JPH08330563A - 電荷転送固体撮像装置とその駆動方法 - Google Patents
電荷転送固体撮像装置とその駆動方法Info
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- JPH08330563A JPH08330563A JP7133697A JP13369795A JPH08330563A JP H08330563 A JPH08330563 A JP H08330563A JP 7133697 A JP7133697 A JP 7133697A JP 13369795 A JP13369795 A JP 13369795A JP H08330563 A JPH08330563 A JP H08330563A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】水平解像度を向上させる為水平画素を増やして
も転送効率が劣化しない電荷転送固体撮像装置とその駆
動方法を提供すること。 【構成】テレビジョンフォーマットで規定される有効走
査線数の２倍の数のホトダイオードを有する光電変換素
子例１００Ａを設ける。隣接する２個のホトダイオード
からの信号電荷を読み出して加算し、垂直レジスタ２０
０Ａを転送し、水平レジスタ３００Ａで更に加算し、ホ
トダイオード４個分の信号電荷にする。垂直レジスタの
Ｗ／Ｌが大きくできる。
も転送効率が劣化しない電荷転送固体撮像装置とその駆
動方法を提供すること。 【構成】テレビジョンフォーマットで規定される有効走
査線数の２倍の数のホトダイオードを有する光電変換素
子例１００Ａを設ける。隣接する２個のホトダイオード
からの信号電荷を読み出して加算し、垂直レジスタ２０
０Ａを転送し、水平レジスタ３００Ａで更に加算し、ホ
トダイオード４個分の信号電荷にする。垂直レジスタの
Ｗ／Ｌが大きくできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電荷転送固体撮像装置と
その駆動方法に関する。
その駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の急速な発展を背
景に、電荷転送固体撮像装置（２次元ＣＣＤイメージセ
ンサ）は家庭用ビデオカメラの分野で商用化されてい
る。さらに２次元ＣＣＤイメージセンサは放送用のＥＮ
Ｇカメラとして撮像管を凌駕している。最近では、さら
に高性能化を目指した２次元ＣＣＤイメージセンサの商
品開発が進んでいる。
景に、電荷転送固体撮像装置（２次元ＣＣＤイメージセ
ンサ）は家庭用ビデオカメラの分野で商用化されてい
る。さらに２次元ＣＣＤイメージセンサは放送用のＥＮ
Ｇカメラとして撮像管を凌駕している。最近では、さら
に高性能化を目指した２次元ＣＣＤイメージセンサの商
品開発が進んでいる。
【０００３】図１３はインターライン転送型電荷転送固
体撮像装置を概略的に示す平面模式図で垂直列方向に複
数のホトダイオード（ホトダイオードのセル座標をＡ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、…、Ｈとする）を有する光電変換素子列１
００と各ホトダイオードに隣接して垂直レジスタ２００
が設けてあり、垂直レジスタ２００からの信号電荷を受
け取る水平レジスタ３００と、水平レジスタ３００から
の信号電荷を検出する信号電荷検出部４００より構成さ
れている。ホトダイオードと垂直レジスタ２００の転送
電極との配置は、テレビジョン方式で適用されている
２：１インタレース駆動を前提とし、図１４に示す様に
各ホトダイオードあたりに第１の転送電極４−２と第２
の転送電極５の組が設けられこれらの組には１つおきに
転送パルスφV4とφV1、φV2とφV3が印加される。この
うち転送パルスφV1，φV3が印加される第１の転送電極
４−２は読出ゲート電極４−１と接続されている。７−
１〜７−４は転送パルスφV1〜φV4用のバスラインであ
る。
体撮像装置を概略的に示す平面模式図で垂直列方向に複
数のホトダイオード（ホトダイオードのセル座標をＡ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ、…、Ｈとする）を有する光電変換素子列１
００と各ホトダイオードに隣接して垂直レジスタ２００
が設けてあり、垂直レジスタ２００からの信号電荷を受
け取る水平レジスタ３００と、水平レジスタ３００から
の信号電荷を検出する信号電荷検出部４００より構成さ
れている。ホトダイオードと垂直レジスタ２００の転送
電極との配置は、テレビジョン方式で適用されている
２：１インタレース駆動を前提とし、図１４に示す様に
各ホトダイオードあたりに第１の転送電極４−２と第２
の転送電極５の組が設けられこれらの組には１つおきに
転送パルスφV4とφV1、φV2とφV3が印加される。この
うち転送パルスφV1，φV3が印加される第１の転送電極
４−２は読出ゲート電極４−１と接続されている。７−
１〜７−４は転送パルスφV1〜φV4用のバスラインであ
る。
【０００４】次に、この従来例のインタレース動作につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００５】図１５は従来例における転送パルスφV1〜
φV4のタイミングチャートである。
φV4のタイミングチャートである。
【０００６】第１フィールド期間において、時刻τ１に
φV3がＶH になるとホトダイオードＡ，Ｃ，Ｅ，Ｇ，…
の信号電荷がそれぞれＮ型埋込チャネルに読み出される
がφV4がＶL なのでこれらの信号電荷の混合は生じな
い。次に、時刻τ２にφV1がＶH になると、ホトダイオ
ードＢ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，…の信号電荷が読み出され時刻ｔ
３にφV1がＶL になり信号電荷の加算混合が完了する。
このときの状態を図１６に模式的に示す。次に時刻τ４
から混合加算された信号電荷が順次に転送されて図１７
に示すように水平レジスタ３００に移る。さらに水平レ
ジスタ３００を順次転送され信号電荷を信号電圧にする
信号電荷検出部４００で第１フィールド期間の一水平ラ
インの信号電圧に変換される。
φV3がＶH になるとホトダイオードＡ，Ｃ，Ｅ，Ｇ，…
の信号電荷がそれぞれＮ型埋込チャネルに読み出される
がφV4がＶL なのでこれらの信号電荷の混合は生じな
い。次に、時刻τ２にφV1がＶH になると、ホトダイオ
ードＢ，Ｄ，Ｆ，Ｈ，…の信号電荷が読み出され時刻ｔ
３にφV1がＶL になり信号電荷の加算混合が完了する。
このときの状態を図１６に模式的に示す。次に時刻τ４
から混合加算された信号電荷が順次に転送されて図１７
に示すように水平レジスタ３００に移る。さらに水平レ
ジスタ３００を順次転送され信号電荷を信号電圧にする
信号電荷検出部４００で第１フィールド期間の一水平ラ
インの信号電圧に変換される。
【０００７】次に第２フィールド期間において、図１８
に示すように、時刻τ２１にφV3がＶH になると、ホト
ダイオードＡ，Ｃ，Ｅ，Ｇ，…の信号電荷が読み出さ
れ、時刻ｔ２３にφV1がＶH になるとホトダイオード
Ｂ，Ｄ，Ｆ，Ｈ…の信号電荷が読み出され、ホトダイオ
ードＣ，Ｅ，Ｇ，…からの信号電荷との混合加算は時刻
τ２３に完了する。このときの状態を図１９に模式的に
示す。次に時刻τ２４から順次に転送されて、まず最初
の垂直転送サイクルでホトダイオードＡからの信号電荷
が水平レジスタに移り、次に水平レジスタ内を転送され
る。次の垂直転送サイクルでホトダイオードＢ，Ｃから
の混合加算された信号電荷が水平レジスタに移る。この
ときの状態を図２０に示す。さらに水平レジスタ３００
内を順次転送され信号電荷検出部で第２フィールド期間
の一水平ラインの信号電圧に変換される。このようにし
て、２：１のインタレース動作を行なう。
に示すように、時刻τ２１にφV3がＶH になると、ホト
ダイオードＡ，Ｃ，Ｅ，Ｇ，…の信号電荷が読み出さ
れ、時刻ｔ２３にφV1がＶH になるとホトダイオード
Ｂ，Ｄ，Ｆ，Ｈ…の信号電荷が読み出され、ホトダイオ
ードＣ，Ｅ，Ｇ，…からの信号電荷との混合加算は時刻
τ２３に完了する。このときの状態を図１９に模式的に
示す。次に時刻τ２４から順次に転送されて、まず最初
の垂直転送サイクルでホトダイオードＡからの信号電荷
が水平レジスタに移り、次に水平レジスタ内を転送され
る。次の垂直転送サイクルでホトダイオードＢ，Ｃから
の混合加算された信号電荷が水平レジスタに移る。この
ときの状態を図２０に示す。さらに水平レジスタ３００
内を順次転送され信号電荷検出部で第２フィールド期間
の一水平ラインの信号電圧に変換される。このようにし
て、２：１のインタレース動作を行なう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の電荷転送用固体
撮像装置とその駆動方法では、垂直解像度が走査線数で
定まるので、垂直画素数はテレビジョンフォーマットで
規定される有効走査線数の少なくとも１倍にし、垂直方
向に隣接する２個のホトダイオードからの信号電荷の加
算値に相当する一水平ラインの信号電圧を得ている。
撮像装置とその駆動方法では、垂直解像度が走査線数で
定まるので、垂直画素数はテレビジョンフォーマットで
規定される有効走査線数の少なくとも１倍にし、垂直方
向に隣接する２個のホトダイオードからの信号電荷の加
算値に相当する一水平ラインの信号電圧を得ている。
【０００９】水平解像度を向上させる為、水平画素数を
増やすと水平画素ピッチが狭くなり、それによって垂直
レジスタの幅Ｗ（Ｎ型転送チャネル３の幅）も必然的に
狭くなる。一方、垂直画素ピッチはＴＶ方式の走査線で
決まる値に固定されるのが普通である為、垂直レジスタ
は幅Ｗより転送方向の距離Ｌ（チャネル長）が長くな
り、Ｗ／Ｌの値が小さくなり転送方向の電界が弱くなる
ことで転送効率が劣化すると言う問題が生じる。
増やすと水平画素ピッチが狭くなり、それによって垂直
レジスタの幅Ｗ（Ｎ型転送チャネル３の幅）も必然的に
狭くなる。一方、垂直画素ピッチはＴＶ方式の走査線で
決まる値に固定されるのが普通である為、垂直レジスタ
は幅Ｗより転送方向の距離Ｌ（チャネル長）が長くな
り、Ｗ／Ｌの値が小さくなり転送方向の電界が弱くなる
ことで転送効率が劣化すると言う問題が生じる。
【００１０】本発明の目的は転送効率の改善された電荷
転送固体撮像装置とその駆動方法を提供することにあ
る。
転送固体撮像装置とその駆動方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明第１の電荷転送固
体撮像装置は、所定のテレビジョンフォーマットで規定
される有効走査線数の少なくとも２倍の数のホトダイオ
ードを有する光電変換素子列並びに前記各ホトダイオー
ドからそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲート電極に接
続される第１の転送電極及び前記第１の転送電極に近接
配置される第２の転送電極の組を最小繰り返し単位とす
る転送電極列を含む垂直レジスタを有する画素列を複数
列並列配置してなる撮像部と、前記各画素列の垂直レジ
スタからそれぞれ信号電荷を受取って転送する水平レジ
スタとを有し、前記第１の転送電極は列方向に４ホトダ
イオード周期で４相接続され前記第２の転送電極は２ホ
トダイオード周期で２相接続されそれによって前記垂直
レジスタが６相駆動接続されているというものである。
体撮像装置は、所定のテレビジョンフォーマットで規定
される有効走査線数の少なくとも２倍の数のホトダイオ
ードを有する光電変換素子列並びに前記各ホトダイオー
ドからそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲート電極に接
続される第１の転送電極及び前記第１の転送電極に近接
配置される第２の転送電極の組を最小繰り返し単位とす
る転送電極列を含む垂直レジスタを有する画素列を複数
列並列配置してなる撮像部と、前記各画素列の垂直レジ
スタからそれぞれ信号電荷を受取って転送する水平レジ
スタとを有し、前記第１の転送電極は列方向に４ホトダ
イオード周期で４相接続され前記第２の転送電極は２ホ
トダイオード周期で２相接続されそれによって前記垂直
レジスタが６相駆動接続されているというものである。
【００１２】又、本発明第１の電荷転送固体撮像装置の
駆動方法は、前述の第１の電荷転送固体撮像装置を駆動
する際に、第１（又は第２）フィールド期間に前記垂直
レジスタ内で隣接する２個のホトダイオードの信号電荷
を読み出し加算混合し、次にこれら２個のホトダイオー
ド分の加算混合電荷を各水平ブランキング期間内の２サ
イクルの垂直転送動作によって前記水平レジスタでさら
に４ホトダイオード分を水平ラインの信号電荷として加
算混合し、第２（又は第１）フィールド期間では隣接す
る４ホトダイオードの組み合わせを前記第１（又は第
２）フィールド期間における組み合せと２ホトダイオー
ド分ずらせる事によって２：１のイターレース動作させ
るというものである。
駆動方法は、前述の第１の電荷転送固体撮像装置を駆動
する際に、第１（又は第２）フィールド期間に前記垂直
レジスタ内で隣接する２個のホトダイオードの信号電荷
を読み出し加算混合し、次にこれら２個のホトダイオー
ド分の加算混合電荷を各水平ブランキング期間内の２サ
イクルの垂直転送動作によって前記水平レジスタでさら
に４ホトダイオード分を水平ラインの信号電荷として加
算混合し、第２（又は第１）フィールド期間では隣接す
る４ホトダイオードの組み合わせを前記第１（又は第
２）フィールド期間における組み合せと２ホトダイオー
ド分ずらせる事によって２：１のイターレース動作させ
るというものである。
【００１３】本発明第２の電荷転送固体撮像装置は、所
定のテレビジョンフォーマットで規定される有効走査線
数の少なくとも２倍の数のホトダイオードを有する光電
変換素子列並びに前記各ホトダイオードからそれぞれ信
号電荷を読み出す読出ゲート電極に接続される第１の転
送電極及び前記第１の転送電極に近接配置される第２の
転送電極の組を最小繰り返し単位とする転送電極列を含
む垂直レジスタを有する画素列を複数列並列配置してな
る撮像部と、前記各画素列の垂直レジスタからそれぞれ
信号電荷を受取って転送する水平レジスタとを有し、前
記第１の転送電極及び第２の転送電極はそれぞれ４ホト
ダイオード周期毎に４相接続した８相駆動接続されてい
るというものである。
定のテレビジョンフォーマットで規定される有効走査線
数の少なくとも２倍の数のホトダイオードを有する光電
変換素子列並びに前記各ホトダイオードからそれぞれ信
号電荷を読み出す読出ゲート電極に接続される第１の転
送電極及び前記第１の転送電極に近接配置される第２の
転送電極の組を最小繰り返し単位とする転送電極列を含
む垂直レジスタを有する画素列を複数列並列配置してな
る撮像部と、前記各画素列の垂直レジスタからそれぞれ
信号電荷を受取って転送する水平レジスタとを有し、前
記第１の転送電極及び第２の転送電極はそれぞれ４ホト
ダイオード周期毎に４相接続した８相駆動接続されてい
るというものである。
【００１４】又、本発明の第２の電荷転送撮像装置の駆
動方法は、前述の第２の電荷転送撮像装置を駆動する際
に、第１（又は第２）フィールド期間に前記垂直レジス
タ内で隣接する４個のホトダイオードの信号電荷を、隣
接する８つの転送電極中の６つの転送電極下で加算混合
蓄積し、その後、各水平ブランキング期間内の一サイク
ルの垂直転送動作によって、一水平ラインの信号として
垂直方向に隣接するホトダイオード４個分で構成し、第
２（又は第１）フィールド期間では隣接する４ホトダイ
オードの組み合わせを前記第１（又は第２）フィールド
期間における組み合わせと２ホトダイオード分ずらせる
事によって２：１インターレース動作させるというもの
である。
動方法は、前述の第２の電荷転送撮像装置を駆動する際
に、第１（又は第２）フィールド期間に前記垂直レジス
タ内で隣接する４個のホトダイオードの信号電荷を、隣
接する８つの転送電極中の６つの転送電極下で加算混合
蓄積し、その後、各水平ブランキング期間内の一サイク
ルの垂直転送動作によって、一水平ラインの信号として
垂直方向に隣接するホトダイオード４個分で構成し、第
２（又は第１）フィールド期間では隣接する４ホトダイ
オードの組み合わせを前記第１（又は第２）フィールド
期間における組み合わせと２ホトダイオード分ずらせる
事によって２：１インターレース動作させるというもの
である。
【００１５】
【作用】撮像部の面積あたりの垂直画素数が少なくとも
２倍になるので垂直レジスタの転送電極あたりのチャネ
ル長が１／２以下になり、転送方向の電界が強くなる。
２倍になるので垂直レジスタの転送電極あたりのチャネ
ル長が１／２以下になり、転送方向の電界が強くなる。
【００１６】
【実施例】次に本発明の第１の実施例について説明す
る。
る。
【００１７】図１は第１の実施例を概略的に示す平面模
式図、図２は第１の実施例における画素列の一例を示す
平面図である。
式図、図２は第１の実施例における画素列の一例を示す
平面図である。
【００１８】この実施例はＮＴＳＣ方式のテレビジョン
フォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも２
倍の数のホトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，…（図１には一部
のみを示す）を有する光電変換素子列並びに各ホトダイ
オードＡ，Ｂ，…からそれぞれ信号電荷を読み出す読出
ゲート電極４−１Ａに接続される第１の転送電極４−２
Ａ及び第１の転送電極４−２Ａに近接配置される第２の
転送電極５Ａの組を最小繰り返し単位とする転送電極列
を含む垂直レジスタ２００Ａを有する画素列を複数列
（図１には一部のみを示す）並列配置してなる撮像部
と、前述の各画素列の垂直レジスタからそれぞれ信号電
荷を受取って転送する水平レジスタ３００Ａとを有し、
第１の転送電極４−２Ａは列方向に４ホトダイオード周
期でバスライン８−１，８−３，８−５，８−６に４相
接続され第２の転送電極５Ａは２ホトダイオード周期で
バスライン８−２，８−４に２相接続されそれによって
垂直レジスタが６相駆動接続されているというものであ
る。
フォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも２
倍の数のホトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，…（図１には一部
のみを示す）を有する光電変換素子列並びに各ホトダイ
オードＡ，Ｂ，…からそれぞれ信号電荷を読み出す読出
ゲート電極４−１Ａに接続される第１の転送電極４−２
Ａ及び第１の転送電極４−２Ａに近接配置される第２の
転送電極５Ａの組を最小繰り返し単位とする転送電極列
を含む垂直レジスタ２００Ａを有する画素列を複数列
（図１には一部のみを示す）並列配置してなる撮像部
と、前述の各画素列の垂直レジスタからそれぞれ信号電
荷を受取って転送する水平レジスタ３００Ａとを有し、
第１の転送電極４−２Ａは列方向に４ホトダイオード周
期でバスライン８−１，８−３，８−５，８−６に４相
接続され第２の転送電極５Ａは２ホトダイオード周期で
バスライン８−２，８−４に２相接続されそれによって
垂直レジスタが６相駆動接続されているというものであ
る。
【００１９】ホトダイオードはシリコン基板の表面部の
Ｐウェルの表面部に形成されたＮ型拡散層１Ａ（表面に
Ｐ+ 型拡散層を設けるが普通）を有している。垂直レジ
スタは同様にＰウェルの表面部に形成されたＮ型埋込チ
ャネル３Ａ、第１の転送電極４−２Ａ及び第２の転送電
極５Ａを有し、読出ゲートは、読出ゲート領域２Ａ（前
述のＰウェル、又はしきい値制御のためチャネルドープ
層など）と読出ゲート電極４−１Ａを有している。Ｎ型
拡散層１ＡとＮ型埋込チャネル３ＡとはＰ+ 型チャネル
ストッパ６Ａにより素子分離されている。第２の転送電
極５Ａは、シリコン基板表面に図示しないゲート酸化膜
を介して被着された第１層ポリシリコン膜などでなり、
第１の転送電極４−２Ａ及び読出ゲート電極４−１Ａ
は、第２層ポリシリコン膜などでなり、シリコン基板表
面及び第１層ポリシリコン膜との間に酸化シリコン膜が
設けられている。
Ｐウェルの表面部に形成されたＮ型拡散層１Ａ（表面に
Ｐ+ 型拡散層を設けるが普通）を有している。垂直レジ
スタは同様にＰウェルの表面部に形成されたＮ型埋込チ
ャネル３Ａ、第１の転送電極４−２Ａ及び第２の転送電
極５Ａを有し、読出ゲートは、読出ゲート領域２Ａ（前
述のＰウェル、又はしきい値制御のためチャネルドープ
層など）と読出ゲート電極４−１Ａを有している。Ｎ型
拡散層１ＡとＮ型埋込チャネル３ＡとはＰ+ 型チャネル
ストッパ６Ａにより素子分離されている。第２の転送電
極５Ａは、シリコン基板表面に図示しないゲート酸化膜
を介して被着された第１層ポリシリコン膜などでなり、
第１の転送電極４−２Ａ及び読出ゲート電極４−１Ａ
は、第２層ポリシリコン膜などでなり、シリコン基板表
面及び第１層ポリシリコン膜との間に酸化シリコン膜が
設けられている。
【００２０】バスライン８−１，８−２，８−３，８−
４，８−５，８−６はアルミニウム膜でなり、それぞれ
転送パルスφV1A ，φV2，φV3A ，φV4，φV1B ，φ
V3B が印加される。
４，８−５，８−６はアルミニウム膜でなり、それぞれ
転送パルスφV1A ，φV2，φV3A ，φV4，φV1B ，φ
V3B が印加される。
【００２１】次に、第１の実施例の動作について説明す
る。
る。
【００２２】図３は第１フィールド期間における転送パ
ルスφV1A 〜φV3B のタイミングチャート、図４は第１
フィールド期間における信号電荷の推移を説明するため
の模式図である。
ルスφV1A 〜φV3B のタイミングチャート、図４は第１
フィールド期間における信号電荷の推移を説明するため
の模式図である。
【００２３】時刻ｔ1 にφV1A ，φV3A ，φV1B ，φ
V3B がハイレベルＶH となり、各ホトダイオードの信号
電荷が垂直レジスタに読み出されるが、φV14 がローレ
ベルＶL なのでホトダイオードＢとＣ、ＤとＥ、Ｆと
Ｇ、…からの信号電荷ＱB とＱC，ＱD とＱE 、…は混
合しない。時刻ｔ2 にφV1A とφV1B とがＶL となり、
信号電荷ＱA ＋ＱB ，ＱC ＋ＱD ，…はホトダイオード
Ａ，Ｃ，Ｅ，…に対応する垂直レジスタ部へ移る。時刻
ｔ3 にφV2がＶL となり、φV4がＶM となり一転送電極
分移動する。このようにして、信号電荷の混合加算が完
了する。次に、時刻ｔ4 ，ｔ5 ，…，ｔ11においてそれ
ぞれ一転送電極分の移動が生じる。ｔ4 ，ｔ5 ，ｔ6 ，
ｔ7 の一サイクルの垂直転送動作によって時刻ｔ7 には
信号電荷ＱA＋ＱB の水平レジスタ３００Ａへの転送が
完了し、次の一サイクルｔ8 ，ｔ9 ，ｔ10，ｔ11の垂直
転送動作によって時刻ｔ11には更に信号電荷ＱC ＋ＱD
の水平レジスタ３００Ａへの転送が完了し、ＱA ＋ＱB
に加算される。信号電荷ＱA ＋ＱB ＋ＱC ＋ＱD は、時
刻ｔ11の次に水平レジスタ３００Ａ内を転送されて信号
電荷検出部４００Ａで一水平ラインの信号電荷に変換さ
れる。
V3B がハイレベルＶH となり、各ホトダイオードの信号
電荷が垂直レジスタに読み出されるが、φV14 がローレ
ベルＶL なのでホトダイオードＢとＣ、ＤとＥ、Ｆと
Ｇ、…からの信号電荷ＱB とＱC，ＱD とＱE 、…は混
合しない。時刻ｔ2 にφV1A とφV1B とがＶL となり、
信号電荷ＱA ＋ＱB ，ＱC ＋ＱD ，…はホトダイオード
Ａ，Ｃ，Ｅ，…に対応する垂直レジスタ部へ移る。時刻
ｔ3 にφV2がＶL となり、φV4がＶM となり一転送電極
分移動する。このようにして、信号電荷の混合加算が完
了する。次に、時刻ｔ4 ，ｔ5 ，…，ｔ11においてそれ
ぞれ一転送電極分の移動が生じる。ｔ4 ，ｔ5 ，ｔ6 ，
ｔ7 の一サイクルの垂直転送動作によって時刻ｔ7 には
信号電荷ＱA＋ＱB の水平レジスタ３００Ａへの転送が
完了し、次の一サイクルｔ8 ，ｔ9 ，ｔ10，ｔ11の垂直
転送動作によって時刻ｔ11には更に信号電荷ＱC ＋ＱD
の水平レジスタ３００Ａへの転送が完了し、ＱA ＋ＱB
に加算される。信号電荷ＱA ＋ＱB ＋ＱC ＋ＱD は、時
刻ｔ11の次に水平レジスタ３００Ａ内を転送されて信号
電荷検出部４００Ａで一水平ラインの信号電荷に変換さ
れる。
【００２４】図５は第２フィールド期間における転送パ
ルスφV1A 〜φV3B のタイミングチャート，図６は第１
フィールド期間における信号電荷の推移を説明するため
の模式図である。
ルスφV1A 〜φV3B のタイミングチャート，図６は第１
フィールド期間における信号電荷の推移を説明するため
の模式図である。
【００２５】時刻ｔ21に信号電荷ＱA ＋ＱB ，ＱC ＋Ｑ
D ，…が垂直レジスタに読み出され、時刻ｔ24に混合加
算が完了する。時刻ｔ28にこれらの信号電荷の水平レジ
スタへの転送が完了し、その次に水平レジスタ内を転送
される。同様に時刻ｔ32に信号電荷ＱC ＋ＱD が水平レ
ジスタに移り、更に時刻ｔ36にＱE ＋ＱF が加算され
る。時刻ｔ36の次に、ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF が水平レ
ジスタ内を順次転送されて信号電荷検出部で信号電圧を
変換される。以上のようにして２：１インタレース動作
を行なうことができる。
D ，…が垂直レジスタに読み出され、時刻ｔ24に混合加
算が完了する。時刻ｔ28にこれらの信号電荷の水平レジ
スタへの転送が完了し、その次に水平レジスタ内を転送
される。同様に時刻ｔ32に信号電荷ＱC ＋ＱD が水平レ
ジスタに移り、更に時刻ｔ36にＱE ＋ＱF が加算され
る。時刻ｔ36の次に、ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF が水平レ
ジスタ内を順次転送されて信号電荷検出部で信号電圧を
変換される。以上のようにして２：１インタレース動作
を行なうことができる。
【００２６】なお、時刻ｔ1 〜ｔ11、ｔ21〜ｔ36は水平
ブランキング期間内のタイミングであることはいうもで
もない。
ブランキング期間内のタイミングであることはいうもで
もない。
【００２７】水平レジスタは、ホトダイオード４個分の
信号電荷を処理できるように設計しておけばよい。例え
ば、ホトダイオード２個分の信号電荷を処理する従来例
の少なくとも２倍のチャネル幅にしておけばよい。撮像
部とちがって水平レジスタに対する寸法上の制約は緩か
であるので何等問題はない。
信号電荷を処理できるように設計しておけばよい。例え
ば、ホトダイオード２個分の信号電荷を処理する従来例
の少なくとも２倍のチャネル幅にしておけばよい。撮像
部とちがって水平レジスタに対する寸法上の制約は緩か
であるので何等問題はない。
【００２８】Ｎ型埋込チャネルの幅Ｗが従来例と同じで
あるとすると一転送電極あたりのチャネル長Ｌは１／２
になるので転送方向の電界の強さは２倍になり、転送効
率が改善される。
あるとすると一転送電極あたりのチャネル長Ｌは１／２
になるので転送方向の電界の強さは２倍になり、転送効
率が改善される。
【００２９】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。
する。
【００３０】図７は第２の実施例と概略的に示す平面模
式図、図８は第２の実施例における画素列の一例を示す
平面図である。
式図、図８は第２の実施例における画素列の一例を示す
平面図である。
【００３１】この実施例はＮＴＳＣ方式のテレビジョン
フォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも２
倍の数のホトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，…（図７には一部
のみを示す）を有する光電変換素子列並びに各ホトダイ
オードＡ，Ｂ…からそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲ
ート電極４−１Ｂに接続される第１の転送電極４−２Ｂ
及び第１の転送電極４−２Ｂに近接配置される第２の転
送電極５Ｂの組を最小繰り返し単位とする転送電極列を
含む垂直レジスタ２００Ｂを有する画素列を複数列（図
７には一部のみを示す）並列配置してなる撮像部と、前
述の各画素列の垂直レジスタからそれぞれ信号電荷を受
取って転送される水平レジスタ３００Ｂとを有し、第１
の転送電極４−２Ｂ及び第２の転送電極５Ｂはそれぞれ
４ホトダイオード周期毎にバスライン９−１，９−３，
９−５，９−７及び９−２，９−４，９−６，９−８に
４相接続した８相駆動接続されているというものであ
る。
フォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも２
倍の数のホトダイオードＡ，Ｂ，Ｃ，…（図７には一部
のみを示す）を有する光電変換素子列並びに各ホトダイ
オードＡ，Ｂ…からそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲ
ート電極４−１Ｂに接続される第１の転送電極４−２Ｂ
及び第１の転送電極４−２Ｂに近接配置される第２の転
送電極５Ｂの組を最小繰り返し単位とする転送電極列を
含む垂直レジスタ２００Ｂを有する画素列を複数列（図
７には一部のみを示す）並列配置してなる撮像部と、前
述の各画素列の垂直レジスタからそれぞれ信号電荷を受
取って転送される水平レジスタ３００Ｂとを有し、第１
の転送電極４−２Ｂ及び第２の転送電極５Ｂはそれぞれ
４ホトダイオード周期毎にバスライン９−１，９−３，
９−５，９−７及び９−２，９−４，９−６，９−８に
４相接続した８相駆動接続されているというものであ
る。
【００３２】バスラインと転送電極との接続が第１の実
施例と異なっているが、その外は同じである。バスライ
ン９−１，９−２，９−３，９−４，９−５，９−６，
９−７，９−８はアルミニウム膜でなり、それぞれ転送
パルスφV1A ，φV2A ，φV3A ，φV4A ，φV1B ，φ
V2B ，φV3B ，φV4B が印加される。
施例と異なっているが、その外は同じである。バスライ
ン９−１，９−２，９−３，９−４，９−５，９−６，
９−７，９−８はアルミニウム膜でなり、それぞれ転送
パルスφV1A ，φV2A ，φV3A ，φV4A ，φV1B ，φ
V2B ，φV3B ，φV4B が印加される。
【００３３】次に第２の実施例の動作について説明す
る。
る。
【００３４】図９は第１フィールド期間における転送パ
ルスφV1A 〜φV4B のタイミングチャート、図１０は第
１フィールド期間における信号電荷の推移を説明するた
めの模式図である。
ルスφV1A 〜φV4B のタイミングチャート、図１０は第
１フィールド期間における信号電荷の推移を説明するた
めの模式図である。
【００３５】時刻ｔ1aにφV1A 、φV3A 、φV1B ，φ
V3B がＶH になるとホトダイオードＡ〜Ｄ，Ｅ〜Ｈ，…
の信号電荷ＱA 〜ＱD ，ＱE 〜ＱH ，…が垂直レジスタ
に読み出される。このときφV4B がＶL なので隣接する
ホトダイドＤとＥ等からの信号電荷の混合が防止され
る。垂直レジスタ２００Ｂに読み出された、隣接するホ
トダイオード４個分の信号電荷ＱA 〜ＱD 、ＱE 〜
ＱH 、…は８相駆動接続された一組の転送電極のうち残
り７つの転送電極のクロックパルスがミドルレベルＶM
となっているため垂直レジスタ内で加算混合されてＱA
＋ＱB ＋ＱC ＋ＱD 、ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＱH ，…とな
る。ここでは、一水平ラインの信号電荷としてはＱE ＋
ＱF ＋ＱG ＋ＱH ，…を有効信号と見放すことにする。
図１０でこの信号電荷を斜線で模式的に示している。
V3B がＶH になるとホトダイオードＡ〜Ｄ，Ｅ〜Ｈ，…
の信号電荷ＱA 〜ＱD ，ＱE 〜ＱH ，…が垂直レジスタ
に読み出される。このときφV4B がＶL なので隣接する
ホトダイドＤとＥ等からの信号電荷の混合が防止され
る。垂直レジスタ２００Ｂに読み出された、隣接するホ
トダイオード４個分の信号電荷ＱA 〜ＱD 、ＱE 〜
ＱH 、…は８相駆動接続された一組の転送電極のうち残
り７つの転送電極のクロックパルスがミドルレベルＶM
となっているため垂直レジスタ内で加算混合されてＱA
＋ＱB ＋ＱC ＋ＱD 、ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＱH ，…とな
る。ここでは、一水平ラインの信号電荷としてはＱE ＋
ＱF ＋ＱG ＋ＱH ，…を有効信号と見放すことにする。
図１０でこの信号電荷を斜線で模式的に示している。
【００３６】次に時刻ｔ2aでφV3B がロウレベルＶL と
なり信号電荷の転送が開始される。まずｔ3aでφV3B が
ミドルレベルＶM となり、ホトダイオードの信号電荷は
φV3B が印加されている転送電極下に拡がり、時刻ｔ4a
でφV1A がロウレベルＶL となり、８つ一組の転送電極
中６つの転送電極下に蓄積される。こうして、信号電荷
ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＱH は１転送電極分移動する。この
後、時刻ｔ4a〜ｔ18aまで各時刻毎に８つの転送電極中
の１つ又は２つの転送電極で隣接する信号電荷を分離し
ながら７つ又は６つの転送電極下に信号電荷を蓄積し、
１転送電極分ずつ移動するという動作を繰り返し、隣接
する信号電荷ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＧH を８転送電極分転
送を行う。このｔ2a〜ｔ18a の動作（一サイクルの垂直
転送動作）を各水平ブランキング期間内で繰り返し、隣
接する４個のホトダイオードの信号電荷ＱE ＋ＱF ＋Ｑ
G ＋ＱH ，…を水平レジスタ３００Ｂ内に転送する。そ
して隣接する４個のホトダイオードの信号電荷が水平レ
ジスタ３００Ａ内を順次転送され信号電荷検出部４００
Ｂで一水平ラインの信号電圧に変換される。
なり信号電荷の転送が開始される。まずｔ3aでφV3B が
ミドルレベルＶM となり、ホトダイオードの信号電荷は
φV3B が印加されている転送電極下に拡がり、時刻ｔ4a
でφV1A がロウレベルＶL となり、８つ一組の転送電極
中６つの転送電極下に蓄積される。こうして、信号電荷
ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＱH は１転送電極分移動する。この
後、時刻ｔ4a〜ｔ18aまで各時刻毎に８つの転送電極中
の１つ又は２つの転送電極で隣接する信号電荷を分離し
ながら７つ又は６つの転送電極下に信号電荷を蓄積し、
１転送電極分ずつ移動するという動作を繰り返し、隣接
する信号電荷ＱE ＋ＱF ＋ＱG ＋ＧH を８転送電極分転
送を行う。このｔ2a〜ｔ18a の動作（一サイクルの垂直
転送動作）を各水平ブランキング期間内で繰り返し、隣
接する４個のホトダイオードの信号電荷ＱE ＋ＱF ＋Ｑ
G ＋ＱH ，…を水平レジスタ３００Ｂ内に転送する。そ
して隣接する４個のホトダイオードの信号電荷が水平レ
ジスタ３００Ａ内を順次転送され信号電荷検出部４００
Ｂで一水平ラインの信号電圧に変換される。
【００３７】図１１は第２フィールド期間における転送
パルスφV1A 〜φVAB のタイミングチャート、図１２は
第２フィールド期間における信号電荷の推移と説明する
ための模式図である。
パルスφV1A 〜φVAB のタイミングチャート、図１２は
第２フィールド期間における信号電荷の推移と説明する
ための模式図である。
【００３８】時刻ｔ21a でφV1A ，φV1B ，φV3A ，φ
V3B に読み出しパルスが印加されホトダイオードＡ〜
Ｂ，Ｃ〜Ｆ，…の信号電荷が読み出しゲートを介して、
垂直レジスタ２００Ａの各第１の転送電極下に読み出さ
れる。この時、φV4A がロウレベルＶL となり隣接する
信号電荷の混合を防ぐバリアとなる。第１のフィールド
期間に読み出されたホトダイオードと２個ずれた、隣接
するホトダイオードＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆの信号電荷ＱC ，Ｑ
D ，ＱE ，ＱF は、８個一組の転送電極のうち残り７つ
の転送電極のクロックパルスがミドルレベルＶM となっ
ているため垂直レジスタ２００Ｂ内で加算混合され、信
号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF となる。図１２にこの信
号電荷を斜線で模式的に示している。
V3B に読み出しパルスが印加されホトダイオードＡ〜
Ｂ，Ｃ〜Ｆ，…の信号電荷が読み出しゲートを介して、
垂直レジスタ２００Ａの各第１の転送電極下に読み出さ
れる。この時、φV4A がロウレベルＶL となり隣接する
信号電荷の混合を防ぐバリアとなる。第１のフィールド
期間に読み出されたホトダイオードと２個ずれた、隣接
するホトダイオードＣ、Ｄ、Ｅ、Ｆの信号電荷ＱC ，Ｑ
D ，ＱE ，ＱF は、８個一組の転送電極のうち残り７つ
の転送電極のクロックパルスがミドルレベルＶM となっ
ているため垂直レジスタ２００Ｂ内で加算混合され、信
号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF となる。図１２にこの信
号電荷を斜線で模式的に示している。
【００３９】次に時刻ｔ22a でφV1B がロウレベルＶL
となり信号電荷の転送が開始される。まず、ｔ23a でφ
V3A がミドルレベルＶM となり、信号電荷はφV3B の電
極下に拡がり、時刻ｔ24a でφV1A がロウレベルとな
り、８つの転送電極中６つの転送電極下に蓄積される。
信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…が１転送電極分移
動する。この後、時刻ｔ24a 〜ｔ38a まで各時刻毎に８
つの転送電極中の１つ又は２つの転送電極で隣接する信
号電荷を分離しながら７つ又は６つの転送電極下に信号
電荷を蓄積し、１転送電極分ずつ移動するという動作を
繰り返し、信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…を８転
送電極分転送を行う。このｔ21a 〜ｔ38aの動作（一サ
イクルの垂直転送動作）を各水平ブランキング期間内で
繰り返し、信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…を水平
レジスタ３００Ｂ内に転送する。そしてこの画素信号電
荷が水平レジスタ３００Ｂ内を順次転送され信号電荷検
出部４００Ｂで一水平ラインの信号電圧に変換される。
となり信号電荷の転送が開始される。まず、ｔ23a でφ
V3A がミドルレベルＶM となり、信号電荷はφV3B の電
極下に拡がり、時刻ｔ24a でφV1A がロウレベルとな
り、８つの転送電極中６つの転送電極下に蓄積される。
信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…が１転送電極分移
動する。この後、時刻ｔ24a 〜ｔ38a まで各時刻毎に８
つの転送電極中の１つ又は２つの転送電極で隣接する信
号電荷を分離しながら７つ又は６つの転送電極下に信号
電荷を蓄積し、１転送電極分ずつ移動するという動作を
繰り返し、信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…を８転
送電極分転送を行う。このｔ21a 〜ｔ38aの動作（一サ
イクルの垂直転送動作）を各水平ブランキング期間内で
繰り返し、信号電荷ＱC ＋ＱD ＋ＱE ＋ＱF ，…を水平
レジスタ３００Ｂ内に転送する。そしてこの画素信号電
荷が水平レジスタ３００Ｂ内を順次転送され信号電荷検
出部４００Ｂで一水平ラインの信号電圧に変換される。
【００４０】以上のようにして２：１インターレス動作
を行うことが出来る。
を行うことが出来る。
【００４１】第１の実施例と同様に転送効率が改善され
る。第１の実施例ではホトダイオード２個分の信号電荷
を２つの転送電極下に蓄積し、転送する（従来例と同
じ）が、本実施例ではホトダイオード４個分の信号電荷
を６つの転送電極下に蓄積し、転送するので、一転送電
極あたりに蓄積できる電荷量が約１．５倍になる。従っ
て、第１の実施例及び従来例よりレジスタブルーミング
が生じ難くダイナミックレンジが広くなるという利点を
有している。
る。第１の実施例ではホトダイオード２個分の信号電荷
を２つの転送電極下に蓄積し、転送する（従来例と同
じ）が、本実施例ではホトダイオード４個分の信号電荷
を６つの転送電極下に蓄積し、転送するので、一転送電
極あたりに蓄積できる電荷量が約１．５倍になる。従っ
て、第１の実施例及び従来例よりレジスタブルーミング
が生じ難くダイナミックレンジが広くなるという利点を
有している。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
荷転送固体撮像装置の垂直画素数をテレビジョンフォー
マットで規定される有効走査線数の少なくとも２倍に
し、かつ垂直方向に隣接する４個のホトダイオードから
の信号電荷の加算値に相当する一水平ラインの信号電圧
を得ることができるので、垂直画素数をテレビジョンフ
ォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも１倍
にし、垂直方向に隣接する２個のホトダイオードからの
信号電荷の加算値に相当する一水平ラインの信号電圧を
得る従来技術に比較して垂直レジスタの一転送電極あた
りのチャネル長を１／２にできるので転送効率が改善で
きる効果がある。
荷転送固体撮像装置の垂直画素数をテレビジョンフォー
マットで規定される有効走査線数の少なくとも２倍に
し、かつ垂直方向に隣接する４個のホトダイオードから
の信号電荷の加算値に相当する一水平ラインの信号電圧
を得ることができるので、垂直画素数をテレビジョンフ
ォーマットで規定される有効走査線数の少なくとも１倍
にし、垂直方向に隣接する２個のホトダイオードからの
信号電荷の加算値に相当する一水平ラインの信号電圧を
得る従来技術に比較して垂直レジスタの一転送電極あた
りのチャネル長を１／２にできるので転送効率が改善で
きる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面模式図であ
る。
る。
【図２】第１の実施例における画素列の一例を示す平面
図である。
図である。
【図３】第１の実施例の駆動方法を説明するための第１
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
【図４】第１の実施例の第１フィールド期間における信
号電荷の推移を説明するための模式図である。
号電荷の推移を説明するための模式図である。
【図５】第１の実施例の駆動方法を説明するための第２
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
【図６】第１の実施例の第２フィールド期間における信
号電荷の推移を説明するための模式図である。
号電荷の推移を説明するための模式図である。
【図７】本発明の第２の実施例を示す平面模式図であ
る。
る。
【図８】第２の実施例における画素列の一例を示す平面
図である。
図である。
【図９】第２の実施例の駆動方法を説明するための第１
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
フィールド期間における転送パルスのタイミングチャー
トである。
【図１０】第２の実施例の第１フィールド期間における
信号電荷の推移を説明するための模式図である。
信号電荷の推移を説明するための模式図である。
【図１１】第２の実施例の駆動方法を説明するための第
２フィールド期間における転送パルスのタイミングチャ
ートである。
２フィールド期間における転送パルスのタイミングチャ
ートである。
【図１２】第２の実施例の第２フィールド期間における
信号電荷の推移を説明するための模式図である。
信号電荷の推移を説明するための模式図である。
【図１３】従来例を示す平面模式図である。
【図１４】従来例における画素列の一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１５】従来例の駆動方法を説明するための第１フィ
ールド期間における転送パルスのタイミングチャートで
ある。
ールド期間における転送パルスのタイミングチャートで
ある。
【図１６】従来例の第１フィールド期間における信号電
荷の読み出しを説明するための模式図である。
荷の読み出しを説明するための模式図である。
【図１７】従来例の第１フィールド期間における信号電
荷の推移を説明するための模式図である。
荷の推移を説明するための模式図である。
【図１８】従来例の駆動方法を説明するための第２フィ
ールド期間における転送パルスのタイミングチャートで
ある。
ールド期間における転送パルスのタイミングチャートで
ある。
【図１９】従来例の第２フィールド期間における信号電
荷の読み出しを説明するための模式図である。
荷の読み出しを説明するための模式図である。
【図２０】従来例の第２フィールド期間における信号電
荷の堆積を説明するための模式図である。
荷の堆積を説明するための模式図である。
１，１Ａ，１Ｂ Ｎ型拡散層 ２，２Ａ，２Ｂ 読出ゲート領域 ３，３Ａ，３Ｂ Ｎ型埋込チャネル ４−１，４−１Ａ，４−１Ｂ 読出ゲート電極 ４−２，４−２Ａ，４−２Ｂ 第１の転送電極 ５，５Ａ，５Ｂ 第２の転送電極 ６，６Ａ，６Ｂ Ｐ+ 型チャネルストッパ ８−１〜８−６ バスライン ９−１〜９−８ バスライン １００，１００Ａ，１００Ｂ 光電変換素子例 ２００，２００Ａ，２００Ｂ 垂直レジスタ ３００，３００Ａ，３００Ｂ 水平レジスタ ４００，４００Ａ，４００Ｂ 信号電荷検出部 φV1，φV2，φV3，φV4 転送パルス φV1A ，φV1B ，φV2，φV3A ，φV3B ，φV4 転送
パルス φV1A ，φV1B ，φV2A ，φV2B ，φV3A ，φV3B ，φ
V4A ，φV4B 転送パルス
パルス φV1A ，φV1B ，φV2A ，φV2B ，φV3A ，φV3B ，φ
V4A ，φV4B 転送パルス
Claims (4)
- 【請求項１】 所定のテレビジョンフォーマットで規定
される有効走査線数の少なくとも２倍の数のホトダイオ
ードを有する光電変換素子列並びに前記各ホトダイオー
ドからそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲート電極に接
続される第１の転送電極及び前記第１の転送電極に近接
配置される第２の転送電極の組を最小繰り返し単位とす
る転送電極列を含む垂直レジスタを有する画素列を複数
列並列配置してなる撮像部と、前記各画素列の垂直レジ
スタからそれぞれ信号電荷を受取って転送する水平レジ
スタとを有し、前記第１の転送電極は列方向に４ホトダ
イオード周期で４相接続され前記第２の転送電極は２ホ
トダイオード周期で２相接続されそれによって前記垂直
レジスタが６相駆動接続されていることを特徴とする電
荷転送固体撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の電荷転送固体撮像装置の
駆動方法において、第１（又は第２）フィールド期間に
前記垂直レジスタ内で隣接する２個のホトダイオードの
信号電荷を読み出し加算混合し、次にこれら２個のホト
ダイオード分の加算混合電荷を各水平ブランキング期間
内の２サイクルの垂直転送動作によって前記水平レジス
タでさらに４ホトダイオード分を水平ラインの信号電荷
として加算混合し、第２（又は第１）フィールド期間で
は隣接する４ホトダイオードの組み合わせを前記第１
（又は第２）フィールド期間における組み合せと２ホト
ダイオード分ずらせる事によって２：１のイターレース
動作させることを特徴とする電荷転送固体撮像装置の駆
動方法。 - 【請求項３】 所定のテレビジョンフォーマットで規定
される有効走査線数の少なくとも２倍の数のホトダイオ
ードを有する光電変換素子列並びに前記各ホトダイオー
ドからそれぞれ信号電荷を読み出す読出ゲート電極に接
続される第１の転送電極及び前記第１の転送電極に近接
配置される第２の転送電極の組を最小繰り返し単位とす
る転送電極列を含む垂直レジスタを有する画素列を複数
列並列配置してなる撮像部と、前記各画素列の垂直レジ
スタからそれぞれ信号電荷を受取って転送する水平レジ
スタとを有し、前記第１の転送電極及び第２の転送電極
はそれぞれ４ホトダイオード周期毎に４相接続した８相
駆動接続されていることを特徴とする３電荷転送撮像装
置。 - 【請求項４】 請求項３記載の電荷転送撮像装置の駆動
方法において、第１（又は第２）フィールド期間に前記
垂直レジスタ内で隣接する４個のホトダイオードの信号
電荷を、隣接する８つの転送電極中の６つの転送電極下
で加算混合蓄積し、その後、各水平ブランキング期間内
の一サイクルの垂直転送動作によって、一水平ラインの
信号として垂直方向に隣接するホトダイオード４個分で
構成し、第２（又は第１）フィールド期間では隣接する
４ホトダイオードの組み合わせを前記第１（又は第２）
フィールド期間における組み合わせと２ホトダイオード
分ずらせる事によって２：１インターレース動作させる
事を特徴とする電荷転送固体撮像装置の駆動方法。
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