JPH0848775A - ポリアミド−イミド - Google Patents
ポリアミド−イミドInfo
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- JPH0848775A JPH0848775A JP17378695A JP17378695A JPH0848775A JP H0848775 A JPH0848775 A JP H0848775A JP 17378695 A JP17378695 A JP 17378695A JP 17378695 A JP17378695 A JP 17378695A JP H0848775 A JPH0848775 A JP H0848775A
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- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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- C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
- C08G73/14—Polyamide-imides
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 射出成形への使用に適当であり、200℃を
超える温度が生じる使用分野に用いることができる半結
晶質のポリアミド−イミド。 【解決手段】 Yはアリーレン基であり、R及びR′は
アルキレン基である下記式で示される繰返し単位を有す
るポリアミド−イミドにおいて、R及び/又はR′の少
なくとも50モル%がブチレン基である。 【化1】
超える温度が生じる使用分野に用いることができる半結
晶質のポリアミド−イミド。 【解決手段】 Yはアリーレン基であり、R及びR′は
アルキレン基である下記式で示される繰返し単位を有す
るポリアミド−イミドにおいて、R及び/又はR′の少
なくとも50モル%がブチレン基である。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、式:
【0002】
【化2】
【0003】〔式中、Yはアリーレン基を表わし、R及
びR′はアルキレン基を表わす〕で示される繰返し単位
を有するポリアミド−イミドに関する。
びR′はアルキレン基を表わす〕で示される繰返し単位
を有するポリアミド−イミドに関する。
【0004】
【従来の技術】このようなポリアミド−イミド及び該化
合物の製法は、米国特許第4066631号明細書から
公知である。
合物の製法は、米国特許第4066631号明細書から
公知である。
【0005】上記米国特許明細書に記載された実施例に
よって形成されたポリアミド−イミドは、非晶質であ
る。その非晶質の性質のために、該ポリアミド−イミド
は、多くの場合に透明フィルムに使用される。
よって形成されたポリアミド−イミドは、非晶質であ
る。その非晶質の性質のために、該ポリアミド−イミド
は、多くの場合に透明フィルムに使用される。
【0006】米国特許第4066631号明細書によっ
て形成されたポリアミド−イミドの欠点は、その非晶質
の性質のために、該化合物を射出成形への使用に用いる
ことが困難であることである。
て形成されたポリアミド−イミドの欠点は、その非晶質
の性質のために、該化合物を射出成形への使用に用いる
ことが困難であることである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、射出
成形に使用することができるポリアミド−イミドを得る
ことである。
成形に使用することができるポリアミド−イミドを得る
ことである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記式による
ポリアミド−イミド中のR及び/又はR′の少なくとも
50モル%がブチレン基であることによって特徴づけら
れる。このことによって、意外にも、半結晶質ポリアミ
ド−イミドが得られる。
ポリアミド−イミド中のR及び/又はR′の少なくとも
50モル%がブチレン基であることによって特徴づけら
れる。このことによって、意外にも、半結晶質ポリアミ
ド−イミドが得られる。
【0009】これにより、本発明によるポリアミド−イ
ミドは、射出成形への使用に対して著しく安定し、この
射出成形への使用の場合には、短い作業周期時間も可能
である。
ミドは、射出成形への使用に対して著しく安定し、この
射出成形への使用の場合には、短い作業周期時間も可能
である。
【0010】本発明によるポリアミド−イミドのさらな
る利点は、該化合物のより高い剛性及びより良好な耐溶
剤性である。
る利点は、該化合物のより高い剛性及びより良好な耐溶
剤性である。
【0011】本発明によるポリアミド−イミドは、例え
ば、次の連続する3段階で合成される: 1. 中間体ジイミド−二酸を形成するための、脂肪族
ジアミンと芳香族トリカルボン酸無水物とのモル比1:
2での縮合反応、 2. 例えば塩化チオニル(SOCl2)との反応によ
る、中間体ジイミド二酸塩化物への中間体ジイミド−二
酸の変換、 3. 所望のポリアミド−イミドを形成するための、中
間体ジイミド二酸塩化物と脂肪族ジアミンとの反応。必
要に応じて、例えば、少量の塩化ベンゾイルを連鎖停止
剤としてか又は上記ポリマーをブロックするために添加
してもよい。
ば、次の連続する3段階で合成される: 1. 中間体ジイミド−二酸を形成するための、脂肪族
ジアミンと芳香族トリカルボン酸無水物とのモル比1:
2での縮合反応、 2. 例えば塩化チオニル(SOCl2)との反応によ
る、中間体ジイミド二酸塩化物への中間体ジイミド−二
酸の変換、 3. 所望のポリアミド−イミドを形成するための、中
間体ジイミド二酸塩化物と脂肪族ジアミンとの反応。必
要に応じて、例えば、少量の塩化ベンゾイルを連鎖停止
剤としてか又は上記ポリマーをブロックするために添加
してもよい。
【0012】上記の合成方法は、米国特許第44066
631号明細書にも記載されている。
631号明細書にも記載されている。
【0013】別の合成方法は、いわゆるナイロン塩(nyl
on salt)の形成を経由するポリアミド−イミドの合成で
ある。このために先ずモル比1:2での脂肪族ジアミン
と芳香族トリカルボン酸無水物の縮合反応が実施され、
この縮合反応によって中間体ジイミド−二酸が得られ
る。引き続き、脂肪族ジアミンが、N−メチルピロリド
ン(NMP)中の、この中間体の二酸の溶液に添加さ
れ、かつ塩が沈殿する。この塩は、プレポリマーを形成
するために高沸点溶剤、例えばシクロヘキシルピロリド
ン中で240〜260℃で重合することができる。所望
のモル重量のポリアミド−イミドは、常法で、後縮合時
間及び温度の変化によって得られる。
on salt)の形成を経由するポリアミド−イミドの合成で
ある。このために先ずモル比1:2での脂肪族ジアミン
と芳香族トリカルボン酸無水物の縮合反応が実施され、
この縮合反応によって中間体ジイミド−二酸が得られ
る。引き続き、脂肪族ジアミンが、N−メチルピロリド
ン(NMP)中の、この中間体の二酸の溶液に添加さ
れ、かつ塩が沈殿する。この塩は、プレポリマーを形成
するために高沸点溶剤、例えばシクロヘキシルピロリド
ン中で240〜260℃で重合することができる。所望
のモル重量のポリアミド−イミドは、常法で、後縮合時
間及び温度の変化によって得られる。
【0014】脂肪族ジアミンとして、式: H2N-R-NH2 又は H2N-R′-NH2 〔式中、R及びR′は炭素原子2〜9個を有するアルキ
レン基を表わす〕で示されるジアミン及びジアミンの混
合物は、使用される。炭素原子2〜9個を有するアルキ
レン基の例は、エチレン基、ブチレン基、ペンチレン
基、ヘキシレン基及びノニレン基である。
レン基を表わす〕で示されるジアミン及びジアミンの混
合物は、使用される。炭素原子2〜9個を有するアルキ
レン基の例は、エチレン基、ブチレン基、ペンチレン
基、ヘキシレン基及びノニレン基である。
【0015】本発明によるポリアミド−イミドの場合に
は、R及び/又はR′の少なくとも50モル%は、線状
ブチレン基である。
は、R及び/又はR′の少なくとも50モル%は、線状
ブチレン基である。
【0016】有利にR及び/又はR′は、ブチレン基で
ある。
ある。
【0017】特に有利にR及びR′の両方がブチレン基
である。
である。
【0018】従って特に有利に、最初に記載した合成方
法の第1段階及び第3段階の両方の場合に、1,4−ジ
アミノブタンは、脂肪族ジアミンとして添加される。
法の第1段階及び第3段階の両方の場合に、1,4−ジ
アミノブタンは、脂肪族ジアミンとして添加される。
【0019】芳香族トリカルボン酸無水物として、式:
【0020】
【化3】
【0021】〔式中、Yはアリーレン基を表わしかつ少
なくとも2個のカルボキシル基でオルト位で置換されて
おり、その結果、無水物を形成することができる〕で示
される芳香族化合物は、使用される。
なくとも2個のカルボキシル基でオルト位で置換されて
おり、その結果、無水物を形成することができる〕で示
される芳香族化合物は、使用される。
【0022】芳香族トリカルボン酸無水物は、炭素原子
9〜20個を有する。
9〜20個を有する。
【0023】アリーレン基Yは、場合によっては置換さ
れていてもよく、かつ例えばフェニレン基、トリレン
基、キシリレン基、ナフチレン基又はビフェニレン基で
ある。
れていてもよく、かつ例えばフェニレン基、トリレン
基、キシリレン基、ナフチレン基又はビフェニレン基で
ある。
【0024】有利にYは、フェニレン基である。有利に
使用される芳香族トリカルボン酸無水物は、トリメリッ
ト酸無水物である。
使用される芳香族トリカルボン酸無水物は、トリメリッ
ト酸無水物である。
【0025】さらに、本発明によるポリアミド−イミド
は、常用の添加剤、例えば繊維、充填剤、核剤、可塑
剤、難燃剤、安定剤及び耐衝撃性改良剤を含有していて
もよい。
は、常用の添加剤、例えば繊維、充填剤、核剤、可塑
剤、難燃剤、安定剤及び耐衝撃性改良剤を含有していて
もよい。
【0026】著しく改善された性質のため、本発明によ
ポリアミド−イミドは、著しく広い範囲の使用、例えば
射出成形への使用、構造用成形品、フィルム、被覆及び
繊維に適当である。これらは有利に、200℃を超える
温度が生じる使用分野、例えば、260℃を超える温度
でロウ付けされる電気及び電子関係の使用のためのコネ
クタ、高い温度に耐えることができなければならないエ
レクトロニクスの絶縁フィルム、高温ガス用の隔膜、柔
軟印刷回路基板、断熱衣料用の繊維及び自動車のエンジ
ンルームのための射出成形への使用に用いられる。
ポリアミド−イミドは、著しく広い範囲の使用、例えば
射出成形への使用、構造用成形品、フィルム、被覆及び
繊維に適当である。これらは有利に、200℃を超える
温度が生じる使用分野、例えば、260℃を超える温度
でロウ付けされる電気及び電子関係の使用のためのコネ
クタ、高い温度に耐えることができなければならないエ
レクトロニクスの絶縁フィルム、高温ガス用の隔膜、柔
軟印刷回路基板、断熱衣料用の繊維及び自動車のエンジ
ンルームのための射出成形への使用に用いられる。
【0027】次に、本発明を例につき詳説し、この場
合、この例は、本発明を限定するものではない。
合、この例は、本発明を限定するものではない。
【0028】合成されたポリアミド−イミドの融点(T
m)及びガラス転移温度(Tg)を示差走査熱量測定法
(DSC)によって測定した。加熱速度及び冷却速度
は、1分あたり20℃であった。測定は、ポリマー粉末
で行なった。融点を一次発熱曲線及び二次発熱曲線(T
m,1及びTm,2)で測定し;ガラス転移温度を二次発熱曲
線(Tg,2)で測定した。さらに融解熱を一次発熱曲線
中及び二次発熱曲線中の両方で測定した(△Hm,1及び
△Hm,2)。
m)及びガラス転移温度(Tg)を示差走査熱量測定法
(DSC)によって測定した。加熱速度及び冷却速度
は、1分あたり20℃であった。測定は、ポリマー粉末
で行なった。融点を一次発熱曲線及び二次発熱曲線(T
m,1及びTm,2)で測定し;ガラス転移温度を二次発熱曲
線(Tg,2)で測定した。さらに融解熱を一次発熱曲線
中及び二次発熱曲線中の両方で測定した(△Hm,1及び
△Hm,2)。
【0029】曲げ弾性率をASTM D790に従って
測定した。
測定した。
【0030】
例 I ポリアミド−イミド(PAI 4,4)の合成 1. テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミ
ド)の合成 n−メチル−2−ピロリドン(NMP)950ml中の
トリメリット酸無水物333g(1.7モル)を温度
計、撹拌機、還流冷却器及び窒素取入口を備えた2リッ
トル入りの容器中に導入した。NMP300ml中の
1,4−ジアミノブタン75g(0.85モル)の溶液
を撹拌下で室温で滴加した。撹拌された反応混合物を5
時間で70℃に加熱した。キシレン約50mlをこの澄
明溶液に添加した。この溶液を還流温度(155℃)に
加熱し、この場合、水をディーン・スターク・トラップ
(Dean-Stark trap)を使用して共沸除去した。冷却の際
に白色の結晶生成物が沈殿した。該生成物を濾別し、メ
タノールで洗浄し、かつ真空下で80℃で乾燥した。テ
トラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)36
1gが得られた。
ド)の合成 n−メチル−2−ピロリドン(NMP)950ml中の
トリメリット酸無水物333g(1.7モル)を温度
計、撹拌機、還流冷却器及び窒素取入口を備えた2リッ
トル入りの容器中に導入した。NMP300ml中の
1,4−ジアミノブタン75g(0.85モル)の溶液
を撹拌下で室温で滴加した。撹拌された反応混合物を5
時間で70℃に加熱した。キシレン約50mlをこの澄
明溶液に添加した。この溶液を還流温度(155℃)に
加熱し、この場合、水をディーン・スターク・トラップ
(Dean-Stark trap)を使用して共沸除去した。冷却の際
に白色の結晶生成物が沈殿した。該生成物を濾別し、メ
タノールで洗浄し、かつ真空下で80℃で乾燥した。テ
トラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)36
1gが得られた。
【0031】2. テトラメチレン−ビス−(N−トリ
メリットイミド)の二酸塩化物誘導体の合成 テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)1
75g(0.4モル)を塩化チオニル(SOCl2)
と、窒素ガス取入口、温度計、撹拌機及び、頭頂部にガ
ス吸収装置(水200ml中のNaOH40g)が備え
られている還流冷却器を備えた1リットル入りの容器中
で混合した。N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
2mlを触媒として使用した。該混合物を還流温度(8
0℃)で22時間撹拌した。この後に、過剰量のSOC
l2を留去し、引き続き、ヘキサンを添加し、かつさら
に蒸留を実施して全ての痕跡のSOCl2を除去した。
得られた白色の生成物をn−ヘキサンで洗浄し、窒素雰
囲気下で80℃で乾燥した。二酸塩化物185.5gが
得られた。
メリットイミド)の二酸塩化物誘導体の合成 テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)1
75g(0.4モル)を塩化チオニル(SOCl2)
と、窒素ガス取入口、温度計、撹拌機及び、頭頂部にガ
ス吸収装置(水200ml中のNaOH40g)が備え
られている還流冷却器を備えた1リットル入りの容器中
で混合した。N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
2mlを触媒として使用した。該混合物を還流温度(8
0℃)で22時間撹拌した。この後に、過剰量のSOC
l2を留去し、引き続き、ヘキサンを添加し、かつさら
に蒸留を実施して全ての痕跡のSOCl2を除去した。
得られた白色の生成物をn−ヘキサンで洗浄し、窒素雰
囲気下で80℃で乾燥した。二酸塩化物185.5gが
得られた。
【0032】3. 1,4−ジアミノブタンとテトラメ
チレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二酸塩化
物誘導体とのポリアミド−イミド(ポリアミド−イミド
(4,4)もしくはPAI 4,4)の合成 NMP/2%LiCl中に溶解されたジアミノブタン
(DAB)0.16g(0.18モル)をトリメチルア
ミン36.5g(0.36モル)と一緒に、撹拌機、温
度計、滴下漏斗及び窒素ガス取入口を備えた2リットル
入りの容器に装入した。該溶液を固体CO2/アセトン
浴中で−15℃に冷却した。NMP/2%LiCl中の
二酸塩化物85g(0.18モル)を滴加した。連鎖停
止剤として塩化ベンゾイル0.25g(0.002モ
ル)を添加した。合計でNMP1500mlを溶剤とし
て使用した。反応混合物を30分間強力に撹拌し、この
際、温度を−15℃で維持した。この後に、温度を2時
間で室温に上昇させた。引き続き、反応混合物を60℃
で4時間撹拌した。このポリマー溶液をメタノール中に
注入した。白色のポリマー沈殿物をメタノールで十分に
洗浄し、濾別しかつ真空下で120℃で48時間乾燥し
た。ポリマー84gが得られた。
チレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二酸塩化
物誘導体とのポリアミド−イミド(ポリアミド−イミド
(4,4)もしくはPAI 4,4)の合成 NMP/2%LiCl中に溶解されたジアミノブタン
(DAB)0.16g(0.18モル)をトリメチルア
ミン36.5g(0.36モル)と一緒に、撹拌機、温
度計、滴下漏斗及び窒素ガス取入口を備えた2リットル
入りの容器に装入した。該溶液を固体CO2/アセトン
浴中で−15℃に冷却した。NMP/2%LiCl中の
二酸塩化物85g(0.18モル)を滴加した。連鎖停
止剤として塩化ベンゾイル0.25g(0.002モ
ル)を添加した。合計でNMP1500mlを溶剤とし
て使用した。反応混合物を30分間強力に撹拌し、この
際、温度を−15℃で維持した。この後に、温度を2時
間で室温に上昇させた。引き続き、反応混合物を60℃
で4時間撹拌した。このポリマー溶液をメタノール中に
注入した。白色のポリマー沈殿物をメタノールで十分に
洗浄し、濾別しかつ真空下で120℃で48時間乾燥し
た。ポリマー84gが得られた。
【0033】例 II ポリアミド−イミド(PAI 6,4)の合成 1.及び2. テトラメチレン−ビス−(N−トリメリ
ットイミド)の二酸塩化物誘導体の合成を例Iに記載さ
れたとおりにして実施した。
ットイミド)の二酸塩化物誘導体の合成を例Iに記載さ
れたとおりにして実施した。
【0034】3. 1,6−ジアミノヘキサンとテトラ
メチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二酸塩
化物誘導体とのポリアミド−イミド(ポリアミド−イミ
ド(6,4))の合成を例Iの第3段階の場合と同様に
して実施した。
メチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二酸塩
化物誘導体とのポリアミド−イミド(ポリアミド−イミ
ド(6,4))の合成を例Iの第3段階の場合と同様に
して実施した。
【0035】比較試験 A〜C ポリアミド−イミド(PAI 3,3)、(PAI
6,6)及び(PAI 9,9)の合成 ポリアミド−イミド(3,3)、(6,6)及び(9,
9)の合成を例Iに記載されているとおりにして実施し
た。ジアミンとして、第1段階及び第3段階で、1,3
−ジアミノプロパン、1,6−ジアミノヘキサン及び
1,9−ジアミノノナンをそれぞれの場合に使用した。
6,6)及び(PAI 9,9)の合成 ポリアミド−イミド(3,3)、(6,6)及び(9,
9)の合成を例Iに記載されているとおりにして実施し
た。ジアミンとして、第1段階及び第3段階で、1,3
−ジアミノプロパン、1,6−ジアミノヘキサン及び
1,9−ジアミノノナンをそれぞれの場合に使用した。
【0036】形成されたトリメチレン−ビス−(N−ト
リメリットイミド)及びノナメチレン−ビス−(N−ト
リメリットイミド)を反応混合物から沈殿させるため
に、蒸留水を反応の第1段階で添加した。
リメリットイミド)及びノナメチレン−ビス−(N−ト
リメリットイミド)を反応混合物から沈殿させるため
に、蒸留水を反応の第1段階で添加した。
【0037】
【表1】
【0038】比較試験A〜Cによるポリアミド−イミド
が二次発熱曲線中に融点を有しておらず、かつ従って該
化合物がいかなる結晶化度も有していないことは、明白
である。
が二次発熱曲線中に融点を有しておらず、かつ従って該
化合物がいかなる結晶化度も有していないことは、明白
である。
【0039】例 III〜V テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)
と、1,4−ジアミノブタン及び1,6−ジアミノヘキ
サンの混合物とのコポリアミド−イミドの合成1.及び
2. テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミ
ド)の二酸塩化物誘導体の合成を例Iに記載されたとお
りにして実施した。
と、1,4−ジアミノブタン及び1,6−ジアミノヘキ
サンの混合物とのコポリアミド−イミドの合成1.及び
2. テトラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミ
ド)の二酸塩化物誘導体の合成を例Iに記載されたとお
りにして実施した。
【0040】3. 1,4−ジアミノブタン(DAB)
及び1,6−ジアミノヘキサン(DAH)の混合物とテ
トラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二
酸塩化物誘導体とのコポリアミド−イミドの合成 コポリアミド−イミドを例Iに記載された合成方法によ
って製造し;第3段階の1,4−ジアミノブタンの代り
に等モル量の、1,4−ジアミノブタンと1,6−ジア
ミノヘキサンの混合物を使用した。
及び1,6−ジアミノヘキサン(DAH)の混合物とテ
トラメチレン−ビス−(N−トリメリットイミド)の二
酸塩化物誘導体とのコポリアミド−イミドの合成 コポリアミド−イミドを例Iに記載された合成方法によ
って製造し;第3段階の1,4−ジアミノブタンの代り
に等モル量の、1,4−ジアミノブタンと1,6−ジア
ミノヘキサンの混合物を使用した。
【0041】
【表2】
【0042】例VI及び比較試験D PAI(4,4)及びPAI(6,6)の両方を射出成
形してバーに形成した。引き続き、射出成形されたポリ
アミド−イミドの特性を測定した。
形してバーに形成した。引き続き、射出成形されたポリ
アミド−イミドの特性を測定した。
【0043】
【表3】
【0044】その結晶化度のため、例VIのPAI
(4,4)の弾性率の方が、著しく高い。
(4,4)の弾性率の方が、著しく高い。
【0045】例VII及び比較試験E 例 VII 射出成形されたPAI(4,4)のバーを35℃及びR
H(相対湿度)90%で、最大吸湿量が達成されるまで
状態調整した。さらに該バーを温度260℃を有するロ
ウ付け用錫中に10秒間浸した。該バーは、ふくれ形成
及び/又はゆがみをまったく示さなかった。
H(相対湿度)90%で、最大吸湿量が達成されるまで
状態調整した。さらに該バーを温度260℃を有するロ
ウ付け用錫中に10秒間浸した。該バーは、ふくれ形成
及び/又はゆがみをまったく示さなかった。
【0046】比較試験 E 射出成形されたPAI(6,6)のバーを35℃及びR
H(相対湿度)90%で、最大吸湿量が達成されるまで
状態調整した。さらに該バーを温度260℃を有するロ
ウ付け用錫中に10秒間浸した。
H(相対湿度)90%で、最大吸湿量が達成されるまで
状態調整した。さらに該バーを温度260℃を有するロ
ウ付け用錫中に10秒間浸した。
【0047】該バーは、ゆがみを示した。
【0048】非晶質PAI(6,6)は、高い温度に対
して明らかに耐性がなく、一方で半結晶質PAI(4,
4)は、この高い温度でまったく変化しない。
して明らかに耐性がなく、一方で半結晶質PAI(4,
4)は、この高い温度でまったく変化しない。
Claims (5)
- 【請求項1】 式: 【化1】 〔式中、Yはアリーレン基を表わし、R及びR′はアル
キレン基を表わす〕で示される繰返し単位を有するポリ
アミド−イミドにおいて、R及び/又はR′の少なくと
も50モル%がブチレン基であることを特徴とするポリ
アミド−イミド。 - 【請求項2】 R及び/又はR′がブチレン基である、
請求項1記載のポリアミド−イミド。 - 【請求項3】 R及びR′がブチレン基である、請求項
1又は2記載のポリアミド−イミド。 - 【請求項4】 Yがフェニレン基である、請求項1から
3までのいずれか1項に記載のポリアミド−イミド。 - 【請求項5】 造形品において、請求項1から4までの
いずれか1項に記載のポリアミド−イミドを含有してい
ることを特徴とする造形品。
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---|---|---|---|
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---|---|
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JP2018058965A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-04-12 | ユニチカ株式会社 | ポリアミドイミド、ポリアミドイミド原料塩およびそれらの製造方法並びにポリアミドイミド樹脂組成物 |
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-
1995
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- 1995-07-05 EP EP19950201838 patent/EP0692512A1/en not_active Withdrawn
- 1995-07-10 JP JP17378695A patent/JPH0848775A/ja active Pending
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US11898012B2 (en) | 2017-09-08 | 2024-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(amide-imide) copolymer, composition for preparing poly(amide-imide) copolymer, article including poly(amide-imide) copolymer, and display device including the article |
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