JPH0831622A - チップ可変抵抗 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 可動部がなく、抵抗値の増減調整が可能な、
安価なチップ可変抵抗を提供する。 【構成】 チップ可変抵抗において、レーザー光線によ
り抵抗値を増加できるＡ領域と、レーザー光線により抵
抗値を減少できるＢ領域とを形成し、Ａ領域とＢ領域と
を電極１６により直列に接続している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＳＭＤであるチップ可
変抵抗に係り、特に抵抗値の増減が可能なチップ可変抵
抗に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、以下に示すようなものがあった。図８はかかる
従来のチップ抵抗の斜視図、図９は図８のＡ−Ａ線断面
図である。

【０００３】これらの図において、１はベースとなるセ
ラミック基板、２はセラミック基板１上に形成された厚
膜又は薄膜抵抗体、３は抵抗体２の一方の端と電気的に
接続された電極であり、セラミック基板１と抵抗体２の
一方の端部表面に形成されている。４は抵抗体２のもう
一方の端と電気的に接続された電極であり、セラミック
基板１と抵抗体２のもう一方の端部表面に形成されてい
る。５は電極３，４間の抵抗値調整のため、レーザー光
線等により抵抗体２が部分的に除去された部分を示して
おり、その除去部分５のセラミック基板１上の抵抗体２
は完全に除去されている。なお、抵抗体２が除去され抵
抗体２の断面積が減少することにより、抵抗値を増加す
ることができる。

【０００４】回路基板等に実装時には、電極３，４と回
路基板の電極（図示せず）間をハンダ等により電気・機
械的に接続するものである。図１０は上記したレーザー
光線等による除去部分のカット距離と、電極間の抵抗値
変化の関係を示す図であり、レーザーカット距離の増加
とともに、抵抗値も増加する関係がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のチップ可変抵抗では、抵抗値を増加すること
はできても、減少することはできない。このため、回路
の機能調整等で１つの抵抗として、抵抗値を増加・減少
させる必要がある回路等には使用することができなかっ
た。したがって、この用途には抵抗値の増加・減少を、
ツマミ等を機械的に回すことにより可変するボリウム等
を使用するのが普通であり、可動部があるため、調整後
に抵抗値が変動することや、構造が複雑になり、価格が
高いという欠点があった。

【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、可動部が
なく、抵抗値の増減調整が可能な、安価なチップ可変抵
抗を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、チップ可変抵抗において、レーザー光線
により抵抗値を増加できる第１の領域と、レーザー光線
により抵抗値を減少できる第２の領域とを形成するよう
にしたものである。上記第１の領域と第２の領域を直列
又は並列に接続するようにする。

【０００８】更に、前記第２の領域は基板上に形成され
る導体膜と、この導体膜上に形成される絶縁膜と、この
絶縁膜上に形成される抵抗体膜と、前記導体膜と抵抗体
膜の一端部に電気的に接続される第１の電極と、前記抵
抗体膜の一方の端部のみに電気的に接続される第２の電
極とを有し、レーザー光線により前記抵抗体膜と絶縁膜
を簡単に蒸発させて除去するとともに、レーザー光線に
より前記導体膜を蒸発させ、その導体膜の材料が前記抵
抗体膜と絶縁膜の除去端面に融着した導体を付着させ、
抵抗値を減少させるようにしたものである。

【０００９】

【作用】本発明によれば、チップ可変抵抗において、１
つのチップ抵抗内にレーザー光線により、抵抗値を増加
できる領域と、減少できる領域を形成するようにしたの
で、抵抗を調整するのに可動部がないため、耐振動性が
高く、しかも抵抗値の増加・減少の調整が可能であり、
低価格なチップ可変抵抗を得ることができる。

【００１０】

【実施例】以下、本発明の実施例について順次説明す
る。図１は本発明の第１実施例を示すチップ可変抵抗の
斜視図、図２は図１のＢ−Ｂ線断面図、図３は図１のＣ
−Ｃ線断面図である。図１〜図３において、１０はベー
スとなるセラミック基板、１１はそのセラミック基板１
０上に形成された厚膜又は薄膜抵抗体膜であり、レーザ
ー光線により抵抗値を増加できるＡ領域（第１の領域）
を構成しており、左端に電極１６が、右端に電極１７が
接続されている。１８はＡ領域の抵抗体膜がレーザー光
線により除去された抵抗体膜の除去部分を示している。

【００１１】１２はそのセラミック基板１０上に形成さ
れた導体膜であり、１３はその導体膜上に形成される絶
縁膜、１４はその絶縁膜１３上に形成される抵抗体膜で
あり、この抵抗体膜１４の左端は電極１５に電気的に接
続され、抵抗体膜１４の右端は電極１６に接続されてい
る。このように、絶縁膜１３は導体膜１２と抵抗体膜１
４に挟まれる部分に形成され、導体膜１２上に形成され
る絶縁膜１３と抵抗体膜１４は、レーザー光線によりカ
ットされて抵抗値を減少できる。つまり、レーザー光線
により抵抗値を減少できるＢ領域（第２の領域）を構成
している。

【００１２】ここで、絶縁膜１３は、例えば、薄膜では
ＳｉＯ₂ 、厚膜ではクロスオーバーガラス等からなり、
抵抗体膜１４は、例えば、薄膜では五酸化タンタル（Ｔ
ａ₂Ｏ₅ 、厚膜では酸化ルテニウム等からなり、レーザ
ー光線により簡単に蒸発する材質とする。また、導体膜
１２は、例えば、薄膜ではＡｕ膜、厚膜ではＰｄ膜等か
らなり、レーザー光線で徐々に蒸発し、融着しやすい材
質からなる。

【００１３】図４は本発明の第１実施例のチップ抵抗に
おける等価回路であり、レーザー光線により抵抗値を増
加できるＡ領域による抵抗と、レーザー光線により抵抗
値を減少することができるＢ領域による抵抗の直列合成
抵抗となる。このため、Ａ領域の抵抗を増加させ、チッ
プ抵抗として抵抗値が増加しても、Ｂ領域の抵抗値を減
少させることにより、チップ抵抗として所定の抵抗値に
すること又は、所定の抵抗値よりも小さくすることが可
能である。また、その反対も可能である。

【００１４】図５は本発明の第１実施例のチップ抵抗の
レーザー光線等による除去部分のカット距離と、電極間
の抵抗値変化の関係を示す図であり、図５の実線はＡ領
域、Ｂ領域のレーザ光線によるカット距離により抵抗値
が直線的増加・減少することを示す。点線は、Ａ領域を
カットして抵抗値が増加し、Ｂ領域をカットしてＡ領域
をカットする前の抵抗値に戻った例を示す。

【００１５】図６は本発明の第１実施例のチップ可変抵
抗のＢ領域の概略断面図である。この図において、２０
はセラミック基板、２１はそのセラミック基板２０上に
形成された導体膜、２２は導体膜２１と抵抗体膜２３間
に形成されている絶縁膜であり、抵抗体膜２３の端部
（図の左側）は導体膜２１と接続され、その他の部分
は、絶縁膜２２により、導体膜２１と抵抗体膜２３は絶
縁されている。ここで、電流の変化を説明するために、
導体膜２１には＋電位を、抵抗体膜２３には−電位を印
加した例を示す。

【００１６】以下、本発明の第１実施例のチップ可変抵
抗の抵抗の調整について、図７を参照しながら説明す
る。 （１）まず、図７（ａ）はレーザーによるカットを行う
前の状態を示し、電流は導体膜２１の左端から抵抗体膜
２３の右端へと流れる。 （２）そこで、図７（ｂ）はレーザーによるカット開始
時の状態を示し、レーザー光線が当たった部分は抵抗体
膜２３及び絶縁膜２２に穴が開き、徐々に蒸発した導体
膜２１の一部が、絶縁膜２２の断面及び抵抗体膜２３の
断面に融着し、その部分の導体膜２１と抵抗体膜２３間
が導通状態となる。このような技術としては、ＩＣの中
間層の結合にレーザーを用いる、所謂、レーザーマイク
ロ結合加工などを挙げることができる。

【００１７】なお、この時のレーザー光線の条件は、蒸
発した導体膜２１の材料が融着しやすい条件とする。こ
の時、抵抗体膜２３の長さは電気的に短くなり、抵抗値
は小さくなる。 （３）最後に、図７（ｃ）に示すように、レーザーによ
る抵抗体膜２３のカットをほぼ終点まで実施すると、さ
らに抵抗体膜２３の電気的な長さは短くなり、さらに抵
抗値は減少する。

【００１８】なお、Ａ領域カットによる抵抗値の増加の
説明は、従来技術と同じなので省略する。次に、本発明
の第２実施例について説明する。図１１は本発明の第２
実施例を示すチップ可変抵抗の斜視図、図１２は図１１
のＤ−Ｄ線断面図、図１３は図１１のＥ−Ｅ線断面図で
ある。

【００１９】図１１〜図１３において、３０はベースと
なるセラミック基板、３１はそのセラミック基板３０上
に形成された厚膜又は薄膜抵抗体膜であり、レーザー光
線により抵抗値を増加できるＡ領域を構成しており、左
端に電極３５が、右端に電極３６が接続されている。３
７はＡ領域とＢ領域との絶縁分離部、３８はＡ領域にお
いてレーザー光線により抵抗体膜が除去された抵抗体膜
の除去部分を示している。

【００２０】３２はそのセラミック基板３０上に形成さ
れた導体膜であり、３３はその導体膜上に形成される絶
縁膜、３４はその絶縁膜３３上に形成される抵抗体膜で
あり、この抵抗体膜３４の左端は電極３５に電気的に接
続され、抵抗体膜３４の右端は電極３６に接続されてい
る。図１４はこの実施例のチップ抵抗における等価回路
であり、レーザー光線により抵抗値を増加できるＡ領域
による抵抗と、レーザー光線により抵抗値を減少するこ
とができるＢ領域による抵抗の並列合成抵抗となる。こ
のため、Ａ領域の抵抗とＢ領域の抵抗値を調整すること
により、所望の抵抗値にすることができる。

【００２１】上記したように、この実施例では、抵抗値
を増加できるＡ領域と、抵抗値を減少できるＢ領域を、
並列に接続した合成並列抵抗とすることにより、直列接
続時と同様に抵抗値を増加・減少することができる。高
周波回路においては、抵抗体膜と、導体膜間の静電容量
が問題となる場合があるが、絶縁膜に低誘電率の材料を
使用することにより対応できる。

【００２２】また、抵抗値を減少できる領域のみを内蔵
し、初期値より抵抗値を下げることを目的としたチップ
可変抵抗とすることも可能である。また、本発明は、上
記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基
づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。

【００２３】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、チップ可変抵抗において、１つのチップ抵抗内
に、レーザー光線で抵抗値を増加できる領域と、減少で
きる領域を形成するようにしたので、抵抗を調整するの
に可動部がないため、耐振動性が高く、しかも抵抗値の
増加・減少の調整が可能であり、低価格なチップ可変抵
抗を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示すチップ可変抵抗の斜
視図である。

【図２】図２は図１のＢ−Ｂ線断面図である。

【図３】図３は図１のＣ−Ｃ線断面図である。

【図４】本発明の第１実施例のチップ抵抗における等価
回路である。

【図５】本発明の第１実施例のチップ抵抗のレーザー光
線等による除去部分のカット距離と、電極間の抵抗値変
化の関係を示す図である。

【図６】本発明の第１実施例のチップ可変抵抗のＢ領域
の概略断面図である。

【図７】本発明の第１実施例のチップ可変抵抗の抵抗の
調整方法の説明図である。

【図８】従来のチップ抵抗の斜視図である。

【図９】図８のＡ−Ａ線断面図である。

【図１０】従来のチップ抵抗のレーザー光線等による除
去部分のカット距離と電極間の抵抗値変化の関係を示す
図である。

【図１１】本発明の第２実施例を示すチップ可変抵抗の
斜視図である。

【図１２】図１１のＤ−Ｄ線断面図である。

【図１３】図１１のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１４】本発明の第２実施例のチップ抵抗における等
価回路である。

【符号の説明】

１０，２０，３０ セラミック基板 １１，１４，２３，３１，３４ 厚膜又は薄膜抵抗体
膜 １２，２１，３２ 導体膜 １３，２２，３３ 絶縁膜 １５，１６，１７，３５，３６ 電極 １８，３８ 抵抗体膜の除去部分 ３７ 絶縁分離部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）レーザー光線により抵抗値を増加で
   きる第１の領域と、（ｂ）レーザー光線により抵抗値を
   減少できる第２の領域とを形成したことを特徴とするチ
   ップ可変抵抗。
2. 【請求項２】 請求項１記載のチップ可変抵抗におい
   て、前記第１の領域と第２の領域とを直列に接続したこ
   とを特徴とするチップ可変抵抗。
3. 【請求項３】 請求項１記載のチップ可変抵抗におい
   て、前記第１の領域と第２の領域とを並列に接続したこ
   とを特徴とするチップ可変抵抗。
4. 【請求項４】 請求項２又は３記載のチップ可変抵抗に
   おいて、前記第２の領域は基板上に形成される導体膜
   と、該導体膜上に形成される絶縁膜と、該絶縁膜上に形
   成される抵抗体膜と、前記導体膜と抵抗体膜の一端部に
   電気的に接続される第１の電極と、前記抵抗体膜の一方
   の端部のみに電気的に接続される第２の電極とを有し、
   レーザー光線により前記抵抗体膜と絶縁膜を簡単に蒸発
   させて除去するとともに、レーザー光線により前記導体
   膜を蒸発させ、その導体膜の材料が前記抵抗体膜と絶縁
   膜の除去端面に融着した導体を付着させ、抵抗値を減少
   させることを特徴とするチップ可変抵抗。