JPH0831601A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0831601A JPH0831601A JP6167951A JP16795194A JPH0831601A JP H0831601 A JPH0831601 A JP H0831601A JP 6167951 A JP6167951 A JP 6167951A JP 16795194 A JP16795194 A JP 16795194A JP H0831601 A JPH0831601 A JP H0831601A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- layer
- electronic component
- varistor
- substance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品とその製造方法に関するも
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜４を素子１表面に、その少なくとも一部が拡散し
た層により構成されたものである。
ので、水分などから素子を保護する保護膜の付着強度を
高めるものである。 【構成】 そしてこの目的を達成するために本発明は、
保護膜４を素子１表面に、その少なくとも一部が拡散し
た層により構成されたものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品とその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の保護膜は、例え
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離してしまうのであった。そこで本発明は、付着強度の
高い保護膜を有する電子部品を提供することを目的とす
るものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は、素子の外周に保護膜を形成すると共
に、この素子表面に、この保護膜の成分を拡散させるも
のである。
るために本発明は、素子の外周に保護膜を形成すると共
に、この素子表面に、この保護膜の成分を拡散させるも
のである。
【０００５】
【作用】上記構成とすれば、保護膜の一部が素子表面に
拡散しているので、結論として保護膜の素子に対する付
着強度は極めて強い。その上、水分等が素子内部へ浸入
するのを防ぐことができる。
拡散しているので、結論として保護膜の素子に対する付
着強度は極めて強い。その上、水分等が素子内部へ浸入
するのを防ぐことができる。
【０００６】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【０００７】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液によりおかされることのな
い優れたものである。
【０００８】以上のように耐湿性、耐酸性に優れた電子
部品を提供することができる。
部品を提供することができる。
【０００９】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【００１０】図１において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分と
してＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成
分としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂを
Ａｇで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面に
は、保護膜４が付着形成されている。
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また、内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分と
してＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さ
らに外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成
分としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂを
Ａｇで形成したものである。以上の構成において、バリ
スタ素子１の上下面およびそれに接する上層３ｂ表面に
は、保護膜４が付着形成されている。
【００１１】ここで、バリスタ素子１表面と上層３ｂ
に、保護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、
この層５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子１は、
その外表面を保護膜４および外部電極３で覆われ、しか
も、バリスタ素子１と外部電極３の当接部分において
は、バリスタ素子１の表面に、保護膜４の成分が拡散し
た層５が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
に、保護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、
この層５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上
を含む構造となっている。従って、バリスタ素子１は、
その外表面を保護膜４および外部電極３で覆われ、しか
も、バリスタ素子１と外部電極３の当接部分において
は、バリスタ素子１の表面に、保護膜４の成分が拡散し
た層５が介在しているので、その気密性は極めて高く、
水分などからの保護が確実に行うことができる。
【００１２】図２は、製造工程を示し、（５）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
【００１３】セラミックシート１ａと、内部電極２とを
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面取り（９）した。
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面取り（９）した。
【００１４】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着（１
２）させ、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電
極を塗布（１３）し、７００〜８５０℃で再酸化のため
加熱（１４）する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子１を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着（１５）させ、７００〜８５０℃で加
熱処理（１６）する。
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、保護膜形成用物
質を含む液体中に浸漬し、保護膜形成用物質を付着（１
２）させ、下層３ａの上に、上層３ｂとなるＡｇ外部電
極を塗布（１３）し、７００〜８５０℃で再酸化のため
加熱（１４）する。次に、再度、再酸化したバリスタ素
子１を保護膜形成用物質を含む液体中に浸漬し、保護膜
形成用物質を付着（１５）させ、７００〜８５０℃で加
熱処理（１６）する。
【００１５】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】実施例１と同様にして、上層３ｂを付与し
たバリスタ素子１を還元焼成（１１）した後、Ｍ(ＯＣ
Ｈ3)n，Ｍ(ＯＣ2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n
［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのと
き）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］のうち少なく
とも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリスタ素
子１の表面に保護膜形成用物質を付着（１２）させた。
次に、図３に示す受皿１９上に、セラミック製の板２０
を設け、その上に、バリスタ素子１を粉体２１内に埋設
させて、７００〜８５０℃で３０分熱処理（１４）し
た。
たバリスタ素子１を還元焼成（１１）した後、Ｍ(ＯＣ
Ｈ3)n，Ｍ(ＯＣ2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n
［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのと
き）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］のうち少なく
とも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリスタ素
子１の表面に保護膜形成用物質を付着（１２）させた。
次に、図３に示す受皿１９上に、セラミック製の板２０
を設け、その上に、バリスタ素子１を粉体２１内に埋設
させて、７００〜８５０℃で３０分熱処理（１４）し
た。
【００１７】ここで粉体２１は、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｎＯ2のうち少なくとも一種類以上
よりなる反応抑制剤である。
ｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｎＯ2のうち少なくとも一種類以上
よりなる反応抑制剤である。
【００１８】次に、再度バリスタ素子１を、Ｍ(ＯＣ
Ｈ3)n，Ｍ(ＯＣ2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n
［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのと
き）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｔｉ，Ａｌのとき）］のうち少なく
とも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子１
の表面に保護膜形成用物質を付着（１５）させた。その
後、再び図３に示すように、受皿１９上にセラミック製
の板２０を設け、８５０℃で３０分加熱（１６）した。
この後、面とり（１７）、メッキ（１８）を行うことに
より、図１に示すごとく保護膜４を有する電子部品を得
た。
Ｈ3)n，Ｍ(ＯＣ2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n
［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのと
き）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｔｉ，Ａｌのとき）］のうち少なく
とも一種類以上を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子１
の表面に保護膜形成用物質を付着（１５）させた。その
後、再び図３に示すように、受皿１９上にセラミック製
の板２０を設け、８５０℃で３０分加熱（１６）した。
この後、面とり（１７）、メッキ（１８）を行うことに
より、図１に示すごとく保護膜４を有する電子部品を得
た。
【００１９】なお、実施例１，２において、１回目の保
護膜形成用物質の付着後の熱処理（１４）では、保護膜
４は、ほとんど形成されず、２回目の保護膜形成用物質
の付着後の熱処理（１６）で、はじめて保護膜４が形成
される。
護膜形成用物質の付着後の熱処理（１４）では、保護膜
４は、ほとんど形成されず、２回目の保護膜形成用物質
の付着後の熱処理（１６）で、はじめて保護膜４が形成
される。
【００２０】１回目の熱処理（１４）により保護膜形成
用物質はバリスタ素子１表面に拡散し、２回目の熱処理
（１６）時に、この拡散した成分が核となり保護膜４が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にＢｉ2
Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
用物質はバリスタ素子１表面に拡散し、２回目の熱処理
（１６）時に、この拡散した成分が核となり保護膜４が
形成される。また、この場合保護膜形成用物質にＢｉ2
Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方が含まれる場合、さら
に顕著である。
【００２１】また、実施例１，２においては、外部電極
３の外表面全面にも保護膜４が形成されるので、導通を
はかるため、面取り（１７）を行い、外部電極３上の保
護膜４を取り除く。その後、外部電極３表面にＮｉメッ
キ、その上に半田メッキ（１８）を行うとよい。
３の外表面全面にも保護膜４が形成されるので、導通を
はかるため、面取り（１７）を行い、外部電極３上の保
護膜４を取り除く。その後、外部電極３表面にＮｉメッ
キ、その上に半田メッキ（１８）を行うとよい。
【００２２】さらに、保護膜形成用物質を付着させたバ
リスタ素子１を熱処理する際、図４に示すように、直接
Ｎｉ製のアミ２２の上にのせ７００〜８５０℃で加熱し
て、保護膜４を形成してもよい。
リスタ素子１を熱処理する際、図４に示すように、直接
Ｎｉ製のアミ２２の上にのせ７００〜８５０℃で加熱し
て、保護膜４を形成してもよい。
【００２３】さらに、実施例１，２においては、積層バ
リスタを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイ
ル、バリスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層
セラミックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できる
ものであり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問
わない。
リスタを例にあげたが、本発明は、チップ抵抗、コイ
ル、バリスタ、サーミスタ、コンデンサ、圧電体、積層
セラミックコンデンサ、積層サーミスタ等に使用できる
ものであり、またその形状も、ディスク型、円筒型等問
わない。
【００２４】また、製造工程上重要なことは、 （１）バリスタ素子１を保護膜形成用物質を含む液体中
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
に充分に浸漬させ素子内部に含浸させる。場合によって
は、真空浸漬、加圧浸漬や数回浸漬をくり返すことが望
ましい。
【００２５】（２）浸漬前のバリスタ素子１の表面には
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
不純物の付着がないように、純水かあるいはイオン交換
水で、充分に洗浄しておく。
【００２６】（３）浸漬後のバリスタ素子１は、乾燥さ
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
せることなく余分な液体はろ紙や紙ウエス等などで吸取
る程度で早急に次工程の熱処理を実施する。
【００２７】また、外部電極３において、下層３ａをバ
リスタ素子１の端面にのみ形成し、上層３ｂのみがバリ
スタ素子１の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子１表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極３、内部電極２ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
リスタ素子１の端面にのみ形成し、上層３ｂのみがバリ
スタ素子１の上、下両面の一部分を覆うように形成して
も、バリスタ素子１表面に拡散した高抵抗の層があるた
め外部電極３、内部電極２ともにマイグレーションが発
生しにくい利点がある。
【００２８】（４）保護膜形成用物質を含む液体は、加
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
水分解するので、バリスタ素子１を浸漬させるときは、
その水分を充分に除去してから浸漬した方が好ましい。
【００２９】（５）保護膜形成用物質を含む液体を保存
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
するときは、冷暗所で保存することが好ましい。
【００３０】
【発明の効果】以上のように本発明は、素子の表面に、
保護膜の成分が拡散した層を形成すると共に、この上
に、保護膜を設けたものであり、上記構成とすれば、保
護膜成分が素子表面に拡散しているので、結論として保
護膜の素子に対する付着強度は極めて強く、水分などが
素子内に浸入するのを防ぐため素子の変成を防止するこ
とが出来る。
保護膜の成分が拡散した層を形成すると共に、この上
に、保護膜を設けたものであり、上記構成とすれば、保
護膜成分が素子表面に拡散しているので、結論として保
護膜の素子に対する付着強度は極めて強く、水分などが
素子内に浸入するのを防ぐため素子の変成を防止するこ
とが出来る。
【００３１】また、素子の表面に、保護膜の成分が一部
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
拡散して形成された層と、保護膜は、高抵抗であるの
で、マイグレーションが発生することはない。
【００３２】また、この保護膜は、メッキ時に、メッキ
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
流れを起こさずかつメッキ液により侵されることのない
優れたものである。
【００３３】以上のように、本発明の電子部品は、耐湿
性、耐酸性に優れたものである。
性、耐酸性に優れたものである。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図２】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
図
図
【図３】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
を示す断面図
を示す断面図
【図４】本発明の他の実施例におけるバリスタの製造工
程を示す断面図
程を示す断面図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ４ 保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年８月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】実施例１と同様にして、上層３ｂを付与し
たバリスタ素子１を再酸化（１４）した後、Ｍ（ＯＣＨ
3）n，Ｍ（ＯＣ2Ｈ5）n，Ｍ（ＯＣ3Ｈ7）n，Ｍ（ＯＣ4
Ｈ9） n［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａ
ｌのとき）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］のうち
少なくとも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリ
スタ素子１の表面に保護膜形成用物質を付着（１２）さ
せた。次に、図３に示す受皿１９上に、セラミック製の
板２０を設け、その上に、バリスタ素子１を粉体２１内
に埋設させて、７００〜８５０℃で３０分熱処理（１
４）した。
たバリスタ素子１を再酸化（１４）した後、Ｍ（ＯＣＨ
3）n，Ｍ（ＯＣ2Ｈ5）n，Ｍ（ＯＣ3Ｈ7）n，Ｍ（ＯＣ4
Ｈ9） n［但し、Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａ
ｌのとき）、ｎ＝４（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］のうち
少なくとも、一種類以上を含む液体中に浸漬して、バリ
スタ素子１の表面に保護膜形成用物質を付着（１２）さ
せた。次に、図３に示す受皿１９上に、セラミック製の
板２０を設け、その上に、バリスタ素子１を粉体２１内
に埋設させて、７００〜８５０℃で３０分熱処理（１
４）した。
Claims (10)
- 【請求項１】 素子と、この素子の外周部に設けた保護
膜とを備え、前記素子表面には、前記保護膜を形成する
成分が拡散している電子部品。 - 【請求項２】 保護膜は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくと
も一種類以上を含む請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 素子の表面に保護膜形成用物質を付着さ
せ、次に、前記素子を加熱し、その後、さらに前記素子
の表面に前記保護膜形成用物質を付着させた後に、再度
加熱する電子部品の製造方法。 - 【請求項４】 保護膜形成用物質を付着させた素子の外
表面に、反応抑制剤を当接させる請求項３記載の電子部
品の製造方法。 - 【請求項５】 反応抑制剤は、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａｌ
2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ 2のうち少なくとも一種類以上含
む請求項４記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 保護膜形成用物質を含む液体中に素子を
浸漬し、その後前記素子を液体中から取出した後に、加
熱し、その後、さらに前記素子を前記保護膜形成用物質
を含む液体中に浸漬し、次に、前記素子を前記液体中か
ら取出した後に、再度加熱する電子部品の製造方法。 - 【請求項７】 液体は、Ｍ(ＯＣＨ3)n，Ｍ(ＯＣ
2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n［但し、Ｍ＝Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのとき）、ｎ＝４
（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］の少なくとも一種類以上を
含む請求項６記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項８】 液体は、Ｍ(ＯＣＨ3)n，Ｍ(ＯＣ
2Ｈ5)n，Ｍ(ＯＣ3Ｈ7)n，Ｍ(ＯＣ4Ｈ9)n［但し、Ｍ＝Ｓ
ｉ，Ｔｉ，Ａｌ、ｎ＝３（Ｍ＝Ａｌのとき）、ｎ＝４
（Ｍ＝Ｓｉ，Ｔｉのとき）］の少なくとも一種類以上と
Ｂｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方を含む請求項６記
載の電子部品の製造方法。 - 【請求項９】 保護膜形成用物質を含む液体中に、素子
を浸漬し、次に前記素子を取り出した後、反応抑制剤を
前記素子の外表面に当接させる請求項６記載の電子部品
の製造方法。 - 【請求項１０】 反応抑制剤は、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｒＯ2のうち少なくとも一種類以上
を含む請求項９記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16795194A JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831601A true JPH0831601A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3265126B2 JP3265126B2 (ja) | 2002-03-11 |
Family
ID=15859077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16795194A Expired - Fee Related JP3265126B2 (ja) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | 電子部品とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3265126B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371056B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2003-02-06 | 한국과학기술연구원 | ＳｒＴｉＯ3계 ＳＭＤ형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 |
| TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP16795194A patent/JP3265126B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100371056B1 (ko) * | 2000-10-09 | 2003-02-06 | 한국과학기술연구원 | ＳｒＴｉＯ3계 ＳＭＤ형 바리스터-캐패시터 복합기능소자제조기술 |
| TWI626665B (zh) * | 2017-03-03 | 2018-06-11 | Wafer resistance manufacturing method and resistance device thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3265126B2 (ja) | 2002-03-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5866196A (en) | Electronic component and method for fabricating the same | |
| JP3179313B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2007242995A (ja) | 積層セラミック電子部品とその製造方法 | |
| US20040140595A1 (en) | Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component | |
| JP3453857B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JPH1070012A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH0831601A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JPH09100159A (ja) | 圧電磁器及びその製造方法 | |
| JPH08124718A (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JP2560891B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPH04282802A (ja) | セラミック電子部品の製造法 | |
| JP3255799B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP3119139B2 (ja) | 圧電磁器及びその製造方法 | |
| JP3036380B2 (ja) | 電子部品とその製造方法 | |
| JPH07161503A (ja) | チップ型サーミスタ | |
| JP3396973B2 (ja) | 積層型バリスタの製造方法 | |
| JP2000091105A (ja) | チップ型セラミックサーミスタおよびその製造方法 | |
| JP3221166B2 (ja) | 圧電共振子の製造方法 | |
| JPH09162452A (ja) | セラミック素子及びその製造方法 | |
| JPH08236306A (ja) | チップ型サーミスタとその製造方法 | |
| JPH11238602A (ja) | セラミック電子部品とその製造方法 | |
| JP2000021607A (ja) | チップサーミスタの製造方法 | |
| JPH09148105A (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JPS60202901A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器の電極形成方法 | |
| JPH0574614A (ja) | セラミツク電子部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071228 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091228 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101228 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |