JP2001111026A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JP2001111026A
JP2001111026A JP28733499A JP28733499A JP2001111026A JP 2001111026 A JP2001111026 A JP 2001111026A JP 28733499 A JP28733499 A JP 28733499A JP 28733499 A JP28733499 A JP 28733499A JP 2001111026 A JP2001111026 A JP 2001111026A
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ccd
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Nobuo Suzuki
信雄 鈴木
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Fujifilm Microdevices Co Ltd
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Fujifilm Microdevices Co Ltd
Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来のＩＴ−ＣＣＤにおいては、画素密度の
向上に伴って、水平転送ＣＣＤにおける転送電極の形成
に高度な微細加工技術が要求されるようになると共に、
水平転送ＣＣＤに駆動パルスを供給するために使用され
るパルス供給用端子の負荷静電容量が増加して、水平転
送ＣＣＤの消費電力が増大する。 【解決手段】 複数列、複数行に亘って配置された多数
個の光電変換素子と、これらの光電変換素子に蓄積され
た信号電荷を水平転送ＣＣＤに転送するための複数本の
垂直転送ＣＣＤと、光電変換素子の各々に蓄積された信
号電荷の前記垂直転送ＣＣＤへの読み出しを光電変換素
子毎に制御するための読み出しゲート領域とを備えたＩ
Ｔ−ＣＣＤを作製するにあたり、前記複数本の垂直転送
ＣＣＤの２本に１本ずつ、これらの２本の垂直転送ＣＣ
Ｄを合流させる加算チャネルを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エリア・イメージ
センサとして利用される固体撮像装置およびその駆動方
法に係り、特に、複数の光電変換素子列と複数の垂直転
送ＣＣＤとを備えたインターライン転送型の固体撮像装
置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ（電荷結合素子）の量産技術が確
立されて以来、ＣＣＤ型の固体撮像装置をエリア・イメ
ージセンサとして利用したビデオカメラ、電子スチルカ
メラ等が急速に普及している。ＣＣＤ型の固体撮像装置
は、その構造により何種類かに分類されるが、その一つ
に、インターライン転送型の固体撮像装置（以下、この
固体撮像装置を「ＩＴ−ＣＣＤ」と略記する。）があ
る。
【０００３】ＩＴ−ＣＣＤは、半導体基板の表面に一定
のピッチで複数列、複数行に亘って配列された多数個の
光電変換素子を有する。各光電変換素子列は複数個の光
電変換素子によって構成され、各光電変換素子行も複数
個の光電変換素子によって構成される。各光電変換素子
は、通常、フォトダイオードによって構成される。
【０００４】ｐｎフォトダイオードからなる多数個の光
電変換素子は、例えば半導体基板の所望面側にｐ型ウェ
ルを形成し、所望形状のｎ型領域を目的とする光電変換
素子の数と同じ数だけ前記のｐ型ウェル中に形成するこ
とによって作製される。必要に応じて、各ｎ型領域上に
ｐ+ 型領域が形成される。信号電荷は、前記のｎ型領域
のそれぞれに蓄積される。すなわち、前記のｎ型領域の
それぞれは、信号電荷蓄積領域として機能する。
【０００５】以下、本明細書において「光電変換素子」
の用語は、信号電荷蓄積領域のみを指す場合もある。ま
た、本明細書でいう「光電変換素子に近接する」あるい
は「光電変換素子に隣接する」とは、「光電変換素子を
構成している信号電荷蓄積領域に近接する」こと、ある
いは、「光電変換素子を構成している信号電荷蓄積領域
に隣接する」ことを意味するものとする。
【０００６】光電変換素子列の１列毎に、当該光電変換
素子列に近接して、１本の電荷転送チャネルが形成され
る。したがって、ＩＴ−ＣＣＤは複数本の電荷転送チャ
ネルを有する。１本の電荷転送チャネルは、当該電荷転
送チャネルに近接している光電変換素子列における全て
の光電変換素子に蓄積された信号電荷を転送するための
電荷転送チャネルとして利用される。
【０００７】電荷転送チャネルの各々を平面視上横断す
る複数本の転送電極が、前記の半導体基板表面上に電気
絶縁膜を介して形成される。各転送電極と各電荷転送チ
ャネルとの平面視上の交差部それぞれは、１つの電荷転
送段として機能する。すなわち、１本の電荷転送チャネ
ルと前記の複数本の転送電極とによって、１本の垂直転
送ＣＣＤが形成される。
【０００８】本明細書においては、垂直転送ＣＣＤを構
成する複数本の転送電極それぞれにおいて上記の電荷転
送段を構成する領域を、「転送路形成部」という。
【０００９】インターレース駆動型のＩＴ−ＣＣＤにお
ける個々の垂直転送ＣＣＤは、通常、１つの光電変換素
子に対して２つの電荷転送段を有する。全画素読み出し
型のＩＴ−ＣＣＤにおける個々の垂直転送ＣＣＤは、通
常、１つの光電変換素子に対して３つまたは４つの電荷
転送段を有する。そして、１つのＩＴ−ＣＣＤは、当該
ＩＴ−ＣＣＤに形成されている前記複数列の光電変換素
子列と同じ数の垂直転送ＣＣＤを有する。
【００１０】前述した光電変換素子の各々が光電変換す
ることにより、当該光電変換素子に信号電荷が蓄積され
る。各光電変換素子に蓄積された信号電荷は、それぞ
れ、対応する電荷転送チャネルに所定の時期に読み出さ
れる。
【００１１】光電変換素子から電荷転送チャネルへの信
号電荷の読み出しを制御するために、光電変換素子の１
個毎に当該光電変換素子に隣接して、読み出しゲート領
域が前記の半導体基板表面に形成される。この読み出し
ゲート領域は、通常、光電変換素子および電荷転送チャ
ネルと逆導電型の領域で構成される。各読み出しゲート
領域は、所定の電荷転送チャネルにおける所定の区域に
も隣接する。
【００１２】また、読み出しゲート領域それぞれの上
に、読み出しゲート電極部が形成される。読み出しゲー
ト電極部の各々は、通常、垂直転送ＣＣＤを構成する所
定の転送電極における転送路形成部の一部の領域からな
る。
【００１３】各電荷転送チャネルに読み出された信号電
荷は、当該電荷転送チャネルを含んで構成される各垂直
転送ＣＣＤによって、出力転送路へ転送される。この出
力転送路は、通常、ＣＣＤによって形成さる（以下、こ
のＣＣＤを「水平転送ＣＣＤ」ということがある。）。
【００１４】水平転送ＣＣＤからなる出力転送路は、１
つの垂直転送ＣＣＤに対してＮ個の電荷転送段を有す
る。１つの電荷転送段は、通常、１つのポテンシャルバ
リア部と、１つのポテンシャルウェル部とを有し、前記
の「Ｎ」は２である。１電荷転送段が均一なポテンシャ
ルを有する場合、前記の「Ｎ」は３以上である。
【００１５】出力転送路は、受け取った信号電荷を前記
光電変換素子行の長手方向（以下、この方向を単に「行
方向」という。）に順次転送して、出力部に送る。垂直
転送ＣＣＤと同様に、出力転送路も前記の半導体基板上
に形成される。
【００１６】垂直転送ＣＣＤや水平転送ＣＣＤは、フォ
トダイオードと同様に光電変換能を有している。このた
め、当該垂直転送ＣＣＤや水平転送ＣＣＤによって無用
の光電変換が行われないように、光電変換素子が分布す
る感光部から水平転送ＣＣＤに亘って光遮蔽膜が形成さ
れる。光遮蔽膜は、光電変換素子（フォトダイオード）
それぞれの上に所定形状の開口部を有する。１個の光電
変換素子に対して１個の開口部が形成される。この開口
部は、通常、光電変換素子の信号電荷蓄積領域を平面視
したときの縁より内側において開口する。
【００１７】１つの光電変換素子と、当該光電変換素子
に隣接して形成された１つの読み出しゲート領域と、当
該読み出しゲート領域を平面視上覆う読み出しゲート電
極部と、前記１つの光電変換素子に対応する２〜４つの
電荷転送段（垂直転送ＣＣＤにおける２〜４つの電荷転
送段）とによって、１つの画素が構成される。そして、
個々の光電変換素子の表面のうちで上記の開口部から平
面視上露出している部分が、１つの画素における受光部
として機能する。
【００１８】したがって、ＩＴ−ＣＣＤにおいては、光
遮蔽膜に形成されている開口部それぞれの平面視上の形
状および当該開口部の平面視上の面積によって、個々の
画素における受光部の形状および面積が実質的に決ま
る。
【００１９】ところで、ＩＴ−ＣＣＤの普及の拡大に伴
い、その性能、例えば解像度や感度の更なる向上が求め
られている。
【００２０】ＩＴ−ＣＣＤの解像度は、当該ＩＴ−ＣＣ
Ｄにおける画素密度に大きく依存する。画素密度が高い
ほど、解像度を高めやすい。一方、ＩＴ−ＣＣＤの感度
は、個々の画素における受光部の面積に大きく依存す
る。個々の画素における受光部の面積が広いほど、感度
を高めやすい。
【００２１】特許第２８２５７０２号公報に記載されて
いるＩＴ−ＣＣＤ（同公報では「固体撮像素子」と称さ
れているが、本明細書では「ＩＴ−ＣＣＤ」と表記す
る。）は、個々の画素における受光部の面積の低下を抑
制しつつ画素密度を向上させることを可能にしたＩＴ−
ＣＣＤとして知られている。
【００２２】このＩＴ−ＣＣＤでは、多数個の光電変換
素子が一定のピッチで複数列、複数行に亘って配列され
ており、１つの光電変換素子列および１つの光電変換素
子行は、それぞれ複数個の光電変換素子を含んでいる。
偶数列を構成している前記複数個の光電変換素子の各々
は、奇数列を構成している前記複数個の光電変換素子に
対し、各光電変換素子列内での光電変換素子同士のピッ
チの約１／２、列方向にずれている。同様に、偶数行を
構成する前記複数個の光電変換素子の各々は、奇数行を
構成する前記複数個の光電変換素子に対し、各光電変換
素子行内での光電変換素子同士のピッチの約１／２、行
方向にずれている。光電変換素子列の各々は、奇数行ま
たは偶数行の光電変換素子のみを含んでいる。
【００２３】各光電変換素子に蓄積された信号電荷を転
送するために、１つの光電変換素子列に対して１本の垂
直転送ＣＣＤが当該光電変換素子列に近接して配置され
ている。垂直転送ＣＣＤの各々は複数本の転送電極を含
んで構成され、これら複数本の転送電極はハニカム状に
配設されている。そして、複数本の転送電極をハニカム
状に配設することによって生じる六角形の隙間それぞれ
に、上記の光電変換素子の各々が平面視上位置してい
る。
【００２４】個々の垂直転送ＣＣＤは、当該垂直転送Ｃ
ＣＤに近接している１つの光電変換素子列における全て
の光電変換素子によって、これらの光電変換素子に蓄積
された信号電荷を転送するためのＣＣＤとして利用され
る。各垂直転送ＣＣＤは、蛇行しつつ、所定（垂直）方
向に信号電荷を転送する。
【００２５】上記公報に記載されているＩＴ−ＣＣＤで
は、多数個の光電変換素子および複数本の転送電極（垂
直転送ＣＣＤ用の複数本の転送電極）を上述のように配
設することにより、個々の画素における受光部の面積低
下を抑制しつつ画素密度を向上させることを可能にして
いる。
【００２６】なお、本明細書においては、上述した多数
個の光電変換素子の配置を、以下、「画素ずらし配置」
と称する。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】例えば、画素ずらし配
置が行われている１／２型、２００万画素のＩＴ−ＣＣ
Ｄを電子スチルカメラ用のＩＴ−ＣＣＤとして使用しよ
うとする場合、当該ＩＴ−ＣＣＤにおける画素ピッチ
は、光電変換素子行の長手方向（以下、この方向を「行
方向」または「方向ＤH 」という。）については、およ
そ２．８μｍとなる。また、画素ずらし配置が行われて
いる１／３型、２００万画素のＩＴ−ＣＣＤを電子スチ
ルカメラ用のＩＴ−ＣＣＤとして使用しようとする場
合、当該ＩＴ−ＣＣＤにおける前記の方向ＤH の画素ピ
ッチは、およそ２．１μｍとなる。
【００２８】垂直転送ＣＣＤとしては、４相駆動型ＣＣ
Ｄが多用されており、水平転送ＣＣＤとしては、２相駆
動型ＣＣＤが多用されている。
【００２９】４相駆動型ＣＣＤからなる垂直転送ＣＣＤ
と２相駆動型ＣＣＤからなる水平転送ＣＣＤとを備えた
ＩＴ−ＣＣＤにおいて、前記の方向ＤH に２．１μｍピ
ッチで画素を形成すること自体は、比較的容易である。
しかしながら、当該ＩＴ−ＣＣＤにおける水平転送ＣＣ
Ｄは、１列の画素当たり４つの電極を有するものでなけ
ればならない。すなわち、長さ２．１μｍの領域中に４
つの転送電極が形成されたものでなければならない。こ
のときの個々の転送電極の幅は、およそ０．５μｍであ
る。
【００３０】したがって、上記の水平転送ＣＣＤを有す
るＩＴ−ＣＣＤを得るにあたっては、チップサイズの小
型化が図れる一方で、高度な微細加工技術が必要とな
る。
【００３１】また、水平転送ＣＣＤが１列の画素当たり
４つの転送電極を有することから、当該水平転送ＣＣＤ
に駆動パルスを供給するために使用されるパルス供給用
端子の負荷静電容量が大きい。
【００３２】さらに、２００万画素を超える高解像度の
ＩＴ−ＣＣＤになると、読み出しフレーム周波数を上げ
るために、通常、２０ＭＨｚ前後という高速の駆動パル
スで水平転送ＣＣＤを動作させることになる。
【００３３】これらの結果として、水平転送ＣＣＤの消
費電力は例えば数１０ｍＷにまで増大する。消費電力の
増大は、電池搭載型の電子スチルカメラにとっては電池
寿命の低下を招く。
【００３４】本発明の目的は、高度な微細加工技術によ
らずとも画素密度を容易に向上させることができ、か
つ、消費電力の増大を容易に抑制することが可能なＩＴ
−ＣＣＤおよびその駆動方法を提供することにある。
【００３５】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、半導体基板の表面に設定された感光部内に複数行、
複数列に亘って形成された多数個の光電変換素子と、光
電変換素子列の１列毎に該光電変換素子列に近接して前
記半導体基板の表面に形成され、各々が前記感光部を一
定の方向に平面視上横切る複数本の電荷転送チャネル
と、前記感光部上に形成された複数本の転送電極であっ
て、各々が前記複数本の電荷転送チャネルの数と同じ数
の複数個の転送路形成部を有し、該複数個の転送路形成
部の各々が、それぞれ別個の電荷転送チャネルと平面視
上交差するとともに、該平面視上の交差部の各々におい
て前記電荷転送チャネルと共に１つの電荷転送段を構成
する複数本の転送電極と、前記電荷転送チャネルの複数
本に１本ずつ前記半導体基板の表面に形成され、各々
が、相隣る複数本の電荷転送チャネルを前記感光部の外
側の領域において合流させる複数本の加算チャネルと、
前記半導体基板の表面における前記感光部の外側の領域
上に形成された加算チャネル用転送電極であって、前記
複数本の加算チャネルの各々と平面視上交差し、前記複
数本の加算チャネルとの平面視上の交差部の各々におい
て、前記加算チャネルと共に１つの加算用電荷転送段を
構成する加算チャネル用転送電極とを具備した固体撮像
装置が提供される。
【００３６】本発明の他の観点によれば、上記の固体撮
像装置の駆動方法であって、１つの垂直ブランキング期
間において、所定の光電変換素子行または所定の光電変
換素子列を構成する光電変換素子の各々に蓄積された信
号電荷を該光電変換素子に隣接する前記読み出しゲート
を介して該読み出しゲートに隣接する前記電荷転送チャ
ネルに読み出す信号電荷読み出し工程と、前記１つの垂
直ブランキング期間から次の垂直ブランキング期間まで
の間に、前記電荷転送チャネルに読み出された前記信号
電荷の各々を画像信号に変換して出力する画像信号出力
工程とを含む固体撮像装置の駆動方法が提供される。
【００３７】上述した固体撮像装置においては、１本の
電荷転送チャネルを含んで構成される電荷転送段の各々
が相隣るもの同士で互いに隣接するように上記複数本の
転送電極を形成することにより、１本の垂直転送ＣＣＤ
を感光部に形成することができる。当該垂直転送ＣＣＤ
は、感光部に形成されている光電変換素子列の数と同じ
数だけ形成される。したがって、当該固体撮像装置にお
いて光電変換素子から信号電荷を読み出し、これを転送
するのに必要な垂直転送ＣＣＤの本数は、従来の固体撮
像装置における垂直転送ＣＣＤの本数と同じである。
【００３８】しかしながら、上記の固体撮像装置は、上
述した加算チャネルを有している。このため、当該加算
チャネルの下流に水平転送ＣＣＤを設けた場合、当該水
平転送ＣＣＤにおける電荷転送段の総数、ひいては転送
電極の総数は、従来の半分以下で済む。
【００３９】したがって、水平転送ＣＣＤにおける個々
の電荷転送段での転送電極の幅を狭めなくても、例えば
２００万画素という高画素密度の固体撮像装置を得るこ
とができる。すなわち、高度の微細加工技術を用いなく
ても、例えば２００万画素という高画素密度の固体撮像
装置を得ることができる。
【００４０】また、水平転送ＣＣＤに形成すべき転送電
極の総数が従来の半分以下で済むので、当該水平転送Ｃ
ＣＤに駆動パルスを供給するために使用されるパルス供
給用端子の負荷静電容量の増大も抑えられる。したがっ
て、消費電力の増大を容易に抑制することができる。
【００４１】なお、本明細書においては、信号電荷の転
送経路内における当該信号電荷の移動を１つの流れとみ
なして、個々の部材等の相対的な位置を、必要に応じて
「何々の上流」、「何々の下流」等と称して特定するも
のとする。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を詳細に説明する。
【００４３】図１は、第１の実施例のインターレース駆
動型ＩＴ−ＣＣＤ１００を概略的に示す平面図である。
同図に示したように、ＩＴ−ＣＣＤ１００は、半導体基
板１の表面に設定された感光部１０と、当該感光部１０
の外側に形成された合流部５０と、当該合流部５０の外
側に形成された出力転送路６０と、当該出力転送路６０
の一端に接続配置された出力部６５とを具備している。
【００４４】なお、図１は、図面をみやすくするため
に、また、説明を判りやすくするために、光電変換素子
２０の数を６４個にした略図である。実際のインターレ
ース駆動型ＩＴ−ＣＣＤでは、光電変換素子の数が数１
０万〜数１００万に達する。
【００４５】まず、図１に示した感光部１０の構成につ
いて、既出の図１の他に、図２、図３、図４（ａ）およ
び図４（ｂ）を用いて説明する。
【００４６】図２は、感光部１０における光電変換素子
２０、チャネルストップ領域２５および電荷転送チャネ
ル３０の平面配置を示す模式図である。
【００４７】図３は、感光部１０の概略を示す部分断面
斜視図である。
【００４８】図４（ａ）は、感光部１０上に形成されて
いる転送電極３１の概略を示す部分平面図であり、図４
（ｂ）は、感光部１０上に形成されている転送電極３２
の概略を示す部分平面図である。
【００４９】以下の説明は、ｐ型ウェルを備えたｎ型シ
リコン基板からなる半導体基板１を用いた場合を例にと
り、行う。勿論、他の半導体基板を用いて同様の機能を
有するＩＴ−ＣＣＤを得ることも可能である。
【００５０】計６４個の光電変換素子２０が、８行、８
列に亘って感光部１０における半導体基板１の表面に形
成されている。すなわち、８つの光電変換素子行２１
と、８つの光電変換素子列２２とが、感光部１０におけ
る半導体基板１の表面に形成されている。図１または図
２に示すように、個々の光電変換素子２０は、平面視
上、矩形を呈する。
【００５１】計８本の電荷転送チャネル（図１において
は図示せず。）が、光電変換素子列２２の１列に１本ず
つ、対応する光電変換素子列２２の左側（図１での左
側）に形成されている。これらの電荷転送チャネルは、
感光部１０を一定の方向ＤV （図１中に矢印で示す。）
に横切っている。図２に示すように、個々の電荷転送チ
ャネル３０は、平面視上、帯状を呈する。図３に示すよ
うに、電荷転送チャネル３０は、例えばｐ型ウェル２内
にｎ型領域を帯状に形成することによって得られる。
【００５２】図２に示すように、後述する読み出しゲー
ト領域４１が形成されている箇所を除き、光電変換素子
２０と電荷転送チャネル３０との間にチャネルストップ
領域２５が形成されている。当該チャネルストップ領域
は、１つの光電変換素子列２２において相隣る２個の光
電変換素子２０同士の間にも形成されている。図３に示
すように、チャネルストップ領域２５は、例えばｐ型ウ
ェル２内にｐ+ 型領域を所定形状に形成することによっ
て得られる。
【００５３】図３に示すように、光電変換素子２０は、
例えば、半導体基板１の一表面側に形成されたｐ型ウェ
ル２中の所定領域と、当該所定領域の上に設けられたｎ
型領域３と、ｎ型領域３上に設けられた埋込み用ｐ+ 型
層４とによって構成された埋込型のフォトダイオードか
らなる。ｎ型領域３は、信号電荷蓄積領域として機能す
る。図示を省略した電気絶縁膜（シリコン酸化膜）が、
ｐ+ 型層４上に形成されている。
【００５４】図１に示すように、計８本の転送電極３１
と計８本の転送電極３２とが、電気絶縁膜（図示せ
ず。）を介して感光部１０上に交互に形成されている。
図３に示すように、これらの転送電極３１、３２は、各
電荷転送チャネル３０を平面視上横断している。転送電
極３２は、例えば第１ポリシリコン層によって形成され
る。転送電極３１は、例えば第２ポリシリコン層によっ
て形成される。転送電極３１と転送電極３２とは、図示
を省略した電気絶縁膜によって、互いに絶縁されてい
る。
【００５５】個々の転送電極３１は、平面視上の形状が
矩形である転送路形成部３１Ｔを計８個有している（図
１参照）。１本の転送電極３１において相隣る２つの転
送路形成部３１Ｔは、図３または図４に示すように、帯
状を呈する接続部３１Ｃによって互いに繋がっている。
各接続部３１Ｃは、前記の方向ＤH （図１参照）に延び
ている。
【００５６】１本の転送電極３１における各転送路形成
部３１Ｔは、図３に示すように、それぞれ別個の電荷転
送チャネル３０と平面視上交差する。転送路形成３１Ｔ
と電荷転送チャネル３０との平面視上の交差部は、１つ
の電荷転送段として機能する。また、個々の転送電極３
１において、図１の左端から数えて偶数番目の転送路形
成部３１Ｔの各々は、感光部１０に形成されている所定
の読み出しゲート領域４１を平面視上覆う（図３参
照）。転送路形成部３１Ｔにおいて読み出しゲート領域
４１を平面視上覆う部分は、光電変換素子２０から信号
電荷を読み出すための読み出しゲート電極部３１Ｇ（図
３および図４参照）として機能する。
【００５７】転送電極３２の各々も、平面視上の形状が
矩形である転送路形成部３２Ｔを計８個有している（図
１参照）。１本の転送電極３２において相隣る２つの転
送路形成部３２Ｔは、図３または図４に示すように、帯
状を呈する接続部３２Ｃによって互いに繋がっている。
各接続部３２Ｃは、前記の方向ＤH （図１参照）に延び
ている。
【００５８】１本の転送電極３２における各転送路形成
部３２Ｔは、図３に示すように、それぞれ別個の電荷転
送チャネル３０と平面視上交差する。転送路形成３２Ｔ
と電荷転送チャネル３０との平面視上の交差部は、１つ
の電荷転送段として機能する。また、個々の転送電極３
２において、図１の左端から数えて奇数番目の転送路形
成部３２Ｔの各々は、感光部１０に形成されている所定
の読み出しゲート領域４１を平面視上覆う（図３参
照）。転送路形成部３２Ｔにおいて読み出しゲート領域
４１を平面視上覆う部分は、光電変換素子２０から信号
電荷を読み出すための読み出しゲート電極部３２Ｇ（図
３および図４参照）として機能する。
【００５９】転送路形成部３１Ｔを含んで構成される電
荷転送段と転送路形成部３２Ｔを含んで構成される電荷
転送段とは、１本の電荷転送チャネル３０に沿って交互
に連なって、１本の垂直転送ＣＣＤ３５（図１参照）を
形成している。１個の光電変換素子２０に対して、転送
路形成部３１Ｔを含んで構成される電荷転送段と転送路
形成部３２Ｔを含んで構成される電荷転送段との計２個
の電荷転送段が、上流側からこの順番で形成されてい
る。
【００６０】図１においては、図を判りやすくするため
に、個々の垂直転送ＣＣＤ３５における転送路形成部３
１Ｔと転送路形成部３２Ｔとを互いに離隔して描いてい
る。しかしながら、個々の垂直転送ＣＣＤ３５における
転送路形成部３１Ｔとその下流側に近接して形成されて
いる転送路形成部３２Ｔとは、図３に示すように、一部
重なっている。
【００６１】すなわち、転送路形成部３１Ｔの下流側の
縁部は、図示を省略した電気絶縁膜を介して、転送路形
成部３２Ｔの上流側の縁部に覆い被さっている。転送路
形成部３１Ｔとその下流側に近接して形成されている転
送路形成部３２Ｔとは、いわゆる重ね合わせ転送電極構
造をなしている。
【００６２】以下、互いに絶縁された２つの転送電極に
よって構成される構造であって、一方の転送電極におけ
る或る１つの稜に沿った縁部が他方の転送電極における
或る１つの稜に沿った縁部に覆い被さっている構造を、
単に「重ね合わせ転送電極構造」という。この場合の
「転送電極」には、転送路形成部、補助転送電極、加算
チャネル用転送電極等も含まれるものとする。重ね合わ
せ転送電極構造は、３つ以上の転送電極によっても構成
することができる。
【００６３】また、２つの転送電極からなる重ね合わせ
転送電極構造における重ね合わせ部分をみたときに下に
位置する転送電極を「下層電極」と呼び、上に位置する
転送電極を上層電極と呼ぶことがある。３つの転送電極
からなる重ね合わせ転送電極構造における重ね合わせ部
分をみたときに最も下に位置する転送電極を「下層電
極」と呼び、最も上に位置する転送電極を上層電極と呼
び、下層電極と上層電極との間に位置する転送電極を中
層電極と呼ぶことがある。
【００６４】垂直転送ＣＣＤ３５の各々は、その右側
（図１での右側）に近接して形成されている光電変換素
子列２２を構成している各光電変換素子２０に蓄積され
た信号電荷を、読み出しゲート４０介して受け取り、当
該信号電荷を前記の方向ＤV に転送する。
【００６５】上記の読み出しゲート４０は、１個の光電
変換素子２０に１個ずつ形成されている（図１参照）。
図１においては、図を判りやすくするために、読み出し
ゲート４０を転送路形成部３１Ｇまたは３２Ｇに隣接さ
せて描いている。しかしながら、実際の読み出しゲート
４０は、半導体基板１に形成されているｐ型ウェル２の
所定箇所からなる読み出しゲート領域４１（図３参照）
と、当該読み出しゲート領域４１を平面視上覆う前記の
読み出しゲート電極部３１Ｇまたは３２Ｇとを含んで構
成されている（図３参照）。
【００６６】図１の左端から数えて奇数番目に当たる光
電変換素子列２２を構成する光電変換素子２０の各々に
対しては、平面視上、当該光電変換素子２０の下流側の
ほぼ半分の領域の左側に隣接して、読み出しゲート領域
４１が形成されている（図２および図３参照）。読み出
しゲート領域４１は、光電変換素子２０に対応する２つ
の電荷転送段のうち、転送路形成部３２Ｔを含んで構成
される電荷転送段に隣接している。読み出しゲート電極
部３２Ｇが、当該読み出しゲート領域４１を平面視上覆
っている。
【００６７】図１の左端から数えて偶数番目に当たる光
電変換素子列２２を構成する光電変換素子２０の各々に
対しては、平面視上、当該光電変換素子２０の上流側の
ほぼ半分の領域の左側に隣接して、読み出しゲート領域
４１が形成されている（図２および図３参照）。この読
み出しゲート領域４１は、当該光電変換素子２０に対応
する２つの電荷転送段のうち、転送路形成部３１Ｔを含
んで構成される電荷転送段に隣接している。読み出しゲ
ート電極部３１Ｇが、当該読み出しゲート領域４１を平
面視上覆っている。
【００６８】次に、図１に示した合流部５０の構成につ
いて、既出の図１の他に図５を用いて説明する。
【００６９】図５は、上述した感光部１０、各電荷転送
チャネル３０、加算チャネル５１および出力転送路６０
の平面配置を示す概略図である。
【００７０】上述した電荷転送チャネル３０の各々は、
感光部１０を前記の方向ＤV （図１または図５参照）に
横切った後、さらに２補助電荷転送段分、出力転送路６
０側（合流部５０内）に延在している。「補助電荷転送
段」については後述する。
【００７１】相隣る２本の電荷転送チャネル３０は、合
流部５０内においても、図示を省略したチャネルストッ
プ領域によって互いに分離されている。
【００７２】計４本の加算チャネル５１が、２本の電荷
転送チャネル３０に１本ずつ接続されている（図５参
照）。加算チャネル５１の平面視上の形状は、Ｙ字状で
ある。各加算チャネル５１は、相隣る２本の電荷転送チ
ャネル３０のそれぞれの下流端に連なって、これら２本
の電荷転送チャネル３０を合流させている。相隣る２本
の加算チャネル５１は、図示を省略したチャネルストッ
プ領域によって互いに分離されている。
【００７３】図１および図５に示すように、１本の加算
チャネル用転送電極５２が合流部５０に設けられてい
る。加算チャネル用転送電極５２は、例えばポリシリコ
ンによって形成される。当該加算チャネル用転送電極５
２は、半導体基板１上に電気絶縁膜（図示せず。）を介
して設けられる。
【００７４】加算チャネル用転送電極５２は、加算チャ
ネル５１を平面視上覆うＶ字状の加算用転送路形成部５
２Ｔを計４個有している。相隣る２個の加算用転送路形
成部５２Ｔは、帯状を呈する接続部５２Ｃによって繋が
っている。各加算用転送路形成部５２Ｔは、図５に示し
たように、それぞれ別個の加算チャネル５１と平面視上
交差する。加算チャネル５１と加算用転送路形成部５２
Ｔとの平面視上の交差部は、１つの加算用電荷転送段と
して機能する。
【００７５】補助電荷転送チャネル５３が、各加算チャ
ネル５１の下流端に繋がっている（図５参照）。各補助
電荷転送チャネル５３の下流端は、出力転送路６０に達
している。相隣る２本の補助電荷転送チャネル５３は、
図示を省略したチャネルストップ領域によって互いに分
離されている。
【００７６】第１補助転送電極５５と第２補助転送電極
５６とが上流側からこの順番で、感光部１０における最
も下流の転送電極３２と加算チャネル５１との平面視上
の間に形成されている（図１参照）。第３補助転送電極
５７、第４補助転送電極５８および第５補助転送電極５
９が、上流側からこの順番で、各加算チャネル５１と出
力転送路６０との平面視上の間に形成されている。
【００７７】第１補助転送電極５５は、平面視上の形状
が矩形である補助転送路形成部を計８個有している（図
１参照）。相隣る２つの補助転送路形成部５５Ｔは、帯
状を呈する接続部５５Ｃによって互いに繋がっている。
各接続部５５Ｃは、前記の方向ＤH に延びている。各補
助転送路形成部５５Ｔは、それぞれ別個の電荷転送チャ
ネル３０と平面視上交差する。補助転送路形成５５Ｔと
電荷転送チャネル３０との平面視上の交差部は、１つの
補助電荷転送段として機能する。
【００７８】第２補助転送電極５６も、平面視上の形状
が矩形である補助転送路形成部５６Ｔを計８個有してい
る（図１参照）。相隣る２つの補助転送路形成部５６Ｔ
は、帯状を呈する接続部５６Ｃによって互いに繋がって
いる。各接続部５６Ｃは、前記の方向ＤH に延びてい
る。各補助転送路形成部５６Ｔは、それぞれ別個の電荷
転送チャネル３０と平面視上交差する。補助転送路形成
５６Ｔと電荷転送チャネル３０との平面視上の交差部
は、１つの補助電荷転送段として機能する。
【００７９】第３補助転送電極５７は、平面視上の形状
が矩形である補助転送路形成部を計４個有している（図
１参照）。相隣る２つの補助転送路形成部５７Ｔは、帯
状を呈する接続部５７Ｃによって互いに繋がっている。
各接続部５７Ｃは、前記の方向ＤH に延びている。各補
助転送路形成部５７Ｔは、それぞれ別個の電荷転送チャ
ネル５３と平面視上交差する。補助転送路形成５７Ｔと
電荷転送チャネル５３との平面視上の交差部は、１つの
補助電荷転送段として機能する。
【００８０】第４補助転送電極５８および第５補助転送
電極５９は、それぞれ、第３補助転送電極５７とほぼ同
じ形状および大きさを有し、第３補助転送電極５７とほ
ぼ同じ仕様で配設されている。図１においては、第４補
助転送電極５８における補助転送路形成部を符号５８Ｔ
で示し、当該第４補助転送電極５８における接続部を符
号５８Ｃで示している。同様に、図１においては、第５
補助転送電極５９における補助転送路形成部を符号５９
Ｔで示し、当該第５補助転送電極５９における接続部を
符号５８Ｃで示している。
【００８１】図１においては、図を判りやすくするため
に、感光部１０における最も下流の転送電極３２、加算
チャネル用転送電極５２および第１〜第５補助転送電極
５５、５６、５７、５８、５９を相隣るもの同士で互い
に離隔させて描いている。しかしながら、転送路形成部
３２Ｔ、加算用転送路形成部５２Ｔおよび補助転送路形
成部５５Ｔ、５６Ｔ、５７Ｔ、５８Ｔ、５９Ｔは、重ね
合わせ転送電極構造をなしている。
【００８２】補助転送路形成部５５Ｔ、加算用転送路形
成部５２Ｔおよび補助転送路形成部５８Ｔが上層電極に
相当する。最も下流の転送電極３２における転送路形成
部３２Ｔ、補助転送路形成部５６Ｔ、補助転送路形成部
５７Ｔおよび補助転送路形成部５９Ｔが下層電極に相当
する。
【００８３】図１の左端から数えて１、２番目の各垂直
転送ＣＣＤ３５は、感光部１０を方向ＤV に横断した
後、さらに２補助電荷転送段分、合流部５０内にそれぞ
れ延在し、その後、最も左側の加算チャネル５１（図５
参照）と最も左の加算用転送形成部５２Ｔとを含んで構
成される加算用電荷転送段において合流する。図１の左
端から数えて３、４番目の各垂直転送ＣＣＤ３５および
５、６番目の各垂直転送ＣＣＤ３５ならびに７、８番目
の各垂直転送ＣＣＤ３５についても同様である。
【００８４】各加算用電荷転送段の下流には、１本の補
助電荷転送チャネル５３（図５参照）と補助転送路形成
部５７Ｔ、５８Ｔ、５９Ｔとを含んで構成される補助垂
直転送ＣＣＤがそれぞれ続いている。これらの補助垂直
転送ＣＣＤは、出力転送路６０に達している。
【００８５】次に、図１に示した出力転送路６０および
出力部６５について説明する。
【００８６】出力転送路６０は、感光部１０から加算部
５０を介して送られてきた信号電荷を受け取り、当該信
号電荷を出力部６５へ順次転送する。出力転送路６０
は、例えば２層電極構造の２相駆動型ＣＣＤ、３層電極
構造の２相駆動型ＣＣＤ、２層電極構造の４相駆動型Ｃ
ＣＤ等によって構成される。
【００８７】２層電極構造の２相または４相駆動型ＣＣ
Ｄは、第１ポリシリコンからなる転送電極と第２ポリシ
リコンからなる転送電極とを有する２層ポリシリコン電
極構造の２相駆動型ＣＣＤを含む。３層電極構造の２相
駆動型ＣＣＤは、第１ポリシリコンからなる転送電極、
第２ポリシリコンからなる転送電極および第３ポリシリ
コンからなる転送電極を有する３層ポリシリコン電極構
造の２相駆動型ＣＣＤを含む。
【００８８】出力部６５は、出力転送路６０から送られ
てきた信号電荷をフローティング容量（図示せず。）に
よって信号電圧に変換し、当該信号電圧をソースホロワ
回路（図示せず。）等を利用して増幅する。検出（変
換）された後の電荷は、図示を省略したリセットトラン
ジスタを介して電源（図示せず。）に吸収される。
【００８９】図１に示したＩＴ−ＣＣＤ１００において
は、各転送電極３１、各転送電極３２、第１補助転送電
極５５、第２補助転送電極５６、加算チャネル用転送電
極５２、第３補助転送電極５７、第４補助転送電極５８
および第５補助転送電極５９の各々に４相の駆動パルス
を供給するために、４つのパルス供給用端子７０ａ、７
０ｂ、７０ｃ、７０ｄが配設されている。
【００９０】各転送電極３１、各転送電極３２、加算チ
ャネル用転送電極５２および第１〜第５補助転送電極５
５、５６、５７、５８、５９は、感光部１０から合流部
５０に向かって３つおきに選択することによって、４つ
の転送電極群に分けられる。個々のパルス供給用端子７
０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄは、それぞれ異なる転送
電極群の１つに電気的に接続されている。
【００９１】出力転送路６０を構成する各転送電極に２
相の駆動パルスを供給するために、２つのパルス供給用
端子７５ａ、７５ｂが配設されている。
【００９２】以上説明したＩＴ−ＣＣＤ１００において
は、(a) １つの光電変換素子２０、(b) この光電変換素
子２０の左側（図１での左側）に近接して形成されてい
る２つの電荷転送段、すなわち、転送路形成部３１Ｔを
含んで構成される電荷転送段と転送路形成部３２Ｔを含
んで構成される電荷転送段、および、(c) 転送路形成部
３１Ｔもしくは３２Ｔを含んで構成される前記の電荷転
送段と光電変換素子２０との間に形成されている１つの
読み出しゲート４０、によって、１つの画素が構成され
る。当該ＩＴ−ＣＣＤ１００においては、計６４個の画
素が８行、８列に亘って形成されている。
【００９３】ＩＴ−ＣＣＤ１００は、前述した加算チャ
ネル５１を有している。このため、出力転送路６０（図
１参照）をＣＣＤによって構成する場合、当該出力転送
路６０における電荷転送段の総数、ひいては転送電極の
総数は、従来の半分で済む。当該出力転送路６０の駆動
周波数は従来の２倍になる。
【００９４】したがって、出力転送路６０における個々
の電荷転送段での転送電極の幅を狭めなくても、例えば
２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣＤを得るこ
とができる。すなわち、高度の微細加工技術を用いなく
ても、例えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−Ｃ
ＣＤを得ることができる。
【００９５】また、出力転送路６０に形成すべき転送電
極の総数が従来の半分で済むので、当該出力転送路６０
に駆動パルスを供給するために使用されるパルス供給用
端子７５ａ、７５ｂ（図１参照）の負荷静電容量の増大
も抑えられる。したがって、消費電力の増大を容易に抑
制することができる。
【００９６】図示した第１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１０
０は、ＩＴ−ＣＣＤとしては簡単な構造のＩＴ−ＣＣＤ
である。実際のＩＴ−ＣＣＤでは、前述したように、垂
直転送ＣＣＤや水平転送ＣＣＤ等によって無用の光電変
換が行われるのを防止するために、感光部から出力転送
路に亘る所定の領域を平面視上覆う光遮蔽膜が形成され
る。また、通常、光電変換素子での光電変換効率を高め
るために、マイクロレンズアレイが配設される。さら
に、カラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤでは色フィルタアレイ
が配設される。
【００９７】図６（ａ）および図６（ｂ）は、上述した
ＩＴ−ＣＣＤ１００に光遮蔽膜８０を設けた後のＩＴ−
ＣＣＤ（以下、このＩＴ−ＣＣＤを「ＩＴ−ＣＣＤ１０
０ａ」という。）を概略的に示す部分断面図である。こ
れらの図に示すように、光遮蔽膜８０は、感光部１０上
においては、光電変換素子２０それぞれの上に所定形状
の開口部８１を有する。１個の光電変換素子２０に対し
て１個の開口部８１が形成される。各開口部８１は、平
面視上、光電変換素子２０における信号電荷蓄積領域
（ｎ型領域３）の平面視上の縁より内側において開口し
ている。１つの光電変換素子２０のうちで上記の開口部
８１から平面視上露出している部分が、個々の画素にお
ける受光部（以下、この受光部を「受光部８１」という
ことがある。）として機能する。
【００９８】上記の光遮蔽膜８０は、例えばアルミニウ
ム、クロム、タングステン、チタンまたはモリブデンか
らなる金属薄膜や、これらの金属の２種以上からなる合
金薄膜、あるいは、前記の金属同士または前記の金属と
前記の合金とを組み合わせた多層金属薄膜等によって形
成される。
【００９９】開口部（受光部）８１のそれぞれは、平面
視上、矩形を呈する。これらの開口部（受光部）８１の
形状、大きさおよび向きは、実質的に同じである。
【０１００】開口部（受光部）８１から光電変換素子２
０に入射した光は、当該光電変換素子２０によって光電
変換されて信号電荷となる。この信号電荷は、光電変換
素子２０の信号電荷蓄積領域であるｎ型領域３から当該
光電変換素子２０に隣接する読み出しゲート４０を介し
て垂直転送ＣＣＤ３５に読み出される。このとき、所定
の読み出しパルスが転送電極３１（読み出しゲート電極
部３１Ｇ）または転送電極３２（読み出しゲート電極部
３２Ｇ。ただし、図６（ａ）および図６（ｂ）において
は図示せず。）に印加される。
【０１０１】なお、図６（ａ）および図６（ｂ）におい
ては、図１や図３において図示を省略した２つの部材が
示されている。１つは、半導体基板１の表面に形成され
た電気絶縁膜５である。当該電気絶縁膜５は、例えばシ
リコン酸化物からなる。他の１つは、転送電極３１を覆
っている電気絶縁層３４である。当該電気絶縁層３４
は、転送電極３１と転送電極３２とが平面視上重なって
いる箇所においては、例えば、転送電極３２の表面に形
成された電気絶縁膜（例えばシリコン酸化膜）と、転送
電極３１の表面に形成された電気絶縁膜（例えばシリコ
ン酸化膜）とからなる。
【０１０２】一方、前記のマイクロレンズを設けるにあ
たっては、まず、光遮蔽膜８０が設けられているＩＴ−
ＣＣＤ１００ａ（図６参照）の感光部上に平坦化膜が形
成される。この平坦化膜は焦点調節層としても利用され
る。そして、白黒撮像用のＩＴ−ＣＣＤにおいては、前
記の平坦化膜の表面に所定個のマイクロレンズからなる
マイクロレンズアレイが配設される。一方、カラー撮像
用のＩＴ−ＣＣＤにおいては、上記の平坦化膜の上に色
フィルタアレイが形成される。このため、マイクロレン
ズアレイは、前記の色フィルタアレイ上に更に第２の平
坦化膜を設けた後、当該第２の平坦化膜の表面に形成さ
れる。白黒撮像用およびカラー撮像用のいずれのＩＴ−
ＣＣＤにおいても、個々のマイクロレンズは、それぞれ
別個に、画素の受光部を平面視上覆うようにして形成さ
れる。
【０１０３】第１の平坦化膜は、例えばフォトレジスト
等の透明樹脂を例えばスピンコート法によって所望の厚
さに塗布することによって形成される。
【０１０４】色フィルタアレイは、カラー撮像を可能に
する複数種の色フィルタを所定のパターンで形成したも
のである。このような色フィルタアレイとしては、３原
色（赤、緑、青）系の色フィルタアレイ、および、いわ
ゆる補色タイプの色フィルタアレイがある。
【０１０５】補色タイプの色フィルタアレイは、例えば
(i) 緑（Ｇ）、シアン（Ｃｙ）および黄（Ｙｅ）の各色
フィルタ、(ii)シアン（Ｃｙ）、黄（Ｙｅ）および白も
しくは無色（Ｗ）の各色フィルタ、(iii) シアン（Ｃ
ｙ）、マゼンダ（Ｍｇ）、黄（Ｙｅ）および緑（Ｇ）の
各色フィルタ、または、(iv)シアン（Ｃｙ）、黄（Ｙ
ｅ）、緑（Ｇ）および白もしくは無色（Ｗ）の各色フィ
ルタ、等によって構成することができる。
【０１０６】色フィルタアレイは、例えば、フォトリソ
グラフィ法等の方法によって、所望色の顔料もしくは染
料を分散させた樹脂（カラーレジン）の層を所定箇所に
形成することによって作製することができる。
【０１０７】色フィルタアレイにおける各色フィルタの
配置パターンは、次のようにして選定される。すなわ
ち、当該色フィルタアレイが設けられたＩＴ−ＣＣＤに
おける所定の２〜３画素行または２〜３画素列、例えば
相隣る２または３つの画素行の各光電変換素子に蓄積さ
れた信号電荷を用いて、加色法または減色法によりフル
カラー情報が得られるように選定される。
【０１０８】色フィルタ上に形成される第２の平坦化膜
は、例えばフォトレジスト等の透明樹脂を例えばスピン
コート法によって所望の厚さに塗布することによって形
成される。
【０１０９】マイクロレンズアレイを構成するマイクロ
レンズの各々は、１つの画素の受光部８１（図６参照）
を平面視上覆うようにして形成されている。これらのマ
イクロレンズは、例えば、屈折率が概ね１．３〜２．０
の透明樹脂（フォトレジストを含む。）からなる層をフ
ォトリソグラフィ法等によって所定形状に区画した後、
熱処理によって各区画の透明樹脂層を溶融させ、表面張
力によって角部を丸め込ませた後に冷却することによっ
て得られる。
【０１１０】図１に示したＩＴ−ＣＣＤ１００を駆動さ
せるために、各転送電極３１、各転送電極３２、加算チ
ャネル用転送電極５２、第１〜第５補助転送電極５５、
５６、５７、５８、５９、ならびに出力転送路６０に所
定の駆動パルスを供給するための駆動パルス供給手段が
用いられる。
【０１１１】以下、図６に示したＩＴ−ＣＣＤ１００ａ
をインターレース駆動させる場合を例にとり、その駆動
方法の一例を説明する。なお、下記の説明においては、
ＩＴ−ＣＣＤ１００ａに形成されている８つの画素行を
上流側から順番に第１画素行、第２画素行、第３画素
行、……第８画素行と称する。また、上記８つの画素列
を図１の左端から順番に第１画素列、第２画素列、第３
画素列、……第８画素列と称する。後述する他の実施例
において形成されている画素行、画素列についても、同
様にして所望の画素行または画素列を特定するものとす
る。
【０１１２】また、本実施例および後述する他の実施例
においては、画素行および画素列についての上記の呼称
に準じて、所望の画素を例えば「３行５列の画素」のよ
うに特定するものとする。
【０１１３】図７は、１フレームを下記(i) 〜(iv)の４
つのフィールドに分けてＩＴ−ＣＣＤ１００ａをインタ
ーレース駆動させる際の読み出しパルスの一例を示す。
【０１１４】(i) ２行奇数列、４行奇数列、６行奇数列
および８行奇数列の各画素からなる第１フィールド。
【０１１５】(ii)２行偶数列、４行偶数列、６行偶数列
および８行偶数列の各画素からなる第２フィールド。
【０１１６】(iii) １行奇数列、３行奇数列、５行奇数
列および７行奇数列の各画素からなる第３フィールド。
【０１１７】(iv)１行偶数列、３行偶数列、５行偶数列
および７行偶数列の各画素からなる第４フィールド。
【０１１８】図８に示すように、ＩＴ−ＣＣＤ１００ａ
をインターレース駆動させる際に使用される駆動パルス
供給手段１１０は、例えば、同期信号発生器１０１、タ
イミング発生器１０２、垂直駆動回路１０３および水平
駆動回路１０４を含んで構成される。なお、図８におい
ては、光遮蔽膜８０が省略されている。
【０１１９】同期信号発生器１０１は、垂直同期パル
ス、水平同期パルス等、信号処理に必要な各種のパルス
を作る。タイミング発生器１０２は、垂直転送ＣＣＤ３
０の駆動に必要な４相の垂直パルス信号、光電変換素子
２０からの信号電荷の読み出しに必要な読み出しパル
ス、出力転送路６０の駆動に必要な２相の水平パルス信
号等のためのタイミング信号を作る。
【０１２０】垂直駆動回路１０３は、上記のタイミング
信号に基づいて垂直パルス信号を発生する。当該垂直パ
ルス信号は、パルス供給用端子７０ａ、７０ｂ、７０ｃ
または７０ｄを介して、４つある前記の転送電極群のう
ちの所定の転送電極群に印加される。水平駆動回路１０
４は、上記のタイミング信号に基づいて水平パルス信号
を発生する。当該水平パルス信号は、パルス供給用端子
７５ａ、７５ｂを介して出力転送路６０に印加される。
【０１２１】パルス供給用端子７０ａに印加される垂直
パルス信号をＶa 、パルス供給用端子７０ｂに印加され
る垂直パルス信号をＶb 、パルス供給用端子７０ｃに印
加される垂直パルス信号をＶc 、パルス供給用端子７０
ｄに印加される垂直パルス信号をＶd と表記する。ま
た、パルス供給用端子７５ａに加えられる水平パルス信
号をＨa と表記し、パルス供給用端子７５ｂに加えられ
る水平パルス信号をＨbと表記する。Ｈa の位相とＨb
の位相とは、互いにπずれている。
【０１２２】ブランキングパルスによって規定される第
１の垂直ブランキング期間（以下、垂直ブランキング期
間を「Ｖブランキング」と略記する。）の適当な時期
に、低レベルの垂直パルスＶL がパルス供給用端子７０
ａ、７０ｂに印加されると共に、高レベルの垂直パルス
ＶH がパルス供給用端子７０ｃ、７０ｄに印加される。
そして、これらの垂直パルスＶL 、ＶH が印加されてい
るときに、さらに高レベルの読み出しパルスＶR がパル
ス供給用端子７０ｄに印加される。
【０１２３】当該読み出しパルスＶR の印加により、第
１フィールドを構成している光電変換素子２０の各々に
蓄積されていた信号電荷が、それぞれ対応する垂直転送
ＣＣＤ３５に読み出される（信号電荷読み出し工程）。
【０１２４】８行奇数列の各光電変換素子２０から読み
出された信号電荷は、上記第１のＶブランキングに続く
第１の水平ブランキング期間（以下、水平ブランキング
期間を「Ｈブランキング」と略記する。）に、出力転送
路６０に転送される。これらの信号電荷は、第１のＨブ
ランキングに続く第１の水平有効信号期間に、出力部６
５から順次出力される（画像信号出力工程）。
【０１２５】以下同様にして、６行奇数列の各光電変換
素子２０から読み出された信号電荷についての画像出力
工程、４行奇数列の各光電変換素子２０から読み出され
た信号電荷についての画像出力工程および２行奇数列の
各光電変換素子２０から読み出された信号電荷について
の画像出力工程が順次行われる。
【０１２６】１つのフィールドを構成する光電変換素子
２０の各々に蓄積されていた信号電荷を全て出力部６５
から出力するためには、計４回の画像出力工程が必要で
ある。当該４回の画像出力工程を行うのに要する期間
を、以下、「有効信号期間」という。
【０１２７】第１フィールドについての有効信号期間が
終了した後にブランキングパルスによって新たに規定さ
れる第２のＶブランキングの適当な時期に、低レベルの
垂直パルスＶL がパルス供給用端子７０ａ、７０ｂに印
加されると共に、高レベルの垂直パルスＶH がパルス供
給用端子７０ｃ、７０ｄに印加される。そして、これら
の垂直パルスＶL 、ＶH が印加されているときに、読み
出しパルスＶR がパルス供給用端子７０ｃに印加され
る。
【０１２８】当該読み出しパルスＶR の印加により、第
２フィールドを構成している光電変換素子２０の各々に
蓄積されていた信号電荷が、それぞれ対応する垂直転送
ＣＣＤ３５に読み出される（信号電荷読み出し工程）。
【０１２９】この信号電荷読み出し工程に引き続き、第
２フィールドについての有効信号期間が設定される。こ
の有効信号期間において、第１フィールドについての有
効信号期間に行われる計４回の画像読み出し工程と同様
にして、８行偶数列、６行偶数列、４行偶数列２行偶数
列の順番で、各光電変換素子２０から読み出された信号
電荷についての画像出力工程が計４回行われる。
【０１３０】以下、同様にして、第３フィールドについ
ての信号電荷読み出し工程および計４回の画像読み出し
工程、ならびに、第４フィールドについての信号電荷読
み出し工程および計４回の画像読み出し工程が順次行わ
れる。
【０１３１】第３フィールドについての信号電荷読み出
し工程においては、高レベルの垂直パルスＶH がパルス
供給用端子７０ａ、７０ｂに印加されると共に、低レベ
ルの垂直パルスＶL がパルス供給用端子７０ｃ、７０ｄ
に印加される。そして、これらの垂直パルスＶL 、ＶH
が印加されているときに、読み出しパルスＶR がパルス
供給用端子７０ｂに印加される。
【０１３２】第４フィールドについての信号電荷読み出
し工程においては、高レベルの垂直パルスＶH がパルス
供給用端子７０ａ、７０ｂに印加されると共に、低レベ
ルの垂直パルスＶL がパルス供給用端子７０ｃ、７０ｄ
に印加される。そして、これらの垂直パルスＶL 、ＶH
が印加されているときに、読み出しパルスＶR がパルス
供給用端子７０ａに印加される。
【０１３３】第１のＶブランキングから第４フィールド
に対する有効信号期間にかけて行われる上記の動作を繰
り返すことにより、インターレースされた画像出力信
号、すなわち、各フィールドの画像出力信号が出力部６
５から次々と出力される。
【０１３４】上記のインターレース動作において出力部
６５から出力される画像出力信号は、２本の垂直転送Ｃ
ＣＤ３５（図１参照）によって別々に転送されてきた電
荷が前述した加算用電荷転送段の各々において加算（合
流）されることによって生じた電荷（以下、この電荷を
「加算信号」という。）に基づく画像出力信号である。
個々の垂直転送ＣＣＤ３５は、(a) 信号電荷と、(b) 当
該垂直転送ＣＣＤ３５で生じた暗電流とスミアに相当す
る電荷とが混ざった電荷（以下、この電荷を「雑音信号
電荷」という。）、とを転送してくる。
【０１３５】例えば、第１フィールドまたは第３フィー
ルドの画像信号出力工程の各々においては、図１での左
端から数えて奇数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ３５のそ
れぞれが上記の信号電荷を次々と転送してくる。このと
き、図１での左端から数えて偶数番目に当たる垂直転送
ＣＣＤ３５のそれぞれは、上記の雑音信号電荷を次々と
転送してくる。
【０１３６】また、第２フィールドまたは第４フィール
ドの画像信号出力工程の各々においては、図１での左端
から数えて偶数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ３５のそれ
ぞれが上記の信号電荷を次々と転送してくる。このと
き、図１での左端から数えて奇数番目に当たる垂直転送
ＣＣＤ３５のそれぞれは、上記の雑音信号電荷を次々と
転送してくる。
【０１３７】１つの加算信号は、２本の垂直転送ＣＣＤ
３５の一方が転送してきた上記の信号電荷と他方の垂直
転送ＣＣＤ３５が転送してきた上記の雑音信号電荷とが
加算された電荷である。
【０１３８】雑音信号電荷は、後述するドレイン領域お
よび排出ゲートを設けることにより、加算用電荷転送段
の手前で除去することができる。
【０１３９】インターレースされたフィールド画像信号
を必要とするカメラでは、例えば、出力部６５から出力
された第１フィールドのフィールド画像出力信号と第２
フィールドのフィールド画像出力信号とをフィールドメ
モリに一旦蓄積する。その後、当該フィールドメモリに
蓄積された画像出力信号に信号処理を施して、画像信号
を得る。あるいは、出力部６５から出力された第３フィ
ールドのフィールド画像出力信号と第４フィールドのフ
ィールド画像出力信号とをフィールドメモリに一旦蓄積
する。その後、当該フィールドメモリに蓄積された画像
出力信号に信号処理を施して、画像信号を得る。
【０１４０】このカメラの場合、第１フィールドと第２
フィールドとで感光時刻がずれてしまうのを防止するた
めに、あるいは、第３フィールドと第４フィールドとで
感光時刻がずれてしまうのを防止するために、メカニカ
ルシャッタを使用することが好ましい。前述した第１の
Ｖブランキングが終了した後、第２のＶブランキングが
開始するまでの間、各画素に光学像が入射しないように
メカニカルシャッタを閉じておく。あるいは、前述した
第３のＶブランキングが終了した後、第４のＶブランキ
ングが開始するまでの間、各画素に光学像が入射しない
ようにメカニカルシャッタを閉じておく。これにより、
第１フィールドおよび第２フィールドのそれぞれについ
て、あるいは、第３フィールドおよび第４フィールドの
それぞれについて、同一時刻のフィールド画像出力信号
が得られる。
【０１４１】フレームの画像信号を必要とするカメラで
は、前述した第１フィールド〜第４フィールドそれぞれ
についての画像出力信号をフレームメモリに一旦蓄積す
る。その後、１フレーム分の画像出力信号毎に色信号処
理を施して、フレームの画像信号を得る。
【０１４２】１フレームのみのフレーム画像が必要なカ
メラの場合、フィールド毎に感光時刻がずれてしまうの
を防止するために、メカニカルシャッタを使用すること
が好ましい。第１のＶブランキングが終了した後、第４
のＶブランキング期間が終了するまでの間、各画素に光
学像が入射しないようにメカニカルシャッタを閉じてお
く。これにより、第１フィールド〜第４フィールドのそ
れぞれについて、同一時刻のフィールド画像出力信号が
得られる。また、第１フィールド〜第４フィールドそれ
ぞれについてのフィールド画像にスミアが生じることを
抑制できる。
【０１４３】次に、本発明の第２の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図９を用いて説明する。
【０１４４】図９は、第２の実施例によるＩＴ−ＣＣＤ
２００を概略的に示す平面図である。同図に示したＩＴ
−ＣＣＤ２００は、(i) 各転送電極３１、各転送電極３
２、加算チャネル用転送電極５２および第１〜第５補助
転送電極５５、５６、５７、５８、５９のそれぞれに所
定の駆動パルスを供給するためのパルス供給用端子の
数、ならびに、(ii)前記のパルス供給用端子と前記の各
転送電極３１、３２、５２、５５、５６、５７、５８、
５９との結線の仕様、を除いて、前述したＩＴ−ＣＣＤ
１００と同じ構造を有する。なお、図９に示した構成部
分のうち、図１に示した構成部分と共通するものについ
ては、図１で用いた符号と同じ符号を付して、その説明
を省略する。
【０１４５】図９に示したように、ＩＴ−ＣＣＤ２００
においては、各転送電極３１、各転送電極３２、加算チ
ャネル用転送電極５２および第１〜第５補助転送電極５
５、５６、５７、５８、５９のそれぞれに所定の駆動パ
ルスを供給するために、８つのパルス供給用端子７１
ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１
ｇ、７１ｈが設けられている。
【０１４６】これらのパルス供給用端子７１ａ、７１
ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１ｇ、７１ｈ
は、それぞれ所定の転送電極３１、３２、５２、５５、
５６、５７、５８または５９に電気的に接続されてい
る。
【０１４７】ＩＴ−ＣＣＤ２００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、図５に示した加算チャネル５１を
有している。このため、ＩＴ−ＣＣＤ１００における理
由と同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくて
も、例えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣ
Ｄを得ることができる。また、消費電力の増大を容易に
抑制することができる。
【０１４８】ＩＴ−ＣＣＤ２００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ３５や水平転送ＣＣＤ等によ
って無用の光電変換が行われるのを防止することができ
る。
【０１４９】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子２０での光電変換効率を高めることが
できる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第１
の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で述
べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成する
ことができる。
【０１５０】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０１５１】ＩＴ−ＣＣＤ２００をインターレース駆動
させる場合には、パルス供給用端子７１ａ、７１ｂ、７
１ｃ、７１ｄ、７１ｅ、７１ｆ、７１ｇ、７１ｈのそれ
ぞれに所定の垂直パルス信号が印加される。水平パルス
信号Ｈa がパルス供給用端子７５ａに印加され、水平パ
ルス信号Ｈb がパルス供給用端子７５ｂに印加される。
各転送電極３１、３２、５２、５５、５６、５７、５８
が８つの電極群に分けられているので、８種類の読み出
しが可能である。
【０１５２】図１０は、１フレームを下記(i) 〜(viii)
の８つのフィールドに分けてＩＴ−ＣＣＤ２００をイン
ターレース駆動させる際の読み出しパルスの一例を示
す。
【０１５３】(i) ４行奇数列および８行奇数列の各画素
からなる第１フィールド。
【０１５４】(ii)４行偶数列および８行偶数列の各画素
からなる第２フィールド。
【０１５５】(iii) ３行奇数列および７行奇数列の各画
素からなる第３フィールド。
【０１５６】(iv)３行偶数列および７行偶数列の各画素
からなる第４フィールド。
【０１５７】(v) ２行奇数列および６行奇数列の各画素
からなる第５フィールド。
【０１５８】(vi)２行偶数列および６行偶数列の各画素
からなる第６フィールド。
【０１５９】(vii) １行奇数列および５行奇数列の各画
素からなる第７フィールド。
【０１６０】(viii)１行偶数列および５行偶数列の各画
素からなる第８フィールド。
【０１６１】ＩＴ−ＣＣＤ２００をインターレース駆動
させる際に使用する駆動パルス供給手段は、例えば、前
述したＩＴ−ＣＣＤ１００をインターレース駆動させる
際に使用される駆動パルス供給手段１１０と同様にして
構成される。
【０１６２】第１フィールド〜第８フィールドそれぞれ
の画像信号出力は、１フレームを４つのフィールドに分
割してインターレース駆動させる場合に１フィールドの
画像信号出力を得るために行われる動作（第１の実施例
参照）と同様の動作により、得ることができる。このと
き、各フィールド毎に、１回の信号電荷読み出し工程と
２回の画像信号出力工程が行われる。そして、当該動作
を第１フィールドから第８フィードまで行うことによ
り、１フレームの画像出力信号を得ることができる。
【０１６３】ＩＴ−ＣＣＤ２００においても、前述した
ＩＴ−ＣＣＤ１００を用いてインターレースされたフィ
ールド画像信号を得る場合と同様の動作により、インタ
ーレースされたフィールド画像信号を得ることができ
る。また、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００を用いてフレー
ム画像信号を得る場合と同様の動作により、フレーム画
像信号を得ることができる。
【０１６４】ＩＴ−ＣＣＤ２００においては、各垂直転
送ＣＣＤ３５を８相駆動させることができる。８相駆動
型のＣＣＤにおいては、連続する６〜７つの電荷転送段
に亘って１つのポテンシャルウェルを形成し、ここに蓄
積された信号電荷を転送することが可能である。一方、
４相駆動型のＣＣＤでは、連続する２〜３つの電荷転送
段に亘って１つのポテンシャルウェルを形成し、ここに
蓄積された信号電荷を転送することが可能である。
【０１６５】したがって、各転送電極３１、３２の設計
パターンが同じであった場合、８相駆動型の垂直転送Ｃ
ＣＤは、４相駆動型の垂直転送ＣＣＤのおよそ２〜３倍
の信号電荷を転送することが可能である。
【０１６６】その結果として、ＩＴ−ＣＣＤ２００にお
いては、個々の垂直転送ＣＣＤ３５について電荷転送チ
ャネルのチャネル幅を狭めて、その分、光電変換素子２
０および画素の受光部それぞれの面積を増やすことが可
能になる。これに伴って、感度および飽和出力の増大な
らびにダイナミックレンジの拡大がそれぞれ可能にな
る。
【０１６７】次に、本発明の第３の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図１１を用いて説明する。
【０１６８】図１１は、第３の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄ３００における感光部１０ａおよび合流部５０それぞ
れの一部を概略的に示す部分平面図である。図１１に
は、７行１列、７行２列、７行３列、７行４列、８行１
列、８行２列、８行３列および８行４列の各画素と、こ
れらの画素の下流域の一部とが描かれている。また、感
光部１０ａおよび加算部５０に形成されている各種の転
送電極に駆動パルスを供給するための３つのパルス供給
用端子７２ａ、７２ｂ、７２ｃも描かれている。
【０１６９】同図に示したＩＴ−ＣＣＤ３００は、(i)
感光部に形成されている転送電極の種類、総数および転
送電極同士の関係、(ii)感光部に形成されている各転送
電極、加算チャネル用転送電極および第１〜第５補助転
送電極それぞれに所定の駆動パルスを供給するためのパ
ルス供給用端子の数、ならびに、(iii) 前記のパルス供
給用端子と感光部に形成されている各転送電極、加算チ
ャネル用転送電極および第１〜第５補助転送電極それぞ
れとの結線の仕様、を除いて、前述したＩＴ−ＣＣＤ１
００と同じ構造を有する。
【０１７０】図１１に示した構成部分のうち、図１に示
した構成部分と共通するものについては、図１で用いた
符号と同じ符号を付してその説明を省略する。ただし、
転送電極３１および転送電極３２については、あらため
て説明する。
【０１７１】図１１に示したように、３種類の転送電極
３１、３２、３３が感光部１０ａに８本ずつ形成されて
いる。転送電極３１と転送電極３２とは、上流側から下
流側に向かって、転送電極３１、転送電極３２の順番で
交互に１本ずつ形成されている。転送路形成部３１Ｔと
その下流側に近接して形成されている転送路形成部３２
Ｔとは、互いに離隔されている。
【０１７２】転送電極３３の各々は、平面視上の形状が
矩形である転送路形成部３３Ｔを計８個有している。１
本の転送電極３３において相隣る２つの転送路形成部３
３Ｔは、前記の方向ＤV に延在する帯状の接続部３３Ｃ
によって互いに繋がっている。各接続部３３Ｃは、転送
路形成部３１Ｔ、３２Ｔの上に電気絶縁膜を介して形成
されている。
【０１７３】転送路形成部３３Ｔは、転送路形成部３１
Ｔとその下流側に近接して形成されている転送路形成部
３２Ｔとの間に配設されている。前記の方向ＤH （図１
１参照）に沿って並ぶ各転送路形成部３３Ｔは、それぞ
れ別個の電荷転送チャネルと平面視上交差する。転送路
形成３３Ｔと電荷転送チャネルとの平面視上の交差部
は、１つの電荷転送段として機能する。
【０１７４】転送路形成部３１Ｔと、当該転送路形成部
３１Ｔの直ぐ下流に形成されている転送路形成部３３Ｔ
と、当該転送路形成部３３Ｔの直ぐ下流に形成されてい
る転送路形成部３２Ｔとは、重ね合わせ転送電極構造を
なしている。転送路形成部３３Ｔが上層電極に相当し、
転送路形成部３１Ｔが中層電極に相当し、転送路形成部
３２Ｔが下層電極に相当する。
【０１７５】ＩＴ−ＣＣＤ３００においては、(a) １つ
の光電変換素子２０、(b) この光電変換素子２０の左側
（図１１での左側）に近接して形成されている３つの電
荷転送段、すなわち、転送路形成部３１Ｔを含んで構成
される電荷転送段と、転送路形成部３３Ｔを含んで構成
される電荷転送段と、転送路形成部３２Ｔを含んで構成
される電荷転送段、および、(c) 転送路形成部３１Ｔも
しくは３２Ｔを含んで構成される前記の電荷転送段と光
電変換素子２０との間に形成されている１つの読み出し
ゲート４０、によって、１つの画素が構成される。
【０１７６】３つのパルス供給用端子７２ａ、７２ｂ、
７２ｃが感光部１０ａの外側に設けられている。
【０１７７】パルス供給用端子７２ａは、各転送電極３
３と、第２補助転送電極５６と、図示を省略した第４補
助転送電極５８（図１参照）とに電気的に接続されてい
る。パルス供給用端子７２ｂは、各転送電極３２と、加
算チャネル用転送電極５２と、図示を省略した第５補助
転送電極５９（図１参照）とに電気的に接続されてい
る。パルス供給用端子７２ｃは、各転送電極３１と、第
１補助転送電極５５と、第３補助転送電極５７とに電気
的に接続されている。
【０１７８】ＩＴ−ＣＣＤ３００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、図５に示した加算チャネル５１を
有している。このため、ＩＴ−ＣＣＤ１００における理
由と同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくて
も、例えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣ
Ｄを得ることができる。また、消費電力の増大を容易に
抑制することができる。
【０１７９】ＩＴ−ＣＣＤ３００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ３５や水平転送ＣＣＤ等によ
って無用の光電変換が行われるのを防止することができ
る。
【０１８０】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子２０での光電変換効率を高めることが
できる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第１
の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で述
べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成する
ことができる。
【０１８１】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０１８２】図１１に示した構成を有するＩＴ−ＣＣＤ
３００は、インターレース駆動が可能なＩＴ−ＣＣＤで
ある。インターレース駆動を行う際には、パルス供給用
端子７２ａ、７２ｂ、７２ｃのそれぞれに所定の垂直パ
ルス信号が印加される。水平パルス信号Ｈa が図示を省
略したパルス供給用端子７５ａ（図１参照）に印加さ
れ、水平パルス信号Ｈb が図示を省略したパルス供給用
端子７５ｂ（図１参照）に印加される。
【０１８３】図１２は、１フレームを下記(i) 〜(ii)の
２つのフィールドに分けてインターレース駆動を行う際
の読み出しパルスの一例を示す。
【０１８４】(i) 奇数列の各画素からなる第１フィール
ド。
【０１８５】(ii)偶数列の各画素からなる第２フィール
ド。
【０１８６】インターレース駆動の際に使用する駆動パ
ルス供給手段は、例えば、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００
をインターレース駆動させる際に使用される駆動パルス
供給手段１１０（図７参照）と同様にして構成される。
垂直転送ＣＣＤ３５の各々は、３相駆動される。
【０１８７】第１フィールドおよび第２フィールドそれ
ぞれの画像信号出力は、１フレームを４つのフィールド
に分割してインターレース駆動させる場合に１フィール
ドの画像信号出力を得るために行われる動作（第１の実
施例参照）と同様の動作により、得ることができる。こ
のとき、各フィールド毎に、１回の信号電荷読み出し工
程と８回の画像信号出力工程が行われる。そして、当該
動作を第１フィールドから第８フィードまで行うことに
より、１フレームの画像出力信号を得ることができる。
【０１８８】第１のＶブランキングから第２フィールド
に対する有効信号期間かけて行われる上記の動作を繰り
返すことにより、各フィールドの画像出力信号が出力部
から次々と出力される。
【０１８９】前述した第１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１０
０を用いてフレームの画像信号を得る場合と同様の動作
により、フレーム画像信号を得ることができる。
【０１９０】次に、本発明の第４の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図１３および図１４を用いて説明す
る。
【０１９１】図１３は、第４の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄ４００を概略的に示す部分平面図である。
【０１９２】図１４は、図１３に示したＡ−Ａ線断面の
概略である。
【０１９３】これらの図に示したＩＴ−ＣＣＤ４００
は、(i) 第１補助転送電極における補助転送路形成部の
形状、(ii)第２補助転送電極における補助転送路形成部
の形状、(iii) 電荷転送チャネルの形状、(iv)合流部に
おけるドレイン領域の有無、(v) 合流部における排出ゲ
ートの有無、および、(vi)合流部に形成されているチャ
ネルストップ領域の形状、を除いて、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同じ構造を有する。
【０１９４】図１３および図１４に示した構成部分のう
ち、図１または図６に示した構成部分と共通するものに
ついては、図１または図６で用いた符号と同じ符号を付
してその説明を省略する。
【０１９５】上述したように、第１補助転送電極３５５
における補助転送路形成部３５５Ｔの形状は、図１に示
したＩＴ−ＣＣＤ１００における補助転送路形成部５５
Ｔの形状とは異なる。同様に、第２補助転送電極３５６
における補助転送路形成部３５６Ｔの形状も、図１に示
したＩＴ−ＣＣＤ１００における補助転送路形成部５６
Ｔの形状とは異なる。
【０１９６】これらの補助転送路形成部３５５Ｔ、３５
６Ｔの形状は、後述するドレイン領域および排出ゲート
を半導体基板１に配設しやすいように、選定されてい
る。
【０１９７】図１３の左端から数えて奇数番目に当たる
補助転送路形成部３５５Ｔの各々は、上流側から左斜め
下流側に向かって延在している。図１３の左端から数え
て偶数番目に当たる補助転送路形成部３５５Ｔの各々
は、上流側から右斜め下流側に向かって延在している。
【０１９８】図１３の左端から数えて奇数番目に当たる
補助転送路形成部３５６Ｔの各々は、上流側から下流側
に一旦向かった後にその向きを右斜め下流側に変えて延
在している。図１３の左端から数えて偶数番目に当たる
補助転送路形成部３５６Ｔの各々は、上流側から下流側
に一旦向かった後にその向きを左斜め下流側に変えて延
在している。
【０１９９】ＩＴ−ＣＣＤ４００を構成する電荷転送チ
ャネルの各々は、感光部１０内においては、図１に示し
たＩＴ−ＣＣＤ１００における感光部１０内での電荷転
送チャネル３０と同じ形状を有する。
【０２００】しかしながら、図１３の左端から数えて奇
数番目の垂直転送ＣＣＤ３５を構成する電荷転送チャネ
ルの各々は、合流部３５０に入った後、その向きを大き
く変化させて加算チャネル５１（図５参照）に達してい
る。すなわち、上流側から左斜め下流側に一旦向かった
後にその向きを下流側に変え、その後さらに、その向き
を右斜め下流側に変えて、加算チャネル５１（図５参
照）に達している。
【０２０１】また、図１３の左端から数えて偶数番目の
垂直転送ＣＣＤ３５を構成する電荷転送チャネルの各々
も、合流部３５０に入った後、その向きを大きく変化さ
せて加算チャネル５１（図５参照）に達している。すな
わち、上流側から右斜め下流側に一旦向かった後にその
向きを下流側に変え、その後さらに、その向きを左斜め
下流側に変えて、加算チャネル５１（図５参照）に達し
ている。
【０２０２】図１３の左端から数えて１番目の補助転送
路形成部３５６Ｔと２番目の補助転送路形成部３５６Ｔ
との平面視上の間に、１つのドレイン領域３１０が形成
されている。同様に、図１３の左端から数えて３、４番
目の各補助転送路形成部３５６Ｔの平面視上の間、５、
６番目の各補助転送路形成部３５６Ｔの平面視上の間、
および、７、８番目の各補助転送路形成部３５６Ｔの平
面視上の間にも、それぞれ１つのドレイン領域３１０が
形成されている。
【０２０３】図１４に示すように、各ドレイン領域３１
０は、半導体基板１に形成されているｐ型ウェル２内の
所定箇所にｎ+ 型領域を形成することによって作製され
ている。個々のドレイン領域３１０は、平面視上、前記
の方向ＤV に長い矩形を呈する。ドレイン領域３１０と
当該ドレイン領域３１０に近接する電荷転送チャネル３
０との間には、ｐ型ウェル２が介在している。
【０２０４】排出ゲート電極３１５が、ドレイン領域３
１０と当該ドレイン領域３１０に近接する電荷転送チャ
ネル３０との間に介在するｐ型ウェル２を平面視上覆う
ようにして、当該ｐ型ウェル２の上方に形成されてい
る。排出ゲート電極３１５は、半導体基板１の表面に形
成された電気絶縁膜５の表面上に形成されている。
【０２０５】１つの排出ゲート電極３１５は、当該排出
ゲート電極３１５の下方に位置するｐ型ウェル２、すな
わち、ドレイン領域３１０と当該ドレイン領域３１０に
近接する電荷転送チャネル３０との間に介在するｐ型ウ
ェル２と共に、１つの排出ゲート３２０を構成する。
【０２０６】排出ゲート電極３１５における補助転送路
形成部３５６Ｔ側の縁部は、当該補助転送路形成部５６
Ｔにおけるドレイン領域３１０側の縁部に覆い被さって
いる。ただし、排出ゲート電極３１５と補助転送路形成
部３５６Ｔとは、電気絶縁層３３０によって互いに絶縁
されている。電気絶縁層３３０は、例えば、補助転送路
形成部３５６Ｔの表面に形成された電気絶縁膜と、排出
ゲート電極３１５上に形成された電気絶縁膜とからな
る。
【０２０７】１つの排出ゲート３２０は、前記の転送路
形成部３５６Ｔを含んで構成される１つの電荷転送段お
よび１つのドレイン領域３１０とともに、１つの絶縁ゲ
ート型トランジスタを構成している。
【０２０８】図１４に示したＩＴ−ＣＣＤ４００におい
ては、前述した光遮蔽膜８０（図６（ａ）および図６
（ｂ）参照）が電気絶縁層３３０上に形成されている。
【０２０９】なお、互いに相隣る電荷転送チャネル３０
は、上記の排出ゲート３２０が形成されている箇所を除
き、チャネルストップ領域３４０（図１４参照）によっ
て分離されている。
【０２１０】ＩＴ−ＣＣＤ４００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、図５に示した加算チャネル５１を
有している。このため、ＩＴ−ＣＣＤ１００における理
由と同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくて
も、例えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣ
Ｄを得ることができる。また、消費電力の増大を容易に
抑制することができる。
【０２１１】ＩＴ−ＣＣＤ４００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ３５や水平転送ＣＣＤ等によ
って無用の光電変換が行われるのを防止することができ
る。
【０２１２】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子２０での光電変換効率を高めることが
できる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第１
の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で述
べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成する
ことができる。
【０２１３】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０２１４】ＩＴ−ＣＣＤ４００は、前述した第１の実
施例のＩＴ−ＣＣＤ１００と全く同様にして、インター
レース駆動させることができる。
【０２１５】ＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で
述べたように、個々の垂直転送ＣＣＤ３５は、信号電荷
と雑音信号電荷とを加算用電荷転送段に転送してくる。
ＩＴ−ＣＣＤ４００においては、上記の雑音信号電荷を
ドレイン領域３１０に排出することができる。
【０２１６】雑音信号電荷をドレイン領域３１０に排出
するために、まず、図１４での左端から数えて奇数番目
に当たる排出ゲート電極３１５の各々を１つのパルス供
給用端子３８０ａに電気的に接続する。また、偶数番目
に当たる排出ゲート電極３１５の各々を１つのパルス供
給用端子３８０ｂに電気的に接続する。
【０２１７】そして、所定の時期に、パルス供給用端子
３８０ａおよびパルス供給用端子３８０ｂに制御電圧Ｖ
ONまたは制御電圧ＶOFF を印加する。制御電圧Ｖ
OFF は、電荷転送チャネル３０の電荷がドレイン領域３
１０に排出されないような、十分に小さい正電圧もしく
は零電圧または十分に大きい負電圧である。制御電圧Ｖ
ONは、電荷転送チャネル３０の電荷を全てドレイン領域
３１０に排出するに十分大きい正電圧である。
【０２１８】図１５は、上記の制御電圧ＶONおよびＶ
OFF が印加される時期の一例を示す。
【０２１９】第１フィールドまたは第３フィールドにつ
いてのＶブランキングから有効信号期間が終了するまで
の間、パルス供給用端子３８０ａに制御電圧ＶOFF を印
加し、パルス供給用端子３８０ｂには所定の制御電圧Ｖ
ONを印加する。パルス供給用端子３８０ａにＶOFF を印
加することにより、図１４での左端から数えて奇数番目
に当たる排出ゲート３２０の各々が閉となる。また、パ
ルス供給用端子３８０ｂにＶONを印加することにより、
図１４での左端から数えて偶数番目に当たる排出ゲート
３２０の各々が開となる。
【０２２０】この状態で、図１４での左端から数えて偶
数番目に当たる補助転送路形成部３５６Ｔを含んで構成
される補助電荷転送段の各々に雑音信号電荷が転送され
てくると、当該雑音信号が所定のドレイン領域３１０に
排出される（ノイズ削減工程）。
【０２２１】第２フィールドまたは第４フィールドにつ
いてのＶブランキングから有効信号期間が終了するまで
の間、パルス供給用端子３８０ａに制御電圧ＶONを印加
し、パルス供給用端子３８０ｂには制御電圧ＶOFF を印
加する。
【０２２２】この状態で、図１４での左端から数えて奇
数番目に当たる補助転送路形成部３５６Ｔを含んで構成
される補助電荷転送段の各々に雑音信号電荷が転送され
てくると、当該雑音信号が所定のドレイン領域３１０に
排出される（ノイズ削減工程）。
【０２２３】ＩＴ−ＣＣＤ４００を上述のようにしてイ
ンターレース駆動させるために使用される駆動パルス供
給手段は、例えば、図７に示した駆動パルス供給手段１
１０に更に排出ゲート制御回路を付設することによって
構成される。排出ゲート制御回路は、上述した制御電圧
ＶON、ＶOFF をパルス供給用端子３８０ａ、３８０ｂに
印加する。
【０２２４】次に、本発明の第５の実施例について図１
６、図１７、図１８、図１９および図２０を用いて説明
する。
【０２２５】図１６は、第５の実施例のインターレース
駆動型ＩＴ−ＣＣＤ５００を概略的に示す平面図であ
る。
【０２２６】図１７は、ＩＴ−ＣＣＤ５００における感
光部４１０の一部を拡大して示す平面図である。
【０２２７】図１８（ａ）は、図１７に示した電荷転送
チャネル４３０ａを概略的に示す平面図であり、図１８
（ｂ）は、図１７に示した電荷転送チャネル４３０ｂを
概略的に示す平面図である。
【０２２８】図１９（ａ）は、図１７に示した転送電極
４３１を概略的に示す平面図であり、図１９（ｂ）は、
図１７に示した転送電極４３２を概略的に示す平面図で
ある。図２０は、感光部４１０と、各電荷転送チャネル
４３０ａ、４３０ｂと、加算チャネル５１と、出力転送
路６０との平面配置を示す概略図である。
【０２２９】図１６に示したＩＴ−ＣＣＤ５００は、
(i) 計３２個の画素が画素ずらし配置されている点、お
よび、(ii)感光部と１つの加算用電荷転送段との間に形
成されている補助電荷転送段の数が２から１に減った
点、を除いて、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００と同様の構
造を有する。図１６、図１７、図１８または図１９にお
いて図１、図３または図５に示した構成部分と共通する
部分については、図１、図３または図５で用いた符号と
同じ符号を付してその説明を省略する。
【０２３０】計３２個の光電変換素子４２０が、８行、
８列に亘って感光部４１０における半導体基板１の表面
に画素ずらし配置されている。８つの光電変換素子行４
２１と、８つの光電変換素子列４２２とが、感光部４１
０における半導体基板１の表面に形成されている。
【０２３１】偶数番目の光電変換素子行４２１を構成す
る光電変換素子４２０（信号電荷蓄積領域）の各々は、
奇数番目の光電変換素子行４２１を構成する光電変換素
子４２０（信号電荷蓄積領域）同士のピッチＰ1 の約１
／２、行方向（方向ＤH ）にずれている（図１７参
照）。同様に、偶数番目の光電変換素子列４２２を構成
する光電変換素子４２０（信号電荷蓄積領域）の各々
は、奇数番目の光電変換素子列４２２を構成する光電変
換素子４２０（信号電荷蓄積領域）同士のピッチＰ2の
約１／２、列方向（方向ＤV ）にずれている（図１７参
照）。
【０２３２】ここで、本明細書においていう「ピッチＰ
1 の約１／２」とは、Ｐ1／２を含む他に、製造誤差、
設計上もしくはマスク製作上起こる画素位置の丸め誤差
等の要因によってＰ1 ／２からはずれてはいるものの、
得られるＩＴ−ＣＣＤの性能およびその画像の画質から
みて実質的にＰ1／２と同等とみなすことができる値を
も含むものとする。本明細書でいう「ピッチＰ2 の約１
／２」についても同様である。
【０２３３】図１７に示すように、光電変換素子４２０
それぞれの平面視上の形状は実質的に六角形であり、個
々の光電変換素子４２０の平面視上の大きさおよび向き
は、実質的に同一である。
【０２３４】２種類の電荷転送チャネル４３０ａ、４３
０ｂが、方向ＤH に交互に４本ずつ形成されている（図
１７参照）。電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂは、
平面視上の形状が互いにほぼ線対称になっている。
【０２３５】図１７、図１８（ａ）および図１８（ｂ）
に示すように、電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂの
各々は、複数の区間が区間同士の境界部で向きを変えな
がら全体として方向ＤV に連なった蛇行形状を呈する。
図１８（ａ）、図１８（ｂ）中の符号Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、……Ｒ6 は、それぞれ、電荷転送チャネル４３０
ａ、４３０ｂにおける１つの区間を指している。
【０２３６】電荷転送チャネル４３０ａの各々において
は、感光部４１０の上端側から数えて偶数番目の区間そ
れぞれの右隣に、読み出しゲート４４０が形成されてい
る。一方、電荷転送チャネル４３０ｂの各々において
は、感光部４１０の上端側から数えて奇数番目の区間
（ただし、１番目の区間を除く。）それぞれの右隣に、
読み出しゲート４４０が形成されている。読み出しゲー
ト４４０の各々は、所定の光電変換素子４２０とも隣接
している。
【０２３７】電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂと光
電変換素子４２０とは、読み出しゲート４４０が形成さ
れている箇所を除き、図示を省略したチャネルストップ
領域によって分離されている。１つの光電変換素子列４
２２内において相隣る２つの光電変換素子４２０同士
も、図示を省略したチャネルストップ領域によって分離
されている。
【０２３８】２種類の転送電極４３１、４３２が、それ
ぞれ、各電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂを平面視
上横断するようにして、ハニカム状に形成されている
（図１７参照）。
【０２３９】図１９（ａ）に示したように、転送電極４
３１の各々は、２種類の接続部４３１Ｃ1 、４３１Ｃ2
をそれぞれ所定個ずつ有している。接続部４３１Ｃ1 の
左端（図１９（ａ）での左端）には転送路形成部４３１
Ｔ1 が続いており、接続部４３１Ｃ1 の右端（図１９
（ａ）での右端）には転送路形成部４３１Ｔ2 が続いて
いる。接続部４３１Ｃ2 の左端（図１７および図１９
（ａ）での左端）には転送路形成部４３１Ｔ2 が続いて
おり、接続部４３１Ｃ2 の右端（図１９（ａ）での右
端）には転送路形成部４３１Ｔ1 が続いている。
【０２４０】感光部４１０の最も上端に形成されている
転送電極４３１を除き、転送電極４３１の各々における
接続部４３１Ｃ1 は接続部４３１Ｃ2 よりわずかに長
い。感光部４１０の最も上端に形成されている転送電極
４３１では、接続部４３１Ｃ1の長さと接続部４３１Ｃ
2 の長さとが実質的に等しくなっている。
【０２４１】１本の転送電極４３１における転送路形成
部４３１Ｔ1 、４３１Ｔ2 の総数は、感光部４１０に形
成されている電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂの総
数と同じである。個々の転送路形成部４３１Ｔ1 、４３
１Ｔ2 は、図１７に示したように、電荷転送チャネル４
３０ａまたは４３０ｂにおける１つの区間を平面視上覆
って、当該区間とともに１つの電荷転送段を構成する。
また、転送路形成部４３１Ｔ2 の各々は、感光部４１０
の最も上端に形成されている転送電極４３１における各
転送路形成部４３１Ｔ2 を除いて、それぞれ別個に、１
つの読み出しゲート領域をも平面視上覆う。
【０２４２】読み出しゲート領域は、光電変換素子４２
０の左下斜辺（図１６または図１７での左下斜辺）と、
当該左下斜辺に近接する１つの区間（電荷転送チャネル
４３０ａまたは４３０ｂにおける１つの区間）とに、隣
接する。当該読み出しゲート領域は、半導体基板１に設
けられたｐ型ウェルにおける所定箇所からなる。
【０２４３】当該転送路形成部４３１Ｔ2 の幅は転送路
形成部４３１Ｔ1 の幅より広い。個々の転送路形成部４
３１Ｔ2 において上記の読み出しゲート領域を平面視上
覆う部分は、光電変換素子４２０から信号電荷を読み出
すための読み出しゲート電極部４３１Ｇ（図１７および
図１９（ａ）参照）として機能する。
【０２４４】図１７の左端から数えて偶数番値の光電変
換素子列４２２を構成する光電変換素子４２０の各々に
対しては、読み出しゲート４４０の各々が、１つの読み
出しゲート領域と１つの読み出しゲート電極部４３１Ｇ
とを含んで構成される。
【０２４５】図１９（ｂ）に示すように、転送電極４３
２の各々は、２種類の接続部４３２Ｃ1 、４３２Ｃ2 を
それぞれ所定個ずつ有している。接続部４３２Ｃ1 の左
端（図１９（ｂ）での左端）には転送路形成部４３２Ｔ
1 が続いており、接続部４３２Ｃ1 の右端（図１９
（ｂ）での右端）には転送路形成部４３２Ｔ2 が続いて
いる。接続部４３２Ｃ2 の左端（図１９（ｂ）での左
端）には転送路形成部４３２Ｔ2 が続いており、接続部
４３２Ｃ2 の右端（図１９（ｂ）での右端）には転送路
形成部４３２Ｔ1 が続いている。
【０２４６】１本の転送電極４３２における転送路形成
部４３２Ｔ1 、４３２Ｔ2 の総数は、感光部４１０に形
成されている電荷転送チャネル４３０ａ、４３０ｂの総
数と同じである。個々の転送路形成部４３２Ｔ1 、４３
２Ｔ2 は、図１７に示したように、電荷転送チャネル４
３０ａ、４３０ｂにおける１つの区間を平面視上覆っ
て、当該区間とともに１つの電荷転送段を構成する。ま
た、転送路形成部４３２Ｔ1 の各々は、それぞれ別個
に、１つの読み出しゲート領域をも平面視上覆う。この
ため、当該転送路形成部４３２Ｔ1 の幅は転送路形成部
４３２Ｔ2 の幅より広い。
【０２４７】個々の転送路形成部４３２Ｔ1 において読
み出しゲート領域を平面視上覆う部分は、光電変換素子
４２０から信号電荷を読み出すための読み出しゲート電
極部４３２Ｇ（図１７および図１９（ｂ）参照）として
機能する。
【０２４８】図１７の左端から数えて奇数番値の光電変
換素子列４２２を構成する光電変換素子４２０の各々に
対しては、読み出しゲート４４０の各々が、１つの読み
出しゲート領域と１つの読み出しゲート電極部４３２Ｇ
とを含んで構成される。
【０２４９】転送路形成部４３１Ｔ1 を含んで構成され
る電荷転送段と転送路形成部４３２Ｔ1 を含んで構成さ
れる電荷転送段とは交互に連なって、１本の垂直転送Ｃ
ＣＤ４３５を形成する（図１７参照）。この垂直転送Ｃ
ＣＤ４３５における電荷転送段の各々は、電荷転送段同
士の境界部で向きを変えつつ連なって、全体としては前
記の方向ＤV に延びている（図１７参照）。当該垂直転
送ＣＣＤ４３５は、その右（図１６または図１７での
右）に近接して形成されている光電変換素子列４２２
（奇数列の光電変換素子列４２２）を構成している光電
変換素子４２０の各々に蓄積された信号電荷を前記の方
向ＤV に転送する。
【０２５０】また、転送路形成部４３１Ｔ2 を含んで構
成される電荷転送段と転送路形成部４３２Ｔ2 を含んで
構成される電荷転送段も交互に連なって、１本の垂直転
送ＣＣＤ４３５を形成する（図１７参照）。この垂直転
送ＣＣＤ４３５における電荷転送段の各々も、電荷転送
段同士の境界部で向きを変えつつ連なって、全体として
は前記の方向ＤV に延びている（図１７参照）。当該垂
直転送ＣＣＤ４３５は、その右（図１６または図１７で
の右）に形成されている光電変換素子列４２２（偶数列
の光電変換素子列４２２）を構成している光電変換素子
４２０の各々に蓄積された信号電荷を前記の方向ＤV に
転送する。
【０２５１】相隣る２本の転送電極４３１、４３２は、
ある１つの光電変換素子列４２２を横切るときには、接
続部４３１Ｃ1 、４３２Ｃ1 または接続部４３１Ｃ2 、
４３２Ｃ2 において重なる。また、前記の光電変換素子
列４２２の隣の光電変換素子列４２２を横切るときには
互いに離隔して、当該光電変換素子列４２２を構成して
いる光電変換素子４２０の１つを平面視上取り囲む。相
隣る２本の転送電極４３１、４３２は、上記の離合を繰
り返しながら、全体として前記の方向ＤH に延びている
（図１７参照）。
【０２５２】図１６の構成において、相隣る２本の転送
電極が、感光部１０の上端側からみて転送電極４３１と
転送電極４３２とであった場合、当該相隣る２本の転送
電極４３１、４３２は、奇数行の光電変換素子４２０の
各々を平面視上取り囲む。一方、相隣る２本の転送電極
が、感光部１０の上端側からみて転送電極４３２と転送
電極４３１とであった場合、当該相隣る２本の転送電極
４３２、４３１は、偶数行の光電変換素子４２０の各々
を平面視上取り囲む。
【０２５３】これら相隣る２本の転送電極４３１、４３
２は、互いに離隔している箇所それぞれにおいて光電変
換素子４２０の１つを平面視上取り囲んで、ここに六角
形もしくは実質的に六角形の光電変換素子領域を１つ画
定している。
【０２５４】図１６での左端から数えて奇数番目に当た
る光電変換素子列４２２の各々における各光電変換素子
領域は、１つの接続部４３１Ｃ1 と当該接続部４３１Ｃ
1 を介して相隣る２つの転送路形成部４３１Ｔ1 、４３
１Ｔ2 、ならびに、１つの接続部４３２Ｃ1 と当該接続
部４３２Ｃ1 を介して相隣る２つの転送路形成部４３２
Ｔ1 、４３２Ｔ2 によって、平面視上、画定される。
【０２５５】一方、図１６での左端から数えて偶数番目
に当たる光電変換素子列４２２における各光電変換素子
領域は、１つの接続部４３１Ｃ2 と当該接続部４３１Ｃ
2 を介して相隣る２つの転送路形成部４３１Ｔ2 、４３
１Ｔ1 、ならびに、１つの接続部４３２Ｃ2 と当該接続
部４３２Ｃ2 を介して相隣る２つの転送路形成部４３２
Ｔ2 、４３２Ｔ1 によって、平面視上、画定される。
【０２５６】なお、図１６においては、転送電極４３１
と転送電極４３２とを区別しやすくするために、当該転
送電極４３１、４３２を互いに離隔して描いている。し
かしながら、これらの転送電極４３１、４３２は、図１
７に示したように、接続部４３１Ｃ1 、４３２Ｃ1 、接
続部４３１Ｃ2 、４３２Ｃ2 、転送路形成部４３１
Ｔ 1 、４３２Ｔ1 、転送路形成部４３１Ｔ2 、４３２Ｔ
2 において重なっている。
【０２５７】感光部４１０における左端（図１での左
端）の光電変換素子列４２２の左側に垂直転送ＣＣＤ４
３５を設けない場合、当該左端の光電変換素子列４２２
を構成している各光電変換素子４２０は、相隣る２本の
転送電極４３１、４３２によって平面視上取り囲まれて
いなくてもよい。すなわち、左端の光電変換素子列４２
２を構成している各光電変換素子４２０を平面視上取り
囲むうえで必要となる左端の転送路形成部４３１Ｔ1 お
よび４３２Ｔ1 をそれぞれ省略することができる。さら
には、左端の接続部４３１Ｃ1 および４３２Ｃ1 をも省
略することができる。感光部４１０における右端の光電
変換素子列４２２の右側に垂直転送ＣＣＤ４３５を設け
ない場合についても、同様である（図１６参照）。
【０２５８】図２０に示すように、上述した垂直転送Ｃ
ＣＤ４３５を構成する電荷転送チャネル４３０ａ、４３
０ｂの各々は、感光部４１０を前記の方向ＤV に横切っ
た後、さらに１補助電荷転送段分、出力転送路６０側に
延在している。相隣る２本の電荷転送チャネル４３０
は、感光部４１０の外側においても、図示を省略したチ
ャネルストップ領域によって互いに分離されている。
【０２５９】ＩＴ−ＣＣＤ５００における合流部５０ａ
（図１６参照）は、感光部４１０と１つの加算用電荷転
送段との間に形成されている補助電荷転送段の数が２か
ら１に減った点を除いて、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００
における合流部５０と同じ構造を有する。前記の補助電
荷転送段を形成するために、感光部４１０と加算チャネ
ル用転送電極５２との平面視上の間に、１本の補助転送
電極４５６が設けられている（図１６参照）。以下、こ
の補助転送電極４５６を「第２補助転送電極４５６」と
いう。
【０２６０】第２補助転送電極４５６は、計８個の補助
転送路形成部４５６Ｔと、相隣る２個の補助転送路形成
部４５６Ｔ同士を繋ぐ計７個の接続部４５６Ｃとを有し
ている。当該第２補助転送電極４５６は、感光部４１０
における最も上流に形成されている転送電極４３１と、
平面視上、線対称の形状を有する。
【０２６１】ＩＴ−ＣＣＤ５００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、加算チャネル５１を有している。
このため、ＩＴ−ＣＣＤ１００における理由と同じ理由
から、高度の微細加工技術を用いなくても、例えば２０
０万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣＤを得ることが
できる。また、消費電力の増大を容易に抑制することが
できる。
【０２６２】ＩＴ−ＣＣＤ５００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ４３５や水平転送ＣＣＤ等に
よって無用の光電変換が行われるのを防止することがで
きる。
【０２６３】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子４２０での光電変換効率を高めること
ができる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第
１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で
述べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成す
ることができる。
【０２６４】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０２６５】ＩＴ−ＣＣＤ５００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と全く同様にして、１フレームを下記(i) 〜
(iv)の４つのフィールドに分けてインターレース駆動さ
せることができる。
【０２６６】(i) 第４画素行および第８画素行の各画素
からなる第１フィールド。
【０２６７】(ii)第３画素行および第７画素行の各画素
からなる第２フィールド。
【０２６８】(iii) 第２画素行および第６画素行の各画
素からなる第３フィールド。
【０２６９】(iv)第１画素および第５画素行の各画素か
らなる第４フィールド。
【０２７０】ＩＴ−ＣＣＤ５００においても、前述した
ＩＴ−ＣＣＤ１００を用いてインターレースされたフィ
ールド画像信号を得る場合と同様の動作により、インタ
ーレースされたフィールド画像信号を得ることができ
る。また、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００を用いてフレー
ム画像信号を得る場合と同様の動作により、フレーム画
像信号を得ることができる。
【０２７１】次に、本発明の第６の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図２１を用いて説明する。
【０２７２】図２１は、第６の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄ６００を概略的に示す平面図である。同図に示したＩ
Ｔ−ＣＣＤ６００は、前述した第５の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ５００における感光部４１０（図１６参照）と同一
構成の感光部を有する。
【０２７３】また、ＩＴ−ＣＣＤ６００は、前述した第
４の実施例のＩＴ−ＣＣＤ４００における合流部３５０
（図１３参照）とほぼ同じ構成の合流部３５０ａを有す
る。当該合流部３５０ａにおいては、ＩＴ−ＣＣＤ４０
０における合流部３５０に比べ、感光部４１０と１つの
加算用電荷転送段との間に形成されている補助電荷転送
段の数が２から１に減っている。第１補助転送電極３５
５および当該第１補助転送電極３５５の補助転送路形成
部３５５Ｔを含んで構成される補助電荷転送段がない。
【０２７４】図２１において図１３または図１６に示し
た構成部分と共通する部分については、図１３または図
１６で用いた符号と同じ符号を付してその説明を省略す
る。
【０２７５】ＩＴ−ＣＣＤ６００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、加算チャネル５１を有している。
このため、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００における理由と
同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくても、例
えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣＤを得
ることができる。また、消費電力の増大を容易に抑制す
ることができる。さらに、相隣る２つの画素行同士の間
で画素の集光効率や感度に差が生じることを防止しやす
い。
【０２７６】ＩＴ−ＣＣＤ６００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ４３５や水平転送ＣＣＤ等に
よって無用の光電変換が行われるのを防止することがで
きる。
【０２７７】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子４２０での光電変換効率を高めること
ができる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第
１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で
述べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成す
ることができる。
【０２７８】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０２７９】ＩＴ−ＣＣＤ６００は、第５の実施例のＩ
Ｔ−ＣＣＤ５００と同様にして、１フレームを４つのフ
ィールドに分けてインターレース駆動させることができ
る。
【０２８０】第１フィールドまたは第３フィールドの画
像信号出力工程の各々においては、図２１での左端から
数えて奇数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ４３５のそれぞ
れが雑音信号電荷を次々と転送してくる。このとき、図
２１での左端から数えて偶数番目に当たる垂直転送ＣＣ
Ｄ４３５のそれぞれは、信号電荷を次々と転送してく
る。
【０２８１】一方、第２フィールドまたは第４フィール
ドの画像信号出力工程の各々においては、図２１での左
端から数えて偶数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ４３５の
それぞれが雑音信号電荷を次々と転送してくる。このと
き、図２１での左端から数えて奇数番目に当たる垂直転
送ＣＣＤ４３５のそれぞれは、信号電荷を次々と転送し
てくる。
【０２８２】上記の雑音信号電荷は、所定の時期に、パ
ルス供給用端子３８０ａおよびパルス供給用端子３８０
ｂに制御電圧ＶONまたは制御電圧ＶOFF を印加すること
により、ドレイン領域３１０に排出することができる。
【０２８３】図２２は、上記の制御電圧ＶONおよびＶ
OFF が印加される時期の一例を示す。
【０２８４】第１フィールドまたは第３フィールドにつ
いてのＶブランキングから有効信号期間が終了するまで
の間、パルス供給用端子３８０ａに制御電圧ＶONを印加
し、パルス供給用端子３８０ｂに制御電圧ＶOFF を印加
する。これにより、図２１での左端から数えて奇数番目
に当たる補助転送路形成部３５６Ｔを含んで構成される
補助電荷転送段の各々に転送されてきた雑音信号電荷
が、当該補助電荷転送段から所定のドレイン領域３１０
に排出される（ノイズ削減工程）。
【０２８５】一方、第２フィールドまたは第４フィール
ドについてのＶブランキングから有効信号期間が終了す
るまでの間、パルス供給用端子３８０ａに制御電圧Ｖ
OFF を印加し、パルス供給用端子３８０ｂに制御電圧Ｖ
ONを印加する。これにより、図２１での左端から数えて
偶数番目に当たる補助転送路形成部３５６Ｔを含んで構
成される補助電荷転送段の各々に転送されてきた雑音信
号電荷が、当該補助電荷転送段から所定のドレイン領域
３１０に排出される（ノイズ削減工程）。
【０２８６】次に、本発明の第７の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図２３を用いて説明する。
【０２８７】図２３は、第７の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄ７００を概略的に示す平面図である。同図に示したＩ
Ｔ−ＣＣＤ７００は、(i) 各転送電極４３１、４３２、
加算チャネル用転送電極５２および第２〜第５補助転送
電極３５６、５７、５８、５９のそれぞれに所定の駆動
パルスを供給するためのパルス供給用端子の数、およ
び、(ii)これらのパルス供給用端子と上記(i) に示した
各転送電極との結線の仕様、を除き、前述した第６の実
施例のＩＴ−ＣＣＤ６００と同様の構成を有する。図２
３において図２１に示した構成部分と共通する部分につ
いては、図２１で用いた符号と同じ符号を付してその説
明を省略する。
【０２８８】図２３に示したように、ＩＴ−ＣＣＤ７０
０は、各転送電極４３１、４３２、加算チャネル用転送
電極５２、第２〜第５補助転送電極３５６、５７、５
８、５９のそれぞれに所定の駆動パルスを供給するため
に、６つパルス供給用端子７０ａ、７０ｂ、７０ｃ1 、
７０ｄ1 、７０ｃ2 、７０ｄ2 を有している。
【０２８９】パルス供給端子７０ｃ1 、７０ｃ2 は、図
２１に示したパルス供給端子７０ｃを２つに分けたもの
である。また、パルス供給用端子７０ｄ1 、７０ｄ
2 は、図２１に示したパルス供給端子７０ｄを２つに分
けたものである。
【０２９０】ＩＴ−ＣＣＤ７００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、加算チャネル５１を有している。
このため、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００における理由と
同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくても、例
えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣＤを得
ることができる。また、消費電力の増大を容易に抑制す
ることができる。さらに、相隣る２つの画素行同士の間
で画素の集光効率や感度に差が生じることを防止しやす
い。
【０２９１】ＩＴ−ＣＣＤ７００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ４３５や水平転送ＣＣＤ等に
よって無用の光電変換が行われるのを防止することがで
きる。
【０２９２】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子４２０での光電変換効率を高めること
ができる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第
１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で
述べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成す
ることができる。
【０２９３】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０２９４】ＩＴ−ＣＣＤ７００は、１フレームを４つ
のフィールドに分けてインターレース駆動させることが
できる。このとき、垂直パルス信号Ｖa がパルス供給端
子７０ａに印加され、垂直パルス信号Ｖb がパルス供給
端子７０ｂに印加される。垂直パルス信号Ｖc がパルス
供給端子７０ｃ1 とパルス供給端子７０ｃ2 とに印加さ
れ、垂直パルス信号Ｖd がパルス供給端子７０ｄ1 とパ
ルス供給端子７０ｄ2とに印加される。これにより、前
述した第６の実施例のＩＴ−ＣＣＤ６００と同様に、１
フレームが第１フィールド〜第４フィールドの計４つの
フィールドに分割される。
【０２９５】水平パルス信号Ｈa がパルス供給用端子７
５ａに印加され、水平パルス信号Ｈ b がパルス供給用端
子７５ｂに印加される。必要に応じて、制御電圧ＶON、
ＶOF F がパルス供給端子３８０ａ、３８０ｂに印加され
る。
【０２９６】個々のフィールドの画像信号出力は、第６
の実施例と同様の動作により、得ることができる。そし
て、当該動作を第１フィールドから第４フィードまで行
うことにより、１フレームの画像出力信号を得ることが
できる。
【０２９７】ＩＴ−ＣＣＤ７００は、信号電荷が読み出
される画素行の数を全画素行数の１／４に間引きながら
駆動させることができる。この間引き駆動の際には、ま
ず、Ｖa がパルス供給端子７０ａに印加され、Ｖb がパ
ルス供給端子７０ｂに印加される。Ｖc がパルス供給端
子７０ｃ1 とパルス供給端子７０ｃ2 とに印加され、Ｖ
d がパルス供給端子７０ｄ1 とパルス供給端子７０ｄ2
とに印加される。
【０２９８】ブランキングパルスによって規定されるＶ
ブランキングの適当な時期に、例えば、低レベルの垂直
パルスＶL がパルス供給用端子７０ａ、７０ｂに印加さ
れると共に、高レベルの垂直パルスＶH がパルス供給用
端子７０ｃ1 、７０ｃ2 、７０ｄ1 、７０ｄ2 に印加さ
れる。そして、これらの垂直パルスＶL 、ＶH が印加さ
れているときに、読み出しパルスＶR がパルス供給用端
子７０ｄ1 に印加される。当該読み出しパルスＶR の印
加により、第８画素行の各光電変換素子４２０に蓄積さ
れていた信号電荷がそれぞれ対応する垂直転送ＣＣＤ４
３５に読み出される（信号電荷読み出し工程）。信号電
荷は、図２３の左端から数えて偶数番目に当たる垂直転
送ＣＣＤ４３５の各々に読み出される。
【０２９９】続いて、１周期分の垂直パルス信号Ｖa 、
Ｖb 、Ｖc 、Ｖd がパルス供給用端子７０ａ、７０ｂ、
７０ｃ1 、７０ｃ2 、７０ｄ1 、７０ｄ2 の各々に印加
される。これにより、垂直転送ＣＣＤ４３５に読み出さ
れていた信号電荷は、出力転送路６０へ向けて１電荷転
送段だけ転送される。
【０３００】この後、低レベルの垂直パルスＶL がパル
ス供給用端子７０ａ、７０ｂに印加されると共に、高レ
ベルの垂直パルスＶH がパルス供給用端子７０ｃ1 、７
０ｃ 2 、７０ｄ1 、７０ｄ2 に印加される。そして、こ
れらの垂直パルスＶL 、ＶHが印加されているときに、
読み出しパルスＶR がパルス供給用端子７０ｃ1 に印加
される。当該読み出しパルスＶR の印加により、第７画
素行の各光電変換素子４２０に蓄積されていた信号電荷
がそれぞれ所定の垂直転送ＣＣＤ４３５に読み出される
（信号電荷読み出し工程）。信号電荷は、図２３の左端
から数えて奇数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ４３５の各
々に読み出される。
【０３０１】偶数番目の垂直転送ＣＣＤ４３５の各々に
読み出されていた第８画素行からの信号電荷は、Ｖブラ
ンキングに続く第１のＨブランキングに、出力転送路６
０に転送される。これらの信号電荷は、第１のＨブラン
キングに続く第１の水平有効信号期間に、出力部６５か
ら順次出力される（画像信号出力工程）。
【０３０２】奇数番目の垂直転送ＣＣＤ４３５の各々に
読み出されていた第７画素行からの信号電荷は、第１の
水平有効信号期間に続く第２のＨブランキング期間に、
出力転送路６０に転送される。これらの信号電荷は、第
２のＨブランキングに続く第２の水平有効信号期間に、
出力部６５から順次出力される（画像信号出力工程）。
【０３０３】以下、上記読み出された信号電荷を通常の
インターレース駆動における信号電荷の処理と同様に処
理することにより、１／４に間引きされたフィールド画
像信号、あるいは、１／４に間引きされたフレーム画像
信号を得ることができる。
【０３０４】勿論、上記の間引き動作に準じて、任意の
２画素行を対象にして１／４間引き動作を行うことがで
きる。どの画素行を対象にして１／４間引き動作を行う
かは、適宜選択可能である。１／４間引き動作の対象を
どの画素行にするかに応じて、パルス供給端子７０ａ、
７０ｂ、７０ｃ1 、７０ｃ2 、７０ｄ1 、７０ｄ2 と各
転送電極４３１、各転送電極４３２、第２補助転送電極
３５６、加算チャネル用転送電極５２および第３〜第５
補助転送電極５７、５８、５９との結線の仕様が選定さ
れる。ＩＴ−ＣＣＤ７００をカラー撮像用のＩＴ−ＣＣ
Ｄとした場合には、配設される色フィルタアレイにおけ
る色フィルタの配列パターンも勘案して、どの画素行を
対象にして間引き動作を行うかが選定される。
【０３０５】上述した間引きは、全画素の信号電荷を読
み出すことが目的ではなく、常に１／４の行数（画素行
の数）に間引かれた画像信号を得ることを目的とするも
のである。図示したＩＴ−ＣＣＤ７００には８つの画素
行しかないため、１／４に間引く動作は２回の水平読み
出しで終了となる。しかしながら、実際の画素行数は、
例えば６００行以上である。
【０３０６】図２３に示した感光部４１０が前記の方向
ＤV にｎ段連接された構造のＩＴ−ＣＣＤについて上記
の間引き動作を行って、１／４に間引きされたフレーム
画像信号を得る場合には、上述した間引き動作を第１段
から第ｎ段まで行う。このとき、所望の画素行の各光電
変換素子４２０から垂直転送ＣＣＤ４３５への信号電荷
の読み出しは、各段とも同時に行われる。各段から読み
出された信号電荷の各々は、垂直転送ＣＣＤ４３５の各
々によって出力転送路６０へ順次転送され、当該出力転
送路６０内を転送されて、出力部６５から順次出力され
る。
【０３０７】上述した１／４間引き動作では、１フィー
ルド期間に２つの画素行からの画像信号を得ることがで
きる。このため、ＩＴ−ＣＣＤ７００をカラー撮像用の
ＩＴ−ＣＣＤとした場合には、加色法または減色法に基
づいてカラー画像を得るうえで必要となる全ての色信号
を、１フィールド期間に得ることができる。色信号処理
を行う際に必要となるメモリは、１または２画素行分の
画像信号出力を記憶することができるメモリでもよい。
したがって、フィールドメモリやメカニカルシャッタ
は、必須の部品ではなくなる。
【０３０８】また、上述した１／４間引き動作での解像
度は高くはないが、通常のインターレース駆動の際の４
倍のフレーム（フィールド）周波数で画像信号が得られ
るという利点を有する。したがって、当該ＩＴ−ＣＣＤ
７００は、高フレーム周波数の画像信号を得るうえで好
適な構造を有するＩＴ−ＣＣＤである。
【０３０９】上述した１／４間引き動作に準じて、任意
の複数行を対象にして１／２間引き動作、１／３間引き
動作、……１／ｎ（ｎは整数を表す。）間引き動作を行
うことができる。どのような間引き動作を行うかは、適
宜選択可能である。
【０３１０】なお、必要に応じて、制御電圧ＶON、Ｖ
OFF がパルス供給端子３８０ａ、３８０ｂに印加され
る。
【０３１１】図２４は、上述した１／４間引き動作の際
に使用される読み出しパルスおよび制御電圧ＶON、Ｖ
OFF それぞれの一例を示す。
【０３１２】補助転送路形成部３５６Ｔを含んで構成さ
れる補助電荷転送段の各々には、信号電荷と雑音信号電
荷とが交互に転送されてくる。図２３での左端から数え
て奇数番目に当たる補助転送路形成部３５６Ｔを含んで
構成される補助電荷転送段の各々に雑音信号電荷が転送
されてきたときに、パルス供給端子３８０ａに制御電圧
ＶONを印加し、パルス供給用端子３８０ｂに制御電圧Ｖ
OFF を印加する。これにより、前記の雑音信号電荷が所
定のドレイン領域３１０に排出される（ノイズ削減工
程）。
【０３１３】図２３での左端から数えて偶数番目に当た
る補助転送路形成部５６Ｔを含んで構成される補助電荷
転送段の各々に雑音信号電荷が転送されてきたときにつ
いても、同様である。
【０３１４】次に、本発明の第８の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤについて、図２５を用いて説明する。
【０３１５】図２５は、第８の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄ８００における感光部７１０および合流部７５０それ
ぞれの一部を概略的に示す部分平面図である。同図に示
したＩＴ−ＣＣＤ８００は、(i) 光電変換素子の平面視
上の形状、(ii)感光部に形成されている転送電極の種類
およびその配設仕様、(iii) 電荷転送チャネルの平面視
上の形状、(iv)感光部と加算チャネル用転送電極との平
面視上の間に形成されている補助転送電極の数、(v) 感
光部に形成されている各転送電極および合流部に形成さ
れている各補助転送電極に所定の駆動パルスをそれぞれ
供給するためのパルス供給用端子の数、ならびに、(vi)
前記のパルス供給用端子と感光部に形成されている各転
送電極および合流部に形成されてる各補助転送電極との
結線の仕様、を除いて、前述した第５の実施例のＩＴ−
ＣＣＤ５００と同じ構造を有する。
【０３１６】図２５に示した構成部分のうち、図１６ま
たは図１７に示した構成部分と共通するものについて
は、図１６または図１７で用いた符号と同じ符号を付し
てその説明を省略する。
【０３１７】図２５に示したように、感光部７１０に形
成されている個々の光電変換素子７２０は、平面視上、
八角形を呈する。計３２個の光電変換素子７２０が８
行、８列に亘って画素ずらし配置されている。５行１
列、５行３列、５行５列、６行２列、６行４列、７行１
列、７行３列、７行５列、８行２列および８行４列の各
画素と、これらの画素の下流域の一部とが図２５に描か
れている。
【０３１８】３種類の転送電極４３１、４３２、７３３
が感光部７１０に所定本数ずつ形成されている。各転送
電極４３１と各転送電極４３２とは、相隣るもの同士の
間に所定の間隔が設けられている点を除き、前述した第
５の実施例のＩＴ−ＣＣＤ５００における各転送電極４
３１、４３２と同じ仕様で配設されている。
【０３１９】転送電極７３３の各々は、相隣る２本の転
送電極４３１、４３２の平面視上の間に配設されてい
る。個々の転送電極７３３は、平面視上矩形を呈する転
送路形成部７３３Ｔを計８個有する。１本の転送電極７
３３を構成する転送路形成部７３３Ｔの各々は、互いに
別個の電荷転送チャネル（図示せず。）と平面視上交差
する。電荷転送チャネルは、平面視上、転送路形成部７
３３Ｔを前記の方向ＤVに横切る。転送路形成７３３Ｔ
と電荷転送チャネルとの平面視上の交差部は、１つの電
荷転送段として機能する。
【０３２０】１本の転送電極７３３において、１つの光
電変換素子７２０を介して相隣る２個の転送路形成部７
３３Ｔは、光電変換素子７２０の平面視上の外周に沿っ
て延在する接続部７３３Ｃ1 によって繋がっている。１
本の転送電極７３３において、光電変換素子７２０を介
さずに相隣る２個の転送路形成部７３３Ｔは、直線状を
呈する接続部７３３Ｃ2 によって繋がっている。
【０３２１】図２５での左端から数えて奇数番目に当た
る転送路形成部７３３Ｔと、当該転送形成部７３３Ｔの
直ぐ上流に形成されている転送路形成部４３１Ｔ1 と、
当該転送形成部７３３Ｔの直ぐ下流に形成されている転
送路形成部４３２Ｔ1 とは、重ね合わせ転送電極構造を
なす。
【０３２２】同様に、図２５での左端から数えて偶数番
目に当たる転送路形成部７３３Ｔと、当該転送形成部７
３３Ｔの直ぐ上流に形成されている転送路形成部４３１
Ｔ2と、当該転送形成部７３３Ｔの直ぐ下流に形成され
ている転送路形成部４３２Ｔ 2 とは、重ね合わせ転送電
極構造をなす。
【０３２３】転送路形成部７３３Ｔが下層電極に相当
し、転送路形成部４３１Ｔ1 、転送路形成部４３２
Ｔ1 、転送路形成部４３１Ｔ2 および転送路形成部４３
２Ｔ2 が上層電極に相当する。
【０３２４】感光部７１０の最も下流から数えて２番目
の転送電極７３３と同じ形状および大きさを有する第１
補助転送電極７５５が、合流部７５０の最も上流に形成
されている。第１補助転送電極７５５における各補助転
送路形成部７５５Ｔは、互いに別個の電荷転送チャネル
（図示せず。）と平面視上交差する。電荷転送チャネル
は、平面視上、補助転送路形成部７５５Ｔを前記の方向
ＤV に横切る。補助転送路形成７５５Ｔと電荷転送チャ
ネルとの平面視上の交差部は、１つの補助電荷転送段と
して機能する。
【０３２５】図２５での左端から数えて奇数番目に当た
る補助転送路形成部７５５Ｔと、その上流側に近接して
形成されている転送路形成部４３１Ｔ1 とは、重ね合わ
せ転送電極構造をなす。同様に、図２５での左端から数
えて偶数番目に当たる補助転送路形成部７５５Ｔと、そ
の上流側に近接して形成されている転送路形成部４３１
Ｔ2 も、重ね合わせ転送電極構造をなす。補助転送路形
成部７５５Ｔが下電極に相当し、転送路形成部４３１Ｔ
1 、転送路形成部４３１Ｔ2 が上層電極に相当する。
【０３２６】合流部７５０における第１補助転送電極７
５５よりも下流の構成は、前述した第５の実施例のＩＴ
−ＣＣＤ５００の合流部５０ａの構成と同様である。第
１補助転送電極７５５の下流に第２補助転送電極４５
６、加算チャネル用転送電極５２、第３補助転送電極５
７、第４補助転送電極（図示せず。）および第５補助転
送電極（図示せず。）がこの順番で形成されている。
【０３２７】ただし、第１補助転送電極７５５、加算チ
ャネル用転送電極５２および第４補助転送電極が、重ね
合わせ転送電極構造における上層電極に相当する。
【０３２８】感光部７１０においては、転送路形成部４
３１Ｔ1 を含んで構成される電荷転送段と、転送路形成
部７３３Ｔを含んで構成される電荷転送段と、転送路形
成部４３２Ｔ1 を含んで構成される電荷転送段とが上流
側からこの順番で繰り返し連なって、１本の垂直転送Ｃ
ＣＤ７３５を形成している。当該垂直転送ＣＣＤ７３５
は、図２５での左端から数えて奇数番目に当たる。
【０３２９】当該奇数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ７３
５の各々は、感光部７１０を出た後、２補助電荷転送段
分、合流部７５０内に延在している。前記の２補助電荷
転送段とは、図２５での左端から数えて奇数番目に当た
る補助転送路形成部７５５Ｔを含んで構成される補助電
荷転送段と、当該補助電荷転送段の下流側において補助
転送路形成部４５６Ｔ1 を含んで構成される補助電荷転
送段との２つである。
【０３３０】同様に、転送路形成部４３１Ｔ2 を含んで
構成される電荷転送段と、転送路形成部７３３Ｔを含ん
で構成される電荷転送段と、転送路形成部４３２Ｔ2 を
含んで構成される電荷転送段とが上流側から順次連なっ
て、１本の垂直転送ＣＣＤ７３５を形成している。当該
垂直転送ＣＣＤ７３５は、図２５での左端から数えて偶
数番目に当たる。
【０３３１】当該偶数番目に当たる垂直転送ＣＣＤ７３
５の各々も、感光部７１０を出た後、２補助電荷転送段
分、合流部７５０内に延在している。前記の２補助電荷
転送段とは、図２５での左端から数えて偶数番目に当た
る転送路形成部７５５Ｔを含んで構成される補助電荷転
送段と、当該補助電荷転送段の下流側において補助転送
路形成部４５６Ｔ2 を含んで構成される補助電荷転送段
との２つである。
【０３３２】ＩＴ−ＣＣＤ８００においては、(a) １つ
の光電変換素子７２０、(b) この光電変換素子７２０の
左側（図２５での左側）に近接して形成されている４つ
の電荷転送段、すなわち、転送路形成部４３１Ｔ1 また
は４３１Ｔ2 を含んで構成される電荷転送段と、転送路
形成部７３３Ｔを含んで構成される２個の電荷転送段
と、転送路形成部４３２Ｔ1 または４３２Ｔ2 を含んで
構成される電荷転送段、および、(c) 転送路形成部４３
１Ｔ2 もしくは４３２Ｔ1 を含んで構成される前記の電
荷転送段と光電変換素子７２０との間に形成されている
１つの読み出しゲート７４０、によって、１つの画素が
構成される。なお、読み出しゲート７４０は、形状が多
少異なる以外は、前述した第５の実施例のＩＴ−ＣＣＤ
５００における読み出しゲート４４０と同様の構造を有
する。
【０３３３】４つのパルス供給用端子７７０ａ、７７０
ｂ、７７０ｃ、７７０ｄが感光部７１０の外側に設けら
れている。
【０３３４】パルス供給用端子７７０ａは、各転送電極
４３１と第３補助転送電極５７とに電気的に接続されて
いる。パルス供給用端子７７０ｂは、各転送電極７３３
と、感光部７１０の上端から数えて奇数番目に当たる各
第１補助転送電極７５５とに電気的に接続されている。
パルス供給用端子７７０ｃは、各転送電極４３２と、第
２補助転送電極４５６と、第５補助転送電極とに電気的
に接続されている。パルス供給用端子７７０Ｄは、感光
部７１０の上端から数えて偶数番目に当たる各第１補助
転送電極７５５と加算チャネル用転送電極５２とに電気
的に接続されている。
【０３３５】ＩＴ−ＣＣＤ８００は、前述したＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００と同様に、加算チャネル５１を有している。
このため、前述したＩＴ−ＣＣＤ１００における理由と
同じ理由から、高度の微細加工技術を用いなくても、例
えば２００万画素という高画素密度のＩＴ−ＣＣＤを得
ることができる。また、消費電力の増大を容易に抑制す
ることができる。さらに、相隣る２つの画素行同士の間
で画素の集光効率や感度に差が生じることを防止しやす
い。
【０３３６】ＩＴ−ＣＣＤ８００に光遮蔽膜を設けるこ
とにより、垂直転送ＣＣＤ７３５や水平転送ＣＣＤ等に
よって無用の光電変換が行われるのを防止することがで
きる。
【０３３７】マイクロレンズアレイを設けることによ
り、光電変換素子７２０での光電変換効率を高めること
ができる。マイクロレンズアレイは、例えば前述した第
１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１００についての説明の中で
述べたマイクロレンズアレイの形成手順に準じて形成す
ることができる。
【０３３８】色フィルタアレイを設けることにより、カ
ラー撮像用のＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。色フィ
ルタアレイは、例えば前述した第１の実施例のＩＴ−Ｃ
ＣＤ１００についての説明の中で述べた色フィルタアレ
イの形成手順に準じて形成することができる。
【０３３９】ＩＴ−ＣＣＤ８００は、インターレース駆
動を行うことが可能なＩＴ−ＣＣＤである。インターレ
ース駆動を行う場合には、パルス供給用端子７７０ａ、
７７０ｂ、７７０ｃ、７７０ｄのそれぞれに所定の垂直
パルス信号が印加される。水平パルス信号Ｈa が図示を
省略したパルス供給用端子７５ａ（図１６参照）に印加
され、水平パルス信号Ｈb が図示を省略したパルス供給
用端子７５ｂ（図１６参照）に印加される。
【０３４０】図２６は、１フレームを下記(i) 〜(ii)の
２つのフィールドに分けてプログレッシブ走査を行う際
の読み出しパルスの一例を示す。
【０３４１】(i) 偶数行の各画素からなる第１フィール
ド。
【０３４２】(ii)奇数行の各画素からなる第２フィール
ド。
【０３４３】インターレース駆動させる際に使用する駆
動パルス供給手段は、例えば、前述したＩＴ−ＣＣＤ１
００をインターレース駆動させる際に使用される駆動パ
ルス供給手段１１０（図７参照）と同様にして構成され
る。
【０３４４】ブランキングパルスによって規定される第
１のＶブランキングの適当な時期に、低レベルの垂直パ
ルスＶL がパルス供給用端子７７０ｂ、７７０ｃに印加
されると共に、高レベルの垂直パルスＶH がパルス供給
用端子７７０ａ、７７０ｄに印加される。そして、これ
らの垂直パルスＶL 、ＶH が印加されているときに、さ
らに高レベルの読み出しパルスＶR がパルス供給用端子
７７０ａに印加される。
【０３４５】当該読み出しパルスＶR の印加により、第
１フィールドを構成している光電変換素子７２０の各々
に蓄積されていた信号電荷が、それぞれ対応する垂直転
送ＣＣＤ７３５に読み出される（信号電荷読み出し工
程）。
【０３４６】第８画素行の各光電変換素子７２０から読
み出された信号電荷は、上記第１のＶブランキングに続
く第１のＨブランキングに、出力転送路に転送される。
これらの信号電荷は、第１のＨブランキングに続く第１
の水平有効信号期間に、出力部から順次出力される（画
像信号出力工程）。
【０３４７】以下同様にして、第６画素行の各光電変換
素子７２０から読み出された信号電荷についての画像出
力工程、第４画素行の各光電変換素子７２０から読み出
された信号電荷についての画像出力工程、第２画素行の
各光電変換素子７２０から読み出された信号電荷につい
ての画像出力工程が順次行われる。
【０３４８】１つのフィールドを構成する光電変換素子
７２０の各々に蓄積されていた信号電荷を全て出力部か
ら出力するためには、計４回の画像出力工程が必要であ
る。当該４回の画像出力工程を行うのに要する期間を、
以下、「有効信号期間」という。
【０３４９】第１フィールドについての有効信号期間が
終了した後にブランキングパルスによって新たに規定さ
れる第２のＶブランキングの適当な時期に、低レベルの
垂直パルスＶL がパルス供給用端子７７０ａ、７７０ｄ
に印加されると共に、高レベルの垂直パルスＶH がパル
ス供給用端子７７０ｂ、７７０ｃに印加される。そし
て、これらの垂直パルスＶL 、ＶH が印加されていると
きに、読み出しパルスＶ R がパルス供給用端子７７０ｃ
に印加される。
【０３５０】当該読み出しパルスＶR の印加により、第
２フィールドを構成している光電変換素子７２０の各々
に蓄積されていた信号電荷が、それぞれ対応する垂直転
送ＣＣＤ７３５に読み出される（信号電荷読み出し工
程）。
【０３５１】第７画素行の各光電変換素子７２０から読
み出された信号電荷は、上記第２のＶブランキングに続
く第１のＨブランキングに、出力転送路に転送される。
これらの信号電荷は、第１のＨブランキングに続く第１
の水平有効信号期間に、出力部から順次出力される（画
像信号出力工程）。
【０３５２】以下同様にして、第５画素行の各光電変換
素子７２０から読み出された信号電荷についての画像出
力工程、第３画素行の各光電変換素子７２０から読み出
された信号電荷についての画像出力工程、第１画素行の
各光電変換素子７２０から読み出された信号電荷につい
ての画像出力工程が順次行われる。
【０３５３】第１のＶブランキングから第２フィールド
に対する有効信号期間かけて行われる上記の動作を繰り
返すことにより、各フィールドの画像出力信号が出力部
から次々と出力される。
【０３５４】前述した第１の実施例のＩＴ−ＣＣＤ１０
０を用いてフレームの画像信号を得る場合と同様の動作
により、フレーム画像信号を得ることができる。
【０３５５】以上、実施例を挙げて本発明のＩＴ−ＣＣ
Ｄを説明したが、本発明は上述した実施例に限定される
ものではない。種々の変更、改良、組み合わせ等が可能
なことは当業者に自明であろう。
【０３５６】例えば、各実施例のＩＴ−ＣＣＤは、ｐ型
ウェルを備えたｎ型半導体基板に光電変換素子（フォト
ダイオード）、垂直転送ＣＣＤ、出力転送路等を形成し
たものであるが、ｐ型半導体基板に光電変換素子（フォ
トダイオード）、垂直転送ＣＣＤ、出力転送等を形成し
ても、ＩＴ−ＣＣＤを得ることができる。
【０３５７】また、サファイア基板等の表面に所望の半
導体層を形成し、当該半導体層に光電変換素子（フォト
ダイオード）、垂直転送ＣＣＤ、出力転送路等を形成し
てＩＴ−ＣＣＤを得ることもできる。本明細書において
は、半導体以外の材料からなる基板の一面に光電変換素
子（フォトダイオード）、垂直転送ＣＣＤ、出力転送路
等を形成するための半導体層を設けたものも、「半導体
基板」に含まれるものとする。
【０３５８】光電変換素子の平面視上の形状は、矩形
（菱形を含む。）、全ての内角が鈍角となっている五角
形以上の多角形、内角に鋭角と鈍角とが含まれる五角形
以上の多角形、これらの角部に丸みを付けた形状等、適
宜選択可能である。
【０３５９】光電変換素子は画素ずらし配置されていて
もよいし、画素ずらし配置されていなくてもよい。垂直
転送ＣＣＤの電荷転送チャネルの平面視上の形状は、光
電変換素子がどのように配置されているかに応じて、適
宜選択可能である。
【０３６０】画素ずらし配置を行う場合、垂直転送ＣＣ
Ｄを構成する各転送電極の形状は、接続部と転送路形成
部とが鈍角をなして連なった形状か、または、接続部と
転送路形成部とが滑らかに連なった形状とすることが好
ましい。
【０３６１】垂直転送ＣＣＤの駆動方法は、実施例とし
て挙げた駆動方法に限定されるものではない。目的とす
るＩＴ−ＣＣＤの用途等に応じて、例えば３相以上の所
望の相数で駆動させることが可能である。これに伴っ
て、各転送電極に所定の駆動パルスを供給するためのパ
ルス供給用端子の数、および、当該パルス供給用端子と
各転送電極との結線の仕様も、目的とするＩＴ−ＣＣＤ
における垂直転送ＣＣＤの駆動方法に応じて適宜変更可
能である。出力転送路についても同様である。
【０３６２】各実施例においては、２本の垂直転送ＣＣ
Ｄの各々から１つの加算用電荷転送段に信号電荷が同時
に転送されてこないように、各読み出しゲートが配設さ
れている。個々の光電変換素子に対する読み出しゲート
の配設箇所は、基本的に、奇数列の光電変換素子と偶数
列の光電変換素子とで異なっていればよい。
【０３６３】したがって、１個の光電変換素子に電荷転
送段を３つずつ形成する場合は、実施例に示した箇所以
外の箇所に読み出しゲートを設けることも可能である。
例えば、奇数列の光電変換素子に対しては３つの電荷転
送段のうちの最上流の電荷転送段に隣接させて読み出し
ゲートを形成し、偶数列の光電変換素子に対しては３つ
の電荷転送段のうちの真ん中の電荷転送段に隣接させて
読み出しゲートを形成することも可能である。
【０３６４】ただし、光電変換素子１個当たりの電荷転
送段の数に拘わらず、読み出しゲートの配設箇所は、奇
数列同士および偶数列同士で同じにすることが好まし
い。
【０３６５】加算用電荷転送段より上流に補助電荷転送
段を設けることは、必須の要件ではない。垂直転送ＣＣ
Ｄは、感光部を出た後直ちに加算用電荷転送段に接続さ
れていてもよい。
【０３６６】同様に、加算用電荷転送段より下流に補助
電荷転送段を設けることは、必須の要件ではない。加算
用電荷転送段は、出力転送路に直に接続されていてもよ
い。
【０３６７】各実施例のＩＴ−ＣＣＤにおいては、ｎ型
半導体基板に形成されたｐ型ウェル上に光電変換素子
（フォトダイオード）が形成されている。したがって、
これらのＩＴ−ＣＣＤでは縦型オーバーフロードレイン
構造を付設することができる。これに伴って、電子シャ
ッタを付設することができる。各実施例のＩＴ−ＣＣＤ
に縦型オーバーフロードレイン構造を付設するために
は、前記のｐ型ウェルと前記のｎ型半導体基板の下部
（ｐ型ウェルより下の領域）とに逆バイアスを印加でき
る構造を付加する。また、縦型オーバーフロードレイン
構造に代えて横型オーバーフロードレイン構造を付設し
てもよい。縦型または横型のオーバーフロードレイン構
造を付設することにより、ブルーミングを抑制すること
が容易になる。
【０３６８】ＩＴ−ＣＣＤの駆動方法は、適宜選択可能
である。これに伴って、垂直転送ＣＣＤ（垂直転送ＣＣ
Ｄを構成している転送電極）および出力転送部（出力転
送部を構成している転送電極）のそれぞれに所定の駆動
パルスを供給する駆動パルス供給手段の構成も、適宜選
択可能である。
【０３６９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＴ−Ｃ
ＣＤにおいては、画素密度を高めても、出力転送路（水
平転送ＣＣＤ）における転送電極の幅を比較的広くする
ことができる。
【０３７０】したがって、本発明によれば、画素密度が
高く消費電力が少ないＩＴ−ＣＣＤを低コストの下に提
供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを概略的に示
す平面図である。
【図２】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤの感光部にお
ける光電変換素子、チャネルストップ領域および電荷転
送チャネルの平面配置を示す模式図である。
【図３】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤの感光部の概
略を示す部分断面斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、第１の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄの感光部上に形成されている転送電極３１の概略を示
す部分平面図であり、図４（ｂ）は、前記の感光部上に
形成されている転送電極３２の概略を示す部分平面図で
ある。
【図５】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤの感光部、各
電荷転送チャネル、加算チャネルおよび出力転送路の平
面配置を示す概略図である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、第１の実施例
によるＩＴ−ＣＣＤに光遮蔽膜を設けた例を概略的に示
す部分断面図である。
【図７】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤをインターレ
ース駆動させる場合に使用され読み出しパルスの一例を
示すパルス波形図である。
【図８】第１の実施例によるＩＴ−ＣＣＤをインターレ
ース駆動させる場合に使用される駆動パルス供給手段と
前記のＩＴ−ＣＣＤとの関係を示す図である。
【図９】第２の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを概略的に示
す平面図である。
【図１０】第２の実施例のＩＴ−ＣＣＤをインターレー
ス駆動させる際に使用される読み出しパルスの一例を示
すパルス波形図である。
【図１１】第３の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおける感
光部および合流部それぞれの一部を概略的に示す部分平
面図である。
【図１２】第３の実施例のＩＴ−ＣＣＤにおいてプログ
レッシブ走査を行う際に使用される読み出しパルスの一
例を示すパルス波形図である。
【図１３】第４の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを概略的に
示す部分平面図である。
【図１４】図１３に示したＡ−Ａ線断面の概略図であ
る。
【図１５】第４の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおけるノ
イズ削減工程で使用される制御電圧の一例を示す波形図
である。
【図１６】第５の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを概略的に
示す平面図である。
【図１７】第５の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおける感
光部の一部を拡大して示す平面図である。
【図１８】図１８（ａ）は、第５の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤにおける電荷転送チャネル４３０ａを概略的に示
す平面図であり、図１８（ｂ）は、第５の実施例による
ＩＴ−ＣＣＤにおける電荷転送チャネル４３０ｂを概略
的に示す平面図である。
【図１９】図１９（ａ）は、第５の実施例によるＩＴ−
ＣＣＤにおける転送電極４３１を概略的に示す平面図で
あり、図１９（ｂ）は、第５の実施例によるＩＴ−ＣＣ
Ｄにおける転送電極４３２を概略的に示す平面図であ
る。
【図２０】第５の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおける感
光部、各電荷転送チャネル、加算チャネルおよび出力転
送路の平面配置を示す概略図である。
【図２１】第６の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを概略的に
示す平面図である。
【図２２】第６の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおけるノ
イズ削減工程で使用される制御電圧の一例を示す波形図
である。
【図２３】第７の実施例によるＩＴ−ＣＣＤ７００を概
略的に示す平面図である。
【図２４】第７の実施例によるＩＴ−ＣＣＤを１／４間
引き駆動する際に使用される読み出しパルスの一例、お
よび、ノイズ削減工程で使用される制御電圧の一例を示
す波形図である。
【図２５】第８の実施例によるＩＴ−ＣＣＤにおける感
光部および合流部それぞれの一部を概略的に示す部分平
面図である。
【図２６】第８の実施例のＩＴ−ＣＣＤにおいてプログ
レッシブ走査を行う際に使用される読み出しパルスの一
例を示すパルス波形図である。
【符号の説明の】
１…半導体基板 ２…ｐ型ウェル １０、１０ａ、４１０、７１０…感光部 ２０、４２０、７２０…光電変換素子（フォトダイオー
ド） ２１、４２１、７２１…光電変換素子行 ２２、４２２、７２２…光電変換素子列 ３０、４３０ａ、４３０ｂ…電荷転送チャネル ３５、４３５、７３５…垂直転送ＣＣＤ ３１、３２、３３、４３１、４３２、７３１、７３２、
７３３…転送電極 ３１Ｔ、３２Ｔ、３３Ｔ、４３１Ｔ1 、４３１Ｔ2 、４
３２Ｔ1 、４３２Ｔ2 、７３１Ｔ1 、７３１Ｔ2 、７３２Ｔ1 、７３２Ｔ2 、
７３３Ｔ…転送路形成部 ４０、４４０、７４０…読み出しゲート ５０、５０ａ、３５０、３５０ａ、７５０…合流部 ５１…加算チャネル ５２…加算チャネル用転送電極 ５３…補助電荷転送チャネル ５５、３５５、７５５…第１補助転送電極 ５６、３５６、４５６…第２補助転送電極 ５７…第３補助転送電極 ５８…第４補助転送電極 ５９…第５補助転送電極 １００、１００ａ、２００、３００、４００、５００、
６００、７００、８００…ＩＴ−ＣＣＤ ３１０…ドレイン領域 ３１５…排出ゲート電極 ３２０…排出ゲート
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Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の表面に設定された感光部内
    に複数行、複数列に亘って形成された多数個の光電変換
    素子と、 光電変換素子列の１列毎に該光電変換素子列に近接して
    前記半導体基板の表面に形成され、各々が前記感光部を
    一定の方向に平面視上横切る複数本の電荷転送チャネル
    と、 前記感光部上に形成された複数本の転送電極であって、
    各々が前記複数本の電荷転送チャネルの数と同じ数の複
    数個の転送路形成部を有し、該複数個の転送路形成部の
    各々が、それぞれ別個の電荷転送チャネルと平面視上交
    差するとともに、該平面視上の交差部の各々において前
    記電荷転送チャネルと共に１つの電荷転送段を構成する
    複数本の転送電極と、 前記電荷転送チャネルの複数本に１本ずつ前記半導体基
    板の表面に形成され、各々が、相隣る複数本の電荷転送
    チャネルを前記感光部の外側の領域において合流させる
    複数本の加算チャネルと、 前記半導体基板の表面における前記感光部の外側の領域
    上に形成された加算チャネル用転送電極であって、前記
    複数本の加算チャネルの各々と平面視上交差し、前記複
    数本の加算チャネルとの平面視上の交差部の各々におい
    て、前記加算チャネルと共に１つの加算用電荷転送段を
    構成する加算チャネル用転送電極とを具備した固体撮像
    装置。
  2. 【請求項２】 前記光電変換素子列の各々および前記光
    電変換素子行の各々が、それぞれ複数個の光電変換素子
    によって構成され、偶数列を構成する前記複数個の光電
    変換素子の各々が、奇数列を構成する前記複数個の光電
    変換素子に対し、各光電変換素子列内での光電変換素子
    同士のピッチの約１／２、列方向にずれ、偶数行を構成
    する前記複数個の光電変換素子の各々が、奇数行を構成
    する前記複数個の光電変換素子に対し、各光電変換素子
    行内での光電変換素子同士のピッチの約１／２、行方向
    にずれている請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 【請求項３】 前記電荷転送段が、前記光電変換素子の
    １個に２個ずつ形成されている請求項１または請求項２
    に記載の固体撮像装置。
  4. 【請求項４】 さらに、前記光電変換素子に蓄積された
    信号電荷の読み出しを制御するための読み出しゲートを
    有し、 該読み出しゲートが、奇数番目の光電変換素子列を構成
    する光電変換素子の各々に対しては、該光電変換素子に
    対応する２個の電荷転送段のうちの一方の電荷転送段に
    隣接して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲ
    ート領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み
    出しゲート電極とを含んで構成され、 偶数番目の光電変換素子列を構成する光電変換素子の各
    々に対しては、前記奇数番目の光電変換素子列を構成す
    る光電変換素子に対する読み出しゲートよりも１電荷転
    送段分上流または下流にずれた電荷転送段に隣接して前
    記半導体基板の表面に形成された読み出しゲート領域
    と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み出しゲー
    ト電極とを含んで構成される請求項３に記載の固体撮像
    装置。
  5. 【請求項５】 前記電荷転送段が、前記光電変換素子の
    １個に３個ずつ形成されている請求項１または請求項２
    に記載の固体撮像装置。
  6. 【請求項６】 さらに、前記光電変換素子に蓄積された
    信号電荷の読み出しを制御するための読み出しゲートを
    有し、 該読み出しゲートが、奇数番目の光電変換素子列を構成
    する光電変換素子の各々に対しては、該光電変換素子に
    対応する３個の電荷転送段のなかの１つの電荷転送段に
    隣接して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲ
    ート領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み
    出しゲート電極とを含んで構成され、 偶数番目の光電変換素子列を構成する光電変換素子の各
    々に対しては、前記奇数番目の光電変換素子列を構成す
    る光電変換素子に対する読み出しゲートよりも１もしく
    は２電荷転送段分上流または下流にずれた電荷転送段に
    隣接して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲ
    ート領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み
    出しゲート電極とを含んで構成される請求項５に記載の
    固体撮像装置。
  7. 【請求項７】 前記読み出しゲートが、奇数番目の光電
    変換素子列を構成する光電変換素子の各々に対しては、
    該光電変換素子に対応する３個の電荷転送段のなかで最
    も上流の電荷転送段または下も下流の電荷転送段に隣接
    して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲート
    領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み出し
    ゲート電極とを含んで構成され、 偶数番目の光電変換素子列を構成する光電変換素子の各
    々に対しては、該光電変換素子に対応する３個の電荷転
    送段のなかで最も下流の電荷転送段または最も上流の電
    荷転送段に隣接して前記半導体基板の表面に形成された
    読み出しゲート領域と、該読み出しゲート領域上に設け
    られた読み出しゲート電極とを含んで構成される請求項
    ６に記載の固体撮像装置。
  8. 【請求項８】 前記電荷転送段が、前記光電変換素子の
    １個に４個ずつ形成されている請求項２に記載の固体撮
    像装置。
  9. 【請求項９】 さらに、前記光電変換素子に蓄積された
    信号電荷の読み出しを制御するための読み出しゲートを
    有し、 該読み出しゲートが、奇数番目の光電変換素子列を構成
    する光電変換素子の各々に対しては、該光電変換素子に
    対応する４個の電荷転送段のなかの１つの電荷転送段に
    隣接して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲ
    ート領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み
    出しゲート電極とを含んで構成され、 偶数番目の光電変換素子列を構成する光電変換素子の各
    々に対しては、前記奇数番目の光電変換素子列を構成す
    る光電変換素子に対する読み出しゲートよりも１もしく
    は２電荷転送段分上流または下流にずれた電荷転送段に
    隣接して前記半導体基板の表面に形成された読み出しゲ
    ート領域と、該読み出しゲート領域上に設けられた読み
    出しゲート電極とを含んで構成される請求項８に記載の
    固体撮像装置。
  10. 【請求項１０】 さらに、２層電極構造の２相駆動型Ｃ
    ＣＤまたは３層電極構造の２相駆動型ＣＣＤからなり、
    前記光電変換素子の各々が光電変換することによって該
    光電変換素子に蓄積された信号電荷を前記加算用電荷転
    送段を介して受け取り、該信号電荷を所定の方向に転送
    する出力転送路を有する請求項１〜請求項９のいずれか
    に記載の固体撮像装置。
  11. 【請求項１１】 さらに、前記複数本の転送電極のうち
    の最も下流の転送電極と前記加算チャネル用転送電極と
    の間に形成され、前記複数本の電荷転送チャネルの各々
    と平面視上交差する補助転送電極であって、前記複数本
    の電荷転送チャネルとの平面視上の交差部において該電
    荷転送チャネルとともに１つの補助電荷転送段を構成す
    る複数個の補助転送路形成部を有する補助転送電極と、 前記補助電荷転送段の２個に１〜２個ずつ該補助電荷転
    送段に近接して前記半導体基板の表面に形成されたドレ
    イン領域と、 前記補助電荷転送段の１個毎に該補助電荷転送段を構成
    する前記転送路形成部に隣接配置された排出ゲートであ
    って、各々が、前記ドレイン領域の１つと該ドレイン領
    域に近接する前記補助転送路形成部との平面視上の間隙
    を覆うようにして前記半導体基板上に形成された排出ゲ
    ート電極とを有する排出ゲートとを具備した請求項１〜
    請求項１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１〜請求項１１のいずれかに記
    載の固体撮像装置の駆動方法であって、 １つの垂直ブランキング期間において、所定の光電変換
    素子行または所定の光電変換素子列を構成する光電変換
    素子の各々に蓄積された信号電荷を該光電変換素子に隣
    接する前記読み出しゲートを介して該読み出しゲートに
    隣接する前記電荷転送チャネルに読み出す信号電荷読み
    出し工程と、 前記１つの垂直ブランキング期間から次の垂直ブランキ
    ング期間までの間に、前記電荷転送チャネルに読み出さ
    れた前記信号電荷の各々を画像信号に変換して出力する
    画像信号出力工程とを含む固体撮像装置の駆動方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１に記載の固体撮像装置の駆
    動方法であって、 １つの垂直ブランキング期間において、所定の光電変換
    素子行または所定の光電変換素子列を構成する光電変換
    素子の各々に蓄積された信号電荷を該光電変換素子に隣
    接する前記読み出しゲートを介して該読み出しゲートに
    隣接する前記電荷転送チャネルに読み出す信号電荷読み
    出し工程と、 前記１つの垂直ブランキング期間から次の垂直ブランキ
    ング期間までの間に、前記電荷転送チャネルに読み出さ
    れた前記信号電荷の各々を画像信号に変換して出力する
    画像信号出力工程とを含み、 さらに、前記画像信号出力工程が、前記電荷転送段に雑
    音信号電荷が蓄積されているときには前記排出ゲートを
    開とし、前記電荷転送段に信号電荷が蓄積されていると
    きには前記排出ゲートを閉とするノイズ削減工程を含む
    固体撮像装置の駆動方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060994A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Canon Inc 撮像装置及びカメラシステム
JP2006129137A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置
WO2011004562A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 パナソニック株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2012019360A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Canon Inc 固体撮像装置及び撮像システム

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138696B2 (en) * 2001-10-19 2006-11-21 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus and radiation image pickup system
JP3693026B2 (ja) * 2002-03-01 2005-09-07 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2003319408A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Seiko Epson Corp カラーエリアセンサ及び撮像回路
CN100387050C (zh) * 2002-06-12 2008-05-07 索尼株式会社 固态成像装置、用于固态成像装置的方法、成像方法和成像器
US7432971B2 (en) * 2002-06-21 2008-10-07 Shimadzu Corporation In-situ storage image sensor and in-situ storage image pickup apparatus
US7022579B2 (en) * 2003-03-14 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Method for filling via with metal
JP2004303982A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子
KR100601425B1 (ko) * 2004-06-23 2006-07-14 주식회사 대우일렉트로닉스 전자 레인지용 조명장치
JP4566848B2 (ja) * 2005-07-11 2010-10-20 富士フイルム株式会社 撮影装置および撮影装置の駆動方法
US8446508B2 (en) * 2005-07-27 2013-05-21 Sony Corporation Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components
TW200746409A (en) * 2005-12-01 2007-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid-state image pickup device and camera including the same
JP2008131169A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Shimadzu Corp 撮像素子およびそれを用いた撮像装置
JP2009213106A (ja) * 2008-02-06 2009-09-17 Sony Corp 固体撮像装置
WO2011086622A1 (ja) * 2010-01-12 2011-07-21 パナソニック株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及びカメラ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2504334B1 (fr) * 1981-04-16 1985-10-18 Thomson Csf Dispositif d'analyse d'image en lignes successives, utilisant le transfert de charges electriques, composant une memoire de ligne, et camera de television comportant un tel dispositif
JPS60229479A (ja) * 1984-04-26 1985-11-14 Toshiba Corp 固体エリアセンサ
JPH0644823B2 (ja) * 1986-08-22 1994-06-08 日本ビクター株式会社 固体撮像装置
US4972254A (en) * 1987-02-24 1990-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state image sensors for reproducing high definition images
JP2735223B2 (ja) * 1988-06-08 1998-04-02 日本放送協会 固体撮像装置
JP2807386B2 (ja) * 1993-02-15 1998-10-08 株式会社東芝 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
US6259478B1 (en) * 1994-04-01 2001-07-10 Toshikazu Hori Full frame electronic shutter camera
KR0165375B1 (ko) * 1995-03-31 1999-03-20 김광호 Ccd형고체촬영소자
JP2865019B2 (ja) * 1995-05-31 1999-03-08 日本電気株式会社 電荷転送固体撮像装置の駆動方法
JP3519202B2 (ja) * 1996-03-11 2004-04-12 松下電器産業株式会社 シェーディング補正方法およびシェーディング補正機能付き順次走査方式対応撮像装置
JP3704406B2 (ja) * 1996-10-30 2005-10-12 株式会社東芝 固体撮像装置
JP3830590B2 (ja) * 1996-10-30 2006-10-04 株式会社東芝 固体撮像装置
JPH11205532A (ja) * 1998-01-14 1999-07-30 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP4497688B2 (ja) * 1999-09-27 2010-07-07 富士フイルム株式会社 固体撮像装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060994A (ja) * 2001-08-10 2003-02-28 Canon Inc 撮像装置及びカメラシステム
JP4738667B2 (ja) * 2001-08-10 2011-08-03 キヤノン株式会社 撮像装置
JP2006129137A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sony Corp 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置
JP4524609B2 (ja) * 2004-10-29 2010-08-18 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置
US7796170B2 (en) 2004-10-29 2010-09-14 Sony Corporation Solid-state imaging device with enhanced pixel thinning out configuration and method for driving same
KR101182973B1 (ko) * 2004-10-29 2012-09-18 소니 주식회사 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 구동 방법 및 촬상 장치
WO2011004562A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 パナソニック株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
US8575532B2 (en) 2009-07-10 2013-11-05 Panasonic Corporation Solid-state imaging device and driving method of solid-state imaging device
JP5562335B2 (ja) * 2009-07-10 2014-07-30 パナソニック株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2012019360A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Canon Inc 固体撮像装置及び撮像システム

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