JPH08505005A - レーザのクリーンウィンドウ維持装置及びその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 レーザキャビティ内の第１ガスは、エネルギー放射を生成するための１つのステップとして、キャビティ内の放電によってイオン化される。デブリス（粒子）が、エネルギー放射の間に生成される。このエネルギー放射及びデブリスは、キャビティ内を光素子の方向へ移動する。光素子をウィンドウ又はミラーとすることができる。デブリスは、光素子を含むキャビティ内の任意の場所に堆積し易くなり、光素子を汚す。このことによって、レーザ動作の効率が低下する。光素子（５６）から離隔した位置で、クリーンなガスが、通路（５４）を介してキャビティ内に供給される。その後、クリーンなガスは、前記通路よりもさらに光素子から離隔したオリフィス（６５）を介して、前記キャビティ内を通過する。第１ガスがオリフィスを通ることによって、ベンチュリ（venturi）効果がクリーンガスに生じ、クリーンガスが光素子から遠ざかるように移動することが保証される。このようにして、クリーンガスによって、第１ガス及びデブリスが光素子の方に移動しないようにすることができる。キャビティ内の通路とオリフィスとの間にバッフル（６２）を設け、第１ガスのオリフィスから光素子方向への移動に不規則性をもたせ、デブリスの光素子方向への移動を更に抑制することができる。また、キャビティ内の通路と光素子との間にバッフル（６８）を設けることによっても、光素子方向へのガスの移動を抑制することができる。通路に電気的にアースされたスクリーン（６６）を設け、クリーンガス内に存在するすべてのイオンを引き寄せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】 レーザのクリーンウィンドウ維持装置及びその方法 技術分野 本発明は、レーザの光素子をクリーンに保持するための装置及びその方法に関 するものである。この光素子をウィンドウ又はミラーとすることができる。 発明の背景 レーザは多くの異なる目的に使用される。レーザは、特定の波長のエネルギー 放射を供給するので有利である。このエネルギー放射は、他の放射源によって生 成される放射と比較して、かなり鋭い指向性を有している点で有利である。レー ザは、医療の分野を含むかなり広い分野で効果的に使用されてきた。例えば、医 療の分野では、集束した大きな振幅のエネルギーを供給し、眼の中の種々の構成 要素を溶かし、患者の眼の剥離した網膜及び破れた網膜を修理するのに使用され ていた。また、レーザは、集積回路のチップの製造にも使用されていた。さらに 、レーザは、光ファイバーの継ぎ目の効率を試験するためにも使用されていた。 レーザは、そのキャビティの対向する端部に光素子を設けることもできる。こ の光素子は、ミラー又はウィンドウを構成する。光素子がウィンドウを構成する 場合には、一般的に、一方の端部におけるウィンドウの外側のミラーが全ての放 射を反射し、他方の端部に おけるウィンドウの外側のミラーが放射の大部分を反射し、その残りを通過させ る。その代わりに、ウィンドウをキャビティの両端部に設けるとともに、そのウ ィンドウを所定の材料でコーティングし、放射の一部又は全部を反射させるよう にすることができる。このようにして、キャビティ内に生成される放射は、ミラ ーによる順次の反射で増幅されるとともに、各反射の周期で、一方のウィンドウ を介して、放射の一部が出力される。このような光素子を通過する放射は、上記 のような分野で使用される。 あるタイプのレーザは、レーザ内で放電が発生した時に反応するような化学元 素を使用する。例えば、水素及び塩素を反応させて塩化水素を生成することがで きる。レーザ内に放電が発生した時に、クリプトン及びフッ素を反応させてフッ 化クリプトンを生成することができる。このような化学反応によって、ガスの特 性に依存する特定波長の多量のエネルギーが発生する。 放電を利用するレーザにも幾つかの欠点がある。一つの欠点は、電極の浸食に よって望ましくない粒子が生成し得ることである。これらの粒子はデブリス（ゴ ミ：debris）とみなされる。このデブリスは、光素子の方向に移動する傾向にあ り、これによって光素子を汚してしまう。光素子が汚れると、レーザの動作効率 が低下する。 このような問題点が存在していた。従来より、この問題点を解消するための試 みがなされた。例えば、他のソースからのガスを光素子の表面の方向に方向付け 、当該表面を通過させ、デブリスが光素子に到達しないようにしていた。このよ うなシステムは、日本の出願公告特公昭６０（１９８５年）−２６３１２（特願 昭５２（１９ ７７年）−７５１９８）に開示されている。この試みは、上記問題点を解消する 上で部分的に有効であった。しかし、かなりの量のデブリスが、以前として光素 子に到達していた。この問題点は、レーザ動作における性能が向上すると共に、 製品寿命の寿命が延びたために更に深刻化した。 上記装置の動作の非効率性は、３倍化される。 １．ウィンドウなどの光素子の表面を通過するガスは、必しもクリーンであると は限らない。一般的に、このガスは、光素子の表面に送られる以前にデブリスを 取り除くためにフィルタ装置を介在させる。しかし、このようなデブリスのフィ ルタ処理は、デブリスを取り除くのに必ずしも効果的ではなかった。デブリスの 光素子への移動を妨げようとしても、ガスは光素子に沿って移動するため、光素 子にデブリスを堆積させ易い。デブリスの光素子への堆積速度は、抑制されるの ではなく、むしろ実際には増加してしまう。 ２．ガスをクリーンにするために使用されるフィルタは、帯電したガスを生成し 得る。このような電荷は、光素子の表面の方向に送られる。光素子の電荷は、デ ブリスなどの望ましくない粒子を引き寄せ、保持する傾向にある。 ３．ガスをクリーンにするために使用されるフィルタの数種類は、加熱又は冷却 トラップ素子を使用するものである。この素子は、ウィンドウなどの光素子の表 面に送られるガスの温度を上昇又は低下させる。この温度差によって光素子に応 力が生じ、その光特性を変化させ、光素子の動作効率を低下させる。 上記問題点は、長い間認識され続け、これらの問題点を解消するための多くの 試みがなされたにもかかわらず、依然として存在している。 本発明の概要 レーザキャビティ内の第１ガスは、エネルギー放射を生成するための１つのス テップとして、キャビティ内の放電によってイオン化される。（粒子化された） デブリスは、エネルギー放射の間に生成される。エネルギー放射及びデブリスは 、キャビティ内を光素子の方向へ移動する。光素子をウィンドウ又はミラーとす ることができる。デブリスは、光素子を含むキャビティ内の任意の場所に堆積し 易くなり、光素子を汚す。このことによって、レーザ動作の効率が低下する。 光素子から離隔した位置で、クリーンなガスが、通路を介してキャビティ内に 供給される。その後、クリーンなガスは、前記通路よりもさらに光素子から離隔 したオリフィスを介して、前記キャビティ内を通過する。第１ガスがオリフィス を通ることによって、ベンチュリ（venturi）効果がクリーンガスに生じ、クリ ーンガスが光素子から遠ざかるように移動することが保証される。このようにし て、クリーンガスによって、第１ガス及びデブリスが光素子の方に移動しないよ うにすることができる。 キャビティ内の通路とオリフィスとの間にバッフルを設け、第１ガスのオリフ ィスから光素子方向への移動に不規則性をもたせ、デ ブリスの光素子方向への移動を更に抑制することができる。また、キャビティ内 の通路と光素子との間にバッフルを設けることによっても、光素子方向へのガス の移動を抑制することができる。通路に電気的にアースされたスクリーンを設け 、クリーンガス内に存在するすべてのイオンを引き寄せることができる。 図面の簡単な説明 図１は、従来より良く知られたレーザの所定の構造を示す略図であり、 図２は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又はミラーなどの光素子をク リーニングするための従来の装置を示す略図であり、 図３は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又はミラーなどの光素子をク リーニングするための本発明の一例を示す略図であり、 図４は、アノード及びカソードと、アノードとカソードとの間の放電とを示す 略図である。 本発明の詳細な説明 図１及び図４に示すレーザシステムは、従来より良く知られたものである。当 該レーザシステムは、レーザ放電ハウジング１０と、当該ハウジング内のキャビ ティの対向する端部に配置されたミラー又はウィンドウなどの光素子１１とを備 えている。光素子１１を、光などのエネルギーを通過させるウィンドウ、又はコ ーティングされ、エネルギーを部分的又は完全に通過させるミラーとすることが できる。光素子１１がウィンドウを構成する場合、ミラーはキャビティの外に配 置され、部分的または完全にエネルギーを反射する。 放電１２は、図４のカソード１３とアノード１４との間に周期的に供給される電 圧パルスによって、光素子１１間に生じる。図１及び図４に参照番号１２として 略図的に示されている放電１２は、アノード１３とカソード１４との間に電圧パ ルスを加えることによって発生する。 ブロワ１８をハウジング１０内に配置し、クリプトン及びフッ素などの好適な ガスを、光素子１１間の形象的な線に対して垂直な方向に送る。ガス１７は、放 電１２の領域外に存在するように図示されているが、放電領域内にもガスが存在 することは明らかである。ガス１７は、放電によってイオン化され、化学的に反 応し、エクサイマー（excimer）範囲内などの特定の波長で放射を発生する。こ れらのガスは、この放電によって加熱される。この加熱されたガスは、ハウジン グ内の熱交換器２０によって冷却される。 デブリス（くず：debris）が、領域１２内のレーザの放電及び電極の浸食によ って形成される。デブリスは微粒子の形態をしている。デブリスは、光素子１１ の方へ移動し、当該光素子を汚す。一方の光素子１１は、当該光素子にあたる放 射を部分的に通過させると共に、当該放射の他の部分をキャビティ内に反射する 場合、ミラーとウィンドウとを兼ね備えているとみなされる。 ここに記載の構造は、１９９０年９月２５日にロバート ピー．アキンズ（Ro bert P.Akins）、ドナルド ジー．ラーソン（Donald G．Larson）、ウディ ケ イ セングプタ（Uday K Sengupta）及びリチャード エル．サンドストロム（R ichard L．Sandstrom）に発行され、本出願の譲受人に譲渡された米国特許番号 ４，９５９， ８４０「レーザのウォールに対して絶縁され取り付けられた電極を備えているコ ンパクト・エクサイマー・レーザ（Compact Excimer Laser Including An Elect rode Mounted in Insulating Relationship to Wall of Laser）」に更に詳細に 開示されている。米国特許番号４，９５９，８４０の開示内容は、レファレンス として本願の内容の一部とする。 図２は、デブリスが一方の光素子１１の方へ移動するのを防ぐためのシステム を略図的に示す図である。当該システムは、ハウジング１０内で光素子１１と接 触して配置されたショルダー３２を備えている。フィンガー３４は、光素子１１ とわずかに離隔してショルダー３２よりも内側に配置され、分配マニホールド３ １及びオリフィス３６を形成する。管路３８を通過するガスは、マニホールド３ １へ移され、オリフィス３６を介して、光素子またはミラー１１の表面に向けら れる。その後、ガスはチャネル４０を介して光素子１１から遠ざかる。 管路３８を移動するガスが完全にクリーンならば、図２に示し且つ上記のよう に説明したシステムは有効である。しかしながら、ガスは決して完全にクリーン ではない。このため、従来のシステムは、光素子１１を実際には汚し易いという 欠点を有している。これは、デブリスが光素子１１の方へ移動し、光素子１１を 通り過ぎることによって生じるものである。このため、このデブリスの一部が光 素子１１に堆積する。 従来のシステムには、更に大きな欠点がある。フィルタを使用し、オリフィス ３８を移動するガスをクリーンにする場合、フィルタを 使用することによってガスに電荷が発生する場合がある。ガスが光素子１１に向 かって移動し、光素子を通り過ぎるので、この電荷はガスによって光素子１１に 運ばれる。光素子の電荷は、デブリスを引きつけ、保持する傾向にある。従来技 術では、このような電荷が光素子１１に運ばれた際に、このような電荷を除去し 、デブリスがこの電荷によって引きつけられないようにする試みはなされなかっ た。 管路３８が光素子１１に比較的接近しているので、デブリスを捕らえる能力を 高めるためにフィルタを加熱又は冷却する際に発生する熱によって光素子に応力 がかかり易くなる。したがって、フィルタは、フィルタを通過するガスを加熱又 は冷却する。この加熱又は冷却されたガスは、光素子１１に向かって移動し、通 過する際に、光素子１１を順次加熱又は冷却する。この加熱又は冷却によって、 光素子１１に応力が加わり、光素子の光特性を歪ませる。この結果、光素子１１ の動作効率を低下させることとなる。 本発明は、上記欠点を解消するシステムを提供するものである。当該システム を図３に示す。本発明の一例では、参照番号５０にて示す装置は、通路５４を介 してガスをチャネル５２に送る。通路５４は、ウィンドウ又はミラーなどの光素 子５６から離隔しており、チャネル５２と連絡している。通路５４はハウジング ５８内に配置される。当該ハウジング５８は、光素子５６を収容するためのショ ルダー６０を備えている。光素子５６は、ハウジング５８内でショルダー６０に ぴったりと配置されることが好ましい。管状部材６１は、ハウジング５８の内部 に配置され、チャネル５２を形成する。 阻流板（バッフル：baffle）６２をチャネル５２に設ける。いくつかのバッフ ル６２を、通路５４と、内側向きのリップ６４との間に配置することができる。 リップ６４は、管状部材６１に配置され、通路５４よりも更に光素子５６から離 れて配置される。内側向きのリップ６４は、オリフィス６５を形成する。他のバ ッフル６８を通路５４と光素子５６との間に配置することができる。スクリーン ６６を、通路５４に沿って配置すると共に、電気的に接地することもできる。バ ッフル６２及び６８と、スクリーン６６とは、管状部材６１によって支持されて いる。 クリーンなガスは、通路５４を介してチャネル５２を通り、その後、当該チャ ネル５２を介して光素子５６から遠ざかる方向に流れる。チャネル５２を介して の光素子５６から遠ざかる方向へのガスの流れは、図１の領域１２に相当する放 電領域内のデブリスを有するガスの流れによって作り出されるベンチュリ（vent uri）効果によって促進される。デブリスを有するガスが、図３のオリフィス６ ５を通るので、ベンチュリ効果が生じる。 通路５４が光素子５６から離隔しているので、通路５４を介してのガスの流れ は、ウィンドウと接触していない。このことによって、ガス中のゴミ又はデブリ スが光素子５６と接触することを防ぎ、光素子が汚れないようにすることができ る。更に、ガスの流れが光素子５６から遠ざかる方向なので、チャネル５２内の デブリス又は荷電粒子が光素子の方へ移動しない。ガスは、通路５４を介して流 れるので、スクリーン６６を通過する。スクリーン６６が接地されているので、 ガスの流れの中の全ての荷電粒子がスクリーン６６によって引きつけられ、取り 除かれる。荷電粒子を除去することによっ て、光素子５６が帯電することを防ぐことができる。 通路５４からのガスの流れが光素子５６から離れているので、気体の如何なる 加熱及び冷却も、光が光素子と接触している領域内で、光素子と接触しない。こ のことは、スクリーン６６が加熱又は冷却された場合であっても同様である。こ のため、光素子５６は加熱されず、従って、光素子には応力が加わらない。光素 子５６に応力が加わらないので、光素子の光特性が維持される。 バッフル６２も、デブリスが光素子５６に移動するのを防ぐための手段である 。通路５４とオリフィス６５との間のバッフル６２は、通路５４からチャネル５ ２を介してのガスの流れ、及びデブリスを伴うガスの光素子５６の方への流れに 乱流を作り出す。この乱流によって、デブリスが光素子５６の方に移動すること を防ぐことができる。通路５４と光素子５６との間のバッフル６８も、通路５４ からのガスの流れに乱流を作りだし、このようなガスが光素子５６の方へ移動し ないようにしている。 本発明を特定の実施例について説明したが、本発明の原理が他の種々の実施例 において使用できることは当業者にとって明らかである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ Ｈ０１Ｓ 3/225 9017−2Ｋ Ｈ０１Ｓ 3/03 Ｇ 7630−2Ｋ 3/08 Ｚ 【要約の続き】 ２）を設け、第１ガスのオリフィスから光素子方向への 移動に不規則性をもたせ、デブリスの光素子方向への移 動を更に抑制することができる。また、キャビティ内の 通路と光素子との間にバッフル（６８）を設けることに よっても、光素子方向へのガスの移動を抑制することが できる。通路に電気的にアースされたスクリーン（６ ６）を設け、クリーンガス内に存在するすべてのイオン を引き寄せることができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．レーザと、 当該レーザから第１の方向に移動するエネルギー放射及びデブリスを受け入れ るためのキャビティと、 当該キャビティの端部に配置され、前記キャビティ内を前記第１の方向に移動 する前記放射及びデブリスを受信する光素子と、 前記キャビティ内の前記光素子から離隔した位置で、前記光素子から遠ざかる 方向で且つ前記第１の方向とは逆方向にガスを供給し、前記キャビティ内のデブ リスが前記光素子の方向に移動しないようにするための手段と、 前記キャビティ内に配置され、前記キャビティ内の前記デブリスが前記キャビ ティ内を前記光素子の方向へ移動しないように、前記第１の方向とは逆の方向へ ガスがキャビティ内を移動している間、ガスの作用を高めるための手段と、 を備えている装置。 ２．レーザと、 当該レーザから第１の方向に移動するエネルギー放射及びデブリスを受け入れ るためのキャビティと、 当該キャビティの端部に配置され、前記キャビティ内を前記第１の方向に移動 する前記放射及びデブリスを受信する光素子と、 前記キャビティ内の前記光素子から離隔した位置で、前記光素子から遠ざかる 方向で且つ前記第１の方向とは逆方向にガスを供給し、前記キャビティ内のデブ リスが前記光素子の方向に移動しないようにするための手段と、 前記光素子から遠ざかる方向で且つ前記放射及び前記デブリスの 前記光素子への移動方向とは逆方向へ、前記キャビティ内で供給されるガスに乱 流を供給するための、前記キャビティ内のバッフルと、 を備えている装置。 ３．レーザと、 当該レーザからの放射を受け入れるためのキャビティと、 当該キャビティの端部に配置され、前記キャビティ内を移動する前記放射を受 信する光素子と、 前記キャビティ内の前記光素子から離隔した位置で、前記光素子の方向とは逆 方向にガスを供給し、前記キャビティ内のデブリスが前記光素子の方向に移動し ないようにするための手段と、 前記ガスの通路に配置され、このようなガス内の荷電粒子を受信するためのス クリーンと、 を備えているための装置。 ４．前記スクリーンをアースしている請求項３に記載の装置。 ５．デブリスを生成する放電の結果として特定の波長でエネルギー放射を供給す る第１のガスを備え、第１の方向に放電を供給するレーザと、 第１の方向にレーザからの放電を方向付けるための手段と、 前記放電を収容するためのキャビティを形成する手段と、 前記キャビティの端部に配置され、前記キャビティ内を前記第１の方向とは逆 方向の第２の方向に、前記エネルギー放射が移動後、前記エネルギー放射を受信 するための受信手段と、 第２のガスを供給するための手段と、 前記受信手段から離隔した位置で、前記エネルギー放射の前記受 信手段への移動方向とは逆方向に、前記キャビティ内の前記第２のガスを方向付 け、前記デブリスが前記受信手段の方へ移動しないようにするための第２ガス方 向付け手段と、 を備えている装置。 ６．前記第２ガス方向付け手段が、前記キャビティへの通路と、前記キャビティ 内のオリフィスを形成し、前記キャビティ内における前記受信手段とは逆方向へ のガスの流れを促進するための手段とを備えている請求項５に記載の装置。 ７．前記キャビティ内の前記通路に対して配置され、前記第２のガス内の荷電粒 子を受信し、当該荷電粒子が前記受信手段へ移動しないようにするための手段を 更に備えている請求項６に記載の装置。 ８．前記キャビティ内にバッフル配置を形成し、前記キャビティでの前記第２ガ スの作用を高め、デブリスが前記受信手段に供給されないようにするための手段 を更に備えている請求項７に記載の装置。 ９．ハウジングと、 当該ハウジング内に放電を発生させるための手段と、 前記放電によってイオン化及び化学反応し、エネルギー放射を得るための前記 ハウジング内の第１のガスと、 前記ハウジング内の光素子と、 当該光素子から離隔して配置され、荷電粒子を有している第２ガスの通路を、 前記光素子から離隔した位置から、前記光素子から遠ざかる方向に方向付け、デ ブリスが前記光素子の方向へ移動しないようにするための手段と、 前記光素子から離隔した位置に配置され、前記第２ガス内の荷電粒子を受信し 、当該荷電粒子が前記光素子に到達しないようにするための受信手段と、 を備えている装置。 １０．前記受信手段を、前記第２ガス内の前記荷電粒子を受信するためのスクリ ーンとする請求項９に記載の装置。 １１．前記スクリーンを接地している請求項１０に記載の装置。 １２．前記第２ガスが前記光素子から遠ざかる方向に移動する間に、前記第２ガ ス内に乱流を発生させ、第２ガスによる前記デブリスの前記光素子の方向への移 動を更に抑制するための手段を更に備えている請求項１１に記載の装置。 １３．ハウジングと、 当該ハウジング内に配置され、放電を発生させるための手段と、 前記放電によってイオン化及び化学反応し、エネルギー放射を発生させるため の前記ハウジング内の第１のガスと、 前記ハウジングの一端に配置され、前記エネルギー放射の少なくとも一部を受 信するための光手段と、 前記ハウジング内に配置され、当該ハウジングによって支持され、当該ハウジ ング内において、前記光手段から遠ざかる方向に前記第２ガスの流れを供給し、 前記ハウジング内においてデブリスが前記光手段の方向に流れないようにするた めの手段と、 を備えている装置。 １４．前記ハウジング内に配置され、当該ハウジングによって支持され、前記第 ２ガスが前記光手段から遠ざかる方向に移動する際に乱流を発生させ、前記デブ リスが前記ハウジング内を前記光手段の方向に流れないようにするための乱流発 生手段を更に備えている請求項１３に記載の装置。 １５．前記乱流発生手段が、前記ハウジングによって支持されるバッフルを備え ている請求項１４に記載の装置。 １６．前記ハウジングによって支持され、前記ハウジング内に配置され、前記第 ２ガスが前記光手段から遠ざかる方向に移動する前に、前記第２ガス内の荷電粒 子を引きつけるための手段を備えている請求項１４に記載の装置。 １７．前記荷電粒子を引きつけるための手段が、スクリーンを構成し、且つ当該 スクリーンがアースされ、前記荷電粒子を引きつける請求項１６に記載の装置。 １８．キャビティを形成するための手段と、 当該キャビティ内に放電を発生させるための手段と、 前記放電によってイオン化され、化学反応を起こし、エネルギー放射を供給す るための前記キャビティ内のガスと、 前記放電によって発生する前記キャビティ内のデブリスと、 前記キャビティの一端に配置され、前記エネルギー放射がキャビティ内を移動 後、前記エネルギー放射を受信するための光手段と、 前記光手段を接触させた状態で受け入れるためのショルダーを形成する手段と 、 前記ショルダー及び前記光手段から離隔して配置され、前記キャビティ内の第 ２ガスを前記光手段から遠ざかる方向に方向付け、前記デブリスが前記光手段の 方向に移動しないようにするための第２ガスの方向付け手段と、 を備えている装置。 １９．前記キャビティ内にオリフィスを形成し、前記第２ガスの方向付け手段よ りも更に前記光手段から離れた位置に配置され、前記第２ガスを受信し、前記第 ２ガスを前記オリフィス内を通過させ、前記第２ガスが前記オリフィスを通過す る間に前記第２ガスにベンチュリ効果を発生させ、前記光手段から遠ざかる方向 への前記第２ガスの前記キャビティ内での流れを促進させるための手段を更に備 え、且つ 前記第２ガスの方向付け手段が、前記光手段から離隔する位置に、前記第２ガ スを前記キャビティの方向に方向付けるための通路を備えている請求項１８に記 載の装置。 ２０．前記第２ガス内の荷電粒子を引きつけるための手段が前記キャビティ内に 配置されている請求項１９に記載の装置。 ２１．前記荷電粒子を引きつけるための手段がスクリーンを備え、且つ、当該ス クリーンがアースされ、前記荷電粒子を引きつけるように構成された請求項２０ に記載の装置。 ２２．前記通路と前記オリフィスとの間の前記第２ガスの流れに乱流を供給し、 前記デブリスが前記光手段の方向に移動しないようにするための手段を、前記キ ャビティ内の前記通路と前記オリフィス との間に配置している請求項１９に記載の装置。 ２３．前記通路と前記光手段との間に、前記第２ガス及び前記デブリスが前記光 手段の方向に移動しないようにするための光手段を配置している請求項２２に記 載の装置。 ２４．前記キャビティ内の前記通路と前記オリフィスとの間にバッフルを配置し 、前記通路と前記オリフィスとの間の前記第２ガスの流れに乱流を供給し、前記 デブリスが前記光手段の方向に移動しないようにし、且つ 前記キャビティ内の前記通路と前記光手段との間にバッフルを設け、前記デブ リス及び前記第２ガスが前記光手段の方向に移動しないようにしている請求項２ １に記載の装置。 ２５．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティ内において、エネルギー放射を前記光素子に対して特定方向に移動 させる工程と、 前記光素子から離隔した位置で、前記キャビティ内へガスを方向付ける工程と 、 前記光素子から遠ざかる方向で且つ前記キャビティ内における前記光素子への 前記エネルギー放射の移動方向とは逆方向に、前記ガスを移動させ、前記キャビ ティ内の前記デブリスが前記光素子の方へ移動しないようにするための工程と、 前記光素子への前記キャビティ内での前記エネルギー放射の移動方向とは逆方 向に前記ガスが前記キャビティ内を流れる間に、前記ガスの作用を高め、前記デ ブリスが前記光素子の方向に移動しない ようにする工程と、 を備えている方法。 ２６．前記ガスを、通路によって前記キャビティ内に導き、且つ 前記通路よりも更に前記光素子から離れた位置に配置された前記キャビティ内 のオリフィスによって、前記ガスが方向付けられ、前記光素子から遠ざかる方向 で且つ前記キャビティ内における前記光素子への前記エネルギー放射の移動方向 とは逆方向に前記キャビティ内のガスを送り、前記キャビティ内に前記オリフィ スを配置し、前記光素子から遠ざかる方向に前記キャビティ内のガスの移動を促 進させる請求項２５に記載の方法。 ２７．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティ内において、コヒーレントエネルギーを前記光素子に対して特定方 向に移動させる工程と、 前記光素子から離隔した位置で、前記キャビティ内へガスを方向付ける工程と 、 前記光素子から遠ざかる方向に前記ガスを移動させ、前記キャビティ内の前記 デブリスが前記光素子の方へ移動しないようにするための工程と、を備え、且つ 通路によって前記キャビティ内へガスを方向付け、且つ 前記通路よりもさらに前記光素子から離れた位置に配置されたオリフィスによ って前記ガスを方向付け、前記光素子から遠ざかる方向に前記キャビティ内にお けるガスの移動を促進させ、且つ 前記キャビティ内のガスの通路にスクリーンを配置し、前記ガス内の荷電粒子 を除去し、且つ 当該スクリーンをアースし、前記荷電粒子を引きつける方法。 ２８．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティ内において、エネルギー放射を前記光素子に対して特定方向に移動 させる工程と、 前記光素子から離隔した位置で、前記キャビティ内へガスを方向付ける工程と 、 前記光素子から遠ざかる方向で且つ前記キャビティ内における前記光素子への 前記エネルギー放射の移動方向とは逆方向に、前記ガスを移動させ、前記デブリ スが前記光素子の方へ移動しないようにするための工程と、を備え、 通路によって前記キャビティ内へガスを方向付け、且つ 前記通路よりも更に前記光素子から離れた位置に配置されたオリフィスによっ て前記ガスを方向付け、前記光素子から遠ざかる方向で且つ前記エネルギー放射 の移動方向とは逆方向に、前記キャビティ内におけるガスの移動を促進させ、且 つ バッフルを前記キャビティ内に配置し、前記通路から前記オリフィスへのガス の移動通路を増やし、前記デブリスが前記光素子の方向に移動しないようにして いる方法。 ２９．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティを介しての光素子へのエネルギー放射を、第１の方向に供給する工 程と、 前記キャビティ内のエネルギー放射の発生の間に、前記キャビティ内にデブリ スが発生し、前記光素子から離隔した位置から、前記 光素子から遠ざかる方向で且つ前記光素子への前記エネルギー放射の移動方向と は逆方向に、前記キャビティを介してガスを通過させ、前記デブリスが前記光素 子の方向へ移動しないようにする工程と、 前記ガスの前記キャビティ内への通路の直前で、前記ガスから前記デブリスを 電気的に除去する工程と、 を備えている方法。 ３０．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティを介してエネルギー放射を第１の方向に供給する工程と、 前記キャビティ内のエネルギー放射の発生の間に、前記キャビティ内にデブリ スが発生し、前記光素子から離隔した位置から、前記光素子から遠ざかる方向に 、前記キャビティを介してガスを通過させ、前記デブリスが前記光素子の方向へ 移動しないようにする工程と、 前記光素子から遠ざかる方向に前記ガスが前記キャビティ内を通過後、前記光 素子から遠ざかる方向に、前記キャビティ内をガスが流れている間、前記キャビ ティを介して前記ガスの流れを促進し、前記キャビティ内における前記デブリス の前記光素子方向への移動抑制作用を高める工程と、 を備えている方法。 ３１．前記ガスが前記光素子を通り前記キャビティ内を移動しないように、前記 ガスが前記キャビティ内を移動するように、前記光素子と通路とを配置している 請求項３０に記載の方法。 ３２．レーザ内の光素子がデブリスによって汚れないようにするための方法にお いて、 キャビティを介してエネルギー放射を第１の方向に供給する工程と、 前記キャビティ内のエネルギー放射の発生の間に、前記キャビティ内にデブリ スが発生し、前記光素子から離隔した位置から、前記光素子から遠ざかる方向に 、前記キャビティを介してガスを通過させ、前記デブリスが前記光素子の方向へ 移動しないようにする工程と、を備え、且つ 前記通路よりも更に前記光素子から離れた位置にオリフィスを配置し、前記ガ スにベンチュリ効果を供給し、前記ガスが前記光素子から遠ざかる方向に前記キ ャビティ内を移動することを保証し、且つ 前記通路と前記オリフィスとの間に乱流を発生させ、前記デブリスの前記光素 子への移動をさらに抑制する方法。