JPH0868860A - Ｘ線画像センサ - Google Patents
Ｘ線画像センサInfo
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- JPH0868860A JPH0868860A JP7208870A JP20887095A JPH0868860A JP H0868860 A JPH0868860 A JP H0868860A JP 7208870 A JP7208870 A JP 7208870A JP 20887095 A JP20887095 A JP 20887095A JP H0868860 A JPH0868860 A JP H0868860A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価なシステムコストで高い分解能を有する
Ｘ線画像センサを提供する。 【解決手段】 検出素子のそれぞれ２つの群（１、２；
３、４；１８、２０；１９、２１）に対して、それぞれ
１つの共通の駆動線（５、１５、１６、１７）が設けら
れており、前記駆動線上に両極性の駆動信号を形成し、
この両極性の駆動信号のうち、一方の検出素子の群
（１、２；１８、２０）を読み出すために一方の極性の
信号を用い、他方の検出素子の群（３、４；１９、２
１）を読み出すために他方の極性の信号を用いる。
Ｘ線画像センサを提供する。 【解決手段】 検出素子のそれぞれ２つの群（１、２；
３、４；１８、２０；１９、２１）に対して、それぞれ
１つの共通の駆動線（５、１５、１６、１７）が設けら
れており、前記駆動線上に両極性の駆動信号を形成し、
この両極性の駆動信号のうち、一方の検出素子の群
（１、２；１８、２０）を読み出すために一方の極性の
信号を用い、他方の検出素子の群（３、４；１９、２
１）を読み出すために他方の極性の信号を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線画像センサに
関する。Ｘ線画像を作成するために、Ｘ線を検知できる
検出素子のマトリックスを有する高い分解能の画像セン
サが用いられる。このような画像センサは、面積に応じ
て、信号を処理するために比較的多数の入力及び出力を
必要とする。このことはコスト面から生ずる技術的な要
求である。
関する。Ｘ線画像を作成するために、Ｘ線を検知できる
検出素子のマトリックスを有する高い分解能の画像セン
サが用いられる。このような画像センサは、面積に応じ
て、信号を処理するために比較的多数の入力及び出力を
必要とする。このことはコスト面から生ずる技術的な要
求である。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、安価
なシステムコストで高い分解能を有するＸ線画像センサ
を提供することにある。
なシステムコストで高い分解能を有するＸ線画像センサ
を提供することにある。
【０００３】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、検出素子のそれぞれ２つの群に対して、それぞれ１
つの共通の駆動線が設けられており、前記駆動線上に両
極性の駆動信号を形成し、この両極性の駆動信号のう
ち、一方の検出素子の群を読み出すために一方の極性の
信号を用い、他方の検出素子の群を読み出すために他方
の極性の信号を用いることにより、解決される。
り、検出素子のそれぞれ２つの群に対して、それぞれ１
つの共通の駆動線が設けられており、前記駆動線上に両
極性の駆動信号を形成し、この両極性の駆動信号のう
ち、一方の検出素子の群を読み出すために一方の極性の
信号を用い、他方の検出素子の群を読み出すために他方
の極性の信号を用いることにより、解決される。
【０００４】
【発明の実施の形態】次に本発明を実施の形態に基づき
図を用いて詳細に説明する。
図を用いて詳細に説明する。
【０００５】図１のＸ線画像センサにおいて、Ｘ線画像
センサが、Ｘ線を検知できる検出素子１、２、３、４等
のマトリックスで示されている。例えば、画像センサは
５１２行、５４０列を有している。それぞれ２つの隣接
した行に対し、共通の駆動線５が設けられている。駆動
線５の上に画像サイクルに必要なパルス列が示されてい
る。時間ｔ１のリセット光の後に、検出素子３、４等に
ＶＰ１＋が加えられ、検出素子１、２等にＶＰ１−が加
えられる。なぜならスイッチダイオード１１とホトダイ
オード１２の方向が逆になっているためである。次に、
時間ｔ２の期間にＸ線照射が行われる。駆動線５の正の
パルスＶＰ２＋を用いて検出素子３、４が読み出され、
以下同様に同じ行の後続の検出素子が読み出される。同
一駆動線上に負のパルスＶＰ２−が加えられると、検出
素子１、２及び後続の素子が応答する。なぜならダイオ
ードの方向が、検出素子３、４と逆であるためである。
この読み出しは、従来の列線上で行われる。読み出しＩ
Ｃ６も駆動ＩＣ７も、両極性作動用に製作されていなけ
ればならない。
センサが、Ｘ線を検知できる検出素子１、２、３、４等
のマトリックスで示されている。例えば、画像センサは
５１２行、５４０列を有している。それぞれ２つの隣接
した行に対し、共通の駆動線５が設けられている。駆動
線５の上に画像サイクルに必要なパルス列が示されてい
る。時間ｔ１のリセット光の後に、検出素子３、４等に
ＶＰ１＋が加えられ、検出素子１、２等にＶＰ１−が加
えられる。なぜならスイッチダイオード１１とホトダイ
オード１２の方向が逆になっているためである。次に、
時間ｔ２の期間にＸ線照射が行われる。駆動線５の正の
パルスＶＰ２＋を用いて検出素子３、４が読み出され、
以下同様に同じ行の後続の検出素子が読み出される。同
一駆動線上に負のパルスＶＰ２−が加えられると、検出
素子１、２及び後続の素子が応答する。なぜならダイオ
ードの方向が、検出素子３、４と逆であるためである。
この読み出しは、従来の列線上で行われる。読み出しＩ
Ｃ６も駆動ＩＣ７も、両極性作動用に製作されていなけ
ればならない。
【０００６】図２及び図３は、図１によるＸ線画像セン
サの検出素子の物理的構造を示す。図２及び図３には異
なるダイオードの方向を有する検出素子が組込まれてい
る。
サの検出素子の物理的構造を示す。図２及び図３には異
なるダイオードの方向を有する検出素子が組込まれてい
る。
【０００７】図２は、負の駆動パルスＶＰ１−又はＶＰ
２−に対する１つの検出素子の構造を示す。絶縁層、不
活性膜は示されていない。図２では、ガラス基板８が示
されており、ガラス基板８の上には、行線９及び列線１
０が形成されている。符号１１で検出素子１のスイッチ
ダイオードが示され、符号１２でホトダイオードが示さ
れている。第１行の検出素子２等は同様に構成されてい
る。
２−に対する１つの検出素子の構造を示す。絶縁層、不
活性膜は示されていない。図２では、ガラス基板８が示
されており、ガラス基板８の上には、行線９及び列線１
０が形成されている。符号１１で検出素子１のスイッチ
ダイオードが示され、符号１２でホトダイオードが示さ
れている。第１行の検出素子２等は同様に構成されてい
る。
【０００８】図３は、正の駆動パルスＶＰ１＋又はＶＰ
２＋に対する１つの検出素子の構造を示す。検出素子３
のスイッチダイオードが符号１３で示され、符号１４で
ホトダイオードが示されている。第２行の検出素子は同
様に構成されている。
２＋に対する１つの検出素子の構造を示す。検出素子３
のスイッチダイオードが符号１３で示され、符号１４で
ホトダイオードが示されている。第２行の検出素子は同
様に構成されている。
【０００９】図４は、図１のＸ線画像センサの別の実施
形態を示す。図４にも、駆動線１５、１６、１７等上に
再びパルス列が示されている。既述のように、Ｘ線放射
の前に、検出素子１８、１９、２０、２１の充電がＶＰ
１＋とＶＰ１−の両極で行われる。駆動線１５上の正の
パルスＶＰ２＋を用いて、検出素子１８及び、同じ行の
それぞれ１つおいて次に順次位置する検出素子が駆動さ
れる。同じ駆動線上に負の駆動パルスＶＰ２−が加えら
れると、検出素子１９と、それぞれ１つおいて次に順次
位置する検出素子が応答する。なぜなら、ダイオードの
方向が、検出素子１８と逆であるためである。この場合
も、読み出しＩＣ６も駆動ＩＣ７も両極性作動用に製作
されていなければならない。ＶＰ２の持続時間が同じ場
合、従来の解決策に比して読み出し時間が２倍になる。
従って、画像繰返し速度は約半分になる。
形態を示す。図４にも、駆動線１５、１６、１７等上に
再びパルス列が示されている。既述のように、Ｘ線放射
の前に、検出素子１８、１９、２０、２１の充電がＶＰ
１＋とＶＰ１−の両極で行われる。駆動線１５上の正の
パルスＶＰ２＋を用いて、検出素子１８及び、同じ行の
それぞれ１つおいて次に順次位置する検出素子が駆動さ
れる。同じ駆動線上に負の駆動パルスＶＰ２−が加えら
れると、検出素子１９と、それぞれ１つおいて次に順次
位置する検出素子が応答する。なぜなら、ダイオードの
方向が、検出素子１８と逆であるためである。この場合
も、読み出しＩＣ６も駆動ＩＣ７も両極性作動用に製作
されていなければならない。ＶＰ２の持続時間が同じ場
合、従来の解決策に比して読み出し時間が２倍になる。
従って、画像繰返し速度は約半分になる。
【００１０】読み出し線が半減されることの欠点は、遮
断された検出素子の数が２倍になることにより、寄生容
量が高まることにある。このことにより、雑音電流が高
まる。これを回避するために、図５に別の実施形態が示
されている。１対のダイオード２６、２７等を介して、
まず画像センサの縁部で列端子の数を低減する。このダ
イオード２６、２７等は、アモルファスシリコンから成
る基板上のスイッチダイオード１１、１３、２２、２４
と同様である。ダイオード２６、２７は、スイッチダイ
オード１１、１３、２２、２４に電気的に直列に接続さ
れている。これにより抵抗が高まり、時間特性が低下
し、雑音が生じる。しかし、ダイオード２６、２７の数
は少ないので、大きな面積を持つように構成することが
できる。従って、ダイオードの順方向特性は低抵抗であ
り、上述の損失は小さく保つことができる。
断された検出素子の数が２倍になることにより、寄生容
量が高まることにある。このことにより、雑音電流が高
まる。これを回避するために、図５に別の実施形態が示
されている。１対のダイオード２６、２７等を介して、
まず画像センサの縁部で列端子の数を低減する。このダ
イオード２６、２７等は、アモルファスシリコンから成
る基板上のスイッチダイオード１１、１３、２２、２４
と同様である。ダイオード２６、２７は、スイッチダイ
オード１１、１３、２２、２４に電気的に直列に接続さ
れている。これにより抵抗が高まり、時間特性が低下
し、雑音が生じる。しかし、ダイオード２６、２７の数
は少ないので、大きな面積を持つように構成することが
できる。従って、ダイオードの順方向特性は低抵抗であ
り、上述の損失は小さく保つことができる。
【００１１】図４には、さらに検出素子１８及び２０に
対して、スイッチダイオード２２及び２４、ホトダイオ
ード２３及び２５が示されている。別の検出素子も同様
に構成されている。
対して、スイッチダイオード２２及び２４、ホトダイオ
ード２３及び２５が示されている。別の検出素子も同様
に構成されている。
【００１２】図６は、図１によるＸ線画像センサの別の
実施形態を示す。この画像センサは、列読み出しのため
に２つの結合されたブリッジ整流器２８と２９とを備え
ている。これにより、読み出しＩＣ６に接続する列の数
をコストの低減のために半分にできる。このことによ
り、読み出し時間は２倍になる。スイッチとしてのブリ
ッジ整流器２８及び２９の駆動は、自由電位の電流源を
介して行われる。スイッチダイオードは、次に述べる解
決策の場合のように、何ら付加的マスク部分を必要とし
ないという利点がある。
実施形態を示す。この画像センサは、列読み出しのため
に２つの結合されたブリッジ整流器２８と２９とを備え
ている。これにより、読み出しＩＣ６に接続する列の数
をコストの低減のために半分にできる。このことによ
り、読み出し時間は２倍になる。スイッチとしてのブリ
ッジ整流器２８及び２９の駆動は、自由電位の電流源を
介して行われる。スイッチダイオードは、次に述べる解
決策の場合のように、何ら付加的マスク部分を必要とし
ないという利点がある。
【００１３】図７も、同様に図１によるＸ線画像センサ
の別の実施形態を示しており、この画像センサは、列読
み出しのために２つの結合された電界効果トランジスタ
３０と３１とを備えている。ロードフェーズ（ＶＰ１
＋、ＶＰ１−）では、全ての電界効果トランジスタは導
通しており、読み出しフェーズでは、１対の隣接した電
界効果トランジスタの一方のみが導通している。
の別の実施形態を示しており、この画像センサは、列読
み出しのために２つの結合された電界効果トランジスタ
３０と３１とを備えている。ロードフェーズ（ＶＰ１
＋、ＶＰ１−）では、全ての電界効果トランジスタは導
通しており、読み出しフェーズでは、１対の隣接した電
界効果トランジスタの一方のみが導通している。
【００１４】
【発明の効果】本発明のＸ線画像センサでは、入出力線
数が低減され、このことに関連して電子装置のコストが
削減される。画像センサの技術では何ら付加的要求もな
く、従って付加的なコストが回避される。本発明のＸ線
画像センサでは、駆動信号の極性を介して、２つの場合
の識別が行われる。従って、１つの極性しか持たない駆
動信号を用いる場合に比して、端子数が半減できる。
数が低減され、このことに関連して電子装置のコストが
削減される。画像センサの技術では何ら付加的要求もな
く、従って付加的なコストが回避される。本発明のＸ線
画像センサでは、駆動信号の極性を介して、２つの場合
の識別が行われる。従って、１つの極性しか持たない駆
動信号を用いる場合に比して、端子数が半減できる。
【図１】本発明によるＸ線画像センサの実施形態を示す
回路略図。
回路略図。
【図２】図１によるＸ線画像センサの検出素子の物理的
構造を示す。
構造を示す。
【図３】図１によるＸ線画像センサの検出素子の物理的
構造を示す。
構造を示す。
【図４】本発明のＸ線画像センサの変形の実施形態を示
す回路略図。
す回路略図。
【図５】本発明のＸ線画像センサの変形の実施形態を示
す回路略図。
す回路略図。
【図６】本発明のＸ線画像センサの変形の実施形態を示
す回路略図。
す回路略図。
【図７】本発明のＸ線画像センサの変形の実施形態を示
す回路略図。
す回路略図。
１、２、３、４ 検出素子 ５ 駆動線 ６ 読み出しＩＣ ７ 駆動ＩＣ ８ ガラス基板 ９ 行線 １０ 列線 １１、１３ スイッチダイオード １２、１４ ホトダイオード １５、１６、１７ 駆動線 １８、１９、２０、２１ 検出素子 ２２、２４、２６、２７ スイッチダイオード ２３、２５ ホトダイオード
Claims (4)
- 【請求項１】 画像信号を形成するために、行毎に駆動
できる、Ｘ線を検知できる検出素子（１、２、３、４、
１８、１９、２０、２１）のマトリックスを有するＸ線
画像センサにおいて、 検出素子のそれぞれ２つの群（１、２；３、４；１８、
２０；１９、２１）に対して、それぞれ１つの共通の駆
動線（５、１５、１６、１７）が設けられており、 前記駆動線上に両極性の駆動信号を形成し、 この両極性の駆動信号のうち、一方の検出素子の群
（１、２；１８、２０）を読み出すために一方の極性の
信号を用い、他方の検出素子の群（３、４；１９、２
１）を読み出すために他方の極性の信号を用いることを
特徴とする、Ｘ線画像センサ。 - 【請求項２】 検出素子(１等)の群が、マトリックスの
行として構成されていることを特徴とする、請求項１に
記載のＸ線画像センサ（図１、６、７）。 - 【請求項３】 検出素子（１８等）の群が、マトリック
スの列として構成されていることを特徴とする、請求項
１に記載のＸ線画像センサ（図５）。 - 【請求項４】 それぞれ隣接する２つの列の検出素子
（１８、２０、１９、２１）を、互いに逆極性のそれぞ
れ２つのダイオード（２６、２７）を介して結合されて
いることを特徴とする、請求項１に記載のＸ線画像セン
サ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4429434A DE4429434C1 (de) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | Bildsensor |
| DE4429434.4 | 1994-08-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0868860A true JPH0868860A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=6526088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7208870A Withdrawn JPH0868860A (ja) | 1994-08-19 | 1995-08-16 | Ｘ線画像センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5532491A (ja) |
| JP (1) | JPH0868860A (ja) |
| DE (1) | DE4429434C1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002502128A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | ユニアックス コーポレイション | Ｘ−ｙアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス |
| JP2009089205A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
| JP2011015442A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-01-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19524856A1 (de) * | 1995-07-07 | 1997-01-09 | Siemens Ag | Röntgenbilderzeugungssystem |
| US5652430A (en) * | 1996-05-03 | 1997-07-29 | Sterling Diagnostic Imaging, Inc. | Direct radiographic imaging panel |
| JP4176151B2 (ja) * | 1997-01-06 | 2008-11-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 画像センサマトリックスの読み出し装置 |
| DE19705755C1 (de) * | 1997-02-14 | 1998-07-30 | Siemens Ag | Röntgendetektor |
| GB9710301D0 (en) * | 1997-05-21 | 1997-07-16 | Philips Electronics Nv | Image sensor and its manufacture |
| US6535576B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc | Enhanced digital detector and system and method incorporating same |
| JP5080218B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2012-11-21 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| US20110089541A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-21 | Jeng-Jye Shau | Area reduction for electrical diode chips |
| US20110089557A1 (en) * | 2009-10-19 | 2011-04-21 | Jeng-Jye Shau | Area reduction for die-scale surface mount package chips |
| KR101363615B1 (ko) * | 2011-11-11 | 2014-02-17 | 서울대학교산학협력단 | 방사선 진단 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2593987B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1989-08-04 | Thomson Csf | Dispositif photosensible a l'etat solide |
| FR2627923B1 (fr) * | 1988-02-26 | 1990-06-22 | Thomson Csf | Matrice d'elements photosensibles et detecteur de radiations comportant une telle matrice, notamment detecteur de rayons x a double energie |
| FR2627924B1 (fr) * | 1988-02-26 | 1990-06-22 | Thomson Csf | Dispositif photosensible et detecteur d'images comportant un tel dispositif, notamment detecteur d'images a double energie |
| GB9308543D0 (en) * | 1993-04-24 | 1993-06-09 | Philips Electronics Uk Ltd | An image sensor |
-
1994
- 1994-08-19 DE DE4429434A patent/DE4429434C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-21 US US08/505,662 patent/US5532491A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-16 JP JP7208870A patent/JPH0868860A/ja not_active Withdrawn
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|---|---|---|---|---|
| JP2002502128A (ja) * | 1998-02-02 | 2002-01-22 | ユニアックス コーポレイション | Ｘ−ｙアドレス指定可能な電気的マイクロスイッチアレイとこれを使用したセンサマトリックス |
| JP2009089205A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Olympus Corp | 固体撮像装置 |
| JP2011015442A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-01-20 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5532491A (en) | 1996-07-02 |
| DE4429434C1 (de) | 1995-12-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |