JPH08321090A - バイアスレベル制御方法及び装置 - Google Patents

バイアスレベル制御方法及び装置

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JPH08321090A
JPH08321090A JP8097272A JP9727296A JPH08321090A JP H08321090 A JPH08321090 A JP H08321090A JP 8097272 A JP8097272 A JP 8097272A JP 9727296 A JP9727296 A JP 9727296A JP H08321090 A JPH08321090 A JP H08321090A
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bias magnetic
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】磁気光学的情報記憶システムの磁気バイアスコ
イルの改良された制御方法を提供する。 【解決手段】第１コントローラ１４は、レンズ２９の焦
点位置を測定して、これを第２コントローラ１５に供給
する。当該第２コントローラ１５は、前記焦点位置に関
連するディジタル信号を供給する。ディジタルアナログ
コンバータ１６は、ディジタル信号をドライバ電圧に変
換して、当該ドライバ電圧を電流ドライバ１７に供給す
る。当該電流ドライバ１７は、バイアスコイル１８に、
ドライバ電圧に関連するバイアス電流を供給する。バイ
アスコイル１８は、バイアス電流に関連する強度の磁界
を生成する。第２コントローラ１５は、漂遊磁界に基づ
き、ディジタル信号を生成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、磁気光学的情報記憶システム、
特に、磁気光学的情報記憶システムのバイアスコイルの
磁気バイアス制御に関する。
【０００２】磁気光学的駆動システムの場合、データの
書き込み及び消去動作を行うために、最小強度の磁界が
対物レンズの焦点に必要である。有限長のバイアスコイ
ルに定電流を流して磁界を生成して、これによって不均
一な磁界を生成していた。この不均一な磁界のために問
題が生じる。まず第１に、磁界が生成され、全ての焦点
位置においてデータの書き込みまたは消去を可能にする
場合、過剰な電力が消費されていた。第２に、過剰な電
力を最小にすると、焦点位置における磁界強度が、デー
タを書き込みまたは消去するのに不十分となり得る。
【０００３】さらに、バイアスコイルが、対物レンズの
焦点における唯一の磁界源ではなかった。フォーカスア
クチュエータ及びスピンドルモータ等の他の磁界源が存
在していた。従来のシステムが定電流を使用していたの
で、磁界源は均一な磁界を生成すると考えられていた。
しかしながら、不均一な磁界が、上記の問題を引き起こ
すとは考えられていなかった。
【０００４】本発明は、レンズの焦点における磁界の強
度を制御するものである。本発明は、記憶媒体に対する
焦点位置を決定する第１コントローラと、焦点に漂遊磁
界を供給する磁気源と、前記焦点位置及び前記漂遊磁界
強度に関連するディジタル信号を供給する第２コントロ
ーラと、当該ディジタル信号に応答して、ディジタル信
号に関連するドライバ電圧を供給するディジタルアナロ
グコンバータと、前記ドライバ電圧に応答して、当該ド
ライバ電圧に関連するバイアス電流を供給する電流ドラ
イバと、前記バイアス電流に応答して、磁界を生成する
バイアスコイルと、を備えている。焦点における磁界の
強度は、バイアス電流に関連している。
【０００５】本発明の一態様では、記憶媒体が１つの中
心を規定して、焦点の位置が前記中心に対して決定され
る。漂遊磁界強度も焦点位置に関連している。記憶媒体
は、所定の円周方向速度で前記中心の回りを回転して、
漂遊磁界強度は当該円周方向速度に関連している。
【０００６】本発明の他の態様では、バイアス電流を測
定するための電流センサと、電流ドライバにバイアス電
流に関連するフィードバック電圧を供給するフィードバ
ックデバイスと、を備えている。ここで、さらにバイア
ス電流はフィードバック電圧に関連している。
【０００７】第１コントローラ、第２コントローラ、デ
ィジタルアナログコンバータ、電流ドライバ、及びバイ
アスコイルを備えている磁界強度制御装置が開示されて
いる。第１コントローラは、レンズの焦点位置を決定し
て、当該焦点位置を第２コントローラに供給する。当該
第２コントローラは、前記焦点位置に関連するディジタ
ル信号を供給する。ディジタルアナログコンバータは、
ディジタル信号をドライバ電圧に変換して、当該ドライ
バ電圧を電流ドライバに供給する。当該電流ドライバ
は、バイアスコイルに、ドライバ電圧に関連するバイア
ス電流を供給する。バイアスコイルは、前記バイアス電
流に関連する強度の磁界を生成する。第２コントローラ
は、漂遊磁界に基づき前記ディジタル信号を生成する。
当該漂遊磁界を一定にすること、または対物レンズ、円
形記憶媒体の円周方向速度、若しくは細長形状記憶媒体
の長手方向速度に基づき、漂遊磁界強度を変化させるこ
とができる。さらに、当該磁界強度制御装置は、バイア
ス電流を測定する電流センサと、電流ドライバに、バイ
アス電流に関連するフィードバック電圧を供給するフィ
ードバックデバイスと、を備えることができる。
【０００８】また、ここには、磁界強度を制御するため
の方法であって、レンズの焦点位置を決定する工程と、
当該焦点位置に関連するディジタル信号を計算する工程
と、当該ディジタル信号に関連するドライバ電圧を生成
する工程と、当該ドライバ電圧に関連するバイアス電流
を生成する工程と、当該バイアス電流に関連する強度の
磁界を生成する工程と、を備えている方法が開示されて
いる。当該方法は、漂遊磁界に基づき前記ディジタル信
号を計算する。漂遊磁界を一定にすること、または対物
レンズの位置、記憶媒体の円周方向速度、若しくは記憶
媒体の長手方向速度に基づき漂遊磁界の強度を変化させ
ることができる。さらに、当該方法は、バイアス電流を
測定して、電流ドライバに、バイアス電流に関連するフ
ィードバック信号を供給することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１に、細長形状の記憶媒体２と
ともにバイアスコイル１を一般的に示す。バイアスコイ
ル１は、記憶媒体２の一端３から記憶媒体２の幅に亘っ
て延在している。対物レンズ（図示せず）は、記録媒体
２のバイアスコイル１とは反対側に配置される。対物レ
ンズは、記録媒体２の幅全体に亘ってバイアスコイル１
と平行に移動可能である。
【００１０】以下の説明において、図面中、同一の構成
部材に関しては同一の参照番号を付す。
【００１１】図２に、円形の記憶媒体４とともにバイア
スコイル１を一般的に示す。バイアスコイル１は、記憶
媒体４の中心５から、記憶媒体４の外側縁部６に向かっ
て半径方向に延在する。対物レンズ（図示せず）は、記
憶媒体４の反対側に配置される。対物レンズは、バイア
スコイル１と平行に、記憶媒体４の中心５から外側縁部
６に向かって移動可能である。
【００１２】バイアスコイル１は、バイアスコイル１の
下方の記憶媒体の表面２、４に磁界（図示せず）を生成
する。バイアスコイル１の長さが有限なので、磁界（図
示せず）の強度はバイアスコイル１の長さに亘って不均
一である。
【００１３】図３に、従来のシステムのバイアスコイル
１によって生成される磁界強度のプロットを一般的に示
す。磁界強度は縦軸に沿ってプロットされ、対物レンズ
の焦点位置は、基準点からの距離として横軸に沿ってプ
ロットされる。基準点は、細長形状の記憶媒体２の縁部
３、または円形記憶媒体４の中心５とすることができ
る。ライン７は、前記基準点からの距離の関数として、
一定電流に対する磁界強度を示している。磁界は、点８
において最大となる。当該点８は、細長形状の記憶媒体
２の幅の中間点、または円形記憶媒体４の中心５と外側
縁部４との中間点の何れかに相当する。磁界は、バイア
スコイル１の両端部における点に相当する点９において
相対的に弱くなる。ライン７の下方の領域５０は、ライ
ン７によって示される強度の磁界を保持するのに必要な
電力を示している。
【００１４】図４に、図３の例におけるプロットと同様
の、従来のシステムのバイアスコイル１によって生成さ
れる磁界強度のプロットを一般的に示す。磁気光学的駆
動装置の場合、最小強度の磁界がデータの書き込み及び
消去に必要である。最小強度の第１の選択は、ライン１
０によって示されている。ライン７の部分１１は、ライ
ン１０の下方に位置している。これらの部分１１は、磁
界強度がデータの書き込みまたは消去に不十分な記憶媒
体２、４上の領域を示している。
【００１５】最小磁界強度の第２の選択は、ライン１２
によって示される。ライン７は、全プロットに亘ってラ
イン１２の上方に存在しており、このことは、磁界強度
が、記憶媒体２、４の表面上の全ての点でデータを書き
込みまたは消去するのに十分な強度であることを示して
いる。しかしながら、ライン１２の上方でライン７の下
方に存在する領域１３は、駆動装置によって消費される
過剰電力を示している。したがって、従来のシステム
は、記憶媒体２、４の表面上のすべての点でデータを書
き込みまたは消去することができないか、またはバイア
スコイル１の中心付近の点で過剰な電力を消費する。
【００１６】図５に、本発明の一例を一般的に示す。第
１コントローラ１４は、基準点に対する対物レンズの焦
点位置を測定する。基準点は、細長形状の記憶媒体２の
縁部３、または円形の記憶媒体４の中心５とすることが
できる。第１コントローラ１４は、前記焦点位置を第２
コントローラ１５に供給する。第２コントローラ１５
は、前記焦点位置に対するディジタル電圧信号を生成す
る。その後、第２コントローラ１５は、ディジタル電圧
信号をディジタルアナログコンバータ１６に供給する。
ディジタルアナログコンバータ１６は、ディジタル電圧
信号に対するアナログドライバ電圧を生成する。ディジ
タルアナログコンバータ１６は、その後、アナログドラ
イバ電圧を電流ドライバ１７に供給する。電流ドライバ
１７は、アナログドライバ電圧に対するバイアス電流を
生成する。電流ドライバ１７は、その後、バイアス電流
をバイアスコイル１８に供給する。バイアスコイル１８
は、バイアス電流を磁界に変換する。当該磁界の強度
は、バイアス電流の大きさに関連している。
【００１７】このようにして、本発明は、レンズの焦点
における磁界の強度を制御する方法であって、記憶媒体
に対する焦点の位置を決定する工程と、前記焦点に漂遊
磁界を供給する工程と、前記焦点位置及び前記漂遊磁界
強度に関連するディジタル信号を計算する工程と、当該
ディジタル信号に関連するドライバ電圧を生成する工程
と、当該ドライバ電圧に関連するバイアス電流を生成す
る工程と、磁界を生成する工程と、を備え、前記焦点に
おける磁界の強度が前記バイアス電流に関連している方
法を提供する。選択的に、バイアス電流が測定されるこ
とができ、その後、電流ドライバに、前記バイアス電流
に関連するフィードバック電圧を供給する。ここで、当
該バイアス電流はさらにフィードバック電圧に関連して
いる。
【００１８】図６に、本発明により生成される信号レベ
ルを示す４つのプロットを示す。プロット（１）は、デ
ィジタル電圧信号の大きさを、対物レンズの焦点と基準
点との間の距離の関数として表しているライン１９であ
る。ライン１９は、バイアスコイル１、１８の全長に亘
ってプロットされている。ライン１９は、焦点がバイア
スコイル１、１８の中心付近に存在するときにディジタ
ル電圧信号の大きさが減少して、焦点がバイアスコイル
１、１８の縁部付近に存在するときにディジタル電圧信
号の大きさが増加することを一般的に示している。
【００１９】プロット（２）は、アナログドライバ電圧
の大きさを、対物レンズの焦点と基準点との間の距離の
関数として表しているライン２０である。ライン２０
は、バイアスコイル１、１８の全長に亘ってプロットさ
れている。ライン２０は、焦点がバイアスコイル１、１
８の中心付近に存在するときにアナログドライバ電圧の
大きさが減少して、焦点がバイアスコイル１、１８の縁
部付近に存在するときにアナログドライバ電圧の大きさ
が増加することを一般的に示している。
【００２０】プロット（３）は、バイアス電流の大きさ
を、対物レンズの焦点と基準点との間の距離の関数とし
て表しているライン２１である。ライン２１は、バイア
スコイル１、１８の全長に亘ってプロットされている。
ライン２１は、焦点がバイアスコイル１、１８の中心付
近に存在するときにバイアス電流の大きさが減少して、
焦点がバイアスコイル１、１８の縁部付近に存在すると
きにバイアス電流の大きさが増加することを一般的に示
している。
【００２１】プロット（４）は、バイアスコイル１、１
８によって生成される磁界の強度を、対物レンズの焦点
と基準点との間の距離の関数として表しているライン２
２である。ライン２２は、バイアスコイル１、１８の全
長に亘ってプロットされている。ライン２２は、磁界の
強度が焦点位置と無関係であることを一般的に示してい
る。
【００２２】プロット（４）は、データの書き込みまた
は消去に必要な磁界の最小強度を表しているライン２３
も示している。ライン２２は、プロット（４）の全ての
点においてライン２３の上方に位置しており、磁界の強
度が記憶媒体２、４の表面上の全ての点におけるデータ
の書き込みまたは消去を行うのに十分であることを示し
ている。さらに、過剰な電力を示すライン２２とライン
２３との間の領域２４が最小化される。ただ、領域２４
は、環境条件、媒体特性、及び磁界の最小必要強度に影
響を及ぼす他の要因の変化を処理するのに十分な大きさ
を有していなければならない。
【００２３】図７に、本発明の他の一例を示す。第１コ
ントローラ１４、第２コントローラ１５、及びディジタ
ルアナログコンバータ１６は、上記の例と同様に機能す
る。電流ドライバ２５は、第１の入力信号としてアナロ
グドライバ電圧を受信する。電流ドライバ２５は、第２
入力として、電流センサ２６からフィードバックドライ
バ電圧を受信する。電流ドライバ２５は、前記アナログ
ドライバ電圧及びフィードバックドライバ電圧に関連す
るバイアス電流を生成して、バイアス電流をバイアスコ
イル２７に供給する。バイアスコイル２７は、強度がバ
イアス電流に関連する磁界を生成する。
【００２４】電流センサ２６は、バイアス電流を測定す
る。電流センサ２６は、当該バイアス電流を、最小必要
強度の磁界を供給する所望の最小バイアス電流と比較す
る。この比較に基づき、電流センサ２６は当該比較に関
連するフィードバックドライバ電圧を生成する。
【００２５】第２コントローラ１５は、本発明のための
ディジタル電圧信号を供給する。このことは、作動中に
直接計算によって、または作動前に作成されるルックア
ップテーブルによって、または従来より知られている好
適な手段によって行われる。計算またはルックアップテ
ーブルは、バイアスコイル１、１８、２７によって生成
される磁界のみならず、他の磁界源によって生成される
磁界をも考慮してもよい。このような磁界を漂遊磁界と
称する。
【００２６】漂遊磁界は、４種類に分類することができ
る。第１の種類の漂遊磁界は、対物レンズの焦点に一定
の強度を有していなければならない。一般的に、例示的
な図８において、磁気光学的駆動装置（図示せず）の場
合、キャリッジアセンブリ２８は、対物レンズ２９及び
フォーカスアクチュエータ３０の両方を備えることがで
きる。フォーカスアクチュエータ３０は、対物レンズ２
９の焦点において一定の強度を有する漂遊磁界を生成す
る。漂遊磁界の強度を、３０エルステッド（アンペア／
メートル）のオーダとすることができる。
【００２７】第２の種類の漂遊磁界の強度は、基準点か
らの距離に依存している。例示的な図９において、円形
の記憶媒体４がスピンドル３１に固定されている。スピ
ンドル３１は、スピンドルモータ３２によって回転す
る。スピンドルモータ３２は、対物レンズ２９の焦点に
漂遊磁界を生成する。対物レンズ２９が記憶媒体４に対
して半径方向外側に移動する場合、対物レンズ２９の焦
点における漂遊磁界の強度が減少する。
【００２８】第３の種類の漂遊磁界の強度は、円形記憶
媒体４の回転速度に依存している。例示的な図９におい
て、スピンドルモータ３２がスピンドル３１を早く回転
させると、円形の記憶媒体４は早く回転する。円形の記
憶媒体４が早く回転すると、スピンドルモータ３２は、
対物レンズ２９の焦点に、所定の間隔で、より強度の大
きな漂遊磁界を生成する。
【００２９】第４の種類の漂遊磁界の強度は、細長形状
の記憶媒体２の長手方向の速度に依存している。例示的
な図１０において、細長形状の記憶媒体２は、スプール
３３の両端部で支持されている。スプール３３は、スプ
ールモータ３４によって回転させられる。スプールモー
タ３４のそれぞれが、対物レンズ２９の焦点における漂
遊磁界を生成する。スプールモータ３４がスプール３３
を早く回転させる場合、記憶媒体２の長手方向の速度が
増加する。対物レンズ２９の焦点における漂遊磁界の強
度も増加する。
【００３０】磁界強度に対するディジタル電圧信号を決
定する場合、計算またはルックアップテーブルはこれら
の種類の漂遊磁界のそれぞれを考慮することができる。
一例として、典型的な磁気光学的駆動装置は、対物レン
ズ２９の焦点に３００エルステッドの最小磁界強度を必
要とすることができる。フォーカスアクチュエータ３０
の漂遊磁界強度は、３０エルステッドのオーダである。
磁界の極性は、書き込み時と消去時とで異なる。したが
って、一方の動作において漂遊磁界は正であり、他方の
動作において漂遊磁界は負である。このため、第２コン
トローラ１５は、一方の動作において２７０エルステッ
ドに相当するディジタル電圧信号を生成して、他方の動
作において３３０エルステッドに相当するディジタル電
圧信号を生成するように制御される。
【００３１】例示的な図１１に、本発明の一例の回路図
を示す。電圧源３５が、電圧を抵抗３７に供給する。ス
イッチ３６は、電圧源３５と抵抗３７との間に配置され
る。スイッチ３６が閉じられると、抵抗３７を流れる電
流が電力増幅器３８に供給される。電力増幅器３８は、
前記電流を増幅して、当該増幅された電流をバイアスコ
イル３９に出力する。電力増幅器３８の基準電圧は、電
圧源３５によって供給される電圧よりも小さい。
【００３２】アース４０を抵抗４１に接続する。スイッ
チ４２は、抵抗４１のアース４０とは反対側に、抵抗４
１と電力増幅器３８との間に配置される。スイッチ４２
が閉じられると、電流が、スイッチ４２を介して電力増
幅器３８から抵抗４１に流れる。電力増幅器３８の基準
電圧は、アース４０からの電圧よりも高い。正確に、ス
イッチ３６及び４２の一方が、所定の時間に閉じられて
いる。したがって、スイッチ４２が閉じられると、バイ
アスコイル３９は、スイッチ３６が閉じられているとき
に生成される磁界とは逆の極性の磁界を生成する。
【００３３】従来のシステムの場合、スイッチ３６が閉
じられているときに電力増幅器３８に流れる電流の大き
さは、スイッチ４２が閉じられているときに電力増幅器
３８から流れる電流と同じである。しかしながら、幾つ
かの漂遊磁界の大きさ及び極性はともに一定である。幾
つかの例では、３００エルステッドの大きさのバイアス
コイル３９からの磁界強度がデータの書き込み及び消去
に必要である。約３０エルステッドの漂遊磁界強度が一
般的である。したがって、３００エルステッドの最小磁
界強度を保証するためには、電力増幅器３８を流れる電
流が３３０エルステッドのバイアス磁界強度を供給する
のに十分でなければならない。一方の動作においては、
最終的な磁界強度が３００エルステッドとなり、他方の
動作においては、最終的な磁界強度が３６０エルステッ
ドとなる。３６０エルステッドの最終的な磁界強度は過
剰であり、過剰電力を消費する。
【００３４】本発明によれば、電力増幅器３８を流れる
電流は、漂遊磁界がバイアスコイルによって生成される
磁界に対して正であるか負であるかに基づき異なる。一
例では、抵抗３７、４１の抵抗値は異なる。他の例で
は、電力増幅器３８の基準電圧は、電圧源３５によって
供給される電圧とアース４０との中間値ではない。これ
らの例の一方は、最終的な磁界強度を、データの書き込
みまたは消去のための最小磁界強度に許容範囲内で等し
くすることによって過剰電力消費を最小にする。
【００３５】例示的な図１２に、本発明の他の例の回路
図を示す。電圧源３５が抵抗４３に接続され、当該抵抗
４３がライン４７によって電力増幅器３８に接続され
る。電圧源３５及び抵抗４３の接続から供給される電流
は、電力増幅器３８によって増幅され、バイアスコイル
３９を流れ、これによってバイアス磁界を生成する。電
力増幅器３８の基準電圧は、電圧源によって供給される
電圧よりも小さい。
【００３６】アース４０はスイッチ４４に接続され、続
いて抵抗４５に接続される。抵抗４５のスイッチ４４と
は逆側の点４６において、ライン４７との接続が行われ
る。スイッチ４４が開放されているときには、正の電流
が電力増幅器３８に供給され、正の磁界がバイアスコイ
ル３９によって生成される。スイッチ４４が閉じられて
いると、負の電流が電力増幅器３８に供給され、負の磁
界がバイアスコイル３９によって生成される。
【００３７】従来のシステムの場合、抵抗４３の抵抗値
が抵抗４５の抵抗値の２倍であり、電力増幅器３８の基
準電圧値が電圧源３５の電圧とアース４０との中間値で
あった。このため、バイアス磁界強度は、スイッチが閉
じられている時と開放されている時とで同一であるが、
その極性が逆であった。しかしながら、漂遊磁界の安定
性のために、一方の動作における最終的な磁界強度が、
他方の動作における最終的な磁界強度と、漂遊磁界強度
の２倍の量だけ異なる。
【００３８】漂遊磁界を補償するために、３つのアプロ
ーチのうちの何れかが採用されてもよい。まず第１に、
電力増幅器３８の基準電圧は、電圧源３５の電圧とアー
ス４０との中間値にならないように変更できる。第２
に、電圧源３５の電圧は、電力増幅器３８の基準電圧が
電圧源３５の電圧とアース４０との中間値にならないよ
うに変更できる。最後に、抵抗４３、４５の抵抗値は、
抵抗４３の抵抗値が抵抗４５の抵抗値の２倍にならない
ように変更して、抵抗４３の抵抗値を抵抗４５の抵抗値
と異なるようにできる。電力増幅器３８の基準電圧と電
圧源３５の電圧との間の電位差は、基準電圧とアースと
の間の電位差に等しくすることも、異なるようにするこ
ともできる。
【００３９】例示的な図１１及び１２を参照して説明し
たいずれの例においても、アース４０を第２電圧源で置
き換えることができる。電力増幅器３８の基準電圧は、
第２電圧源の電圧出力よりも大きくなければならない。
【００４０】本発明の概念及び範囲を逸脱することな
く、上記の本発明の説明を変更できることは当該分野に
おける当業者にとって明らかである。したがって、本発
明の範囲は、上記説明ではなく、特許請求の範囲によっ
て規定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】細長形状の記憶媒体とともにバイアスコイルを
一般的に示す図である。
【図２】円形の記憶媒体とともにバイアスコイルを一般
的に示す図である。
【図３】従来の記憶媒体の表面における、バイアスコイ
ルからの磁界強度を一般的に示すプロット図である。
【図４】従来の記憶媒体の表面における、バイアスコイ
ルからの磁界強度を示すプロット図である。
【図５】本発明の一例を一般的に示す図である。
【図６】記憶媒体の表面における本発明による磁界強度
及び所望の最小磁界強度レベルを一般的に示すプロット
図である。
【図７】本発明の他の一例を一般的に示す図である。
【図８】磁気光学的駆動装置のカートリッジアセンブリ
を一般的に示す図である。
【図９】スピンドルモータ、スピンドル及び記憶媒体を
一般的に示す図である。
【図１０】スプールモータ及び記憶媒体を一般的に示す
図である。
【図１１】本発明の他の一例を示す回路図である。
【図１２】本発明のさらに他の一例を示す回路図であ
る。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レンズ（２９）の焦点における磁界強度
    を制御するための装置であって、 所定の電圧出力を有する電圧源（３５）と、 当該電圧源（３５）に電気的に接続され、第１抵抗値を
    有する第１抵抗（３７）と、 アース（４０）と、 当該アース（４０）に電気的に接続され、第２抵抗値を
    有する第２抵抗（４１）と、 前記第１抵抗（３７）及び前記第２抵抗（４１）に接続
    された入力端と出力端とを有し、前記所定の電圧出力よ
    りも小さな基準電圧であって前記アース（４０）に対し
    て正の基準電圧を有する電力増幅器（３８）と、 第１開放位置と第１閉成位置とを有し、前記電圧源（３
    ５）を前記電力増幅器（３８）に選択的に接続する第１
    スイッチ（３６）と、 第２開放位置と第２閉成位置とを有し、前記アース（４
    ０）を前記電力増幅器（３８）に選択的に接続する第２
    スイッチ（４２）であって、前記第１スイッチ（３６）
    が前記第１開放位置の場合に前記第２スイッチ（４２）
    が前記第２閉成位置にあり、前記第１スイッチ（３６）
    が前記第１閉成位置の場合に前記第２スイッチ（４２）
    が前記第２開放位置にある第２スイッチ（４２）と、 前記電力増幅器（３８）の前記出力端に電気的に接続さ
    れ、前記第１スイッチ（３６）が前記第１閉成位置にあ
    る場合に第１バイアス磁界を生成し、前記第２スイッチ
    （４２）が前記第２閉成位置にある場合に第２バイアス
    磁界を生成するバイアスコイルであって、前記第１バイ
    アス磁界が、前記所定の電圧出力及び前記第１抵抗値に
    対して、第１バイアス磁界極性及び第１バイアス磁界強
    度を有し、前記第２バイアス磁界が、前記アース（４
    ０）及び前記第２抵抗値に対して、第２バイアス磁界極
    性及び第２バイアス磁界強度を有し、前記第１バイアス
    磁界極性が前記第２バイアス磁界極性と逆であり、前記
    第１及び第２のバイアス磁界の一方のバイアス磁界強度
    が、バイアス磁界の差分だけ、前記第１及び第２バイア
    ス磁界の他方のバイアス磁界強度よりも大きいバイアス
    コイルと、 漂遊磁界極性及び漂遊磁界強度を有する漂遊磁界を生成
    する磁界源であって、前記漂遊磁界強度が前記バイアス
    磁界の差分の２分の１にほぼ等しく、前記漂遊磁界極性
    が前記第１及び第２バイアス磁界の前記一方の前記バイ
    アス磁界極性と逆である磁界源と、 を備えている装置。
  2. 【請求項２】 レンズ（２９）の焦点における磁界強度
    を制御するための装置であって、 第１電圧出力を有する第１電圧源（３５）と、 当該第１電圧源（３５）に電気的に接続され、第１抵抗
    値を有する第１抵抗（３７）と、 アース（４０）と、 当該アース（４０）に電気的に接続され、第２抵抗値を
    有する第２抵抗（４１）と、 前記第１抵抗（３７）及び前記第２抵抗（４１）に接続
    された入力端と出力端とを有し、前記第１電圧出力より
    も小さな基準電圧であって前記アース（４０）に対して
    正の基準電圧を有する電力増幅器（３８）と、 開放位置と閉成位置とを有し、前記アース（４０）を前
    記電力増幅器（３８）に選択的に接続するスイッチと、 前記電力増幅器（３８）の前記出力端に電気的に接続さ
    れ、前記スイッチが前記開放位置にある場合に第１バイ
    アス磁界を生成し、前記スイッチが前記閉成位置にある
    場合に第２バイアス磁界を生成するバイアスコイルであ
    って、前記第１バイアス磁界が、前記第１電圧出力及び
    前記第１抵抗値に対して、第１バイアス磁界極性及び第
    １バイアス磁界強度を有し、前記第２バイアス磁界が、
    前記アース（４０）、前記第１電圧出力、前記第１抵抗
    値及び第２抵抗値に対して、第２バイアス磁界極性及び
    第２バイアス磁界強度を有し、前記第１バイアス磁界極
    性が前記第２バイアス磁界極性と逆であり、前記第１及
    び第２のバイアス磁界の一方のバイアス磁界強度が、バ
    イアス磁界の差分だけ、前記第１及び第２バイアス磁界
    の他方のバイアス磁界強度よりも大きいバイアスコイル
    と、 漂遊磁界極性及び漂遊磁界強度を有する漂遊磁界を生成
    する磁界源であって、前記漂遊磁界強度が前記バイアス
    磁界の差分の２分の１にほぼ等しく、前記漂遊磁界極性
    が前記第１及び第２バイアス磁界の前記一方の前記バイ
    アス磁界極性と逆である磁界源と、 を備えている装置。
  3. 【請求項３】 レンズ（２９）の焦点における磁界強度
    を制御するための装置であって、 第１電圧出力を有する第１電圧源（３５）と、 当該第１電圧源（３５）に電気的に接続され、第１抵抗
    値を有する第１抵抗（３７）と、 第２電圧出力を有する第２電圧源と、 当該第２電圧源に電気的に接続され、第２抵抗値を有す
    る第２抵抗（４１）と、 前記第１抵抗（３７）及び前記第２抵抗（４１）に接続
    された入力端と出力端とを有し、前記第１電圧出力より
    も小さな基準電圧であって前記第２電圧出力よりも大き
    な基準電圧を有する電力増幅器（３８）と、 第１開放位置と第１閉成位置とを有し、前記第１電圧源
    （３５）を前記電力増幅器（３８）に選択的に接続する
    第１スイッチ（３６）と、 第２開放位置と第２閉成位置とを有し、前記第２電圧源
    を前記電力増幅器（３８）に選択的に接続する第２スイ
    ッチ（４２）であって、前記第１スイッチ（３６）が前
    記第１開放位置の場合に前記第２スイッチ（４２）が前
    記第２閉成位置にあり、前記第１スイッチ（３６）が前
    記第１閉成位置の場合に前記第２スイッチ（４２）が前
    記第２開放位置にある第２スイッチ（４２）と、 前記電力増幅器（３８）の前記出力端に電気的に接続さ
    れ、前記第１スイッチ（３６）が前記第１閉成位置にあ
    る場合に第１バイアス磁界を生成し、前記第２スイッチ
    （４２）が前記第２閉成位置にある場合に第２バイアス
    磁界を生成するバイアスコイルであって、前記第１バイ
    アス磁界が、前記第１電圧出力及び前記第１抵抗値に対
    して、第１バイアス磁界極性及び第１バイアス磁界強度
    を有し、前記第２バイアス磁界が、前記第１電圧源（３
    ５）、前記第２電圧源、前記第１抵抗値及び前記第２抵
    抗値に対して、第２バイアス磁界極性及び第２バイアス
    磁界強度を有し、前記第１バイアス磁界極性が前記第２
    バイアス磁界極性と逆であり、前記第１及び第２のバイ
    アス磁界の一方のバイアス磁界強度が、バイアス磁界の
    差分だけ、前記第１及び第２バイアス磁界の他方のバイ
    アス磁界強度よりも大きいバイアスコイルと、 漂遊磁界極性及び漂遊磁界強度を有する漂遊磁界を生成
    する磁界源であって、前記漂遊磁界強度が前記バイアス
    磁界の差分の２分の１にほぼ等しく、前記漂遊磁界極性
    が前記第１及び第２バイアス磁界の前記一方の前記バイ
    アス磁界極性と逆である磁界源と、 を備えている装置。
  4. 【請求項４】 レンズ（２９）の焦点における磁界強度
    を制御するための装置であって、 第１電圧出力を有する第１電圧源（３５）と、 当該第１電圧源（３５）に電気的に接続され、第１抵抗
    値を有する第１抵抗（３７）と、 第２電圧出力を有する第２電圧源と、 当該第２電圧源に電気的に接続され、第２抵抗値を有す
    る第２抵抗（４１）と、 前記第１抵抗（３７）及び前記第２抵抗（４１）に接続
    された入力端と出力端とを有し、前記第１電圧出力より
    も小さな基準電圧であって前記第２電圧出力よりも大き
    な基準電圧を有する電力増幅器（３８）と、 開放位置と閉成位置とを有し、前記第２電圧源を前記電
    力増幅器（３８）に選択的に接続するスイッチと、 前記電力増幅器（３８）の前記出力端に電気的に接続さ
    れ、前記スイッチが前記開放位置にある場合に第１バイ
    アス磁界を生成し、前記スイッチが前記閉成位置にある
    場合に第２バイアス磁界を生成するバイアスコイルであ
    って、前記第１バイアス磁界が、前記第１電圧出力及び
    前記第１抵抗値に対して、第１バイアス磁界極性及び第
    １バイアス磁界強度を有し、前記第２バイアス磁界が、
    前記第１電圧出力、前記第２電圧出力、前記第１抵抗値
    及び前記第２抵抗値に対して、第２バイアス磁界極性及
    び第２バイアス磁界強度を有し、前記第１バイアス磁界
    極性が前記第２バイアス磁界極性と逆であり、前記第１
    及び第２のバイアス磁界の一方のバイアス磁界強度が、
    バイアス磁界の差分だけ、前記第１及び第２バイアス磁
    界の他方のバイアス磁界強度よりも大きいバイアスコイ
    ルと、 漂遊磁界極性及び漂遊磁界強度を有する漂遊磁界を生成
    する磁界源であって、前記漂遊磁界強度が前記バイアス
    磁界の差分の２分の１にほぼ等しく、前記漂遊磁界極性
    が前記第１及び第２バイアス磁界の前記一方の前記バイ
    アス磁界極性と逆である磁界源と、 を備えている装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4105407B2 (ja) * 2001-06-15 2008-06-25 富士通株式会社 磁界印加装置用コイル駆動回路及び情報記憶装置並びに磁界印加装置用コイル駆動制御方法
US6911904B2 (en) * 2002-09-03 2005-06-28 Lear Corporation System and method for adaptive variable magnetic field generator
TW200820571A (en) * 2006-10-27 2008-05-01 Fitipower Integrated Tech Inc Driving device
DE102018127394A1 (de) * 2018-11-02 2020-05-07 Bernd Burchard Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung und Regelung einer magnetischen Feldstärke

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2632438A1 (fr) * 1988-06-07 1989-12-08 Philips Nv Enregistreur magneto-optique a champ magnetique module
JPH065562B2 (ja) * 1988-07-20 1994-01-19 シャープ株式会社 光磁気記録再生装置の外部磁界装置
US5343448A (en) * 1988-07-20 1994-08-30 Sharp Kabushiki Kaiasha External magnetic field device for a magnetooptical information recording and reproducing apparatus
JPH065563B2 (ja) * 1988-10-28 1994-01-19 株式会社日立製作所 発生磁界制御方式
DE3838858A1 (de) * 1988-11-17 1990-05-23 Thomson Brandt Gmbh Schaltungsanordnung zur umkehrung eines magnetfeldes
US5179544A (en) * 1989-03-28 1993-01-12 U.S. Philips Corporation Control system for the magnetic head of a magneto-optical disc apparatus
US5172364A (en) * 1989-08-01 1992-12-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magneto-optic recording apparatus with controlled magnetic field generation
US5159584A (en) * 1989-08-15 1992-10-27 Olympus Optical Company Limited Bias-Magnetic field generating system of photo-magnetic recording device
NL8902293A (nl) * 1989-09-14 1991-04-02 Philips Nv Werkwijze en inrichting voor het inschrijven en uitlezen van een magneto-optische registratiedrager.
JPH03134803A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Canon Inc 光磁気記録装置
JPH07118106B2 (ja) * 1990-03-08 1995-12-18 パイオニア株式会社 光磁気記録再生装置
JPH03272039A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Canon Inc 光磁気記録装置
US5485435A (en) * 1990-03-20 1996-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic field generator in which an end face of a magnetic material member projects from man end face of magnetic field generating cores
JPH03276402A (ja) * 1990-03-27 1991-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光磁気ディスク装置用バイアス磁界発生装置
NL9001546A (nl) * 1990-07-06 1992-02-03 Philips Nv Inrichting voor het inschrijven en/of uitlezen van een magneto-optische informatiedrager.
US5404342A (en) * 1992-01-16 1995-04-04 Sony Corporation Magnetic head device for magneto-optical disc system and magnetic head driving circuit
US5392273A (en) * 1992-02-28 1995-02-21 Fujitsu Limited Optical storage drive controller with predetermined light source drive values stored in non-volatile memory
US5481510A (en) * 1992-02-28 1996-01-02 Fujitsu Limited Seek control system for optical storage apparatus
JP3188339B2 (ja) * 1992-03-06 2001-07-16 キヤノン株式会社 磁気ヘッド駆動装置および光磁気記録装置
JP3139723B2 (ja) * 1992-05-15 2001-03-05 キヤノン株式会社 光磁気記録装置
JP3098896B2 (ja) * 1992-06-23 2000-10-16 キヤノン株式会社 光磁気記録装置
JPH0668402A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Canon Inc 光磁気記録装置
JP3199517B2 (ja) * 1993-05-27 2001-08-20 オリンパス光学工業株式会社 光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1138192A (zh) 1996-12-18
EP0817183B1 (en) 2002-12-11
ID23024A (id) 1996-10-24
CA2169592A1 (en) 1996-10-08
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AU721725B2 (en) 2000-07-13
NO960585L (no) 1996-10-08
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TW288106B (ja) 1996-10-11
BR9600862A (pt) 1997-12-30
IL117744A0 (en) 1996-07-23
ATE229687T1 (de) 2002-12-15
DE69625342T2 (de) 2003-04-24
CN1214505A (zh) 1999-04-21
DE69625342D1 (de) 2003-01-23
EP0817183A2 (en) 1998-01-07
AU4810896A (en) 1996-10-17
EP0817183A3 (en) 1998-02-11
SG87001A1 (en) 2002-03-19
NO960585D0 (no) 1996-02-14
IL117744A (en) 2001-09-13
JP2003109259A (ja) 2003-04-11
EP0736867A1 (en) 1996-10-09
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KR100318176B1 (ko) 2002-04-22
KR100321564B1 (ko) 2002-05-09
RU2182721C2 (ru) 2002-05-20
MY113235A (en) 2001-12-31
CN1163883C (zh) 2004-08-25

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