JPH0831796A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0831796A JPH0831796A JP16203394A JP16203394A JPH0831796A JP H0831796 A JPH0831796 A JP H0831796A JP 16203394 A JP16203394 A JP 16203394A JP 16203394 A JP16203394 A JP 16203394A JP H0831796 A JPH0831796 A JP H0831796A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造の際に用いられるドライエ
ッチング方法に関し、テーパ形状のエッチング加工を容
易に実現できるドライエッチング方法を提供する。 【構成】 まず、被エッチング膜であるＳｉＯ2膜１１
のエッチング速度がレジスト膜１２のエッチング速度よ
り大となるプラズマ雰囲気１３中でＳｉＯ2膜１１を凹
型にエッチングし、次にレジスト膜１２のエッチング速
度がＳｉＯ2膜１１のエッチング速度より大となるプラ
ズマ雰囲気１４中でレジスト膜１２をエッチングしてマ
スクを後退させ、更にＳｉＯ2膜１１のエッチング速度
がレジスト膜１２のエッチング速度より大となるプラズ
マ雰囲気１３中でＳｉＯ2膜１１をエッチングしてテー
パ形状の断面を得る。
ッチング方法に関し、テーパ形状のエッチング加工を容
易に実現できるドライエッチング方法を提供する。 【構成】 まず、被エッチング膜であるＳｉＯ2膜１１
のエッチング速度がレジスト膜１２のエッチング速度よ
り大となるプラズマ雰囲気１３中でＳｉＯ2膜１１を凹
型にエッチングし、次にレジスト膜１２のエッチング速
度がＳｉＯ2膜１１のエッチング速度より大となるプラ
ズマ雰囲気１４中でレジスト膜１２をエッチングしてマ
スクを後退させ、更にＳｉＯ2膜１１のエッチング速度
がレジスト膜１２のエッチング速度より大となるプラズ
マ雰囲気１３中でＳｉＯ2膜１１をエッチングしてテー
パ形状の断面を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置を製造する際
に用いられるドライエッチング方法に関し、更に詳しく
はテーパ形状のエッチング加工を容易に実現できるドラ
イエッチング方法を提供する。
に用いられるドライエッチング方法に関し、更に詳しく
はテーパ形状のエッチング加工を容易に実現できるドラ
イエッチング方法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置における電極、配線の
パターン形成工程等でドライエッチングが行われてい
る。その際、エッチング形状が凹型になることに起因す
る配線、または製膜の断線問題があり、この問題を解決
するためテーパ形状のエッチング加工が要求されてい
た。
パターン形成工程等でドライエッチングが行われてい
る。その際、エッチング形状が凹型になることに起因す
る配線、または製膜の断線問題があり、この問題を解決
するためテーパ形状のエッチング加工が要求されてい
た。
【０００３】図５はテーパ形状を得るための従来のエッ
チング方法の各工程を示す断面図である。従来方法では
図５（ａ）に示すように基板２１上に被エッチング膜２
２を形成し、レジスト膜２３をフォトリソグラフィーに
よりテーパ形状に転写した被エッチング物２４を用い
る。
チング方法の各工程を示す断面図である。従来方法では
図５（ａ）に示すように基板２１上に被エッチング膜２
２を形成し、レジスト膜２３をフォトリソグラフィーに
よりテーパ形状に転写した被エッチング物２４を用い
る。
【０００４】上記被エッチング物２４に対し、反応ガス
のガス混合比を調整することにより被エッチング膜２２
とレジスト膜２３とのエッチング速度の比が小となる状
態で被エッチング膜２２とレジスト膜２３を同時にエッ
チングする。その結果、図６（ｂ）の矢印の方向にエッ
チングが進んでいき、同図（ｃ）のようなテーパ形状の
エッチングが行える。
のガス混合比を調整することにより被エッチング膜２２
とレジスト膜２３とのエッチング速度の比が小となる状
態で被エッチング膜２２とレジスト膜２３を同時にエッ
チングする。その結果、図６（ｂ）の矢印の方向にエッ
チングが進んでいき、同図（ｃ）のようなテーパ形状の
エッチングが行える。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のエッ
チング方法では、テーパ形状のレジスト膜を用い、かつ
被エッチング膜とレジスト膜とのエッチング速度の比が
小となるように反応ガスの混合比を調整することにより
テーパ形状の加工を行ってきた。
チング方法では、テーパ形状のレジスト膜を用い、かつ
被エッチング膜とレジスト膜とのエッチング速度の比が
小となるように反応ガスの混合比を調整することにより
テーパ形状の加工を行ってきた。
【０００６】しかし、被エッチング物とレジスト膜との
組成の組合せによっては上記混合比の変化によりエッチ
ング速度の比を小とできない場合がある。よって従来の
方法では、製品の多様化に伴いテーパ形状のエッチング
が困難な状況が生じ、この場合上記断線問題により製品
の信頼性は低下する。
組成の組合せによっては上記混合比の変化によりエッチ
ング速度の比を小とできない場合がある。よって従来の
方法では、製品の多様化に伴いテーパ形状のエッチング
が困難な状況が生じ、この場合上記断線問題により製品
の信頼性は低下する。
【０００７】更に、上記従来のエッチング方法では被エ
ッチング物とレジスト膜を同時にエッチングするため、
テーパ形状の制御が困難であった。
ッチング物とレジスト膜を同時にエッチングするため、
テーパ形状の制御が困難であった。
【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、従来
の様にエッチング速度の比を小とすることなくテーパ形
状に加工できるドライエッチング方法を提供し、かつテ
ーパ形状の制御をも可能とするものである。
の様にエッチング速度の比を小とすることなくテーパ形
状に加工できるドライエッチング方法を提供し、かつテ
ーパ形状の制御をも可能とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のドライエッチング方法は、被エッチング膜の
エッチング速度がマスクのエッチング速度より大となる
プラズマ雰囲気中で被エッチング膜をエッチングする第
一の工程と、マスクのエッチング速度が被エッチング膜
のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲気中でマス
クをエッチングする第二の工程と、被エッチング膜のエ
ッチング速度がマスクのエッチング速度より大となるプ
ラズマ雰囲気中で被エッチング膜をエッチングする第三
の工程からなる。
に本発明のドライエッチング方法は、被エッチング膜の
エッチング速度がマスクのエッチング速度より大となる
プラズマ雰囲気中で被エッチング膜をエッチングする第
一の工程と、マスクのエッチング速度が被エッチング膜
のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲気中でマス
クをエッチングする第二の工程と、被エッチング膜のエ
ッチング速度がマスクのエッチング速度より大となるプ
ラズマ雰囲気中で被エッチング膜をエッチングする第三
の工程からなる。
【００１０】
【作用】本発明のエッチング方法においては、第一の工
程で被エッチング膜を凹型にエッチングし、第二の工程
でマスクを後退させ、第三の工程でマスク後退で生じた
被エッチング膜の階段形状の角をエッチングし、テーパ
形状の断面を得る。
程で被エッチング膜を凹型にエッチングし、第二の工程
でマスクを後退させ、第三の工程でマスク後退で生じた
被エッチング膜の階段形状の角をエッチングし、テーパ
形状の断面を得る。
【００１１】
（実施例１）以下、本発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１２】まず本実施例に用いるドライエッチング装
置について図１を参照しながら説明する。
置について図１を参照しながら説明する。
【００１３】５はガスコントローラであり、エッチング
が行われる金属製チャンバー１中にエッチングに関与す
る反応ガスを所定の混合比に流量制御しながら入気す
る。２は排気系であり、入気を行いながら、金属製チャ
ンバー１の圧力を所定の圧力に制御する。
が行われる金属製チャンバー１中にエッチングに関与す
る反応ガスを所定の混合比に流量制御しながら入気す
る。２は排気系であり、入気を行いながら、金属製チャ
ンバー１の圧力を所定の圧力に制御する。
【００１４】金属製チャンバー１の上部にはアノード
（陽極）３が、また下部にはカソード（陰極）４が設け
てあり、カソード４上には被エッチング物８が配置して
ある。また、カソード４にはインピーダンス整合回路６
を介して高周波電源７が接続されている。なお、カソー
ド４の素材はアルミニウムであり、表面はアルマイト処
理が施されている。９は被エッチング物８を運搬する際
に用いる突き上げ機構である。
（陽極）３が、また下部にはカソード（陰極）４が設け
てあり、カソード４上には被エッチング物８が配置して
ある。また、カソード４にはインピーダンス整合回路６
を介して高周波電源７が接続されている。なお、カソー
ド４の素材はアルミニウムであり、表面はアルマイト処
理が施されている。９は被エッチング物８を運搬する際
に用いる突き上げ機構である。
【００１５】金属性チャンバー１中にはガスコントロー
ラ５を通して反応ガスが入気され、排気系２によって所
定の圧力に制御されている。
ラ５を通して反応ガスが入気され、排気系２によって所
定の圧力に制御されている。
【００１６】高周波電源７からインピーダンス整合回路
６を介して高周波電力がアノード３とカソード４の間に
印加され反応ガスのプラズマが発生し、このプラズマに
より被エッチング物８をエッチングする。
６を介して高周波電力がアノード３とカソード４の間に
印加され反応ガスのプラズマが発生し、このプラズマに
より被エッチング物８をエッチングする。
【００１７】次に上記装置を用いた本発明のドライエッ
チング方法について説明する。図２は本実施例のエッチ
ング方法における各工程の断面図を示したものである。
図２（ａ）はエッチングを施す前の被エッチング物８を
示したものであり、厚さ１ｍｍの硝子基板１０上にプラ
ズマＣＶＤ方法により厚さ８００ｎｍのＳｉＯ 2膜１１
を形成した後、フォトリソグラフィーにより厚さ１．７
μｍのテーパ形状のレジスト膜１２を転写したものであ
る。
チング方法について説明する。図２は本実施例のエッチ
ング方法における各工程の断面図を示したものである。
図２（ａ）はエッチングを施す前の被エッチング物８を
示したものであり、厚さ１ｍｍの硝子基板１０上にプラ
ズマＣＶＤ方法により厚さ８００ｎｍのＳｉＯ 2膜１１
を形成した後、フォトリソグラフィーにより厚さ１．７
μｍのテーパ形状のレジスト膜１２を転写したものであ
る。
【００１８】まず上記被エッチング物８を図１の示す金
属製チャンバー１中のカソード４上に配置した。
属製チャンバー１中のカソード４上に配置した。
【００１９】次に金属製チャンバー１の圧力を排気系２
により０．７ｍＴｏｒｒ程度の真空状態にした後、金属
製チャンバー１中にガスコントローラ５を通してＣＨＦ
3対Ｏ2を９：１に混合した反応ガスを入気しながら、排
気系２により金属製チャンバー１中の圧力を３００ｍＴ
ｏｒｒに制御した。
により０．７ｍＴｏｒｒ程度の真空状態にした後、金属
製チャンバー１中にガスコントローラ５を通してＣＨＦ
3対Ｏ2を９：１に混合した反応ガスを入気しながら、排
気系２により金属製チャンバー１中の圧力を３００ｍＴ
ｏｒｒに制御した。
【００２０】次に高周波電源７からインピーダンス整合
回路６を介して３００Ｗの高周波電力をアノード３とカ
ソード４の間に印加して反応ガスのプラズマを発生し、
図２（ｂ）に示すように、プラズマ１３によりＳｉＯ2
膜１１を厚さ方向に６００ｎｍエッチングした。この時
のＳｉＯ2膜１１のエッチング速度は１５０ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、レジスト膜１２のエッチング速度は３０ｎｍ
／ｍｉｎであった。
回路６を介して３００Ｗの高周波電力をアノード３とカ
ソード４の間に印加して反応ガスのプラズマを発生し、
図２（ｂ）に示すように、プラズマ１３によりＳｉＯ2
膜１１を厚さ方向に６００ｎｍエッチングした。この時
のＳｉＯ2膜１１のエッチング速度は１５０ｎｍ／ｍｉ
ｎであり、レジスト膜１２のエッチング速度は３０ｎｍ
／ｍｉｎであった。
【００２１】上記第一の工程においては、被エッチング
膜であるＳｉＯ2膜１１のエッチング速度がレジスト膜
１２のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲気中で
エッチングしているため、図２（ｂ）に示すように被エ
ッチング膜が主にエッチングされる。
膜であるＳｉＯ2膜１１のエッチング速度がレジスト膜
１２のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲気中で
エッチングしているため、図２（ｂ）に示すように被エ
ッチング膜が主にエッチングされる。
【００２２】次に、前記反応ガスを一旦排気して、排気
系２により０．７ｍＴｏｒｒ程度の真空状態にした後、
金属製チャンバー１中にガスコントローラ５を通してＯ
2ガスを入気しながら排気系２により金属製チャンバー
１中の圧力を３００ｍＴｏｒｒに制御した。
系２により０．７ｍＴｏｒｒ程度の真空状態にした後、
金属製チャンバー１中にガスコントローラ５を通してＯ
2ガスを入気しながら排気系２により金属製チャンバー
１中の圧力を３００ｍＴｏｒｒに制御した。
【００２３】次に高周波電源７からインピーダンス整合
回路６を介して２００Ｗの高周波電力をアノード３とカ
ソード４の間に印加してＯ2ガスのプラズマを発生さ
せ、図２（ｃ）に示すようにプラズマ１４によりレジス
ト膜を7秒間エッチングして矢印Ａ方向に後退させた。
この時のレジスト膜１２のエッチング速度は７００ｎｍ
／ｍｉｎであり、ＳｉＯ2膜１１はエッチングされなか
った。
回路６を介して２００Ｗの高周波電力をアノード３とカ
ソード４の間に印加してＯ2ガスのプラズマを発生さ
せ、図２（ｃ）に示すようにプラズマ１４によりレジス
ト膜を7秒間エッチングして矢印Ａ方向に後退させた。
この時のレジスト膜１２のエッチング速度は７００ｎｍ
／ｍｉｎであり、ＳｉＯ2膜１１はエッチングされなか
った。
【００２４】上記第二の工程においては、レジスト膜１
２のエッチング速度が被エッチング膜であるＳｉＯ2膜
１１のエッチング速度より大となるプラスマ雰囲気中で
エッチングしているため、図２（ｃ）に示すようにレジ
スト膜１２が主にエッチングされる。
２のエッチング速度が被エッチング膜であるＳｉＯ2膜
１１のエッチング速度より大となるプラスマ雰囲気中で
エッチングしているため、図２（ｃ）に示すようにレジ
スト膜１２が主にエッチングされる。
【００２５】最後に、Ｏ2ガスを一旦排気した後、第一
の工程と同じエッチングを３分間行い、図２（ｄ）に示
すテーパ形状を得た。
の工程と同じエッチングを３分間行い、図２（ｄ）に示
すテーパ形状を得た。
【００２６】この第三の工程も第一の工程と同様に被エ
ッチング膜であるＳｉＯ2膜１１のエッチング速度がレ
ジスト膜１２のエッチング速度より大となるプラズマ雰
囲気中でエッチングしているため、図２（ｄ）に示すよ
うに主に被エッチング膜がエッチングされる。
ッチング膜であるＳｉＯ2膜１１のエッチング速度がレ
ジスト膜１２のエッチング速度より大となるプラズマ雰
囲気中でエッチングしているため、図２（ｄ）に示すよ
うに主に被エッチング膜がエッチングされる。
【００２７】図３は上述したエッチング方法において、
エッチング量の変化に伴いエッチング形状がどのように
変化するかを示した図である。
エッチング量の変化に伴いエッチング形状がどのように
変化するかを示した図である。
【００２８】上記第一の工程においてテーパ部の深さＤ
1を制御でき、ＳｉＯ2膜１１を深くエッチングするほど
Ｄ1が大きくなる。また、上記第二の工程においてテー
パ部の広がりＤ2を制御でき、レジスト膜１２の後退量
を大きくするほどＤ2は大きくなる。
1を制御でき、ＳｉＯ2膜１１を深くエッチングするほど
Ｄ1が大きくなる。また、上記第二の工程においてテー
パ部の広がりＤ2を制御でき、レジスト膜１２の後退量
を大きくするほどＤ2は大きくなる。
【００２９】一方、上記第三の工程ではテーパ部の形状
を制御する。エッチング時間が短ければ図３（ａ）のよ
うにＳｉＯ2膜１１の角が取れただけの急勾配のテーパ
形状になり、エッチング時間が長ければ図３（ｂ）のよ
うに全体としてなだらかなテーパ形状となる。但し、エ
ッチング時間を長くすると下地膜露出部Ｄ3が大きくな
ることがある。これを防止するためには、上記第一の工
程でエッチング深さＤ 1を小さくしておけばよい。
を制御する。エッチング時間が短ければ図３（ａ）のよ
うにＳｉＯ2膜１１の角が取れただけの急勾配のテーパ
形状になり、エッチング時間が長ければ図３（ｂ）のよ
うに全体としてなだらかなテーパ形状となる。但し、エ
ッチング時間を長くすると下地膜露出部Ｄ3が大きくな
ることがある。これを防止するためには、上記第一の工
程でエッチング深さＤ 1を小さくしておけばよい。
【００３０】以上のように、本実施例の方法を用いれば
テーパ形状の制御も可能となる。 （実施例２）実施例１では被エッチング膜が単層の場合
について説明したが、本実施例では被エッチング膜が２
層の膜で形成されている場合について説明する。
テーパ形状の制御も可能となる。 （実施例２）実施例１では被エッチング膜が単層の場合
について説明したが、本実施例では被エッチング膜が２
層の膜で形成されている場合について説明する。
【００３１】図４は本実施例のエッチング方法における
各工程の断面図である。図４（ａ）は本実施例で用いた
被エッチング物の断面図を示しており、厚さ１ｍｍの石
英基板１５上に厚さ１００ｎｍのＳＯＧ（スピンオング
ラス）方法によるＳｉＯ2膜１６と厚さ５００ｎｍのプ
ラズマＣＶＤ方法によるＳｉＯ2膜１７の２層の被エッ
チング膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより厚
さ１．７μｍのテーパ形状のレジスト膜１８を転写した
ものである。
各工程の断面図である。図４（ａ）は本実施例で用いた
被エッチング物の断面図を示しており、厚さ１ｍｍの石
英基板１５上に厚さ１００ｎｍのＳＯＧ（スピンオング
ラス）方法によるＳｉＯ2膜１６と厚さ５００ｎｍのプ
ラズマＣＶＤ方法によるＳｉＯ2膜１７の２層の被エッ
チング膜を形成した後、フォトリソグラフィーにより厚
さ１．７μｍのテーパ形状のレジスト膜１８を転写した
ものである。
【００３２】本実施例では実施例１と同様のエッチング
装置を用いて、以下の条件の下でエッチングを行った。
なお、明記していない条件、例えば真空状態などは実施
例１と同じ値を用いた。
装置を用いて、以下の条件の下でエッチングを行った。
なお、明記していない条件、例えば真空状態などは実施
例１と同じ値を用いた。
【００３３】まず第一工程において、図４（ｂ）に示す
ように被エッチング膜１６、１７をＣＨＦ3対Ｏ2が９：
１の混合ガスにより３００ｍＴｏｒｒの圧力下で印加電
力３００Ｗのプラズマ１９により５分間エッチングを行
った。
ように被エッチング膜１６、１７をＣＨＦ3対Ｏ2が９：
１の混合ガスにより３００ｍＴｏｒｒの圧力下で印加電
力３００Ｗのプラズマ１９により５分間エッチングを行
った。
【００３４】上記条件で被エッチング膜１６、１７をエ
ッチングすると約４分間で被エッチング膜１６、１７を
厚さ方向に１００％エッチングすることができた。この
時の被エッチング膜１６、１７のエッチング速度はそれ
ぞれ１６０ｎｍ／ｍｉｎと、１５０ｎｍ／ｍｉｎであ
り、レジスト膜１８のエッチング速度は３０ｎｍ／ｍｉ
ｎであった。本実施例では被エッチング膜１６、１７を
完全にエッチングするため１分間のオーバーエッチング
時間を取っている。
ッチングすると約４分間で被エッチング膜１６、１７を
厚さ方向に１００％エッチングすることができた。この
時の被エッチング膜１６、１７のエッチング速度はそれ
ぞれ１６０ｎｍ／ｍｉｎと、１５０ｎｍ／ｍｉｎであ
り、レジスト膜１８のエッチング速度は３０ｎｍ／ｍｉ
ｎであった。本実施例では被エッチング膜１６、１７を
完全にエッチングするため１分間のオーバーエッチング
時間を取っている。
【００３５】上記第一の工程においては、被エッチング
膜であるＳｉＯ2膜１６、１７のエッチング速度がレジ
スト膜１８のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲
気中でエッチングしているため、図４（ｂ）に示すよう
に被エッチング膜１６、１７が主にエッチングされる。
膜であるＳｉＯ2膜１６、１７のエッチング速度がレジ
スト膜１８のエッチング速度より大となるプラズマ雰囲
気中でエッチングしているため、図４（ｂ）に示すよう
に被エッチング膜１６、１７が主にエッチングされる。
【００３６】第一の工程によるエッチングが終了した
際、主に被エッチング膜１６、１７が加工され、図４
（ｂ）に示すような被エッチング膜１７が矢印Ｂ方向に
窪んだ形状が得られた。これは被エッチング膜１７のエ
ッチング速度が被エッチング膜１６のエッチング速度よ
り大きいためである。
際、主に被エッチング膜１６、１７が加工され、図４
（ｂ）に示すような被エッチング膜１７が矢印Ｂ方向に
窪んだ形状が得られた。これは被エッチング膜１７のエ
ッチング速度が被エッチング膜１６のエッチング速度よ
り大きいためである。
【００３７】次に、第二の工程において図４（ｃ）に示
すようにＯ2ガスを用い３００ｍＴｏｒｒの圧力下で印
加電力２００Ｗのプラズマ２０によりレジスト膜１８を
７秒間エッチングして矢印Ｃ方向にレジスト膜を後退さ
せた。この時、被エッチング膜１６、１７はエッチング
されなかった。そして、レジスト膜１８のエッチング速
度は７００ｎｍ／ｍｉｎであった。
すようにＯ2ガスを用い３００ｍＴｏｒｒの圧力下で印
加電力２００Ｗのプラズマ２０によりレジスト膜１８を
７秒間エッチングして矢印Ｃ方向にレジスト膜を後退さ
せた。この時、被エッチング膜１６、１７はエッチング
されなかった。そして、レジスト膜１８のエッチング速
度は７００ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３８】上記第二の工程においては、レジスト膜１
８のエッチング速度が被エッチング膜であるＳｉＯ2膜
１６、１７のエッチング速度より大となるプラスマ雰囲
気中でエッチングしているため、図４（ｃ）に示すよう
にレジスト膜１８が主にエッチングされる。
８のエッチング速度が被エッチング膜であるＳｉＯ2膜
１６、１７のエッチング速度より大となるプラスマ雰囲
気中でエッチングしているため、図４（ｃ）に示すよう
にレジスト膜１８が主にエッチングされる。
【００３９】最後に第三の工程において第一の工程と同
じ条件のエッチングを１０秒間行い、図のようなテーパ
形状を得た。
じ条件のエッチングを１０秒間行い、図のようなテーパ
形状を得た。
【００４０】この第三の工程も第一の工程と同様に被エ
ッチング膜であるＳｉＯ2膜１６、１７のエッチング速
度がレジスト膜１８のエッチング速度より大となるプラ
ズマ雰囲気中でエッチングしているため、図４（ｄ）に
示すように主に被エッチング膜がエッチングされる。
ッチング膜であるＳｉＯ2膜１６、１７のエッチング速
度がレジスト膜１８のエッチング速度より大となるプラ
ズマ雰囲気中でエッチングしているため、図４（ｄ）に
示すように主に被エッチング膜がエッチングされる。
【００４１】なお、本実施例においても実施例１と同様
に各エッチング工程のエッチング量の変化によってテー
パ形状の制御が可能である。
に各エッチング工程のエッチング量の変化によってテー
パ形状の制御が可能である。
【００４２】また、上記各実施例では単層及び２層の被
エッチング膜について説明したが、多層膜の場合でもテ
ーパ形状のエッチングが実施可能であることは言うまで
もない。この場合、本発明によりテーパ形状にしたシリ
コン等の材料がマスクとなり、マスク下の被エッチング
物を本発明の工程を行うことによりテーパ形状のエッチ
ングが実施できる。
エッチング膜について説明したが、多層膜の場合でもテ
ーパ形状のエッチングが実施可能であることは言うまで
もない。この場合、本発明によりテーパ形状にしたシリ
コン等の材料がマスクとなり、マスク下の被エッチング
物を本発明の工程を行うことによりテーパ形状のエッチ
ングが実施できる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の様
にエッチング速度の比を小とすることなくテーパ形状に
加工できるドライエッチング方法を提供でき、かつテー
パ形状の制御も可能となる。
にエッチング速度の比を小とすることなくテーパ形状に
加工できるドライエッチング方法を提供でき、かつテー
パ形状の制御も可能となる。
【図１】本発明に用いるエッチング装置の全体構成図
【図２】実施例１のエッチング方法における各工程を説
明する断面図
明する断面図
【図３】実施例１のエッチング方法による被エッチング
物の拡大断面図
物の拡大断面図
【図４】実施例２のエッチング方法における各工程を説
明する断面図
明する断面図
【図５】テーパ形状を得るための従来のエッチング方法
の各工程を示す断面図
の各工程を示す断面図
１ 金属製チャンバー ２ 排気系 ３ アノード（陽極） ４ カソード（陰極） ５ ガスコントローラ ６ インピーダンス整合回路 ７ 高周波電源 ８ 被エッチング物 １０ 硝子基板 １１ 被エッチング膜（ＳｉＯ2膜） １２ レジスト膜 １３ ＣＨＦ3対Ｏ2が９：１の混合ガスプラズマ １４ 酸素ガスプラズマ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された被エッチング膜を一
層以上のマスクを用いてプラズマ雰囲気中でエッチング
するドライエッチング方法であって、 被エッチング膜のエッチング速度がマスクのエッチング
速度より大となるプラズマ雰囲気中で被エッチング膜を
エッチングする第一の工程と、 マスクのエッチング速度が被エッチング膜のエッチング
速度より大となるプラズマ雰囲気中でマスクをエッチン
グする第二の工程と、 被エッチング膜のエッチング速度がマスクのエッチング
速度より大となるプラズマ雰囲気中で被エッチング膜を
エッチングする第三の工程よりなることを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】 被エッチング膜がＳｉＯ2であることを
特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16203394A JPH0831796A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16203394A JPH0831796A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831796A true JPH0831796A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15746810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16203394A Pending JPH0831796A (ja) | 1994-07-14 | 1994-07-14 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831796A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278154A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
-
1994
- 1994-07-14 JP JP16203394A patent/JPH0831796A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278154A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子 |
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