JP3036380B2 - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばバリスタなどの
電子部品の製造方法に関するものである。
電子部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、素子を外部雰囲気より保護す
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
るために、その外周部に保護膜を設けることが行われて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の保護膜は、例え
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離したり、クラックが発生してしまうのであった。そこ
で本発明は、付着強度が高く、また熱や衝撃にも強い保
護膜を有する電子部品を提供することを目的とするもの
である。
ばガラスを素子の外周部に塗布することにより形成され
たものであったが、その接着強度が低いという問題があ
った。即ち、ガラスは素子の外表面に単に付着している
だけであったので、衝撃や熱による膨張収縮により、剥
離したり、クラックが発生してしまうのであった。そこ
で本発明は、付着強度が高く、また熱や衝撃にも強い保
護膜を有する電子部品を提供することを目的とするもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そして、この目的を達成
するために本発明の電子部品の製造方法は、表面に電極
を有するセラミック素子の表面に保護膜形成物質を含有
した液体を付着させる第１工程と、次に前記セラミック
素子表面に針状結晶を接触させて加熱する第２工程とを
備え、前記保護膜形成物質を含有した液体は、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ） 4 （Ｒはアルキル基）、（化１）で表わされるケイ
素化合物、Ｔｉ（ＯＲ） 4 （Ｒはアルキル基）、（化
２）で表わされるチタン化合物、Ｓｉ（ＯＲ） 3 （Ｒは
アルキル基）、（化３）で表わされるアルミニウム化合
物のうち少なくとも一種類以上と、少なくともガラス質
形成剤と、有機バインダーと、有機溶剤とを含有したも
のであり、前記針状結晶は、Ａｌ 2 Ｏ 3 、ＴｉＯ 2 、Ｚｎ
Ｏ、ＳｉＣ、Ｓｉ 3 Ｎ 4 、ＳｉＯ 2 、炭素繊維、ガラス繊
維のうち少なくとも一種類以上としたものである。
するために本発明の電子部品の製造方法は、表面に電極
を有するセラミック素子の表面に保護膜形成物質を含有
した液体を付着させる第１工程と、次に前記セラミック
素子表面に針状結晶を接触させて加熱する第２工程とを
備え、前記保護膜形成物質を含有した液体は、Ｓｉ（Ｏ
Ｒ） 4 （Ｒはアルキル基）、（化１）で表わされるケイ
素化合物、Ｔｉ（ＯＲ） 4 （Ｒはアルキル基）、（化
２）で表わされるチタン化合物、Ｓｉ（ＯＲ） 3 （Ｒは
アルキル基）、（化３）で表わされるアルミニウム化合
物のうち少なくとも一種類以上と、少なくともガラス質
形成剤と、有機バインダーと、有機溶剤とを含有したも
のであり、前記針状結晶は、Ａｌ 2 Ｏ 3 、ＴｉＯ 2 、Ｚｎ
Ｏ、ＳｉＣ、Ｓｉ 3 Ｎ 4 、ＳｉＯ 2 、炭素繊維、ガラス繊
維のうち少なくとも一種類以上としたものである。
【０００５】
【作用】この方法によると、均一な厚みを有し、針状の
結晶成分が均一に分散した保護膜がセラミック素子表面
に形成されると共に、保護膜成分の一部がセラミック素
子表面に拡散した拡散層が形成される。 この拡散層は、
保護膜とセラミック素子との付着強度を極めて強くする
だけでなく、バリスタ素子表面の気密性をより向上させ
ることができる。 また針状の結晶成分により、保護膜に
クラックが発生したとしてもクラックの広がりを抑制す
るとともに、アンカー効果の機能により保護膜のバリス
タ素子への付着を強固にできる。 従ってセラミック素子
内部への水分などの浸入を抑制し、熱や衝撃に強い保護
膜を形成することができるので、耐湿性、耐熱性、耐衝
撃性に優れた電子部品を得ることができる。
結晶成分が均一に分散した保護膜がセラミック素子表面
に形成されると共に、保護膜成分の一部がセラミック素
子表面に拡散した拡散層が形成される。 この拡散層は、
保護膜とセラミック素子との付着強度を極めて強くする
だけでなく、バリスタ素子表面の気密性をより向上させ
ることができる。 また針状の結晶成分により、保護膜に
クラックが発生したとしてもクラックの広がりを抑制す
るとともに、アンカー効果の機能により保護膜のバリス
タ素子への付着を強固にできる。 従ってセラミック素子
内部への水分などの浸入を抑制し、熱や衝撃に強い保護
膜を形成することができるので、耐湿性、耐熱性、耐衝
撃性に優れた電子部品を得ることができる。
【０００６】以上のように、耐湿性、耐熱衝撃性に優れ
た電子部品を提供することができる。
た電子部品を提供することができる。
【０００７】
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について、図
面を用いて説明する。
面を用いて説明する。
【０００８】図１において、１はバリスタ素子で、その
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さら
に外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成分
としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂをＡ
ｇで形成したものである。以上の構成において、バリス
タ素子１の上、下両面およびそれに接する上層３ｂ表面
の一部には、針状の結晶成分を分散させた保護膜４が付
着形成されている。
内部には複数の内部電極２が設けられ、その両端には外
部電極３が設けられている。バリスタ素子１は、ＳｒＴ
ｉＯ 3を主成分とし、副成分としてＮｂ2Ｏ5，Ｔａ
2Ｏ5，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2などを添加して形成したもので
ある。また内部電極２はＮｉを主成分とし、副成分とし
てＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成したものである。さら
に外部電極３は、下層３ａをＮｉを主成分とし、副成分
としてＬｉ2ＣＯ3などを添加して形成し、上層３ｂをＡ
ｇで形成したものである。以上の構成において、バリス
タ素子１の上、下両面およびそれに接する上層３ｂ表面
の一部には、針状の結晶成分を分散させた保護膜４が付
着形成されている。
【０００９】また、ここで、バリスタ素子１表面に、保
護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、この層
５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上を含む
構造となっている。従って、バリスタ素子１は、その外
表面を針状の結晶成分を分散させた保護膜４および外部
電極３で覆われ、しかも、バリスタ素子１の表面に、保
護膜４の成分が拡散した層５が介在しているので、その
気密性は極めて高く、水分などからの保護が確実に行う
ことができると共に、針状の結晶成分が保護膜４のクラ
ック発生を阻止する機能と、バリスタ素子１との付着を
強固にするアンカー効果の機能を有するために熱衝撃に
強い保護膜４が形成できる。
護膜４の成分が拡散した層５が形成されており、この層
５は、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌの少なくとも一種類以上を含む
構造となっている。従って、バリスタ素子１は、その外
表面を針状の結晶成分を分散させた保護膜４および外部
電極３で覆われ、しかも、バリスタ素子１の表面に、保
護膜４の成分が拡散した層５が介在しているので、その
気密性は極めて高く、水分などからの保護が確実に行う
ことができると共に、針状の結晶成分が保護膜４のクラ
ック発生を阻止する機能と、バリスタ素子１との付着を
強固にするアンカー効果の機能を有するために熱衝撃に
強い保護膜４が形成できる。
【００１０】図２は、製造工程を示し、（５）に示すご
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
とく、原料の混合、粉砕、スラリー化、シート成形によ
り、セラミックシート１ａを作製した。
【００１１】セラミックシート１ａと、内部電極２とを
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面とり（９）した。
積層（６）し、それを切断（７）、脱バイ・仮焼
（８）、面とり（９）した。
【００１２】次に、バリスタ素子１の端面に、下層３ａ
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、下層３ａの上
に、上層３ｂとなるＡｇ外部電極を塗布（１２）し、７
００〜８５０℃で再酸化のため加熱（１３）した。次
に、再酸化したバリスタ素子１を保護膜形成用物質を含
む液体中に浸漬し、バリスタ素子１の表面に保護膜形成
用物質を付着（１４）した。
となるＮｉ外部電極を塗布（１０）し、１２００〜１３
００℃で還元焼成（１１）し、その後、下層３ａの上
に、上層３ｂとなるＡｇ外部電極を塗布（１２）し、７
００〜８５０℃で再酸化のため加熱（１３）した。次
に、再酸化したバリスタ素子１を保護膜形成用物質を含
む液体中に浸漬し、バリスタ素子１の表面に保護膜形成
用物質を付着（１４）した。
【００１３】その後、図３に示す受皿１８上に、セラミ
ック製の板１９を設け、その上に、バリスタ素子１を粉
体２０内に埋設し、２００〜６００℃で熱処理（１５）
した。
ック製の板１９を設け、その上に、バリスタ素子１を粉
体２０内に埋設し、２００〜６００℃で熱処理（１５）
した。
【００１４】ここで粉体２０は、Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，
ＺｎＯ，ＳｉＣ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，炭素繊維，ガラ
ス繊維の少なくとも一種類以上を含む針状の結晶成分よ
り構成される粉末である。
ＺｎＯ，ＳｉＣ，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，炭素繊維，ガラ
ス繊維の少なくとも一種類以上を含む針状の結晶成分よ
り構成される粉末である。
【００１５】またこの粉体２０に、Ｂｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3
の少なくとも一方を混合することにより拡散性がよくな
る。
の少なくとも一方を混合することにより拡散性がよくな
る。
【００１６】そして、保護膜形成用物質を含む液体とし
て、Ｓｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル基），（化４）で表
されるケイ素化合物、Ｔｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル
基），（化５）で表されるチタン化合物、Ａｌ（ＯＲ）
3（Ｒはアルキル基），（化６）で表されるアルミ化合
物のうちから少なくとも一種類以上と、ガラス質形成用
物質としてＮａ，Ｓｉ，Ｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｐｂ等からな
る物質と、有機バインダーとしてポリビニルアルコー
ル、エチルセルロース、ブチラール樹脂等と、アルコー
ル、ケトン、エーテル等の有機溶剤とを混合したものを
用いた。
て、Ｓｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル基），（化４）で表
されるケイ素化合物、Ｔｉ（ＯＲ）4（Ｒはアルキル
基），（化５）で表されるチタン化合物、Ａｌ（ＯＲ）
3（Ｒはアルキル基），（化６）で表されるアルミ化合
物のうちから少なくとも一種類以上と、ガラス質形成用
物質としてＮａ，Ｓｉ，Ｂ，Ｂｉ，Ｓｂ，Ｐｂ等からな
る物質と、有機バインダーとしてポリビニルアルコー
ル、エチルセルロース、ブチラール樹脂等と、アルコー
ル、ケトン、エーテル等の有機溶剤とを混合したものを
用いた。
【００１７】
【化４】
【００１８】
【化５】
【００１９】
【化６】
【００２０】また、この液体に、予め針状の結晶成分を
分散させたものを用いると、保護膜４が形成されやすく
なるとともに、バリスタ素子１同士が、くっつきにくく
なる。
分散させたものを用いると、保護膜４が形成されやすく
なるとともに、バリスタ素子１同士が、くっつきにくく
なる。
【００２１】その後、面とり（１６）、メッキ（１７）
を行うことにより図１に示すごとく、針状の結晶成分が
分散した保護膜４と、保護膜４の成分が拡散した層５を
有する電子部品を得た。
を行うことにより図１に示すごとく、針状の結晶成分が
分散した保護膜４と、保護膜４の成分が拡散した層５を
有する電子部品を得た。
【００２２】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について、図面を用いて説明する。
について、図面を用いて説明する。
【００２３】実施例１と同様にして、再酸化のため加熱
（１３）したバリスタ素子１を、予め実施例１で説明し
た針状の結晶成分の粉末を分散させた保護膜形成用物質
を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子１の表面に保護膜
形成用物質と針状の結晶成分とを付着（１４）した。
（１３）したバリスタ素子１を、予め実施例１で説明し
た針状の結晶成分の粉末を分散させた保護膜形成用物質
を含む液体中に浸漬し、バリスタ素子１の表面に保護膜
形成用物質と針状の結晶成分とを付着（１４）した。
【００２４】その後、図４に示すように、Ｎｉ製のアミ
２１の上にのせ２００〜６００℃で熱処理（１５）し
た。その後、面とり（１６）、メッキ（１７）を行い、
図１に示すごとく電子部品を得た。
２１の上にのせ２００〜６００℃で熱処理（１５）し
た。その後、面とり（１６）、メッキ（１７）を行い、
図１に示すごとく電子部品を得た。
【００２５】この時、熱処理（１５）において、図３に
示すようにバリスタ素子１を粉体２０内に埋設させて行
ってもよいものである。
示すようにバリスタ素子１を粉体２０内に埋設させて行
ってもよいものである。
【００２６】（実施例３）以下に、本発明の第３の実施
例について説明する。
例について説明する。
【００２７】実施例１と同様にして、再酸化のため加熱
（１３）したバリスタ素子１を、図３に示すように、粉
体２０内に埋設し、保護膜形成用物質を含む液体を粉体
の上から浸透させて２００〜６００℃で熱処理（１５）
し、保護膜４を形成し、その後、面とり（１６）、メッ
キ（１７）を行い図１に示す電子部品を得た。
（１３）したバリスタ素子１を、図３に示すように、粉
体２０内に埋設し、保護膜形成用物質を含む液体を粉体
の上から浸透させて２００〜６００℃で熱処理（１５）
し、保護膜４を形成し、その後、面とり（１６）、メッ
キ（１７）を行い図１に示す電子部品を得た。
【００２８】以上、実施例１〜３を行うことにより、付
着強度が高く、また熱や衝撃にも強い保護膜４を有する
電子部品を得ることができた。
着強度が高く、また熱や衝撃にも強い保護膜４を有する
電子部品を得ることができた。
【００２９】ここで、実施例１〜３で得られた保護膜４
の特徴について記載すると （１）バリスタ素子１の表面には、その表面から１〜２
μｍ程度の均一な膜厚を有する保護膜４と、バリスタ素
子１の表面に１μｍ程度の拡散した層５により形成され
ていた。ここで保護膜４の厚みが３μｍを超えると剥離
しやすく付着強度が低下し、逆に１μｍ未満では、膜厚
が不均一となり耐湿性劣化の要因となった。また、膜圧
は有機溶剤の量により調整することができる。
の特徴について記載すると （１）バリスタ素子１の表面には、その表面から１〜２
μｍ程度の均一な膜厚を有する保護膜４と、バリスタ素
子１の表面に１μｍ程度の拡散した層５により形成され
ていた。ここで保護膜４の厚みが３μｍを超えると剥離
しやすく付着強度が低下し、逆に１μｍ未満では、膜厚
が不均一となり耐湿性劣化の要因となった。また、膜圧
は有機溶剤の量により調整することができる。
【００３０】（２）針状の結晶成分は、保護膜４に均一
に分散していた。針状の結晶成分が分散した保護膜４と
分散していない保護膜を比較したところ、熱衝撃性に大
きな差異があった。例えば、−５５〜１２５℃の温度サ
イクル試験を行ったところ、前者の保護膜４では、クラ
ックや剥離は見出せなかったが、後者の保護膜では、外
電３ｂの近傍でクラックが多数発生し、耐湿性劣化の要
因となった。この理由は、針状の結晶成分が、クラック
の伝播を抑えかつアンカー効果によりバリスタ素子１と
の付着強度をより強固にしているものと考えられる。
に分散していた。針状の結晶成分が分散した保護膜４と
分散していない保護膜を比較したところ、熱衝撃性に大
きな差異があった。例えば、−５５〜１２５℃の温度サ
イクル試験を行ったところ、前者の保護膜４では、クラ
ックや剥離は見出せなかったが、後者の保護膜では、外
電３ｂの近傍でクラックが多数発生し、耐湿性劣化の要
因となった。この理由は、針状の結晶成分が、クラック
の伝播を抑えかつアンカー効果によりバリスタ素子１と
の付着強度をより強固にしているものと考えられる。
【００３１】（３）保護膜４と、この保護膜４の成分が
一部拡散して形成された層５は、高抵抗であるので、マ
イグレーションが発生することはない。
一部拡散して形成された層５は、高抵抗であるので、マ
イグレーションが発生することはない。
【００３２】（４）保護膜４は、メッキ（１７）時に、
メッキ流れを起こさず、かつ、メッキ流れにより侵され
ることのない耐酸性に優れたものである。
メッキ流れを起こさず、かつ、メッキ流れにより侵され
ることのない耐酸性に優れたものである。
【００３３】なお、実施例１〜３において、保護膜形成
物質の付着、熱処理を１回しか行わなかったが、複数回
（２，３回）特に付着を２，３回行った方が均一な膜厚
の保護膜４が形成された。また、保護膜形成物質や、粉
体２０にＢｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方を添加す
ると拡散した層５がより容易に形成された。さらに、実
施例１〜３においては、外部電極３の外表面にも保護膜
４が形成されるので、導通をはかるため、面とり（１
６）を行い、外部電極３ｂ上の保護膜４を取り除く。そ
の後、外部電極３ｂ表面にＮｉメッキ、半田メッキ（１
７）を行うとよい。
物質の付着、熱処理を１回しか行わなかったが、複数回
（２，３回）特に付着を２，３回行った方が均一な膜厚
の保護膜４が形成された。また、保護膜形成物質や、粉
体２０にＢｉ2Ｏ3，Ｓｂ2Ｏ3の少なくとも一方を添加す
ると拡散した層５がより容易に形成された。さらに、実
施例１〜３においては、外部電極３の外表面にも保護膜
４が形成されるので、導通をはかるため、面とり（１
６）を行い、外部電極３ｂ上の保護膜４を取り除く。そ
の後、外部電極３ｂ表面にＮｉメッキ、半田メッキ（１
７）を行うとよい。
【００３４】また、実施例１〜３において保護膜形成物
質の付着に関して、その液体中に浸漬する方法のみを示
したが、印刷、溶射でもよく、また遠心分離機を用いて
も同様の効果が得られる。さらに、各実施例では、積層
バリスタを例にあげたが、本発明は、コンデンサ、サー
ミスタ、セラミスタ、バリスタ、圧電素子、フェライ
ト、セラミック基板などのセラミック磁器を用いるも
の、また、その形状も、ディスク型、円筒型、積層形な
ど何にでも適応できるものである。
質の付着に関して、その液体中に浸漬する方法のみを示
したが、印刷、溶射でもよく、また遠心分離機を用いて
も同様の効果が得られる。さらに、各実施例では、積層
バリスタを例にあげたが、本発明は、コンデンサ、サー
ミスタ、セラミスタ、バリスタ、圧電素子、フェライ
ト、セラミック基板などのセラミック磁器を用いるも
の、また、その形状も、ディスク型、円筒型、積層形な
ど何にでも適応できるものである。
【００３５】
【発明の効果】以上本発明によると、均一な厚みを有
し、針状の結晶成分が均一に分散した保護膜がセラミッ
ク素子表面に形成されると共に、保護膜成分の一部がセ
ラミック素子表面に拡散した拡散層が形成される。 この
拡散層は、保護膜とセラミック素子との付着強度を極め
て強くするだけでなく、バリスタ素子表面の気密性をよ
り向上させることができる。 また針状の結晶成分によ
り、保護膜にクラックが発生したとしてもクラックの広
がりを抑制するとともに、アンカー効果の機能により保
護膜のバリスタ素子への付着を強固にできる。 従ってセ
ラミック素子内部への水分などの浸入を抑制し、熱や衝
撃に強い保護膜を形成することができるので、耐湿性、
耐熱性、耐衝撃性に優れた電子部品を得ることができ
る。
し、針状の結晶成分が均一に分散した保護膜がセラミッ
ク素子表面に形成されると共に、保護膜成分の一部がセ
ラミック素子表面に拡散した拡散層が形成される。 この
拡散層は、保護膜とセラミック素子との付着強度を極め
て強くするだけでなく、バリスタ素子表面の気密性をよ
り向上させることができる。 また針状の結晶成分によ
り、保護膜にクラックが発生したとしてもクラックの広
がりを抑制するとともに、アンカー効果の機能により保
護膜のバリスタ素子への付着を強固にできる。 従ってセ
ラミック素子内部への水分などの浸入を抑制し、熱や衝
撃に強い保護膜を形成することができるので、耐湿性、
耐熱性、耐衝撃性に優れた電子部品を得ることができ
る。
【００３６】また、素子表面に、保護膜の成分が一部拡
散して形成された層と、保護膜は高抵抗であるため外部
電極のマイグレーションやメッキ流れの発生を防止する
ことが出来る。
散して形成された層と、保護膜は高抵抗であるため外部
電極のマイグレーションやメッキ流れの発生を防止する
ことが出来る。
【００３７】さらに、本発明の保護膜は、無機成分で構
成されているため、耐薬品性や熱にも強く変成すること
はない。
成されているため、耐薬品性や熱にも強く変成すること
はない。
【００３８】以上のように、本発明の電子部品は、耐湿
性、耐熱衝撃性、耐薬品性に優れたものである。
性、耐熱衝撃性、耐薬品性に優れたものである。
【図１】本発明の一実施例におけるバリスタの断面図
【図２】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
図
図
【図３】本発明の一実施例におけるバリスタの製造工程
を示す断面図
を示す断面図
【図４】本発明の他の実施例におけるバリスタの製造工
程を示す断面図
程を示す断面図
１ バリスタ素子 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ４ 保護膜 ５ 層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (5)
- 【請求項１】表面に電極を有するセラミック素子の表面
に保護膜形成物質を含有した液体を付着させる第１工程
と、次に前記セラミック素子表面に針状結晶を接触させ
て加熱する第２工程とを備え、前記保護膜形成物質を含
有した液体は、Ｓｉ（ＯＲ） 4 （Ｒはアルキル基）、
（化１）で表わされるケイ素化合物、Ｔｉ（ＯＲ）
4 （Ｒはアルキル基）、（化２）で表わされるチタン化
合物、Ｓｉ（ＯＲ） 3 （Ｒはアルキル基）、（化３）で
表わされるアルミニウム化合物のうち少なくとも一種類
以上と、少なくともガラス質形成剤と、有機バインダー
と、有機溶剤とを含有したものであり、前記針状結晶
は、Ａｌ 2 Ｏ 3 、ＴｉＯ 2 、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ 3 Ｎ 4 、
ＳｉＯ 2 、炭素繊維、ガラス繊維のうち少なくとも一種
類以上である電子部品の製造方法。 【化１】 【化２】 【化３】 - 【請求項２】保護膜形成物質を含有した液体にＡｌ
2 Ｏ 3 、ＴｉＯ 2 、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ 3 Ｎ 4 、ＳｉＯ 2 、
炭素繊維、ガラス繊維のうち少なくとも一種類以上の針
状結晶を分散させる請求項１に記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項３】保護膜形成用物質を含有した液体に、Ｂｉ
2 Ｏ 3 、Ｓｂ 2 Ｏ 3 の少なくとも一方を分散させる請求項１
に記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項４】針状結晶にさらにＢｉ 2 Ｏ 3 、Ｓｂ 2 Ｏ 3 の少
なくとも一方を分散させる請求項１に記載の電子部品の
製造方法。 - 【請求項５】保護膜形成物質と針状の結晶成分とを混合
した液体を表面に電極を有するセラミック素子の表面に
付着させる第１工程と、次に前記セラミック素子を加熱
する第２工程とを備え、前記保護膜形成物質を含有した
液体は、Ｓｉ（ＯＲ） 4 （Ｒはアルキル基）、（化１）
で表わされるケイ素化合物、Ｔｉ（ＯＲ） 4 （Ｒはアル
キル基）、（化２）で表わされるチタン化合物、Ｓｉ
（ＯＲ） 3 （ Ｒはアルキル基）、（化３）で表わされる
アルミニウム化合物のうち少なくとも一種類以上と、少
なくともガラス質形成剤と、有機バインダーと、有機溶
剤とを含有したものであり、前記針状結晶は、Ａｌ
2 Ｏ 3 、ＴｉＯ 2 、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ 3 Ｎ 4 、ＳｉＯ 2 、
炭素繊維、ガラス繊維のうち少なくとも一種類以上であ
る電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
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