JPH0794997A - チップ型圧電共振子 - Google Patents
チップ型圧電共振子Info
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- JPH0794997A JPH0794997A JP26194693A JP26194693A JPH0794997A JP H0794997 A JPH0794997 A JP H0794997A JP 26194693 A JP26194693 A JP 26194693A JP 26194693 A JP26194693 A JP 26194693A JP H0794997 A JPH0794997 A JP H0794997A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- substrate
- capacitor electrodes
- electrode
- dielectric substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】飛躍的な容量値の増大を可能にし、かつ負荷容
量のバラツキを低減できる負荷容量を内蔵したチップ型
圧電共振子を提供すること。 【構成】本発明のチップ型圧電共振子は、共振子素子の
両面に誘電体基板と絶縁体基板とを接着するとともに、
誘電体基板の外面に３個のコンデンサ電極を並列的に形
成し、両側の２個のコンデンサ電極と共振子素子の電極
とを導電膜によって導通させてある。３個のコンデンサ
電極は、誘電体基板の外面に連続的に形成された電極
を、この誘電体基板にまで到る深さの溝を刻設すること
により分割形成したものである。
量のバラツキを低減できる負荷容量を内蔵したチップ型
圧電共振子を提供すること。 【構成】本発明のチップ型圧電共振子は、共振子素子の
両面に誘電体基板と絶縁体基板とを接着するとともに、
誘電体基板の外面に３個のコンデンサ電極を並列的に形
成し、両側の２個のコンデンサ電極と共振子素子の電極
とを導電膜によって導通させてある。３個のコンデンサ
電極は、誘電体基板の外面に連続的に形成された電極
を、この誘電体基板にまで到る深さの溝を刻設すること
により分割形成したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波発振回路等に用い
られる負荷容量を内蔵したチップ型圧電共振子に関する
ものである。
られる負荷容量を内蔵したチップ型圧電共振子に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コルピッツ形発振回路に用いられ
るチップ型圧電共振子として、例えば実開平２−３０６
３８号公報に記載のような負荷容量内蔵型の圧電共振子
が知られている。その構造を図１，図２にしたがって説
明すると、共振子素子１は圧電セラミック基板の両面に
励振用電極２，３を形成したエネルギー閉じ込め型厚み
縦振動モードの共振子であり、その両面には誘電体基板
４と絶縁体基板５とが接着されている。誘電体基板４と
絶縁体基板５は共に誘電体であるが、その誘電率は誘電
体基板４の方が高い。誘電体基板４と絶縁体基板５との
内面には振動空間形成用の凹部４ａ，５ａが夫々形成さ
れている。また、誘電体基板２の外面には３個のコンデ
ンサ電極６，７，８が形成され、絶縁体基板５の外面に
も３個の端子電極９，１０，１１が形成されている。両
側のコンデンサ電極６，８は導電膜１２，１３を介して
共振子素子１の電極３，２および端子電極９，１１と導
通している。また、中央のコンデンサ電極７は導電膜１
４を介して中央の端子電極１０と導通している。なお、
絶縁体基板５の端子電極９，１０，１１は必ずしも必要
ではないが、本圧電共振子の表裏の方向性を無くすた
め、コンデンサ電極６，７，８と対称位置に形成されて
いる。
るチップ型圧電共振子として、例えば実開平２−３０６
３８号公報に記載のような負荷容量内蔵型の圧電共振子
が知られている。その構造を図１，図２にしたがって説
明すると、共振子素子１は圧電セラミック基板の両面に
励振用電極２，３を形成したエネルギー閉じ込め型厚み
縦振動モードの共振子であり、その両面には誘電体基板
４と絶縁体基板５とが接着されている。誘電体基板４と
絶縁体基板５は共に誘電体であるが、その誘電率は誘電
体基板４の方が高い。誘電体基板４と絶縁体基板５との
内面には振動空間形成用の凹部４ａ，５ａが夫々形成さ
れている。また、誘電体基板２の外面には３個のコンデ
ンサ電極６，７，８が形成され、絶縁体基板５の外面に
も３個の端子電極９，１０，１１が形成されている。両
側のコンデンサ電極６，８は導電膜１２，１３を介して
共振子素子１の電極３，２および端子電極９，１１と導
通している。また、中央のコンデンサ電極７は導電膜１
４を介して中央の端子電極１０と導通している。なお、
絶縁体基板５の端子電極９，１０，１１は必ずしも必要
ではないが、本圧電共振子の表裏の方向性を無くすた
め、コンデンサ電極６，７，８と対称位置に形成されて
いる。
【０００３】上記圧電共振子の場合には、３個のコンデ
ンサ電極６〜８のうち、中央のコンデンサ電極７がアー
ス端子を兼ねており、両側のコンデンサ電極６，８が
入，出力用の端子を兼ねている。そして、中央のコンデ
ンサ電極７とコンデンサ電極６との間で第１の負荷容量
Ｃ1 が形成され、中央のコンデンサ電極７とコンデンサ
電極８との間で第２の負荷容量Ｃ2 が形成される。図３
は上記圧電共振子を電気回路で示したものである。
ンサ電極６〜８のうち、中央のコンデンサ電極７がアー
ス端子を兼ねており、両側のコンデンサ電極６，８が
入，出力用の端子を兼ねている。そして、中央のコンデ
ンサ電極７とコンデンサ電極６との間で第１の負荷容量
Ｃ1 が形成され、中央のコンデンサ電極７とコンデンサ
電極８との間で第２の負荷容量Ｃ2 が形成される。図３
は上記圧電共振子を電気回路で示したものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】負荷容量Ｃ1 ，Ｃ2 の
容量値は、次式のように、誘電体基板４の比誘電率εと
厚みｔとに比例し、コンデンサ電極６，７，８間の隙間
Ｇに反比例する。そのため、負荷容量Ｃ1 ，Ｃ2 の値を
高くしようとすれば、比誘電率εまたは厚みｔを大きく
するか、あるいは隙間Ｇを小さくすればよい。しかしな
がら、比誘電率εは約４０００が限度であり、厚みｔも
１．０ｍｍ以下にはできない。そのため、隙間Ｇを小さ
くすることが最も効果的であるが、一般にコンデンサ電
極６〜８はスクリーン印刷によって形成されるため、隙
間Ｇは０．４ｍｍ程度が限界であり、負荷容量Ｃ1 ，Ｃ
2 の値を十分に高くできなかった。また、電極材料であ
るＡｇペーストの滲みによる隙間Ｇのバラツキがあり、
負荷容量Ｃ1 ，Ｃ2 の値にもバラツキが出るという問題
があった。そこで、本発明の目的は、飛躍的な容量値の
増大を可能にし、かつ負荷容量のバラツキを低減できる
負荷容量を内蔵したチップ型圧電共振子を提供すること
にある。
容量値は、次式のように、誘電体基板４の比誘電率εと
厚みｔとに比例し、コンデンサ電極６，７，８間の隙間
Ｇに反比例する。そのため、負荷容量Ｃ1 ，Ｃ2 の値を
高くしようとすれば、比誘電率εまたは厚みｔを大きく
するか、あるいは隙間Ｇを小さくすればよい。しかしな
がら、比誘電率εは約４０００が限度であり、厚みｔも
１．０ｍｍ以下にはできない。そのため、隙間Ｇを小さ
くすることが最も効果的であるが、一般にコンデンサ電
極６〜８はスクリーン印刷によって形成されるため、隙
間Ｇは０．４ｍｍ程度が限界であり、負荷容量Ｃ1 ，Ｃ
2 の値を十分に高くできなかった。また、電極材料であ
るＡｇペーストの滲みによる隙間Ｇのバラツキがあり、
負荷容量Ｃ1 ，Ｃ2 の値にもバラツキが出るという問題
があった。そこで、本発明の目的は、飛躍的な容量値の
増大を可能にし、かつ負荷容量のバラツキを低減できる
負荷容量を内蔵したチップ型圧電共振子を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、共振子素子の両面に誘電体基板と絶縁体
基板とを接着するとともに、誘電体基板の外面に３個の
コンデンサ電極を並列的に形成し、両側の２個のコンデ
ンサ電極と共振子素子の電極とを導電膜によって導通さ
せたチップ型圧電共振子において、上記３個のコンデン
サ電極は、誘電体基板の外面に連続的に形成された電極
を、この誘電体基板にまで到る深さの溝を刻設すること
により分割形成してなるものである。
め、本発明は、共振子素子の両面に誘電体基板と絶縁体
基板とを接着するとともに、誘電体基板の外面に３個の
コンデンサ電極を並列的に形成し、両側の２個のコンデ
ンサ電極と共振子素子の電極とを導電膜によって導通さ
せたチップ型圧電共振子において、上記３個のコンデン
サ電極は、誘電体基板の外面に連続的に形成された電極
を、この誘電体基板にまで到る深さの溝を刻設すること
により分割形成してなるものである。
【０００６】
【作用】誘電体基板のほぼ全面にスクリーン印刷などの
既存の方法で電極を連続的に形成し、その後で例えばダ
イシング装置の刃（ダイサー）で誘電体基板の表面に溝
を形成し、電極を分割する。既存のダイシング装置を用
いれば、例えば数十μｍ程度の細幅の溝を形成できるの
で、負荷容量の容量値が飛躍的に上昇する。また、溝幅
は刃の厚みで決定できるので、コンデンサ電極間の隙間
Ｇのバラツキが少なくなり、負荷容量値のバラツキを低
減できる。
既存の方法で電極を連続的に形成し、その後で例えばダ
イシング装置の刃（ダイサー）で誘電体基板の表面に溝
を形成し、電極を分割する。既存のダイシング装置を用
いれば、例えば数十μｍ程度の細幅の溝を形成できるの
で、負荷容量の容量値が飛躍的に上昇する。また、溝幅
は刃の厚みで決定できるので、コンデンサ電極間の隙間
Ｇのバラツキが少なくなり、負荷容量値のバラツキを低
減できる。
【０００７】本発明の圧電共振子は、共振子素子の両側
に誘電体基板と絶縁体基板とを接着した構造の他、絶縁
体ケースの凹部に共振子素子を収納固定し、この凹部を
誘電体カバーで覆った構造にも適用できる。この場合に
は、絶縁体ケースの内面に共振子素子の電極と導通する
内部電極が形成され、誘電体カバーの外面には３個のコ
ンデンサ電極が並列的に形成され、両側のコンデンサ電
極と絶縁体ケースの内部電極とが導電膜を介して接続さ
れる。誘電体カバーの外面に形成される３個のコンデン
サ電極を溝によって分割すれば、上記と同様の目的を達
成できる。
に誘電体基板と絶縁体基板とを接着した構造の他、絶縁
体ケースの凹部に共振子素子を収納固定し、この凹部を
誘電体カバーで覆った構造にも適用できる。この場合に
は、絶縁体ケースの内面に共振子素子の電極と導通する
内部電極が形成され、誘電体カバーの外面には３個のコ
ンデンサ電極が並列的に形成され、両側のコンデンサ電
極と絶縁体ケースの内部電極とが導電膜を介して接続さ
れる。誘電体カバーの外面に形成される３個のコンデン
サ電極を溝によって分割すれば、上記と同様の目的を達
成できる。
【０００８】
【実施例】図４，図５は本発明にかかるチップ型圧電共
振子の第１実施例を示し、共振子素子１の両面に誘電体
基板２０および絶縁体基板５を接着したものである。こ
の構造は、誘電体基板２０を除いて従来例（図１，図
２）と同様であるため、同一部分には同一符号を付して
説明を省略する。誘電体基板２０は絶縁体基板５より誘
電率の高いセラミック材料よりなり、その内面には振動
空間形成用の凹部２０ａが形成されている。誘電体基板
２０の外面には、３個のコンデンサ電極２１，２２，２
３が形成されており、これらコンデンサ電極の間で負荷
容量Ｃ3 ，Ｃ4 が形成される。コンデンサ電極２１〜２
３の間には誘電体基板２０にまで到る深さの溝２４，２
５が刻設され、これら溝２４，２５の幅ｇは例えば数十
〜数百μｍ程度に設定されている。
振子の第１実施例を示し、共振子素子１の両面に誘電体
基板２０および絶縁体基板５を接着したものである。こ
の構造は、誘電体基板２０を除いて従来例（図１，図
２）と同様であるため、同一部分には同一符号を付して
説明を省略する。誘電体基板２０は絶縁体基板５より誘
電率の高いセラミック材料よりなり、その内面には振動
空間形成用の凹部２０ａが形成されている。誘電体基板
２０の外面には、３個のコンデンサ電極２１，２２，２
３が形成されており、これらコンデンサ電極の間で負荷
容量Ｃ3 ，Ｃ4 が形成される。コンデンサ電極２１〜２
３の間には誘電体基板２０にまで到る深さの溝２４，２
５が刻設され、これら溝２４，２５の幅ｇは例えば数十
〜数百μｍ程度に設定されている。
【０００９】上記コンデンサ電極２１〜２３の形成方法
は、次の通りである。まず、誘電体基板２０の外面全体
に電極をスクリーン印刷，蒸着，スパッタリングなどの
公知の方法で形成する。次に、極薄の刃を有するダイシ
ング装置によって、誘電体基板２０の外面に溝２４，２
５を刻設し、電極を分離すれば、コンデンサ電極２１〜
２３が得られる。なお、上記溝２４，２５の形成は、圧
電共振子を組み立てた後で形成してもよいし、マザー基
板の段階で形成してもよい。このように全面電極に溝を
形成してコンデンサ電極を分離するようにすれば、コン
デンサ電極間の隙間ｇを従来に比べて大幅に短縮するこ
とができ、負荷容量Ｃ3 ，Ｃ4 の値を飛躍的に向上させ
ることができる。しかも、溝の形成は電極材料が乾燥し
た後で行われるので、電極材料の滲みの影響を受けず、
容量値のバラツキを低減できる。
は、次の通りである。まず、誘電体基板２０の外面全体
に電極をスクリーン印刷，蒸着，スパッタリングなどの
公知の方法で形成する。次に、極薄の刃を有するダイシ
ング装置によって、誘電体基板２０の外面に溝２４，２
５を刻設し、電極を分離すれば、コンデンサ電極２１〜
２３が得られる。なお、上記溝２４，２５の形成は、圧
電共振子を組み立てた後で形成してもよいし、マザー基
板の段階で形成してもよい。このように全面電極に溝を
形成してコンデンサ電極を分離するようにすれば、コン
デンサ電極間の隙間ｇを従来に比べて大幅に短縮するこ
とができ、負荷容量Ｃ3 ，Ｃ4 の値を飛躍的に向上させ
ることができる。しかも、溝の形成は電極材料が乾燥し
た後で行われるので、電極材料の滲みの影響を受けず、
容量値のバラツキを低減できる。
【００１０】なお、上記溝２４，２５を保護するため
に、図６に示すように、ガラスペーストや樹脂のような
低誘電率物質２６を溝に埋め込んだり、誘電体基板２０
の表面全体に塗布してもよい。これにより、隣合うコン
デンサ電極２１〜２３間の絶縁性が確保できるととも
に、誘電体基板２０の強度向上にも効果的である。
に、図６に示すように、ガラスペーストや樹脂のような
低誘電率物質２６を溝に埋め込んだり、誘電体基板２０
の表面全体に塗布してもよい。これにより、隣合うコン
デンサ電極２１〜２３間の絶縁性が確保できるととも
に、誘電体基板２０の強度向上にも効果的である。
【００１１】また、誘電体基板２０にコンデンサ電極２
１〜２３を形成する際、誘電体基板２０の全面に電極を
形成する場合に限らず、図７のような部分電極を設けて
もよい。図７（Ａ）の場合には、誘電体基板２０の周縁
部でかつ溝を加工する部位に予め電極を付けない空白部
２７を設け、この空白部２７に沿って溝２４，２５を形
成したものである。図７（Ｂ）の場合も同様に、誘電体
基板２０に空白部２８を設け、この空白部２８の中央部
に溝２４，２５を形成したものである。溝２４，２５を
加工する場合、誘電体基板２０の縁部が欠けやすいの
で、上記のように空白部２７，２８を設けることによ
り、欠けによる容量値の変動を防止できる。また、電極
の幅寸法Ｌを管理することにより、容量値をより精密に
設定できる利点もある。
１〜２３を形成する際、誘電体基板２０の全面に電極を
形成する場合に限らず、図７のような部分電極を設けて
もよい。図７（Ａ）の場合には、誘電体基板２０の周縁
部でかつ溝を加工する部位に予め電極を付けない空白部
２７を設け、この空白部２７に沿って溝２４，２５を形
成したものである。図７（Ｂ）の場合も同様に、誘電体
基板２０に空白部２８を設け、この空白部２８の中央部
に溝２４，２５を形成したものである。溝２４，２５を
加工する場合、誘電体基板２０の縁部が欠けやすいの
で、上記のように空白部２７，２８を設けることによ
り、欠けによる容量値の変動を防止できる。また、電極
の幅寸法Ｌを管理することにより、容量値をより精密に
設定できる利点もある。
【００１２】図８，図９は本発明の第２実施例を示す。
この圧電共振子は、絶縁体ケース３０に凹部３１を形成
し、この凹部３１に厚みすべり振動モードの共振子素子
４０を収納したものである。共振子素子４０は凹部３１
の両端部に支持され、凹部３１の内面から上面に延びる
内部電極３２，３３と共振子素子４０の電極４１，４２
とが導電性接着剤４３で接続固定される。なお、凹部３
１の底面には、振動空間を形成するための一段低い凹部
３４が形成されている。上記凹部３１の上端面には誘電
体カバー５０が接着され、凹部３１の内部が密封され
る。カバー５０の上面には３個のコンデンサ電極５１，
５２，５３が形成されており、ケース３０の下面にも３
個の端子電極３５，３６，３７が形成されている。両側
のコンデンサ電極５１，５３はケース３０外面の導電膜
５４，５５を介して内部電極３２，３３および端子電極
３５，３７と導通しており、中央のコンデンサ電極５２
は導電膜５６を介して端子電極３６と導通している。
この圧電共振子は、絶縁体ケース３０に凹部３１を形成
し、この凹部３１に厚みすべり振動モードの共振子素子
４０を収納したものである。共振子素子４０は凹部３１
の両端部に支持され、凹部３１の内面から上面に延びる
内部電極３２，３３と共振子素子４０の電極４１，４２
とが導電性接着剤４３で接続固定される。なお、凹部３
１の底面には、振動空間を形成するための一段低い凹部
３４が形成されている。上記凹部３１の上端面には誘電
体カバー５０が接着され、凹部３１の内部が密封され
る。カバー５０の上面には３個のコンデンサ電極５１，
５２，５３が形成されており、ケース３０の下面にも３
個の端子電極３５，３６，３７が形成されている。両側
のコンデンサ電極５１，５３はケース３０外面の導電膜
５４，５５を介して内部電極３２，３３および端子電極
３５，３７と導通しており、中央のコンデンサ電極５２
は導電膜５６を介して端子電極３６と導通している。
【００１３】上記３個のコンデンサ電極５１〜５３は、
誘電体カバー５０の外面に連続的に形成された電極を、
カバー５０にまで到る深さの溝５７，５８を刻設するこ
とにより分割形成されている。これら溝５７，５８は公
知のダイシング装置によって形成され、その溝幅は数十
μｍ〜数百μｍに自由に設定できる。そのため、コンデ
ンサ電極５１，５２，５３の間で形成される負荷容量Ｃ
5 ，Ｃ6 の値を従来に比べて飛躍的に増大させることが
できる。この実施例においても、図６のように低誘電率
物質を溝に埋め込んだり、図７のように電極パターンを
変更することが可能である。
誘電体カバー５０の外面に連続的に形成された電極を、
カバー５０にまで到る深さの溝５７，５８を刻設するこ
とにより分割形成されている。これら溝５７，５８は公
知のダイシング装置によって形成され、その溝幅は数十
μｍ〜数百μｍに自由に設定できる。そのため、コンデ
ンサ電極５１，５２，５３の間で形成される負荷容量Ｃ
5 ，Ｃ6 の値を従来に比べて飛躍的に増大させることが
できる。この実施例においても、図６のように低誘電率
物質を溝に埋め込んだり、図７のように電極パターンを
変更することが可能である。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、連続的に形成れた電極にダイシング装置などを
用いて溝を刻設することにより、コンデンサ電極を分割
形成したので、コンデンサ電極間の隙間を数十〜数百μ
ｍまで自由に設定でき、負荷容量を従来に比べて大幅に
高めることができる。また、溝幅を正確に加工できるの
で、負荷容量のバラツキを低減でき、高精度な負荷容量
内蔵型圧電共振子を得ることができる。
よれば、連続的に形成れた電極にダイシング装置などを
用いて溝を刻設することにより、コンデンサ電極を分割
形成したので、コンデンサ電極間の隙間を数十〜数百μ
ｍまで自由に設定でき、負荷容量を従来に比べて大幅に
高めることができる。また、溝幅を正確に加工できるの
で、負荷容量のバラツキを低減でき、高精度な負荷容量
内蔵型圧電共振子を得ることができる。
【図１】従来のチップ型圧電共振子の斜視図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】図１の圧電共振子の回路図である。
【図４】本発明にかかるチップ型圧電共振子の第１実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】本発明にかかる溝部の拡大断面図である。
【図７】電極パターンの他の例の平面図である。
【図８】本発明にかかるチップ型圧電共振子の第２実施
例の斜視図である。
例の斜視図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線断面図である。
１ 共振子素子 ２，３ 電極 ５ 絶縁体基板 １２，１３ 導電膜 ２０ 誘電体基板 ２１〜２３ コンデンサ電極 ２４，２５ 溝 ３０ 絶縁体ケース ４０ 共振子素子 ５０ 誘電体カバー ５１〜５３ コンデンサ電極 ５７，５８ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】共振子素子の両面に誘電体基板と絶縁体基
板とを接着するとともに、誘電体基板の外面に３個のコ
ンデンサ電極を並列的に形成し、両側の２個のコンデン
サ電極と共振子素子の電極とを導電膜によって導通させ
たチップ型圧電共振子において、 上記３個のコンデンサ電極は、誘電体基板の外面に連続
的に形成された電極を、この誘電体基板にまで到る深さ
の溝を刻設することにより分割形成してなることを特徴
とするチップ型圧電共振子。 - 【請求項２】絶縁体ケースの凹部に共振子素子を収納固
定し、共振子素子の電極とケースの内部電極とを導通さ
せるとともに、外面に３個のコンデンサ電極を並列的に
形成した誘電体カバーで上記凹部を覆い、かつ両側の２
個のコンデンサ電極と上記内部電極とを導電膜によって
導通させたチップ型圧電共振子において、 上記３個のコンデンサ電極は、誘電体カバーの外面に連
続的に形成された電極を、この誘電体カバーにまで到る
深さの溝を刻設することにより分割形成してなることを
特徴とするチップ型圧電共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26194693A JPH0794997A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | チップ型圧電共振子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26194693A JPH0794997A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | チップ型圧電共振子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794997A true JPH0794997A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17368871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26194693A Pending JPH0794997A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-24 | チップ型圧電共振子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794997A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373169B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor-containing piezoelectric resonance component |
-
1993
- 1993-09-24 JP JP26194693A patent/JPH0794997A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6373169B1 (en) | 1999-10-15 | 2002-04-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Capacitor-containing piezoelectric resonance component |
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