JPH03272039A - 光磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、記録媒体に印加する磁界を変調して情報を記
録する磁界変調記録方式の光磁気記録装置に関する。

［従来の技術］ 従来、この種の光磁気記録装置としては、例えば第４図
に示すような構成の６のがある。

図中１は、ガラスあるいはプラスチックを素材とした基
板２に垂直磁化膜３を被着し、更にその表面に保護膜４
を形成した光磁気ディスクである。光ヘッド５は、光磁
気ディスクｌの下面に配設された情報記録再生用のヘッ
ドであって、アクチュエータ６、半導体レーザ７、集光
レンズ８から構成される。半導体レーザ７から照射され
たレーザ光は、集光レンズ８で集光され、光磁気ディス
クｌに照射される。この場合、集光レンズ８はアクチュ
エータ６の制御によって光路方向に移動し、レーザ光が
垂直磁化膜３上に焦点を結ぶように制御される。また、
光ヘッド５は、光磁気ディスク１の半径方向に移動でき
る構造となっている。

浮上ヘッド９は垂直磁化膜３のレーザ光照射部位に変調
磁界を印加するもので、光磁気ディスクｌを挟み、光ヘ
ッド５と対向して配設されている。浮上ヘッド９は後部
に電磁石１０を備え、この電磁石１０に磁界変調回路１
３から記録信号に応じた位相の電流が供給される。また
、浮上ヘッド９は光ヘッド５と連動して光磁気ディスク
１の半径方向に移動し、逐時垂直磁化膜３のレーザ照射
部位に磁界を印加することで、光磁気ディスク１に情報
を記録する。

次に、情報の記録動作について第５図を参照しながら説
明する。

まず、情報を記録する場合、光ヘッド５から光磁気ディ
スクｌの垂直磁化膜３に局所的に、一定強度のレーザ光
が連続的に照射される。これにより、垂直磁化膜３の照
射部分の温度がキュリー点近傍、あるいはキュリー点以
上に上昇される。

同時に、第５図（ａ）に示すような記録信号を記録しよ
うとすると、記録信号に対応して第５図ｔｂ）に示すよ
うな磁界が垂直磁化膜３のレーザ光照射部位に印加され
る。即ち、記録信号が“ｌ“の場合、＋Ｈの磁界が印加
され、記録信号が“Ｏ”の場合は、逆極性の−Ｈの磁界
が印加される。この場合、電磁石９の印加磁界は、極性
が反対の極性であって、磁界の強さは同じである。

このように、記録信号に対応して磁界を変調することで
、垂直磁化膜３の情報記録点であるレーザ照射部位の磁
化の方向が記録信号に応じて変化する。従って、磁化の
方向を記録信号の“ｌ”°°０”に対応させることによ
って、２値化データを記録することができる。第５図（
ｃ）は、実際に垂直磁化膜３に印加される磁界を示した
もので、アクチュエータなどから発生する漏洩磁界向を
含んでおり、後述するように、記録ビットに影響を与え
ることになる。第５図（ｄｌは、前述のようなレーザ光
の照射、バイアス磁界の印加によって、垂直磁化膜３上
に形成された記録パターンを模式的に示したものである
。図中、白抜きで示す部分は、磁化の方向を土向きと定
め、記録信号“１　”が記録されている。また、斜線で
示す部分は、磁化の方向が反転した下向きであって、記
録信号“Ｏｏｏが記録されている。従って、バイアス磁
界の極性を記録信号に応じて変調するため、光磁気ディ
スクｌの垂直磁化膜３に、前にどのような情報が書込ま
れていても、その上に重ね書きをすれば、新しい情報を
記録することができる。

［発明が解決しようとしている課題］ しかしながら、このような光磁気ディスク装置では、第
７図に示すように、漏洩磁界の発生源となるマグネット
チャッキング１８の永久磁石１７、アクチュエータ６の
永久磁石１６を有する。そのため、電磁石ｌＯの印加磁
界が零であっても、垂直磁化ｌｌ！Ｉ３の記録ビット形
成部位に磁界が印加された状態となり、悪影響を与える
ことになる。

第６図は、第５図（ｃｌに示す光磁気ディスク上の印加
磁界を詳細に示したもので１図中○で囲んだ部分を拡大
したものである。ここで示した実際に光磁気ディスクに
印加される磁界は、漏洩磁気１１ｉを含んだ磁界である
。以下、漏洩磁界が与える影響について説明する。

第６図から明らかなように、漏洩磁界向が発生すると、
電磁石１０のバイアス磁界±Ｈと打消し合う現象が生じ
る。そのため、光磁気ディスク１における情報記録点の
印加磁界の零になる時刻が、本来零になるべき時刻に対
し、ずれを生じる。これにより、実際の印加磁界の零に
なる点が両方向にシフトし、通常印加磁界が零の点を記
録ビットの境界とみなせるため、ビットの長さが記録信
号の“ｌ“と“０”で異なってしまう、第６図の例では
、記録信号“°１”のビットがＬ＋Ｌ’の分だけ短かく
なり、記録信号“０“めビットはＬ＋Ｌ”の分だけ長く
なる。また、実際に記録点に印加される磁界のピーク値
も、Ｈ−Ｈｉ、−Ｈ−Ｈｌというように記録信号によっ
て異なってしまう、このように、記録信号の“ｌ”と“
Ｏ°゛でビットの長さ、磁界の強さが異なってしまい、
記録ビットの質の低下を生じる問題があった。

本発明は、このような問題点に着目してなされたもので
、その目的は漏洩磁界の影響を完全になくし、もって記
録データの信頼性を高めるようにした光磁気記録装置を
提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために、光磁気記録媒体にレーザ光
を照射し、この照射部位に記録信号に応じて変調した磁
場を印加して記録ビットを形成し、情報を記録するよう
にした光磁気記録装置において、装置内の磁場印加手段
以外の手段から媒体に印加される漏洩磁界を相殺するオ
フセット磁場印加手段を持つことを特徴とする光磁気記
録装置が提供される。

［作用］ 本発明では、光記録媒体に印加される変調磁界以外の漏
洩磁界を検出し、ここで検出した検出値に基づいて漏洩
磁界を打ち消すべく、オフセット磁界を発生する。従っ
て、光記録媒体に印加される漏洩磁界を相殺することが
できるため、何ら周辺の磁気に影響されることなく、磁
気記録を行うことができる。

［実施例］ 第１図は本発明の光磁気記録装置の一実施例を示すブロ
ック図である。なお、第１図では、従来装置と同一部分
は同一符号を付しである。

第１図において、ｌは基板２の表面に垂直磁化膜３を被
着し、更にその表面に保護１１Ｉ４を形成した光磁気デ
ィスクである。光磁気ディスク１０下面には、光ヘッド
５が配設され、上面には光ヘッド５と相対向して電磁石
１０が配設されている。

電磁石１０は、浮上ヘッド９に固定され、光磁気ディス
ク１に対して一定距離を保つようになっている。また、
光磁気ディスクｌは、その中心がマグネットチャッキン
グなどに回転自在に支持され、中心軸を中心に回転する
構造である。

光ヘッド５は、アクチュエータ６、半導体レーザ７、集
光レンズ８から構成され、半導体レーザ７からのレーザ
光が垂直磁化膜３上に焦点を結ぶように、アクチュエー
タ６により集光レンズ８が制御される。電磁石１０には
磁界変調回路１３から電流が供給され、この電流の位相
を記録信号に応じて反転することで、垂直磁化膜３上の
レーザ照射部位に印加する磁界を変調する構成である。

このように、垂直磁化膜３に局所的にレーザを照射し、
このレーザ照射部位に記録信号に応じて変調した磁界を
印加することで、情報を記録することができる。光ヘッ
ド５と電磁石１０は、光磁気ディスクｌの半径方向に連
動して移動する構造となっており、光磁気ディスク１が
回転し、かつ光ヘッド５、電磁石１０が移動することで
、光磁気ディスクｌの指定アドレスに情報を記録するこ
とができる。

光磁気ディスクｌの上面における電磁石１０の近傍には
、ポール素子などの磁界強度検出素子１９が配設されて
いる。磁界強度検出素子１９は、漏洩磁界を検出するも
ので、検出された漏洩磁界は電気信号に変換され、磁界
強度検出回路１４に出力される。磁界強度検出回路１４
は、入力された信号を増幅するなどの処理を行う回路で
あり、その出力はオフセット６長界発生回路１２へ出力
される。オフセット磁界発生回路１２は、磁界強度検出
回路１４の出力に基づいて、コイル１１に供給する電流
をｌ寅算し、電流を供給する回路である。

コイル１１は、内部が空洞の空芯コイルであって、その
中心がレーザ光の光路なるように構成されている。従っ
てコイル１１は、光磁気ディスクｌと光ヘッド５との間
にあって、コイル１１の空芯部位を半導体レーザ７で出
射され、かつ集光レンズ８で集光されたレーザ光が通過
する構成である。このコイル１１はオフセット磁界発生
回路１２から電流を供給されることで、漏洩磁界を相殺
するようオフセラ］・磁界を発生する。したがってオフ
セット磁界発生回路１２は検出された漏洩磁界に対して
逆極性であって、同じ磁界強度の磁界を発生させるよう
コイル１１に供給する電流値をｌ寅算し、また、その電
流の向きを決定する。そして、オフセット磁界発生回路
１２はその決定に基づき、漏洩磁界相殺用の電流をコイ
ル１１に供給する。

次に、前記実施例の動作について、第２図に示すタイミ
ングチャートを参照しながら説明する。

第２図（ａ）は記録信号、第２図（ｂ）、は磁界強度検
出素子１９によって検出される漏洩磁界、第２図（Ｃ）
はコイル１１から発生されたオフセット磁界である。期
間ｔ１では漏洩磁界はＨ６ｙ１であり、これに対してオ
フセット磁界は同じ磁界強度で極性が逆の−Ｈ０１，と
なっている。このオフセット磁界は、前述の如く漏Ｉｇ
ＩＭｉ界を相殺すべくオフセット磁界発生回路１２によ
って決定され、コイル１１に電流を供給することでコイ
ル１１から発生される。

第２図（ｄ）は電磁石１０から発生される印加磁界であ
り、第２図（ａ）に示す記録信号に応じて変調される。

この場合、記録信号が“１“のときは＋Ｈの磁界が印加
され、記録信号が“０”のときは−Ｈの磁界が印加され
る。印加磁界±Ｈは記録ビットを形成するのに必要かつ
充分な磁界強度である。この記録信号に応じて変調され
た印加磁界は、半導体レーザ７から照射された光磁気デ
ィスクｌのレーザ照射部位に印加される。このレーザ照
射と印加磁界によって、その印加部位の磁化の方向を上
向き、或いは下向きとすることで、記録ビットを形成し
、情報が記録される。

このように、光磁気ディスク１には、まずその周辺の磁
気発生源からの漏洩磁界が印加され、またコイル１１に
よって発生させたオフセット磁界が印加される。この状
態では、変調磁界が零の場合、漏洩磁界とオフセット磁
界が相殺するため、光磁気ディスクｌに印加される磁界
は零である。

従って、この状態では、漏洩磁界が実際には光磁気ディ
スク１に印加されているものの、光磁気ディスクｌの磁
界は零であり、磁気的に情報を記録媒体に記録する環境
としては理想的である。

この理想環境の基に、電磁石ｌＯを駆動して磁界を変調
した場合、光磁気ディスクｌに印加される磁界は、第２
図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）に示す漏洩磁界、オ
フセット磁界、変調磁界の和となる。従って、漏洩磁界
とオフセット磁界が打ち消し合うため。

第２図（ｅ）に示すように、変調磁界そのままの磁界を
光磁気ディスク１に印加することができ、漏洩磁界の影
響を完全に防止することができる。

この結果、光磁気ディスク１の垂直磁化膜３上に、記録
信号に対応して磁化の方向が異なる記録ビットが形成さ
れ、第２図（ｂ）に示すような記録パターンが形成され
る。なお、第２図（ｆ）では白抜き部分は磁化の方向が
上向き、斜線で示す部分は磁化の方向が下向きである。

また、期間ｔ２においても、漏／ｇｌ磁界Ｈｏ　ｔ　ｔ
に対して、極性が逆で同じ磁界強度のオフセット磁界−
Ｈａ　ｒ　ｔ　’が発生されるため、前記と全く同様に
漏／ｇｌ磁界を打ち消し、その影響を完全に防止するこ
とができる。

このように本実施例では、漏洩磁界を完全に打ち消すた
め、従来のように記録ビットの長さが記録信号によって
異なることや磁界のピーク値が異なることがなく、記録
信号の“ｌ゛、“Ｏ”の各時間幅を正確に記録ビット長
として記録することができる。

［他の実施例］ 第３図は本発明の光磁気記録装置の他の実施例を示した
ブロック図である。

この実施例は、オフセット磁界発生用のコイル１１が光
ヘッド５のアクチュエータカバー１５を兼ね合わせたこ
とに特徴がある。具体的には光ヘッド５のアクチュエー
タカバー１５にオフセット磁界発生用コイル１１がモー
ルドされた構成となっている。また、その他の構成は、
第１図に示した実施例と全く同じである。

この実施例では、アクチュエータカバー１５を兼ねたコ
イル１１に電流を供給することで、オフセット磁界が発
生され、これによって漏洩磁界が相殺される。コイル１
１に供給する電流値及びその向きは、磁界強度検出素子
１９の検出値に基づき、オフセット磁界発生回路１２で
演算し決定される。従って、この実施例においても、前
記実施例と同様に、検出された漏洩磁界に対して、極性
が逆で磁界強度が同じとなるようなオフセット磁界がコ
イル１１から発生される。そのため、同様にオセット磁
界によって漏洩磁界を相殺することができ、記録ビット
を記録信号の時間幅通りに忠実に記録することができる
。また、この実施例では光ヘッド５のアクチュエータカ
バー１５とオフセット磁界発生用のコイル１１を一体化
したため、その分構成を簡単化することができる。

【発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、漏洩磁界を検出し
て相殺するようにしたので、変調磁界が印加されていな
い時に光磁気記録媒体に印加されている磁界を零にする
ことができる。従って、変調磁界の正負の極性の磁界強
度をほぼ同じ強度に補正できるため、従来のような記録
信号の“ｌ”、′Ｏ°゛によって記録ビットの長さが異
なるという問題点を解決でき、記録信号を正確に記録ビ
ットとして形成できる効果がある。また、オフセット磁
界発生装置を空芯コイルの形状とし、光磁気ディスクと
光ヘッドとの間に配設すると、漏洩磁界相殺手段を設け
るための余分なスペースを確保することなく、機能を向
上することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録装置の一実施例を示すブロ
ック図、第２図は第１図の実施例の動作を示すタイムチ
ャート、第３図は他の実施例の構成を示すブロック図、
第４図は従来装置のブロック図、第５図はその従来装置
の動作を示すタイムチャート、第６図は第５図のバイア
ス磁界を拡大して示す波形図、第７図は光磁気ディスク
の周辺に配設された磁界発生源の例を示す構成図である
。 １・・・光磁気ディスク、３・・・垂直磁化膜、５・・
・光ヘッド、９・・・浮上ヘッド、１０・・・電磁石、
１１・・空芯コイル、１２・・・オフセット磁界発生回
路、１３・・・磁界変調回路、１４・・・磁界強度検出
回路。 １５・・・アクチュエータカバー、１９・・・磁界強度
検出素子 第　１　図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）光磁気記録媒体にレーザ光を照射し、この照射部
   位に記録信号に応じて変調した磁場を印加して記録ビッ
   トを形成し、情報を記録するようにした光磁気記録装置
   において、装置内の磁場印加手段以外の手段から媒体に
   印加される漏洩磁界を相殺するオフセット磁場印加手段
   を持つことを特徴とする光磁気記録装置。
2. （２）前記漏洩磁界を検知する手段を有し、該漏洩磁界
   検出手段の出力に応じて前記オフセット磁場印加手段の
   出力を決定することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の光磁気記録装置。
3. （３）前記オフセット磁場印加手段が、空芯コイルから
   なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光磁
   気記録装置。
4. （４）前記オフセット磁場印加手段が、前記光磁気記録
   媒体とレーザ光を照射する光ヘッドの間に配設され、前
   記空芯コイルの空芯部をレーザ光が通過することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項及び第３項記載の光磁気記
   録装置。
5. （５）前記空芯コイルが、レーザ光を集光する対物レン
   ズを駆動するアクチュエータのカバーを兼ねることを特
   徴とする特許請求の範囲第３項記載の光磁気記録装置。