JPH021856Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021856Y2 JPH021856Y2 JP3897183U JP3897183U JPH021856Y2 JP H021856 Y2 JPH021856 Y2 JP H021856Y2 JP 3897183 U JP3897183 U JP 3897183U JP 3897183 U JP3897183 U JP 3897183U JP H021856 Y2 JPH021856 Y2 JP H021856Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor layer
- layer
- cutting
- lower conductor
- trimming capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
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- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は水晶発振器などの共振周波数調整を行
うトリミングコンデンサに関するものである。
うトリミングコンデンサに関するものである。
従来、セラミツクなどの基板に下部導体層、誘
電体層、上部導体層を三層状態に積層したコンデ
ンサをレーザ光線、サンドブラスト法などにより
トリミングして容量調整を行ない水晶発振器の共
振周波数を調整する場合、上部導体層だけを切断
する方法と、上部導体層、誘電体層、下部導体層
の三層とも切断する方法とがあつた。そして三層
とも切断する場合は基板に傷をつけるため、基板
が衝撃などにて割ねやすくなる欠点があつた。ま
た上部導体層のみを切断する場合、切断条件をき
びしく管理する必要があつた。すなわちレーザ光
線により切断する場合、レーザ光線のスポツト径
や出力を調整して切断を行なわなければならなか
つた。また一度切断したあとさらにレーザ光線の
スポツト径以下の切断幅にて微調整を行う場合、
切断深さが深くなり基板に損傷を与えてしまう場
合もあり、レーザ光線の出力、スポツト径などを
きびしく管理しなければならなかつた。このため
トリミングコンデンサの調整に手間取るという欠
点があつた。
電体層、上部導体層を三層状態に積層したコンデ
ンサをレーザ光線、サンドブラスト法などにより
トリミングして容量調整を行ない水晶発振器の共
振周波数を調整する場合、上部導体層だけを切断
する方法と、上部導体層、誘電体層、下部導体層
の三層とも切断する方法とがあつた。そして三層
とも切断する場合は基板に傷をつけるため、基板
が衝撃などにて割ねやすくなる欠点があつた。ま
た上部導体層のみを切断する場合、切断条件をき
びしく管理する必要があつた。すなわちレーザ光
線により切断する場合、レーザ光線のスポツト径
や出力を調整して切断を行なわなければならなか
つた。また一度切断したあとさらにレーザ光線の
スポツト径以下の切断幅にて微調整を行う場合、
切断深さが深くなり基板に損傷を与えてしまう場
合もあり、レーザ光線の出力、スポツト径などを
きびしく管理しなければならなかつた。このため
トリミングコンデンサの調整に手間取るという欠
点があつた。
本考案は上記欠点を除去するものであり、トリ
ミングコンデンサの容量調整が容易に行え、しか
し基板に損傷を与えにくく、衝撃などにより破壊
することが極めて少ないトリミングコンデンサを
提供するものである。
ミングコンデンサの容量調整が容易に行え、しか
し基板に損傷を与えにくく、衝撃などにより破壊
することが極めて少ないトリミングコンデンサを
提供するものである。
以下本考案の一実施例を詳細に説明する。
第１〜２図において、１はセラミツクなどの基
板であり、この基板上には下部導体層２が設けて
ある。下部導体層は本実施例ではタングステンペ
ーストを印刷により形成したものであり、約
20μm程度の層厚の厚いものである。２ａは下部
導体層２の引出し部である。３は誘電体層であ
り、下部導体層２の上層に設けられ、引出し部２
ａを除いて下部導体層２を覆つている。誘電体層
３は本実施例ではアルミナペーストを印刷して形
成したものであり、層厚は約30μmに形成してあ
る。４は上部導体層であり、誘電体層３の上層に
下部導体層２と非導通の状態にて形成されてい
る。上部導体層４は本実施例ではタングステンペ
ーストを約10μmの薄い層厚にて形成してある。
４ａは上部導体層４の引出し部である。トリミン
グコンデンサ５は上記のように層厚の厚い下部導
体層２と層厚の薄い上部導体層４と両者にはさま
れた誘電体層３とから構成される。
板であり、この基板上には下部導体層２が設けて
ある。下部導体層は本実施例ではタングステンペ
ーストを印刷により形成したものであり、約
20μm程度の層厚の厚いものである。２ａは下部
導体層２の引出し部である。３は誘電体層であ
り、下部導体層２の上層に設けられ、引出し部２
ａを除いて下部導体層２を覆つている。誘電体層
３は本実施例ではアルミナペーストを印刷して形
成したものであり、層厚は約30μmに形成してあ
る。４は上部導体層であり、誘電体層３の上層に
下部導体層２と非導通の状態にて形成されてい
る。上部導体層４は本実施例ではタングステンペ
ーストを約10μmの薄い層厚にて形成してある。
４ａは上部導体層４の引出し部である。トリミン
グコンデンサ５は上記のように層厚の厚い下部導
体層２と層厚の薄い上部導体層４と両者にはさま
れた誘電体層３とから構成される。
つぎにトリミングコンデンサ５の容量調整につ
いて第３〜５図を参照して説明する。本実施例で
はレーザ光線による容量調整について述べるが、
サンドブラスト法による調整も同様である。トリ
ミングコンデンサ５はレーザ光線により例えば切
断線６によつて上部導体層４が切断されることに
より調整される。すなわち切断線６により切断部
４ａが分断された上部導体層４は、下部導体層２
との対向面積が小さくなり、トリミングコンデン
サ５の電気容量値は減少する。この操作を繰返し
て電気容量値を所望の値に調整するのである。そ
して上部導体層４は上記のとおり層厚が薄いた
め、低パワーのレーザ光線により第４図示のよう
に切断可能である。またトリミングコンデンサ５
を微調整する場合、切断幅がレーザ光線のスポツ
ト径以下というように接近して２度切断しても第
５図示のように切断線６ａは基板１まで到達しな
い。このようにトリミングによる基板１への損傷
は切断線６の両端部のみに限られるため、基板１
が衝撃等により破壊することはほとんど無くな
る。またトリミングコンデンサの容量調整は短時
間で効率よく行える。
いて第３〜５図を参照して説明する。本実施例で
はレーザ光線による容量調整について述べるが、
サンドブラスト法による調整も同様である。トリ
ミングコンデンサ５はレーザ光線により例えば切
断線６によつて上部導体層４が切断されることに
より調整される。すなわち切断線６により切断部
４ａが分断された上部導体層４は、下部導体層２
との対向面積が小さくなり、トリミングコンデン
サ５の電気容量値は減少する。この操作を繰返し
て電気容量値を所望の値に調整するのである。そ
して上部導体層４は上記のとおり層厚が薄いた
め、低パワーのレーザ光線により第４図示のよう
に切断可能である。またトリミングコンデンサ５
を微調整する場合、切断幅がレーザ光線のスポツ
ト径以下というように接近して２度切断しても第
５図示のように切断線６ａは基板１まで到達しな
い。このようにトリミングによる基板１への損傷
は切断線６の両端部のみに限られるため、基板１
が衝撃等により破壊することはほとんど無くな
る。またトリミングコンデンサの容量調整は短時
間で効率よく行える。
なお上部導体層は真空蒸着、スパツタリング、
メツキなどの方法により層厚を薄く形成すること
も可能である。
メツキなどの方法により層厚を薄く形成すること
も可能である。
以上述べたように本考案によれば、トリミング
コンデンサを容易にしかも効率よく調整でき、基
板への損傷が極めて少ないため衝撃などにより破
壊しにくいという効果を有する。
コンデンサを容易にしかも効率よく調整でき、基
板への損傷が極めて少ないため衝撃などにより破
壊しにくいという効果を有する。
図面は本考案の一実施例を示し、第１図は正面
図、第２図は第１図−線断面図、第３図は上
部導体層を切断した状態の正面図、第４図は第３
図−線拡大断面図、第５図は微調整時の状態
を示す同上拡大断面図である。 １……基板、２……下部導体層、３……誘電体
層、４……上部導体層、５……トリミングコンデ
ンサ、６……切断線。
図、第２図は第１図−線断面図、第３図は上
部導体層を切断した状態の正面図、第４図は第３
図−線拡大断面図、第５図は微調整時の状態
を示す同上拡大断面図である。 １……基板、２……下部導体層、３……誘電体
層、４……上部導体層、５……トリミングコンデ
ンサ、６……切断線。
Claims (1)
- 絶縁性の基板上に設けられた層厚の厚い下部導
体層と、この下部導体層の上層に設けられた誘電
体層と、この誘電体層の上層に上記下部導体層と
非導通の状態で設けられた層厚の薄い上部導体層
とから構成されることを特徴とするトリミングコ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3897183U JPS59145022U (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | トリミングコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3897183U JPS59145022U (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | トリミングコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59145022U JPS59145022U (ja) | 1984-09-28 |
| JPH021856Y2 true JPH021856Y2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=30169631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3897183U Granted JPS59145022U (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | トリミングコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59145022U (ja) |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP3897183U patent/JPS59145022U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59145022U (ja) | 1984-09-28 |
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