JPH09148105A - 電子部品およびその製造方法 - Google Patents
電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09148105A JPH09148105A JP7310491A JP31049195A JPH09148105A JP H09148105 A JPH09148105 A JP H09148105A JP 7310491 A JP7310491 A JP 7310491A JP 31049195 A JP31049195 A JP 31049195A JP H09148105 A JPH09148105 A JP H09148105A
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- JP
- Japan
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- electrode
- electrodes
- resin
- semiconductor element
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 性能に優れかつ製造の容易なチップ形電子部
品を提供することを目的とする。 【解決手段】 表面を高抵抗化した素子１の端面に第一
電極２を設け、さらに素子１の表面全体を樹脂被膜３で
覆い、その後電解メッキでＮｉ電極４、Ｓｎ電極５を設
けることにより、エッチング、メッキ流れのない優れた
チップ形電子部品を得ることができる。
品を提供することを目的とする。 【解決手段】 表面を高抵抗化した素子１の端面に第一
電極２を設け、さらに素子１の表面全体を樹脂被膜３で
覆い、その後電解メッキでＮｉ電極４、Ｓｎ電極５を設
けることにより、エッチング、メッキ流れのない優れた
チップ形電子部品を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えばサーミスタ等
の電子部品およびその製造方法に関するものである。
の電子部品およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型半導体電子部品について
チップ型サーミスタを例に図面を用いて説明する。
チップ型サーミスタを例に図面を用いて説明する。
【０００３】図２において、まず、サーミスタ素子１１
の表面にガラスペーストを印刷して、焼成し、ガラスフ
リットからなる被膜１５を形成し、次にサーミスタ素子
１１の両端面に焼き付けタイプのＡｇ電極１２を形成し
た後、電解メッキによりＮｉ電極１３およびＳｎ電極１
４を形成していた。
の表面にガラスペーストを印刷して、焼成し、ガラスフ
リットからなる被膜１５を形成し、次にサーミスタ素子
１１の両端面に焼き付けタイプのＡｇ電極１２を形成し
た後、電解メッキによりＮｉ電極１３およびＳｎ電極１
４を形成していた。
【０００４】この被膜１５は電解メッキ時にサーミスタ
素子１１がエッチングされたり、またその表面にＮｉお
よびＳｎが付着（メッキ流れ）を起こすのを防ぐために
設けたものである。
素子１１がエッチングされたり、またその表面にＮｉお
よびＳｎが付着（メッキ流れ）を起こすのを防ぐために
設けたものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記構成
では、被膜１５を形成する際、サーミスタ素子１１の両
端面にもガラスが付着するため、除去する工程を設けな
ければならなかった。
では、被膜１５を形成する際、サーミスタ素子１１の両
端面にもガラスが付着するため、除去する工程を設けな
ければならなかった。
【０００６】そこで本発明は、除去する工程を不要と
し、安定した性能を有するチップ型半導体電子部品を提
供することを目的とするものである。
し、安定した性能を有するチップ型半導体電子部品を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、表面に少なくとも一対の第一電極を有する
とともに前記第一電極の非形成部分は高抵抗化された半
導体素子を樹脂溶液中に浸漬して減圧状態にし、次に前
記半導体素子を取出して前記樹脂を硬化させた後、前記
第一電極上に電解メッキにより第二電極を形成するもの
である。
に本発明は、表面に少なくとも一対の第一電極を有する
とともに前記第一電極の非形成部分は高抵抗化された半
導体素子を樹脂溶液中に浸漬して減圧状態にし、次に前
記半導体素子を取出して前記樹脂を硬化させた後、前記
第一電極上に電解メッキにより第二電極を形成するもの
である。
【０００８】この方法によると、樹脂を除去する必要が
なくなるとともに、第一電極内部に含浸させた樹脂が、
第一電極内部にメッキ液が浸入するのを防ぐことができ
るため、メッキ液による半導体素子の浸食を防ぐことが
できるため、安定した性能を有するチップ型半導体電子
部品を提供することができる。
なくなるとともに、第一電極内部に含浸させた樹脂が、
第一電極内部にメッキ液が浸入するのを防ぐことができ
るため、メッキ液による半導体素子の浸食を防ぐことが
できるため、安定した性能を有するチップ型半導体電子
部品を提供することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明は
半導体素子と、この半導体素子の表面に設けた少なくと
も一対の第一電極と、この第一電極表面の少なくとも一
部に設けた樹脂被膜と、前記第一電極上に設けた第二電
極とを備え、前記半導体素子表面の前記電極の非形成部
分は高抵抗である電子部品であり、この構成によると第
二電極を電解メッキにより形成する場合、メッキ液が第
一電極内部に浸入するのを防ぐことができる。
半導体素子と、この半導体素子の表面に設けた少なくと
も一対の第一電極と、この第一電極表面の少なくとも一
部に設けた樹脂被膜と、前記第一電極上に設けた第二電
極とを備え、前記半導体素子表面の前記電極の非形成部
分は高抵抗である電子部品であり、この構成によると第
二電極を電解メッキにより形成する場合、メッキ液が第
一電極内部に浸入するのを防ぐことができる。
【００１０】本発明の請求項２に記載の発明は、表面に
少なくとも一対の第一電極を有するとともに前記第一電
極の非形成部分は高抵抗化された半導体素子を樹脂溶液
中に浸漬して減圧状態にし、次に前記半導体素子を取出
して前記樹脂を硬化させた後、前記第一電極上に電解メ
ッキにより第二電極を形成するものであり、この方法に
よると安定した性能を有するチップ型半導体電子部品を
提供することができる。
少なくとも一対の第一電極を有するとともに前記第一電
極の非形成部分は高抵抗化された半導体素子を樹脂溶液
中に浸漬して減圧状態にし、次に前記半導体素子を取出
して前記樹脂を硬化させた後、前記第一電極上に電解メ
ッキにより第二電極を形成するものであり、この方法に
よると安定した性能を有するチップ型半導体電子部品を
提供することができる。
【００１１】請求項３に記載の発明は、半導体素子表面
の高抵抗化は、この半導体素子を焼結する際金属化合物
中に埋め込んで焼成することにより行うものであり、こ
れによると半導体素子の焼結と高抵抗化を同時に行うこ
とができる。
の高抵抗化は、この半導体素子を焼結する際金属化合物
中に埋め込んで焼成することにより行うものであり、こ
れによると半導体素子の焼結と高抵抗化を同時に行うこ
とができる。
【００１２】以下、図１を参照しながら実施の形態につ
いて説明する。図１は本実施の形態におけるチップ形電
子部品の一例であるチップ形サーミスタの断面図であ
る。同図において１はその表面が高抵抗化された４５Ω
のＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉからなるチップ形サーミスタ素子、
２はチップ形サーミスタ素子１の両端面に設けたＡｇか
らなる第一電極、３は樹脂被膜、６はＮｉ電極４とＳｎ
電極５とからなる第二電極である。
いて説明する。図１は本実施の形態におけるチップ形電
子部品の一例であるチップ形サーミスタの断面図であ
る。同図において１はその表面が高抵抗化された４５Ω
のＭｎ、Ｃｏ、Ｎｉからなるチップ形サーミスタ素子、
２はチップ形サーミスタ素子１の両端面に設けたＡｇか
らなる第一電極、３は樹脂被膜、６はＮｉ電極４とＳｎ
電極５とからなる第二電極である。
【００１３】その製造方法は、公知の方法で形成したグ
リーンチップをＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ａｌ（Ｎ
Ｏ3)3等の焼成することによりグリーンチップと反応し
高抵抗化する金属化合物粉末中にそれぞれ埋め込んで１
２５０℃で焼成し、表面の高抵抗化と素子の焼結を同時
に行いチップ形サーミスタ素子１とした。次にこのチッ
プ形サーミスタ素子１の両端面にＡｇペーストを印刷、
乾燥し７２０℃で焼成し第一電極２とした。次にこれを
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、セルロ
ース樹脂、ポリエステル樹脂等の溶液中にそれぞれ入れ
て、常温で０．００１ｍｍＨｇの減圧で処理した後、約
１２０〜１８０℃で乾燥、硬化して厚み１μｍの樹脂被
膜３を形成した。
リーンチップをＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ａｌ（Ｎ
Ｏ3)3等の焼成することによりグリーンチップと反応し
高抵抗化する金属化合物粉末中にそれぞれ埋め込んで１
２５０℃で焼成し、表面の高抵抗化と素子の焼結を同時
に行いチップ形サーミスタ素子１とした。次にこのチッ
プ形サーミスタ素子１の両端面にＡｇペーストを印刷、
乾燥し７２０℃で焼成し第一電極２とした。次にこれを
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、セルロ
ース樹脂、ポリエステル樹脂等の溶液中にそれぞれ入れ
て、常温で０．００１ｍｍＨｇの減圧で処理した後、約
１２０〜１８０℃で乾燥、硬化して厚み１μｍの樹脂被
膜３を形成した。
【００１４】次にこの第一電極２に公知の電解メッキ方
法で厚さ２．５μｍのＮｉ電極４と厚さ１．５μｍのＳ
ｎ電極５を設け第二電極６とした。この様にして形成し
たチップ形サーミスタは、図２に示したチップ形サーミ
スタと比較してチップ形サーミスタ素子１のエッチング
とメッキ流れが無く、第一電極内部へのＮｉおよびＳｎ
の浸入も無くその性能は良好であった。
法で厚さ２．５μｍのＮｉ電極４と厚さ１．５μｍのＳ
ｎ電極５を設け第二電極６とした。この様にして形成し
たチップ形サーミスタは、図２に示したチップ形サーミ
スタと比較してチップ形サーミスタ素子１のエッチング
とメッキ流れが無く、第一電極内部へのＮｉおよびＳｎ
の浸入も無くその性能は良好であった。
【００１５】その理由は、樹脂被膜３により、電解メッ
キ時のチップ形サーミスタ素子１の浸食を遅らせること
が可能になるからである。
キ時のチップ形サーミスタ素子１の浸食を遅らせること
が可能になるからである。
【００１６】また電解メッキ後は、チップ形サーミスタ
素子１の表面の樹脂被膜３は、メッキ液で浸食されるた
め樹脂被膜３の形成時より薄くなっているが、特性に影
響はない。
素子１の表面の樹脂被膜３は、メッキ液で浸食されるた
め樹脂被膜３の形成時より薄くなっているが、特性に影
響はない。
【００１７】さらに、本実施の形態によるとチップ形サ
ーミスタ素子１表面の高抵抗化とチップ形サーミスタ素
子１の焼結が同時に出来、従来必要であったガラスフリ
ット被膜も不要に成るためその工法は簡単であった。
ーミスタ素子１表面の高抵抗化とチップ形サーミスタ素
子１の焼結が同時に出来、従来必要であったガラスフリ
ット被膜も不要に成るためその工法は簡単であった。
【００１８】なお、本発明の実施の形態では、チップ形
サーミスタ素子１表面の高抵抗化にはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3、ＮｉＯ2、Ａｌ（ＮＯ3)3等の粉末を、樹脂被膜とし
てはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、セ
ルロース樹脂、ポリエステル樹脂等を用いたが、同様の
効果が得られるものであればこれらに限定されるもので
はない。
サーミスタ素子１表面の高抵抗化にはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ
3、ＮｉＯ2、Ａｌ（ＮＯ3)3等の粉末を、樹脂被膜とし
てはエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、セ
ルロース樹脂、ポリエステル樹脂等を用いたが、同様の
効果が得られるものであればこれらに限定されるもので
はない。
【００１９】さらに、樹脂被膜の厚みは、第一電極２の
緻密性とＮｉ電極４およびＳｎ電極５の形成条件から樹
脂濃度等を調整して形成すればよい。
緻密性とＮｉ電極４およびＳｎ電極５の形成条件から樹
脂濃度等を調整して形成すればよい。
【００２０】また本実施の形態においてはチップ形サー
ミスタを例に説明したが、積層バリスタ等他の半導体素
子においても同様の効果が得られ、その形状は問わな
い。
ミスタを例に説明したが、積層バリスタ等他の半導体素
子においても同様の効果が得られ、その形状は問わな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、電
解メッキ時に半導体素子のエッチングとメッキ流れが無
く、第一電極内部へのメッキ液の浸入のない性能の優れ
たチップ形電子部品を容易に製造出来るものである。
解メッキ時に半導体素子のエッチングとメッキ流れが無
く、第一電極内部へのメッキ液の浸入のない性能の優れ
たチップ形電子部品を容易に製造出来るものである。
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ形サーミ
スタの断面図
スタの断面図
【図２】従来のチップ形サーミスタの断面図
１ チップ形サーミスタ素子 ２ 第一電極 ３ 樹脂被膜 ４ Ｎｉ電極 ５ Ｓｎ電極 ６ 第二電極
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子と、この半導体素子の表面に
設けた少なくとも一対の第一電極と、この第一電極表面
の少なくとも一部に設けた樹脂被膜と、前記第一電極上
に設けた第二電極とを備え、前記半導体素子表面の前記
電極の非形成部分は高抵抗である電子部品。 - 【請求項２】 表面に少なくとも一対の第一電極を有す
るとともに前記第一電極の非形成部分は高抵抗化された
半導体素子を樹脂溶液中に浸漬して減圧状態にし、次に
前記半導体素子を取出して前記樹脂を硬化させた後、前
記第一電極上に電解メッキにより第二電極を形成する電
子部品の製造方法。 - 【請求項３】 半導体素子表面の高抵抗化は、この半導
体素子を焼結する際金属化合物中に埋め込んで焼成する
ことにより行う請求項２記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310491A JPH09148105A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310491A JPH09148105A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148105A true JPH09148105A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18005875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310491A Pending JPH09148105A (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | 電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148105A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235445A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Koa Corp | 電子部品およびその製造法 |
| JP2011249615A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型電子部品およびその製造方法 |
| WO2014119564A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| WO2016013643A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7310491A patent/JPH09148105A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235445A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Koa Corp | 電子部品およびその製造法 |
| JP2011249615A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Mitsubishi Materials Corp | 表面実装型電子部品およびその製造方法 |
| WO2014119564A1 (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-07 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP6015779B2 (ja) * | 2013-01-29 | 2016-10-26 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| US9997293B2 (en) | 2013-01-29 | 2018-06-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic electronic component and manufacturing method therefor |
| WO2016013643A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| WO2016013649A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| JPWO2016013643A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2017-04-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| US10475567B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-11-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US10553343B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US10650955B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-05-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing an electronic component |
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