JP3103595B2 - レーザのクリーンウィンドウ維持装置及びその方法 - Google Patents
レーザのクリーンウィンドウ維持装置及びその方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
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- H01S3/0346—Protection of windows or mirrors against deleterious effects
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- H01S3/0401—Arrangements for thermal management of optical elements being part of laser resonator, e.g. windows, mirrors, lenses
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、レーザの光素子をクリーンに保持するため
の装置及びその方法に関するものである。この光素子を
ウィンドウ又はミラーとすることができる。
の装置及びその方法に関するものである。この光素子を
ウィンドウ又はミラーとすることができる。
発明の背景 レーザは多くの異なる目的に使用される。レーザは、
特定の波長のエネルギー放射を供給するので有利であ
る。このエネルギー放射は、他の放射源によって生成さ
れる放射と比較して、かなり鋭い指向性を有している点
で有利である。レーザは、医療の分野を含むかなり広い
分野で効果的に使用されてきた。例えば、医療の分野で
は、集束した大きな振幅のエネルギーを供給し、眼の中
の種々の構成要素を溶かし、患者の眼の剥離した網膜及
び破れた網膜を修理するのに使用されていた。また、レ
ーザは、集積回路のチップの製造にも使用されていた。
さらに、レーザは、光ファイバーの継ぎ目の効率を試験
するためにも使用されていた。
特定の波長のエネルギー放射を供給するので有利であ
る。このエネルギー放射は、他の放射源によって生成さ
れる放射と比較して、かなり鋭い指向性を有している点
で有利である。レーザは、医療の分野を含むかなり広い
分野で効果的に使用されてきた。例えば、医療の分野で
は、集束した大きな振幅のエネルギーを供給し、眼の中
の種々の構成要素を溶かし、患者の眼の剥離した網膜及
び破れた網膜を修理するのに使用されていた。また、レ
ーザは、集積回路のチップの製造にも使用されていた。
さらに、レーザは、光ファイバーの継ぎ目の効率を試験
するためにも使用されていた。
レーザは、そのキャビティの対向する端部に光素子を
設けることもできる。この光素子は、ミラー又はウィン
ドウを構成する。光素子がウィンドウを構成する場合に
は、一般的に、一方の端部におけるウィンドウの外側の
ミラーが全ての放射を反射し、他方の端部におけるウィ
ンドウの外側のミラーが放射の大部分を反射し、その残
りを通過させる。その代わりに、ウィンドウをキャビテ
ィの両端部に設けるとともに、そのウィンドウを所定の
材料でコーティングし、放射の一部又は全部を反射させ
るようにすることができる。このようにして、キャビテ
ィ内に生成される放射は、ミラーによる順次の反射で増
幅されるとともに、各反射の周期で、一方のウィンドウ
を介して、放射の一部が出力される。このような光素子
を通過する放射は、上記のような分野で使用される。
設けることもできる。この光素子は、ミラー又はウィン
ドウを構成する。光素子がウィンドウを構成する場合に
は、一般的に、一方の端部におけるウィンドウの外側の
ミラーが全ての放射を反射し、他方の端部におけるウィ
ンドウの外側のミラーが放射の大部分を反射し、その残
りを通過させる。その代わりに、ウィンドウをキャビテ
ィの両端部に設けるとともに、そのウィンドウを所定の
材料でコーティングし、放射の一部又は全部を反射させ
るようにすることができる。このようにして、キャビテ
ィ内に生成される放射は、ミラーによる順次の反射で増
幅されるとともに、各反射の周期で、一方のウィンドウ
を介して、放射の一部が出力される。このような光素子
を通過する放射は、上記のような分野で使用される。
あるタイプのレーザは、レーザ内で放電が発生した時
に反応するような化学元素を使用する。例えば、水素及
び塩素を反応させて塩化水素を生成することができる。
レーザ内に放電が発生した時に、クリプトン及びフッ素
を反応させてフッ化クリプトンを生成することができ
る。このような化学反応によって、ガスの特性に依存す
る特定波長の多量のエネルギーが発生する。
に反応するような化学元素を使用する。例えば、水素及
び塩素を反応させて塩化水素を生成することができる。
レーザ内に放電が発生した時に、クリプトン及びフッ素
を反応させてフッ化クリプトンを生成することができ
る。このような化学反応によって、ガスの特性に依存す
る特定波長の多量のエネルギーが発生する。
放電を利用するレーザにも幾つかの欠点がある。一つ
の欠点は、電極の浸食によって望ましくない粒子が生成
し得ることである。これらの粒子はデブリス（ゴミ:deb
ris）とみなされる。このデブリスは、光素子の方向に
移動する傾向にあり、これによって光素子を汚してしま
う。光素子が汚れると、レーザの動作効率が低下する。
の欠点は、電極の浸食によって望ましくない粒子が生成
し得ることである。これらの粒子はデブリス（ゴミ:deb
ris）とみなされる。このデブリスは、光素子の方向に
移動する傾向にあり、これによって光素子を汚してしま
う。光素子が汚れると、レーザの動作効率が低下する。
このような問題点が存在していた。従来より、この問
題点を解消するための試みがなされた。例えば、他のソ
ースからのガスを光素子の表面の方向に方向付け、当該
表面を通過させ、デブリスが光素子に到達しないように
していた。このようなシステムは、日本の出願公告特公
昭60（1985年）−26312（特願昭52（1977年）−75198）
に開示されている。この試みは、上記問題点を解消する
上で部分的に有効であった。しかし、かなりの量のデブ
リスが、以前として光素子に到達していた。この問題点
は、レーザ動作における性能が向上すると共に、製品寿
命の寿命が延びたために更に深刻化した。
題点を解消するための試みがなされた。例えば、他のソ
ースからのガスを光素子の表面の方向に方向付け、当該
表面を通過させ、デブリスが光素子に到達しないように
していた。このようなシステムは、日本の出願公告特公
昭60（1985年）−26312（特願昭52（1977年）−75198）
に開示されている。この試みは、上記問題点を解消する
上で部分的に有効であった。しかし、かなりの量のデブ
リスが、以前として光素子に到達していた。この問題点
は、レーザ動作における性能が向上すると共に、製品寿
命の寿命が延びたために更に深刻化した。
上記装置の動作の非効率性は、３倍化される。
1.ウィンドウなどの光素子の表面を通過するガスは、必
しもクリーンであるとは限らない。一般的に、このガス
は、光素子の表面に送られる以前にデブリスを取り除く
ためにフィルタ装置を介在させる。しかし、このような
デブリスのフィルタ処理は、デブリスを取り除くのに必
ずしも効果的ではなかった。デブリスの光素子への移動
を妨げようとしても、ガスは光素子に沿って移動するた
め、光素子にデブリスを堆積させ易い。デブリスの光素
子への堆積速度は、抑制されるのではなく、むしろ実際
には増加してしまう。
しもクリーンであるとは限らない。一般的に、このガス
は、光素子の表面に送られる以前にデブリスを取り除く
ためにフィルタ装置を介在させる。しかし、このような
デブリスのフィルタ処理は、デブリスを取り除くのに必
ずしも効果的ではなかった。デブリスの光素子への移動
を妨げようとしても、ガスは光素子に沿って移動するた
め、光素子にデブリスを堆積させ易い。デブリスの光素
子への堆積速度は、抑制されるのではなく、むしろ実際
には増加してしまう。
2.ガスをクリーンにするために使用されるフィルタは、
帯電したガスを生成し得る。このような電荷は、光素子
の表面の方向に送られる。光素子の電荷は、デブリスな
どの望ましくない粒子を引き寄せ、保持する傾向にあ
る。
帯電したガスを生成し得る。このような電荷は、光素子
の表面の方向に送られる。光素子の電荷は、デブリスな
どの望ましくない粒子を引き寄せ、保持する傾向にあ
る。
3.ガスをクリーンにするために使用されるフィルタの数
種類は、加熱又は冷却トラップ素子を使用するものであ
る。この素子は、ウィンドウなどの光素子の表面に送ら
れるガスの温度を上昇又は低下させる。この温度差によ
って光素子に応力が生じ、その光特性を変化させ、光素
子の動作効率を低下させる。
種類は、加熱又は冷却トラップ素子を使用するものであ
る。この素子は、ウィンドウなどの光素子の表面に送ら
れるガスの温度を上昇又は低下させる。この温度差によ
って光素子に応力が生じ、その光特性を変化させ、光素
子の動作効率を低下させる。
上記問題点は、長い間認識され続け、これらの問題点
を解消するための多くの試みがなされたにもかかわら
ず、依然として存在している。
を解消するための多くの試みがなされたにもかかわら
ず、依然として存在している。
本発明の概要 レーザキャビティ内の第１ガスは、エネルギー放射を
生成するための１つのステップとして、キャビティ内の
放電によってイオン化される。（粒子化された）デブリ
スは、エネルギー放射の間に生成される。エネルギー放
射及びデブリスは、キャビティ内を光素子の方向へ移動
する。光素子をウィンドウ又はミラーとすることができ
る。デブリスは、光素子を含むキャビティ内の任意の場
所に堆積し易くなり、光素子を汚す。このことによっ
て、レーザ動作の効率が低下する。
生成するための１つのステップとして、キャビティ内の
放電によってイオン化される。（粒子化された）デブリ
スは、エネルギー放射の間に生成される。エネルギー放
射及びデブリスは、キャビティ内を光素子の方向へ移動
する。光素子をウィンドウ又はミラーとすることができ
る。デブリスは、光素子を含むキャビティ内の任意の場
所に堆積し易くなり、光素子を汚す。このことによっ
て、レーザ動作の効率が低下する。
光素子から離隔した位置で、クリーンなガスが、通路
を介してキャビティ内に供給される。その後、クリーン
なガスは、前記通路よりもさらに光素子から離隔したオ
リフィスを介して、前記キャビティ内を通過する。第１
ガスがオリフィスを通ることによって、ベンチュリ（ve
nturi）効果がクリーンガスに生じ、クリーンガスが光
素子から遠ざかるように移動することが保証される。こ
のようにして、クリーンガスによって、第１ガス及びデ
ブリスが光素子の方に移動しないようにすることができ
る。
を介してキャビティ内に供給される。その後、クリーン
なガスは、前記通路よりもさらに光素子から離隔したオ
リフィスを介して、前記キャビティ内を通過する。第１
ガスがオリフィスを通ることによって、ベンチュリ（ve
nturi）効果がクリーンガスに生じ、クリーンガスが光
素子から遠ざかるように移動することが保証される。こ
のようにして、クリーンガスによって、第１ガス及びデ
ブリスが光素子の方に移動しないようにすることができ
る。
キャビティ内の通路とオリフィスとの間にバッフルを
設け、第１ガスのオリフィスから光素子方向への移動に
不規則性をもたせ、デブリスの光素子方向への移動を更
に抑制することができる。また、キャビティ内の通路と
光素子との間にバッフルを設けることによっても、光素
子方向へのガスの移動を抑制することができる。通路に
電気的にアースされたスクリーンを設け、クリーンガス
内に存在するすべてのイオンを引き寄せることができ
る。
設け、第１ガスのオリフィスから光素子方向への移動に
不規則性をもたせ、デブリスの光素子方向への移動を更
に抑制することができる。また、キャビティ内の通路と
光素子との間にバッフルを設けることによっても、光素
子方向へのガスの移動を抑制することができる。通路に
電気的にアースされたスクリーンを設け、クリーンガス
内に存在するすべてのイオンを引き寄せることができ
る。
図面の簡単な説明 図１は、従来より良く知られたレーザの所定の構造を
示す略図であり、 図２は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又は
ミラーなどの光素子をクリーニングするための従来の装
置を示す略図であり、 図３は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又は
ミラーなどの光素子をクリーニングするための本発明の
一例を示す略図であり、 図４は、アーノド及びカソードと、アノードとカソー
ドとの間の放電とを示す略図である。
示す略図であり、 図２は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又は
ミラーなどの光素子をクリーニングするための従来の装
置を示す略図であり、 図３は、図１に示すレーザシステムのウィンドウ又は
ミラーなどの光素子をクリーニングするための本発明の
一例を示す略図であり、 図４は、アーノド及びカソードと、アノードとカソー
ドとの間の放電とを示す略図である。
本発明の詳細な説明 図１及び図４に示すレーザシステムは、従来より良く
知られたものである。当該レーザシステムは、レーザ放
電ハウジング10と、当該ハウジング内のキャビティの対
向する端部に配置されたミラー又はウィンドウなどの光
素子11とを備えている。光素子11を、光などのエネルギ
ーを通過させるウィンドウ、又はコーティングされ、エ
ネルギーを部分的又は完全に通過させるミラーとするこ
とができる。光素子11がウィンドウを構成する場合、ミ
ラーはキャビティの外に配置され、部分的または完全に
エネルギーを反射する。放電12は、図４のカソード13と
アノード14との間に周期的に供給される電圧パルスによ
って、光素子11間に生じる。図１及び図４に参照番号12
として略図的に示されている放電12は、アノード13とカ
ソード14との間に電圧パルスを加えることによって発生
する。
知られたものである。当該レーザシステムは、レーザ放
電ハウジング10と、当該ハウジング内のキャビティの対
向する端部に配置されたミラー又はウィンドウなどの光
素子11とを備えている。光素子11を、光などのエネルギ
ーを通過させるウィンドウ、又はコーティングされ、エ
ネルギーを部分的又は完全に通過させるミラーとするこ
とができる。光素子11がウィンドウを構成する場合、ミ
ラーはキャビティの外に配置され、部分的または完全に
エネルギーを反射する。放電12は、図４のカソード13と
アノード14との間に周期的に供給される電圧パルスによ
って、光素子11間に生じる。図１及び図４に参照番号12
として略図的に示されている放電12は、アノード13とカ
ソード14との間に電圧パルスを加えることによって発生
する。
ブロワ18をハウジング10内に配置し、クリプトン及び
フッ素などの好適なガスを、光素子11間の形象的な線に
対して垂直な方向に送る。ガス17は、放電12の領域外に
存在するように図示されているが、放電領域内にもガス
が存在することは明らかである。ガス17は、放電によっ
てイオン化され、化学的に反応し、エクサイマー（exci
mer）範囲内などの特定の波長で放射を発生する。これ
らのガスは、この放電によって加熱される。この加熱さ
れたガスは、ハウジング内の熱交換器20によって冷却さ
れる。
フッ素などの好適なガスを、光素子11間の形象的な線に
対して垂直な方向に送る。ガス17は、放電12の領域外に
存在するように図示されているが、放電領域内にもガス
が存在することは明らかである。ガス17は、放電によっ
てイオン化され、化学的に反応し、エクサイマー（exci
mer）範囲内などの特定の波長で放射を発生する。これ
らのガスは、この放電によって加熱される。この加熱さ
れたガスは、ハウジング内の熱交換器20によって冷却さ
れる。
デブリス（くず:debris）が、領域12内のレーザの放
電及び電極の浸食によって形成される。デブリスは微粒
子の形態をしている。デブリスは、光素子11の方へ移動
し、当該光素子を汚す。一方の光素子11は、当該光素子
にあたる放射を部分的に通過させると共に、当該放射の
他の部分をキャビティ内に反射する場合、ミラーとウィ
ンドウとを兼ね備えているとみなされる。
電及び電極の浸食によって形成される。デブリスは微粒
子の形態をしている。デブリスは、光素子11の方へ移動
し、当該光素子を汚す。一方の光素子11は、当該光素子
にあたる放射を部分的に通過させると共に、当該放射の
他の部分をキャビティ内に反射する場合、ミラーとウィ
ンドウとを兼ね備えているとみなされる。
ここに記載の構造は、1990年９月25日にロバート ピ
ー．アキンズ（Robert P.Akins）、ドナルド ジー．
ラーソン（Donald G.Larson）、ウディ ケイ セング
プタ（Uday K Sengupta）及びリチャード エル．サン
ドストロム（Richard L.Sandstrom）に発行され、本出
願人の譲受人に譲渡された米国特許番号4,959,840「レ
ーザのウォールに対して絶縁され取り付けられた電極を
備えているコンパクト・エクサイマー・レーザ（Compac
t Excimer Laser Including An Electrode Mounted in
Insulating Relationship to Wall of Laser）」に更に
詳細に開示されている。米国特許番号4,959,840の開示
内容は、レファレンスとして本願の内容の一部とする。
ー．アキンズ（Robert P.Akins）、ドナルド ジー．
ラーソン（Donald G.Larson）、ウディ ケイ セング
プタ（Uday K Sengupta）及びリチャード エル．サン
ドストロム（Richard L.Sandstrom）に発行され、本出
願人の譲受人に譲渡された米国特許番号4,959,840「レ
ーザのウォールに対して絶縁され取り付けられた電極を
備えているコンパクト・エクサイマー・レーザ（Compac
t Excimer Laser Including An Electrode Mounted in
Insulating Relationship to Wall of Laser）」に更に
詳細に開示されている。米国特許番号4,959,840の開示
内容は、レファレンスとして本願の内容の一部とする。
図２は、デブリスが一方の光素子11の方へ移動するの
を防ぐためのシステムを略図的に示す図である。当該シ
ステムは、ハウジング10内で光素子11と接触して配置さ
れたショルダー32を備えている。フィンガー34は、光素
子11とわずかに離隔してショルダー32よりも内側に配置
され、分配マニホールド31及びオリフィス36を形成す
る。管路38を通過するガスは、マニホールド31へ移さ
れ、オリフィス36を介して、光素子またはミラー11の表
面に向けられる。その後、ガスはチャネル40を介して光
素子11から遠ざかる。
を防ぐためのシステムを略図的に示す図である。当該シ
ステムは、ハウジング10内で光素子11と接触して配置さ
れたショルダー32を備えている。フィンガー34は、光素
子11とわずかに離隔してショルダー32よりも内側に配置
され、分配マニホールド31及びオリフィス36を形成す
る。管路38を通過するガスは、マニホールド31へ移さ
れ、オリフィス36を介して、光素子またはミラー11の表
面に向けられる。その後、ガスはチャネル40を介して光
素子11から遠ざかる。
管路38を移動するガスが完全にクリーンならば、図２
に示し且つ上記のように説明したシステムは有効であ
る。しかしながら、ガスは決して完全にクリーンではな
い。このため、従来のシステムは、光素子11を実際には
汚し易いという欠点を有している。これは、デブリスが
光素子11の方へ移動し、光素子11を通り過ぎることによ
って生じるものである。このため、このデブリスの一部
が光素子11に堆積する。
に示し且つ上記のように説明したシステムは有効であ
る。しかしながら、ガスは決して完全にクリーンではな
い。このため、従来のシステムは、光素子11を実際には
汚し易いという欠点を有している。これは、デブリスが
光素子11の方へ移動し、光素子11を通り過ぎることによ
って生じるものである。このため、このデブリスの一部
が光素子11に堆積する。
従来のシステムには、更に大きな欠点がある。フィル
タを使用し、オリフィス38を移動するガスをクリーンに
する場合、フィルタを使用することによってガスに電荷
が発生する場合がある。ガスが光素子11に向かって移動
し、光素子を通り過ぎるので、この電荷はガスによって
光素子11に運ばれる。光素子の電荷は、デブリスを引き
つけ、保持する傾向にある。従来技術では、このような
電荷が光素子11に運ばれた際に、このような電荷を除去
し、デブリスがこの電荷によって引きつけられないよう
にする試みはなされなかった。
タを使用し、オリフィス38を移動するガスをクリーンに
する場合、フィルタを使用することによってガスに電荷
が発生する場合がある。ガスが光素子11に向かって移動
し、光素子を通り過ぎるので、この電荷はガスによって
光素子11に運ばれる。光素子の電荷は、デブリスを引き
つけ、保持する傾向にある。従来技術では、このような
電荷が光素子11に運ばれた際に、このような電荷を除去
し、デブリスがこの電荷によって引きつけられないよう
にする試みはなされなかった。
管路38が光素子11に比較的接近しているので、デブリ
スを捕らえる能力を高めるためにフイルタを加熱又は冷
却する際に発生する熱によって光素子に応力がかかり易
くなる。したがって、フィルタは、フィルタを通過する
ガスを加熱又は冷却する。この加熱又は冷却されたガス
は、光素子11に向かって移動し、通過する際に、光素子
11を順次加熱又は冷却する。この加熱又は冷却によっ
て、光素子11に応力が加わり、光素子の光特性を歪ませ
る。この結果、光素子11の動作効率を低下させることと
なる。
スを捕らえる能力を高めるためにフイルタを加熱又は冷
却する際に発生する熱によって光素子に応力がかかり易
くなる。したがって、フィルタは、フィルタを通過する
ガスを加熱又は冷却する。この加熱又は冷却されたガス
は、光素子11に向かって移動し、通過する際に、光素子
11を順次加熱又は冷却する。この加熱又は冷却によっ
て、光素子11に応力が加わり、光素子の光特性を歪ませ
る。この結果、光素子11の動作効率を低下させることと
なる。
本発明は、上記欠点を解消するシステムを提供するも
のである。当該システムを図３に示す。本発明の一例で
は、参照番号50にて示す装置は、通路54を介してガスを
チャネル52に送る。通路54は、ウィンドウ又はミラーな
どの光素子56から離隔しており、チャネル52と連絡して
いる。通路54はハウジング58内に配置される。当該ハウ
ジング58は、光素子56を収容するためのショルダー60を
備えている。光素子56は、ハウジング58内でショルダー
60にぴったりと配置されることが好ましい。管状部材61
は、ハウジング58の内部に配置され、チャネル52を形成
する。
のである。当該システムを図３に示す。本発明の一例で
は、参照番号50にて示す装置は、通路54を介してガスを
チャネル52に送る。通路54は、ウィンドウ又はミラーな
どの光素子56から離隔しており、チャネル52と連絡して
いる。通路54はハウジング58内に配置される。当該ハウ
ジング58は、光素子56を収容するためのショルダー60を
備えている。光素子56は、ハウジング58内でショルダー
60にぴったりと配置されることが好ましい。管状部材61
は、ハウジング58の内部に配置され、チャネル52を形成
する。
阻流板（バッフル:baffle）62をチャネル52に設け
る。いくつかのバッフル62を、通路54と、内側向きのリ
ップ64との間に配置することができる。リップ64は、管
状部材61に配置され、通路54よりも更に光素子56から離
れて配置される。内側向きのリップ64は、オリフィス65
を形成する。他のバッフル68を通路54と光素子56との間
に配置することができる。スクリーン66を、通路54に沿
って配置すると共に、電気的に接地することもできる。
バッフル62及び68と、スクリーン66とは、管状部材61に
よって支持されている。
る。いくつかのバッフル62を、通路54と、内側向きのリ
ップ64との間に配置することができる。リップ64は、管
状部材61に配置され、通路54よりも更に光素子56から離
れて配置される。内側向きのリップ64は、オリフィス65
を形成する。他のバッフル68を通路54と光素子56との間
に配置することができる。スクリーン66を、通路54に沿
って配置すると共に、電気的に接地することもできる。
バッフル62及び68と、スクリーン66とは、管状部材61に
よって支持されている。
クリーンなガスは、通路54を介してチャネル52を通
り、その後、当該チャネル52を介して光素子56から遠ざ
かる方向に流れる。チャネル52を介しての光素子56から
遠ざかる方向へのガスの流れは、図１の領域12に相当す
る放電領域内のデブリスを有するガスの流れによって作
り出されるベンチュリ（venturi）効果によって促進さ
れる。デブリスを有するガスが、図３のオリフィス65を
通るので、ベンチュリ効果が生じる。
り、その後、当該チャネル52を介して光素子56から遠ざ
かる方向に流れる。チャネル52を介しての光素子56から
遠ざかる方向へのガスの流れは、図１の領域12に相当す
る放電領域内のデブリスを有するガスの流れによって作
り出されるベンチュリ（venturi）効果によって促進さ
れる。デブリスを有するガスが、図３のオリフィス65を
通るので、ベンチュリ効果が生じる。
通路54が光素子56から離隔しているので、通路54を介
してのガスの流れは、ウィンドウと接触していない。こ
のことによって、ガス中のゴミ又はデブリスが光素子56
と接触することを防ぎ、光素子が汚れないようにするこ
とができる。更に、ガスの流れが光素子56から遠ざかる
方向なので、チャネル52内のデブリス又は荷電粒子が光
素子の方へ移動しない。ガスは、通路54を介して流れる
ので、スクリーン66を通過する。スクリーン66が接地さ
れているので、ガスの流れの中の全ての荷電粒子がスク
リーン66によって引きつけられ、取り除かれる。荷電粒
子を除去することによって、光素子56が帯電することを
防ぐことができる。
してのガスの流れは、ウィンドウと接触していない。こ
のことによって、ガス中のゴミ又はデブリスが光素子56
と接触することを防ぎ、光素子が汚れないようにするこ
とができる。更に、ガスの流れが光素子56から遠ざかる
方向なので、チャネル52内のデブリス又は荷電粒子が光
素子の方へ移動しない。ガスは、通路54を介して流れる
ので、スクリーン66を通過する。スクリーン66が接地さ
れているので、ガスの流れの中の全ての荷電粒子がスク
リーン66によって引きつけられ、取り除かれる。荷電粒
子を除去することによって、光素子56が帯電することを
防ぐことができる。
通路54からのガスの流れが光素子56から離れているの
で、気体の如何なる加熱及び冷却も、光が光素子と接触
している領域内で、光素子と接触しない。このことは、
スクリーン66が加熱又は冷却された場合であっても同様
である。このため、光素子56は加熱されず、従って、光
素子には応力が加わらない。光素子56に応力が加わらな
いので、光素子の光特性が維持される。
で、気体の如何なる加熱及び冷却も、光が光素子と接触
している領域内で、光素子と接触しない。このことは、
スクリーン66が加熱又は冷却された場合であっても同様
である。このため、光素子56は加熱されず、従って、光
素子には応力が加わらない。光素子56に応力が加わらな
いので、光素子の光特性が維持される。
バッフル62も、デブリスが光素子56に移動するのを防
ぐための手段である。通路54とオリフィス65との間のバ
ッフル62は、通路54からチャネル52を介してのガスの流
れ、及びデブリスを伴うガスの光素子56の方への流れに
乱流を作り出す。この乱流によって、デブリスが光素子
56の方に移動することを防ぐことができる。通路54と光
素子56との間のバッフル68も、通路54からのガスの流れ
に乱流を作りだし、このようなガスが光素子56の方へ移
動しないようにしている。
ぐための手段である。通路54とオリフィス65との間のバ
ッフル62は、通路54からチャネル52を介してのガスの流
れ、及びデブリスを伴うガスの光素子56の方への流れに
乱流を作り出す。この乱流によって、デブリスが光素子
56の方に移動することを防ぐことができる。通路54と光
素子56との間のバッフル68も、通路54からのガスの流れ
に乱流を作りだし、このようなガスが光素子56の方へ移
動しないようにしている。
本発明を特定の実施例について説明したが、本発明の
原理が他の種々の実施例において使用できることは当業
者にとって明らかである。
原理が他の種々の実施例において使用できることは当業
者にとって明らかである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−228691（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−42188（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−152030（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−132582（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251792（ＪＰ，Ａ) 米国特許4959840（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 3/03 - 3/086 H01S 3/22 - 3/227
Claims (3)
- 【請求項１】レーザハウジングと、 上記レーザハウジング内に配置された電極組立体と、 上記レーザハウジング内にあって、上記電極組立体によ
りイオン化することのできる第１のガスであって、イオ
ン化された第１のガスが放射を発生するような第１のガ
スと、 上記レーザハウジングに接続され、上記放射を受け取る
光素子と、 上記レーザハウジングに接続され、上記光素子に近位で
あるバッフル組立体とを備え、上記バッフル組立体は周
囲に配置された少なくとも１つのオリフィスを有し、上
記少なくとも１つのオリフィスは前記光素子から変位
し、上記バッフル組立体の端部から変位し、 前記レーザハウジング内に配置され、上記少なくとも１
つのオリフィスに近位である接地されたスクリーンとを
備え、上記接地されたスクリーンは、帯電した粒子を第
２のガスから引きつけ且つ除去し、 上記レーザハウジングに接続されたガス入口とを備え、 このガス入口及び少なくとも１つのオリフィスを通して
第２のガスが上記レーザハウジングへと流れ込み、上記
第２のガスは上記光素子から離れる方向に流れ、この第
２のガスの流れは、上記光素子に向かってデブリスが流
れるのを防止し、上記バッフル組立体及び上記少なくと
も１つのオリフィスは上記第２のガスに乱れを生じさ
せ、上記乱れはデブリスが上記光素子の方向に流れるの
を更に防止する、ことを特徴とするレーザ装置。 - 【請求項２】上記バッフル組立体及び上記少なくとも１
つのオリフィスは、このオリフィスを通過する上記第２
のガスにベンチュリ効果を生じさせる請求項１に記載の
レーザ装置。 - 【請求項３】デブリスがレーザハウジング内の光素子と
衝突するのを防止する方法において、 上記光素子に近位するバッフル組立体において周囲に配
置された少なくとも１つのオリフィスを介してレーザハ
ウジングにガスの流れを向け、 上記ガスは、上記光素子から離れる方向に流れて、デブ
リスが上記光素子に衝突するのを防止し、 上記の少なくとも１つのオリフィスを介して上記ガスが
流れる直前に、スクリーンによりデブリスを上記ガスか
ら電気的に引きつけ且つ除去し、 上記光素子から変位した領域における上記ガスの流れに
対して乱れを提供することによって上記ガスの流れのデ
ブリス防止作用を高め、上記乱れは上記バッフル組立体
と、上記少なくとも１つのオリフィスを介する上記ガス
の流れとによって生じさせられる、 という段階を備えたことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US975,385 | 1992-11-12 | ||
| US07/975,385 US5359620A (en) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser |
| PCT/US1993/010191 WO1994011931A1 (en) | 1992-11-12 | 1993-10-25 | Apparatus for, and method of, maintaining a clean window in a laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08505005A JPH08505005A (ja) | 1996-05-28 |
| JP3103595B2 true JP3103595B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=25522974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06512106A Expired - Fee Related JP3103595B2 (ja) | 1992-11-12 | 1993-10-25 | レーザのクリーンウィンドウ維持装置及びその方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5359620A (ja) |
| EP (1) | EP0669047B1 (ja) |
| JP (1) | JP3103595B2 (ja) |
| CA (1) | CA2149215C (ja) |
| DE (1) | DE69323211T2 (ja) |
| SG (1) | SG54129A1 (ja) |
| WO (1) | WO1994011931A1 (ja) |
Families Citing this family (95)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729564A (en) * | 1996-07-31 | 1998-03-17 | Visx, Incorporated | Electrostatic precipitator for a gas discharge laser |
| US6019575A (en) * | 1997-09-12 | 2000-02-01 | United Technologies Corporation | Erosion energy dissipater |
| DE29716875U1 (de) * | 1997-09-19 | 1997-11-20 | TUI Laser AG, 82166 Gräfelfing | Excimerlaser |
| US20020127497A1 (en) * | 1998-09-10 | 2002-09-12 | Brown Daniel J. W. | Large diffraction grating for gas discharge laser |
| US6567450B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-05-20 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
| US6865210B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-03-08 | Cymer, Inc. | Timing control for two-chamber gas discharge laser system |
| US6801560B2 (en) | 1999-05-10 | 2004-10-05 | Cymer, Inc. | Line selected F2 two chamber laser system |
| US7856044B2 (en) | 1999-05-10 | 2010-12-21 | Cymer, Inc. | Extendable electrode for gas discharge laser |
| US6625191B2 (en) * | 1999-12-10 | 2003-09-23 | Cymer, Inc. | Very narrow band, two chamber, high rep rate gas discharge laser system |
| US6904073B2 (en) * | 2001-01-29 | 2005-06-07 | Cymer, Inc. | High power deep ultraviolet laser with long life optics |
| US6690706B2 (en) * | 2000-06-09 | 2004-02-10 | Cymer, Inc. | High rep-rate laser with improved electrodes |
| US7132123B2 (en) * | 2000-06-09 | 2006-11-07 | Cymer, Inc. | High rep-rate laser with improved electrodes |
| US7180081B2 (en) * | 2000-06-09 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | Discharge produced plasma EUV light source |
| US6711202B2 (en) * | 2000-06-09 | 2004-03-23 | Cymer, Inc. | Discharge laser with porous insulating layer covering anode discharge surface |
| US6914919B2 (en) * | 2000-06-19 | 2005-07-05 | Cymer, Inc. | Six to ten KHz, or greater gas discharge laser system |
| US6693939B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-02-17 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
| US6839372B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-01-04 | Cymer, Inc. | Gas discharge ultraviolet laser with enclosed beam path with added oxidizer |
| US6912052B2 (en) * | 2000-11-17 | 2005-06-28 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US20050025882A1 (en) * | 2001-01-29 | 2005-02-03 | Partlo William N. | Optical elements with protective undercoating |
| US7190707B2 (en) * | 2001-01-29 | 2007-03-13 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser light source beam delivery unit |
| US6704339B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-09 | Cymer, Inc. | Lithography laser with beam delivery and beam pointing control |
| US6704340B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-09 | Cymer, Inc. | Lithography laser system with in-place alignment tool |
| US7230965B2 (en) * | 2001-02-01 | 2007-06-12 | Cymer, Inc. | Anodes for fluorine gas discharge lasers |
| US6690704B2 (en) | 2001-04-09 | 2004-02-10 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7079564B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-07-18 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7039086B2 (en) * | 2001-04-09 | 2006-05-02 | Cymer, Inc. | Control system for a two chamber gas discharge laser |
| US7230964B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-06-12 | Cymer, Inc. | Lithography laser with beam delivery and beam pointing control |
| US7167499B2 (en) * | 2001-04-18 | 2007-01-23 | Tcz Pte. Ltd. | Very high energy, high stability gas discharge laser surface treatment system |
| US7009140B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-03-07 | Cymer, Inc. | Laser thin film poly-silicon annealing optical system |
| US7061959B2 (en) * | 2001-04-18 | 2006-06-13 | Tcz Gmbh | Laser thin film poly-silicon annealing system |
| US7439530B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US20050259709A1 (en) | 2002-05-07 | 2005-11-24 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
| US7598509B2 (en) | 2004-11-01 | 2009-10-06 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US6928093B2 (en) * | 2002-05-07 | 2005-08-09 | Cymer, Inc. | Long delay and high TIS pulse stretcher |
| US7465946B2 (en) | 2004-03-10 | 2008-12-16 | Cymer, Inc. | Alternative fuels for EUV light source |
| US7372056B2 (en) | 2005-06-29 | 2008-05-13 | Cymer, Inc. | LPP EUV plasma source material target delivery system |
| US7378673B2 (en) | 2005-02-25 | 2008-05-27 | Cymer, Inc. | Source material dispenser for EUV light source |
| US6768765B1 (en) * | 2001-06-07 | 2004-07-27 | Lambda Physik Ag | High power excimer or molecular fluorine laser system |
| EP1280246B1 (de) | 2001-07-25 | 2006-03-08 | TuiLaser AG | Gasentladungslaser |
| US7088758B2 (en) | 2001-07-27 | 2006-08-08 | Cymer, Inc. | Relax gas discharge laser lithography light source |
| US6963595B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-11-08 | Cymer, Inc. | Automatic gas control system for a gas discharge laser |
| US7830934B2 (en) * | 2001-08-29 | 2010-11-09 | Cymer, Inc. | Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing |
| US7095774B2 (en) * | 2001-09-13 | 2006-08-22 | Cymer, Inc. | Cathodes for fluorine gas discharge lasers |
| KR100940782B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2010-02-11 | 사이머 인코포레이티드 | 향상된 전극을 구비한 고반복률 레이저 |
| US7339973B2 (en) * | 2001-09-13 | 2008-03-04 | Cymer, Inc. | Electrodes for fluorine gas discharge lasers |
| US20050100072A1 (en) * | 2001-11-14 | 2005-05-12 | Rao Rajasekhar M. | High power laser output beam energy density reduction |
| US7671349B2 (en) * | 2003-04-08 | 2010-03-02 | Cymer, Inc. | Laser produced plasma EUV light source |
| US6798812B2 (en) | 2002-01-23 | 2004-09-28 | Cymer, Inc. | Two chamber F2 laser system with F2 pressure based line selection |
| US7301980B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-11-27 | Cymer, Inc. | Halogen gas discharge laser electrodes |
| US7016388B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-03-21 | Cymer, Inc. | Laser lithography light source with beam delivery |
| US7741639B2 (en) * | 2003-01-31 | 2010-06-22 | Cymer, Inc. | Multi-chambered excimer or molecular fluorine gas discharge laser fluorine injection control |
| US7217941B2 (en) | 2003-04-08 | 2007-05-15 | Cymer, Inc. | Systems and methods for deflecting plasma-generated ions to prevent the ions from reaching an internal component of an EUV light source |
| US7277188B2 (en) | 2003-04-29 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate |
| US7209507B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-04-24 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system |
| US6973112B2 (en) | 2003-07-31 | 2005-12-06 | Visx, Incorporated | Passive gas flow management and filtration device for use in an excimer or transverse discharge laser |
| US6873418B1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-29 | Cymer, Inc. | Optical mountings for gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US6894785B2 (en) * | 2003-09-30 | 2005-05-17 | Cymer, Inc. | Gas discharge MOPA laser spectral analysis module |
| US7277464B2 (en) * | 2003-12-18 | 2007-10-02 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system |
| US20060146906A1 (en) * | 2004-02-18 | 2006-07-06 | Cymer, Inc. | LLP EUV drive laser |
| US7196342B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US7522650B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-04-21 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser chamber improvements |
| US7006547B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-02-28 | Cymer, Inc. | Very high repetition rate narrow band gas discharge laser system |
| US20050286599A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Rafac Robert J | Method and apparatus for gas discharge laser output light coherency reduction |
| US7355191B2 (en) | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
| US7482609B2 (en) | 2005-02-28 | 2009-01-27 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| US20060222034A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Cymer, Inc. | 6 Khz and above gas discharge laser system |
| US7633989B2 (en) * | 2005-06-27 | 2009-12-15 | Cymer, Inc. | High pulse repetition rate gas discharge laser |
| US7180083B2 (en) | 2005-06-27 | 2007-02-20 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7317536B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Spectral bandwidth metrology for high repetition rate gas discharge lasers |
| US7141806B1 (en) | 2005-06-27 | 2006-11-28 | Cymer, Inc. | EUV light source collector erosion mitigation |
| US7365349B2 (en) | 2005-06-27 | 2008-04-29 | Cymer, Inc. | EUV light source collector lifetime improvements |
| US7653095B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-01-26 | Cymer, Inc. | Active bandwidth control for a laser |
| US7394083B2 (en) | 2005-07-08 | 2008-07-01 | Cymer, Inc. | Systems and methods for EUV light source metrology |
| US7706424B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-04-27 | Cymer, Inc. | Gas discharge laser system electrodes and power supply for delivering electrical energy to same |
| US20070071047A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Cymer, Inc. | 6K pulse repetition rate and above gas discharge laser system solid state pulse power system improvements |
| US7679029B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-03-16 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations |
| US7317179B2 (en) | 2005-10-28 | 2008-01-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate |
| US7453077B2 (en) | 2005-11-05 | 2008-11-18 | Cymer, Inc. | EUV light source |
| US7655925B2 (en) | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
| US7812329B2 (en) | 2007-12-14 | 2010-10-12 | Cymer, Inc. | System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus |
| JP5499432B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2014-05-21 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
| US8519366B2 (en) | 2008-08-06 | 2013-08-27 | Cymer, Inc. | Debris protection system having a magnetic field for an EUV light source |
| US7751453B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-06 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| US7756171B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-07-13 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| US7720120B2 (en) * | 2008-10-21 | 2010-05-18 | Cymer, Inc. | Method and apparatus for laser control in a two chamber gas discharge laser |
| JP5687488B2 (ja) | 2010-02-22 | 2015-03-18 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US9066412B2 (en) * | 2010-04-15 | 2015-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for cooling an optic |
| CN102769246A (zh) * | 2012-08-01 | 2012-11-07 | 山东能源机械集团大族再制造有限公司 | 一种二氧化碳激光器 |
| US9341752B2 (en) | 2012-11-07 | 2016-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Viewport protector for an extreme ultraviolet light source |
| US9497840B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-11-15 | Asml Netherlands B.V. | System and method for creating and utilizing dual laser curtains from a single laser in an LPP EUV light source |
| US9241395B2 (en) * | 2013-09-26 | 2016-01-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source |
| JP6031064B2 (ja) * | 2014-05-15 | 2016-11-24 | ファナック株式会社 | ガス循環式のレーザ発振装置 |
| CN105226484A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-01-06 | 成都微深科技有限公司 | 一种具有漏粒子收集装置的二氧化碳激光器 |
| WO2019112809A1 (en) * | 2017-12-05 | 2019-06-13 | Cymer, Llc | Nonwoven screens for dust trapping in laser discharge chambers |
| CN108418083A (zh) * | 2018-02-08 | 2018-08-17 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 一种用于激光器的窗口结构及准分子激光器 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3212928C2 (de) * | 1982-04-07 | 1984-01-26 | Lambda Physik GmbH, 3400 Göttingen | Entladungsgepumpter Laser |
| US4611327A (en) * | 1983-11-25 | 1986-09-09 | Amoco Corporation | Gas transport laser system |
| JPS6269575A (ja) * | 1985-09-21 | 1987-03-30 | Ushio Inc | ガスレ−ザ管の汚損防止装置 |
| US4737963A (en) * | 1986-01-03 | 1988-04-12 | Amada Engineering Service Co., Inc. | Laser tube for a laser generator |
| JPS6364377A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザ発振器 |
| JPS63108786A (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-13 | Hitachi Ltd | ガスレ−ザ発生装置 |
| JPH0714089B2 (ja) * | 1987-05-18 | 1995-02-15 | ファナック株式会社 | レ−ザ発振装置及びレ−ザ発振装置のレ−ザガスの封入方法 |
| US4959840A (en) * | 1988-01-15 | 1990-09-25 | Cymer Laser Technologies | Compact excimer laser including an electrode mounted in insulating relationship to wall of the laser |
| JPH02310978A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Hitachi Ltd | 金属蒸気レーザ装置 |
| CA2043512A1 (en) * | 1990-06-01 | 1991-12-02 | Mitsugu Terada | Gas laser apparatus |
-
1992
- 1992-11-12 US US07/975,385 patent/US5359620A/en not_active Expired - Lifetime
-
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