JP3199517B2 - 光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置 - Google Patents

光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置

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JP3199517B2
JP3199517B2 JP12607293A JP12607293A JP3199517B2 JP 3199517 B2 JP3199517 B2 JP 3199517B2 JP 12607293 A JP12607293 A JP 12607293A JP 12607293 A JP12607293 A JP 12607293A JP 3199517 B2 JP3199517 B2 JP 3199517B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界変調方式により光
磁気記録媒体に対して情報の記録を行う光磁気記録用磁
気ヘッド駆動装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、光磁気記録において、情報の消去
と記録を同時に行うオーバライト(重ね書き)方式の1
つとして、光磁気ディスクの垂直磁化膜に対し、半導体
レーザから照射された一定のレーザ光をレンズを介して
集光させて、垂直磁化膜の温度をキュリー点以上に上げ
ておき、この状態から磁気ヘッドによる磁界を記録信号
に応じて変調し、垂直磁化膜に磁界変化に応じた磁気パ
ターンを残すようにすることで情報の記録を行う磁界変
調方式が知られている。
【0003】そして、このような磁界変調方式を採用し
た場合、垂直磁化膜の磁化を反転するのに必要な磁界
は、垂直磁化膜の膜特性に依存するものの、一般に数百
0e以上の大きな磁界を必要としている。
【0004】ところで、このような磁界変調記録方式を
採用した現実の装置では、普通マグネットチャッキング
の永久磁石やアクチュエータの永久磁石などを有してお
り、これら永久磁石からの発生磁界が記録すべき光磁気
記録媒体上の漏洩磁界となって、垂直磁化膜の記録ピッ
ト形成部位に印加磁界として与えられ、これら漏洩磁界
の影響は、記録媒体上の記録位置により異なっている。
【0005】一方、磁気ヘッドの磁界発生コイルとして
浮上型ヘッドコイル(以下、フローティングヘッド)を
使用したものでは、記録媒体上の記録位置により回転の
線速度が異なることからフローティングヘッドの記録媒
体表面からの浮上量が異なり、これによるフローティン
グヘッドと記録媒体中の記録ピット形成部位までの距離
の違いにより、記録ピット形成部位に与えられるフロー
ティングヘッドの磁界発生効率にバラツキを生じるが、
このようなフローティングヘッドによっても、記録媒体
上の記録位置に与えられる磁界発生効率のバラツキに加
えて、漏洩磁界によっても大きな影響を受け、しかも、
この漏洩磁界の影響が記録媒体上の記録位置により異な
っている。
【0006】このように従来の磁界変調記録方式を採用
したものでは、記録媒体上の記録位置によって、漏洩磁
界による様々な影響を受けるため、印加磁界の強度の過
不足が発生することがあり、これが原因して記録ピット
のエッジずれやピットエッジの緩満化など記録ピットの
質の低下を招くことがあり、記録データに応じた正確な
磁界変調記録が難しくなるという問題点があった。
【0007】そこで、従来、漏洩磁界を除去するため特
開昭63−53702号公報に開示されるように磁気ヘ
ッドの主軸コアに挿入される磁性材料の磁気特性を利用
して、漏洩磁界を相殺するようにしたもの、あるいは特
開平3−272039号公報に開示されるように漏洩磁
界を検出する磁界強度検出素子を設け、この検出素子に
より検出された漏洩磁界に基づいて漏洩磁界を相殺する
ようなオフセット磁界を発生するようにしたものが考え
られている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開昭63
−53702号公報に開示されたものは、磁気ヘッドの
主軸コアに挿入される磁性材料の磁気特性により相殺で
きる漏洩磁界強度が決まるため、上述したように記録位
置により異なる漏洩磁界に対しては、相殺磁界に過不足
を生じ、確実に漏洩磁界を相殺することができないとい
う問題点がある。
【0009】また、特開平3−272039号公報に開
示されたものは、相殺磁界発生強度は可変可能であるた
め上記の様な問題点は発生しない。しかし、このように
構成したものでは、磁気ヘッドコイルおよび磁気ヘッド
コイル駆動回路の他に、別個に補正磁界発生コイルおよ
びオフセット磁界発生回路などが必要であり、装置構成
が大掛かりなものとなり、装置の大型化が免れない。ま
た、特に、磁気ヘッドコイルとしてフローティングヘッ
ドを用いると、界磁ヘッドに新たなコイルを巻くこと
は、ヘッドに巻ける巻線の巻数に物理的な制限があるた
め難しく、敢えて新たにコイルを巻くとなると、その分
だけ界磁ヘッド自体の巻数を減少させることが必要とな
り、界磁ヘッドでの磁界発生効率(電流→磁界)を低下
させてしまうという問題点がある。
【0010】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、簡単な構成にして漏洩磁界を確実に相殺することが
でき、記録情報に応じた確実な磁界変調記録を実現でき
る光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置を提供することを目
的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁界変調方式
により光磁気記録媒体に対し情報の記録を行う光磁気記
録用磁気ヘッド駆動装置において、前記光磁気記録媒体
への情報の記録位置のアドレス情報を検出するアドレス
情報検出手段と、予め前記光磁気記録媒体の記録層の各
記憶位置での漏洩磁界を記憶した記憶手段と、前記アド
レス情報検出手段で検出されたアドレス情報により該ア
ドレス情報に対応する漏洩磁界を前記記憶手段の内容を
参照して認識するとともに該認識された漏洩磁界に基づ
いて漏洩磁界補正量を求める演算手段と、この演算手段
より求められた漏洩磁界補正量に基づいて前記漏洩磁界
を相殺可能な磁界振幅を得るための励磁電流を生成する
磁気ヘッド駆動電流制御手段と、この磁気ヘッド駆動電
流制御手段より生成された励磁電流により変調磁界を発
生する磁気ヘッドコイルにより構成されている。
【0012】
【0013】
【作用】この結果、本発明によれば、情報記録におい
て、光磁気記録媒体より情報の記録位置のアドレス情報
を検出し、このアドレス情報により、予め用意された記
憶手段の内容を参照してアドレス情報に対する記録位置
の漏洩磁界を認識し、この漏洩磁界により光磁気記録媒
体上の磁界振幅を変化させることで漏洩磁界を相殺する
ようにしている。これにより、光磁気記録媒体の記録位
置により漏洩磁界が異なる場合も、相殺磁界の過不足を
生じることなく漏洩磁界を相殺することができる。しか
も、漏洩磁界を磁気ヘッドコイルの磁界に重畳して漏洩
磁界を相殺可能にした磁界振幅の変調磁界を得ることか
ら、特別に補正磁界発生コイルなどを必要とせず、簡単
な構成にして漏洩磁界の相殺を実現できる。
【0014】
【0015】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。 (第1実施例)図1は、第1実施例の概略構成を示して
いる。
【0016】図において、1は直流電源で、この直流電
源1には抵抗2、補助コイル31、スイッチング素子4
の直列回路を接続している。また、スイッチング素子4
に並列に磁気ヘッドコイル5とスイッチング素子6の直
列回路を接続し、磁気ヘッドコイル5とスイッチング素
子6の接続点に補助コイル32と抵抗7の直列回路を接
続して磁気ヘッド駆動電流制御回路100を構成してい
る。
【0017】ここで、磁気ヘッドコイル5は、後述する
光磁気記録媒体11に記録信号に応じた磁界を発生する
ためのものである。スイッチング素子4、6は記録信号
に応じて交互にオンオフされるようになっている。補助
コイル31、32は、スイッチング素子4、6のオンオ
フ動作により所定の逆起電力を発生するようにしてい
る。そして、抵抗2、7は、磁気ヘッドコイル5および
補助コイル31、32に流れる電流を制御するためのも
のである。
【0018】そして、このような磁気ヘッド駆動電流制
御回路100の補助コイル32と抵抗7の直列回路に電
圧制御回路8を接続し、この電圧制御回路8に、演算手
段9と漏洩磁界認識手段10を接続している。
【0019】図2は、電圧制御回路8、演算手段9およ
び漏洩磁界認識手段10の具体的構成を示している。こ
の場合、電圧制御回路8は、D/A変換回路81、パル
ス幅変調回路(PWM)(Pulse Width M
odulation)82、増幅用トランジスタ83お
よびコンデンサとインダクタンスで構成されるローパス
フィルタ(LPF)84、直流電源85を有している。
演算手段9は、演算回路としてCPU91を有してい
る。漏洩磁界認識手段10は、光磁気記録媒体11のI
D部よりID信号を検出する光ピックアップ101、光
ピックアップ101の出力を増幅する増幅回路102、
増幅回路102より出力されるID信号から情報の記録
位置のアドレス情報(トラックナンバーN)を検出する
アドレス検出回路103、磁気センサーにより予め測定
するか、あるいは漏洩磁界の原因となる永久磁石の配
置、磁界強度および配置向きなどから求められた光磁気
記録媒体11の記録層の各記憶位置での漏洩磁界Hi を
テーブルにして記憶した記憶素子(ROM)104を有
している。
【0020】なお、光磁気記録媒体11は、スピンドル
モータ12により回転するようになっている。次に、こ
のように構成した実施例の動作を説明する。
【0021】ところで、漏洩磁界の発生原因は、上述し
たようにVCM、フォーカスアクチュエータ、マグネッ
トチャッキングなどの永久磁石であり、これらの永久磁
石の配置により記録媒体のトラック位置に対して異なっ
た状態で影響が及んでいる。また、磁気ヘッドとしてフ
ローテイング方式のものを使用した場合も、上述したよ
うに記録媒体の記録位置によりディスクの回転の線速度
が異なる事から磁気ヘッドと記録媒体面(記録層)との
距離が異なり、記録媒体上の記録位置に与えられる磁界
発生効率のバラツキに加えて、漏洩磁界によっても大き
な影響を受け、しかも、この漏洩磁界の影響が記録媒体
上の記録位置により異なっている。
【0022】同実施例では、磁気ヘッドとしてフローテ
ィング方式のものを使用した場合を示している。この場
合、光磁気記録媒体11のアドレス情報から漏洩磁界を
認識するようになる。いま、データ記録において、光ピ
ックアップ101により光磁気記録媒体11のID部よ
りID信号を検出する。そして、このID信号を増幅回
路102に与え、増幅した後、アドレス検出回路103
に与える。アドレス検出回路103では、ID信号から
情報の記録位置のアドレス情報(トラックナンバーN)
を検出する。そして、このアドレス情報を演算回路(C
PU)91に与える。
【0023】演算回路(CPU)91は、アドレス検出
回路103から与えられたアドレス情報に基づいて記憶
素子(ROM)104のテーブルを参照し、アドレス情
報に対応する記憶層の記録位置での漏洩磁界Hi を認識
する。また、演算回路(CPU)91は、アドレス情報
(トラックナンバーN)から記録アドレスでの光磁気記
録媒体11の回転による線速度vを次式より算出する。
【0024】v=ω*(RO+TP*N) ここで、ωは光磁気記録媒体11の角速度、ROは光磁
気記録媒体11の0トラックでの半径距離、TPは光磁
気記録媒体11のトラックピッチである。
【0025】また、この線速度vとフローティング磁気
ヘッドのスライダー幅hs と漏洩磁界強度Hi および定
数Kにより漏洩磁界の補正に必要な補正電流Iを次式に
より算出する。
【0026】
【数1】
【0027】ここで、フローティング磁気ヘッドのスラ
イダー幅hs は、図3に示すように光磁気記録媒体11
面に対して設定されている。最後に、演算回路(CP
U)91は、補正電流Iと情報記録に必要な電流Ioの
和電流(I+Io )を算出し、この和電流を、後述する
図4(g)に示す磁気ヘッドコイル5の励磁電流IH の
負側の電流振幅IHB=(I+Io )を設定する指示信号
として電圧制御回路8に出力する。
【0028】電圧制御回路8は、演算回路(CPU)9
1から与えられる指示信号をD/A変換回路81により
ディジタルアナログ変換した後、パルス幅変調回路(P
WM)82に入力する。パルス幅変調回路(PWM)8
2は、指示信号に応じたパルス幅変調を行い、そのパル
ス信号出力をトランジスタ83に出力する。そして、こ
のトランジスタ83によるパルス信号出力に応じた動作
により、電源85の直流出力を交流信号に変換し、コン
デンサとインダクタで構成されたローパスフィルタ(L
PF)84によりアベレージングを施し直流電圧VDCと
して出力する。
【0029】ここでは、電圧制御回路8にPWMを用い
た降圧型の電源回路を用いているがアナログ制御などの
電源回路でも構わない。そして、この直流電圧VDCによ
り、以下の原理に従い記録信号と漏洩磁界に応じた交流
磁界を得るようにしている。
【0030】この場合、スイッチング素子4、6は、図
4(a)に示す記録信号に応じて同図(b)(c)で示
すように交互にオン、オフを繰り返す。ここで、スイッ
チング素子4がオンからオフ、スイッチング素子6がオ
フからオンになったとすると、この瞬間、補助コイル3
1には、スイッチング素子4がオンの間に蓄えられたエ
ネルギーにより高い逆起電圧が発生し、磁気ヘッドコイ
ル5の一方の端子電圧VA は、図4(d)に示すように
VAPまで上昇し、瞬時に電源1の電圧Vc の数倍の値と
なる。
【0031】この時、磁気ヘッドコイル5には、図示A
方向の励磁電流IH が流れる。これにより補助コイル3
1の逆起電圧も低下し、磁気ヘッドコイル5の一方の端
子電圧VA は、電源電圧VC まで低下する。
【0032】次に、スイッチング素子4がオンになりス
イッチング素子6がオフになると、磁気ヘッドコイル5
の一方の端子電圧VA は、0Vとなり、補助コイル31
には再びエネルギーが蓄えられる。同時に、補助コイル
32には、逆起電圧が発生し、磁気ヘッドコイル5の他
の端子電圧VB は、図4(e)に示すようにVBPまで上
昇する。
【0033】これにより、磁気ヘッドコイル5の励磁電
流IH の極性は反転し、図示B方向から急速に磁気ヘッ
ドコイル5に流れ込む。その後、磁気ヘッドコイル5の
他の端子電圧VB も、補助コイル32の逆起電圧の低下
により、上述した一方の端子電圧VA と同様に変化し、
電圧制御回路8の出力電圧VDCにより定常電流が流れる
ようになる。
【0034】以下、同様な動作が、記録信号に従い繰り
返され、磁気ヘッドコイル5の端子電圧VA 、VB は、
図4(d)(e)に示す様に変化する。この場合、磁気
ヘッドコイル5の端子電圧VA 、VB の振幅VAP、VAL
およびVBP、VBLは、電源電圧Vc と電圧制御回路8の
出力電圧VDCに依存することから、磁気ヘッドコイル5
の両端電圧は、電位VA とVB の差の電位(VA −V
B)で定まり、記録信号に応じて図4(f)に示すよう
にその極性が高速反転することになる。
【0035】これにより、磁気ヘッドコイル5の励磁電
流IH は、電位(VA −VB )と抵抗2、7により図4
(f)の様に変化するが、ここでの、励磁電流IH の正
側の振幅IHAは、電源電圧VC により一定の定常電流と
なり、これに対する励磁電流IH の負側の振幅IHBは、
電圧制御回路8の出力電圧VDCにより変化することか
ら、磁気ヘッドコイル5の発生磁界Hは、この時の励磁
電流IH に応じて図4(h)に示すようになる。
【0036】そして、光磁気記録媒体11の記録層での
磁界HD は、磁界振幅の書き込み方向に漏洩磁界Hi が
印加される場合は、図4(i)に示すように、漏洩磁界
Hiが磁気ヘッドコイル5の発生磁界Hに重畳され、電
圧制御回路8の出力電圧VDCにより漏洩磁界Hi を相殺
するような磁界振幅からなる変調磁界HD が得られるよ
うになる。
【0037】この場合、変調磁界HD の書き込み方向の
磁界HDWおよび消去方向の磁界HDEは、光磁気記録媒体
11の記録・消去方向の反転磁界HW 、HE より十分大
きい磁界振幅となり、記録信号に応じた磁化パターン
は、光磁気記録媒体11の記録層に確実に書き込まれる
ことになる。
【0038】従って、このようにすれば、情報記録にお
いて、光ピックアップ101により検出した光磁気記録
媒体11のID部からのID信号により情報の記録位置
のアドレス情報を検出し、このアドレス情報により、予
め用意された記憶素子(ROM)104のテーブルを参
照してアドレス情報に対する記録アドレスの漏洩磁界H
i を認識し、この漏洩磁界Hi により光磁気記録媒体1
1の記録膜上の磁界HD の振幅を変化させることで漏洩
磁界を相殺するようにしているので、従来の磁気ヘッド
の主軸コアに挿入される磁性材料の磁気特性を利用して
漏洩磁界を相殺するものと比べ、記録位置により漏洩磁
界が異なる場合も、相殺磁界の過不足を生じることがな
くなり、確実に漏洩磁界を相殺することができる。
【0039】また、漏洩磁界Hi を磁気ヘッドコイル5
の発生磁界Hに重畳して、電圧制御回路8の出力電圧V
DCにより漏洩磁界Hi を相殺可能にした磁界振幅の変調
磁界HD を得るようにしているので、従来の漏洩磁界を
検出する磁界強度検出素子を設け、この検出素子により
検出された漏洩磁界に基づいて、磁気ヘッドコイルと別
個に用意された補正磁界発生コイルにより漏洩磁界を相
殺するようなオフセット磁界を発生するものと比べ、補
正磁界発生コイルを始め、オフセット磁界発生回路など
を必要としないことから、装置の大型化を防止して簡単
な構成にして漏洩磁界を確実に相殺することができる。
【0040】(第2実施例)次に、図5は、本発明の第
2実施例の概略構成を示している。図5は、図2と同一
部分には同符号を付して示している。この場合、漏洩磁
界認識手段10は、光磁気記録媒体11のID部よりI
D信号を検出する光ピックアップ101や磁気ヘッド
(図示せず)の側近にホール素子などの磁気センサー1
05を配置する。この磁気センサー105は、光ピック
アップ101や磁気ヘッドに追従して光磁気記録媒体1
1のトラック方向に移動可能になっていて、記録トラッ
ク上の漏洩磁界を測定する。そして、この磁気センサー
105の出力をローパスフィルター(LPF)106に
入力し、磁気ヘッドなどによる高周波成分を取り除く。
また、このローパスフィルター(LPF)106の出力
をA/D変換回路107によりディジタル信号に変換
し、演算手段9のCPU91に漏洩磁界強度Hi ´とし
て入力する。CPU91は、漏洩磁界Hi ´を光磁気記
録媒体11の記録層と磁気センサー105の距離で定ま
る定数Ks を用いて記録トラックにおける記録位置での
漏洩磁界Hi (=Ks *Hi )を算出する。そして、こ
の漏洩磁界Hi により上述した第1実施例で述べたよう
に図4(g)に示す負側の電流振幅IHBを算出して、こ
の計算結果に応じた指示信号を電圧制御回路8へ出力す
る。この電圧制御回路8への指示信号の入力以降は、第
1実施例と同様であり、これにより磁気ヘッドコイル5
より漏洩磁界Hi を相殺した磁界振幅からなる変調磁界
HD が出力されようになる。
【0041】このようにすれば、磁気センサー105を
用いて漏洩磁界を直接検出することによりリアルタイム
で漏洩磁界Hi の相殺制御を行うことができ、しかも、
漏洩磁界Hi を磁気ヘッドコイル5の発生磁界Hに重畳
して、漏洩磁界Hi を相殺した磁界振幅からなる記録膜
上の磁界を得るようにしているので、従来のものに比べ
て補正磁界発生コイルやオフセット磁界発生回路など別
個に必要としないことからも装置の大型化を防止して構
成を簡単化できる。
【0042】(第3実施例)次に、図6は、本発明の第
3実施例の概略構成を示している。図6は、図2と同一
部分には同符号を付して示している。この場合、磁気ヘ
ッド駆動電流制御回路100を構成する抵抗2、補助コ
イル31、スイッチング素子4の直列回路に第1の電圧
制御回路8aを接続し、抵抗7、補助コイル32、スイ
ッチング素子6の直列回路に第2の電圧制御回路8bを
接続し、これら第1および第2の電圧制御回路8a、8
bにより磁気ヘッド駆動回路の両側の電源電圧を制御す
るようにしている。
【0043】このようにすると、磁気ヘッドコイル5で
のライト・イレース両方向の振幅が制御可能となり、漏
洩磁界を相殺しつつ漏洩磁界量に関係なく磁気ヘッドコ
イル5での発生磁界振幅を一定とした記録が可能となり
磁気ヘッド駆動回路の消費電力の省電力化が図れる。
【0044】この場合の省電力化の原理は、漏洩磁界が
存在すると磁気ヘッドコイル5での発生磁界は漏洩磁界
の分だけオフセットを履いた状態になり、漏洩磁界の向
きと同方向に漏洩磁界分布シフトする。これにより漏洩
磁界と逆向きの磁気ヘッド発生磁界振幅が漏洩磁界分不
足するが、これを補正するために磁気ヘッド発生磁界の
漏洩磁界と逆向きの振幅を漏洩磁界分大きくし補正を行
う。ここまでは、上述した実施例と同様であり(図4
(h)(i))、この結果、漏洩磁界と同じ向きの磁気
ヘッド発生磁界振幅は漏洩磁界分過剰となって、この分
の磁気ヘッド駆動電流が無駄に消費される。
【0045】そこで、第3実施例では、第1および第2
の電圧制御回路10a、10bにより磁気ヘッド駆動回
路の両側の電源電圧を制御して、過剰分布が発生しない
様に磁気ヘッド発生磁界振幅の漏洩磁界と同じ向き側の
発生振幅を漏洩磁界分だけ減少させることにより理想的
記録と省電力化を実現するようにしている。
【0046】(第4実施例)次に、図7は、本発明の第
4実施例の概略構成を示している。図7は、電圧制御回
路8の他の例を示すもので、図2と同一部分には同符号
を付して示している。この場合、演算回路(CPU)9
1から与えられる指示信号をD/A変換回路81により
ディジタルアナログ変換した後、パルス幅変調回路(P
WM)82に入力する。パルス幅変調回路(PWM)8
2は、指示信号に応じたパルス幅変調を行い、そのパル
ス信号出力をトランジスタ83に出力する。そして、こ
のトランジスタ83のパルス信号出力に応じた動作によ
り電源85の直流出力をオンオフさせて、コンデンサ8
6の両端に昇圧された直流電圧VDCとして出力する。
【0047】このようにすれば、電圧制御回路8の電源
85の電圧VD の省電力化が可能となり磁気ヘッド駆動
回路の単一電源化が容易となる。なお、本発明は上記実
施例にのみ限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変
形して実施できる。
【0048】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、情報記録において、光磁気記録媒体より情報の記録
位置のアドレス情報を検出し、このアドレス情報によ
り、予め用意された記憶手段の内容を参照してアドレス
情報に対する記録位置の漏洩磁界を認識し、この漏洩磁
界により光磁気記録媒体上の磁界振幅を変化させること
で漏洩磁界を相殺するようにしたので、光磁気記録媒体
の記録位置により漏洩磁界が異なる場合も、相殺磁界の
過不足を生じることなく漏洩磁界を相殺することがで
き、しかも、漏洩磁界を磁気ヘッドコイルの磁界に重畳
して漏洩磁界を相殺可能にした磁界振幅の変調磁界を得
ることから、特別に補正磁界発生コイルなどを必要とせ
ずに、簡単な構成にして漏洩磁界の相殺を実現でき、こ
れにより、記録情報に応じた確実な磁界変調記録を実現
できることになる。
【0049】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の概略構成を示す図。
【図2】第1実施例の具体的構成を示す図。
【図3】第1実施例のフローティング磁気ヘッドのスラ
イダー幅を示す図。
【図4】第1実施例の動作を説明するためのタイムチャ
ート。
【図5】本発明の第2実施例の概略構成を示す図。
【図6】本発明の第3実施例の概略構成を示す図。
【図7】本発明の第4実施例の概略構成を示す図。
【符号の説明】
1…直流電源、2…抵抗、31、32…補助コイル、4
…スイッチング素子、5…磁気ヘッドコイル、6…スイ
ッチング素子、7…抵抗、8…電圧制御回路、81…D
/A変換回路、82…パルス幅変調回路、83…トラン
ジスタ、84…ローパスフィルタ、85…直流電源、9
…演算手段、91…CPU、10…漏洩磁界認識手段、
101…光ピックアップ、102…増幅回路、103…
アドレス検出回路、104…記憶素子(ROM)、10
5…磁気センサー、11…光磁気記録媒体。

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 磁界変調方式により光磁気記録媒体に対
    し情報の記録を行う光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置に
    おいて、 前記光磁気記録媒体への情報の記録位置のアドレス情報
    を検出するアドレス情報検出手段と、 予め前記光磁気記録媒体の記録層の各記憶位置での漏洩
    磁界を記憶した記憶手段と、 前記アドレス情報検出手段で検出されたアドレス情報に
    より該アドレス情報に対応する漏洩磁界を前記記憶手段
    の内容を参照して認識するとともに該認識された漏洩磁
    界に基づいて漏洩磁界補正量を求める演算手段と、 この演算手段より求められた漏洩磁界補正量に基づいて
    前記漏洩磁界を相殺可能な磁界振幅を得るための励磁電
    流を生成する磁気ヘッド駆動電流制御手段と、 この磁気ヘッド駆動電流制御手段より生成された励磁電
    流により変調磁界を発生する磁気ヘッドコイルとを具備
    したことを特徴とする光磁気記録用磁気ヘッド駆動装
    置。
  2. 【請求項2】 記憶手段は、漏洩磁界の原因となる永久
    磁石の配置、磁界強度および配置向きなどから求められ
    る光磁気記録媒体の記録層の各記憶位置での漏洩磁界を
    テーブルにして記憶したものであることを特徴とする請
    求項1記載の光磁気記録用磁気ヘッド駆動装置。
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