour assurer une répartition de contraintes mécaniques et thermomécaniques au moins au voisinage de la liaison des composants au circuit. Le revêtement 30 a de préférence une épaisseur comprise environ entre lOpm et 30pm. Le polyxylylène utilisé est par exemple celui commercialisé sous la marque « PARYLENE C ». Le polyxylylène est déposé sur le circuit en phase vapeur sous pression de manière à recouvrir en totalité le circuit 1 à l'exception des bornes de raccordement du circuit 1 à l'équipement sur lequel il est monté. Le polyxylylène présente de préférence les caractéristiques figurant dans le tableau ci-dessous. Ces valeurs sont des valeurs approximatives données à titre indicatif. Résistance à l'étirement (MPa) 45 à 75, de préférence 70 Limite élastique (MPa) 2500 à 3200 Allongement à la rupture (%) 200 Densité, g/cm3 1,1 à1,4 Absorption eau (%) 0,01 à 0,10 Rigidité diélectrique (Volts/mil à 1 mil) 5000 à 7000 Constante diélectrique à 60 Hz 2,5 à 3,5 Température de fusion (°C) 300 à 400 Coefficient linéaire de 3 à 7 dilatation (10-5 / °C) Conductivité thermique, 10-4 2 (cal/sec)/(cm2 °C/cm) Bien entendu, l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits mais englobe toute variante entrant dans le champ de l'invention telle que définie par les revendications. En particulier, le module peut comprendre des composants collés par exemple au moyen d'une colle silicone haute température ou d'une colle polyimide ou époxy haute température. Le module de l'invention peut avoir une structure différente de celle décrite.

Claims (4)

  1. REVENDICATIONS1. Module électronique comportant un circuit (1) ayant au moins un composant de puissance (11, 12) relié au circuit, le circuit étant recouvert d'un revêtement d'isolement électrique et d'étanchéité, caractérisé en ce que le revêtement est une couche de polyxylylène (30) agencée pour assurer une répartition de contraintes mécaniques et thermomécaniques au moins au voisinage de la liaison du composant de puissance au circuit.
  2. 2. Module selon la revendication 1, dans lequel le revêtement (30) a une épaisseur comprise environ entre lOpm et 30pm.
  3. 3. Module selon la revendication 1, dans lequel le circuit comprend un sous-circuit de puissance (10) comportant le composant de puissance et un sous-circuit de commande (20) qui est fixé sur un substrat du sous-circuit de puissance et qui comporte un composant de commande (22).
  4. 4. Module selon la revendication 3, dans lequel 20 le composant de commande (22) et le composant de puissance (11, 12) ont des bornes reliées à des plages conductrices du circuit par des fils de liaison.
FR1255457A 2012-06-11 2012-06-11 Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection Active FR2991810B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1255457A FR2991810B1 (fr) 2012-06-11 2012-06-11 Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1255457A FR2991810B1 (fr) 2012-06-11 2012-06-11 Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2991810A1 true FR2991810A1 (fr) 2013-12-13
FR2991810B1 FR2991810B1 (fr) 2014-07-04

Family

ID=47351771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1255457A Active FR2991810B1 (fr) 2012-06-11 2012-06-11 Module electronique de puissance pourvu d'une couche de protection

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2991810B1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018002368A1 (fr) * 2016-06-30 2018-01-04 Safran Electronics & Defense Dispositif electronique ayant une banque integree de composants passifs

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0873569A (ja) * 1994-09-01 1996-03-19 Fuji Electric Co Ltd ポリパラキシリレンの被覆方法
US5622898A (en) * 1992-12-10 1997-04-22 International Business Machines Corporation Process of making an integrated circuit chip composite including parylene coated wire
DE10020394A1 (de) * 1999-05-28 2001-01-25 Fujitsu Ltd Kopfbaugruppe, Platteneinheit und Verbindungsverfahren und -Gerät
JP2001052323A (ja) * 1999-05-28 2001-02-23 Fujitsu Ltd ヘッドアセンブリ及びこれを備えたディスク装置
US20020127776A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-12 Fujitsu Limited Semiconductor device having an organic material layer and method for making the same
US20100164083A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Numonyx B.V. Protective thin film coating in chip packaging

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5622898A (en) * 1992-12-10 1997-04-22 International Business Machines Corporation Process of making an integrated circuit chip composite including parylene coated wire
JPH0873569A (ja) * 1994-09-01 1996-03-19 Fuji Electric Co Ltd ポリパラキシリレンの被覆方法
DE10020394A1 (de) * 1999-05-28 2001-01-25 Fujitsu Ltd Kopfbaugruppe, Platteneinheit und Verbindungsverfahren und -Gerät
JP2001052323A (ja) * 1999-05-28 2001-02-23 Fujitsu Ltd ヘッドアセンブリ及びこれを備えたディスク装置
US20020127776A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-12 Fujitsu Limited Semiconductor device having an organic material layer and method for making the same
US20100164083A1 (en) * 2008-12-29 2010-07-01 Numonyx B.V. Protective thin film coating in chip packaging

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018002368A1 (fr) * 2016-06-30 2018-01-04 Safran Electronics & Defense Dispositif electronique ayant une banque integree de composants passifs
FR3053528A1 (fr) * 2016-06-30 2018-01-05 Safran Electronics & Defense Dispositif electronique ayant une banque integree de composants passifs

Also Published As

Publication number Publication date
FR2991810B1 (fr) 2014-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7816780B2 (en) Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus
KR100299415B1 (ko) 전자부품을동시에매쓰밀봉하고시험하는방법및웨이퍼레벨포장재
US5981313A (en) Structure and method for packaging a semiconductor device
US7781897B2 (en) Semiconductor device and method for producing the same
JP5449958B2 (ja) 半導体装置と接続構造及びその製造方法
US20030111742A1 (en) Semiconductor device
US20160225738A1 (en) Power semiconductor chip with a metallic moulded body for contacting thick wires or strips and method for the production thereof
JP2004526328A (ja) 電気的エレメント用のパシベーション材料および多層構造の圧電エレメント
WO2007100037A1 (fr) Module de montage d&#39;un element fonctionnel et son procede de fabrication
KR19990028978A (ko) 전선 접합 테이프 볼 그리드 배열 패키지
JPH05136313A (ja) セラミツク基板上の保護被覆
JP2014003339A (ja) 半導体装置と接続構造及びその製造方法
Khazaka et al. Characterization of nanosilver dry films for high-temperature applications
CN107079583B (zh) 用于在污染的介质中使用的变速器控制模块、用于在这种变速器控制模块中使用的tcu组件和用于制造这种变速器控制模块的方法
CN106605297B (zh) 模块装置以及变速器控制模块
US20080067667A1 (en) Semiconductor device with a semiconductor chip stack and plastic housing, and methods for producing the same
FR2991810A1 (fr) Module electronique de puissance pourvu d&#39;une couche de protection
CN113992174A (zh) 声学装置封装结构
US20170354036A1 (en) Electronic Assembly and Method for the Production thereof
EP2850655B1 (fr) Module électronique d&#39;èquipement aéronautique embarqué et équipement aéronautique de véhicule aéronautique
JP6804646B2 (ja) 半導体モジュール
EP2434849B1 (fr) Boîtier électronique pour véhicule
US20190270636A1 (en) Packaged semiconductor devices and methods for producing packaged semiconductor devices
KR100856341B1 (ko) 일체화된 보호막들을 구비하는 반도체 칩 패키지 및 이를형성하는 방법
FR3080972A1 (fr) Procede d&#39;assemblage d&#39;un composant sur une carte de circuit imprime par collage

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

CD Change of name or company name

Owner name: SAFRAN ELECTRONICS & DEFENSE, FR

Effective date: 20170111

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 10

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 13