JPH08293384A - エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法Info
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- JPH08293384A JPH08293384A JP7098867A JP9886795A JPH08293384A JP H08293384 A JPH08293384 A JP H08293384A JP 7098867 A JP7098867 A JP 7098867A JP 9886795 A JP9886795 A JP 9886795A JP H08293384 A JPH08293384 A JP H08293384A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光層にＣｌを添加して高輝度化を図るとと
もに、耐湿性を向上させる。 【構成】 発光層１４を、発光中心としてＣｅを添加し
さらにＣｌが添加されたＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ
と、Ｃｌが添加されていないＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂと
により構成し、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂ上にＺｎＳキャ
ップ層１５を設けた。
もに、耐湿性を向上させる。 【構成】 発光層１４を、発光中心としてＣｅを添加し
さらにＣｌが添加されたＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ
と、Ｃｌが添加されていないＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂと
により構成し、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂ上にＺｎＳキャ
ップ層１５を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば計器類の自発光
型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種情報
端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロル
ミネッセンス（以下、ＥＬという）素子及びその製造方
法に関する。
型のセグメント表示やマトリクス表示、或いは各種情報
端末機器のディスプレイなどに使用されるエレクトロル
ミネッセンス（以下、ＥＬという）素子及びその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ素子は、絶縁性基板であるガ
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層及びＩＴＯ膜からなる第２電極
を順次積層して形成されている。
ラス基板上に、光学的に透明なＩＴＯ膜からなる第１電
極、Ｔａ2 Ｏ5 （五酸化タンタル）等からなる第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層及びＩＴＯ膜からなる第２電極
を順次積層して形成されている。
【０００３】ＥＬ素子の発光色は、例えばＺｎＳ（硫化
亜鉛）中の添加物の種類によって決まり、例えば発光中
心としてＴｂ（テルビウム）を添加した場合には黄緑
色、Ｓｍ（サマリウム）を添加した場合には赤橙色、Ｔ
ｍ（ツリウム）を添加した場合には青色の発光色が得ら
れる。また、ＳｒＳ（硫化ストロンチウム）にＣｅ（セ
リウム）を添加した場合には、フィルタをかけることに
より青色の発光色が得られる。
亜鉛）中の添加物の種類によって決まり、例えば発光中
心としてＴｂ（テルビウム）を添加した場合には黄緑
色、Ｓｍ（サマリウム）を添加した場合には赤橙色、Ｔ
ｍ（ツリウム）を添加した場合には青色の発光色が得ら
れる。また、ＳｒＳ（硫化ストロンチウム）にＣｅ（セ
リウム）を添加した場合には、フィルタをかけることに
より青色の発光色が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この青色発光を得る場
合、ＺｎＳにＴｍを添加したＺｎＳ：Ｔｍを発光層に用
いた場合には発光輝度が低く、実用上十分な輝度が得ら
れない。また、ＳｒＳにＣｅを添加したＳｒＳ：Ｃｅを
発光層に用いた場合には、発光輝度を比較的高くするこ
とができるが、その発光輝度はディスプレイとしての要
求を十分に満足するものではなく、更なる高輝度化が望
まれている。
合、ＺｎＳにＴｍを添加したＺｎＳ：Ｔｍを発光層に用
いた場合には発光輝度が低く、実用上十分な輝度が得ら
れない。また、ＳｒＳにＣｅを添加したＳｒＳ：Ｃｅを
発光層に用いた場合には、発光輝度を比較的高くするこ
とができるが、その発光輝度はディスプレイとしての要
求を十分に満足するものではなく、更なる高輝度化が望
まれている。
【０００５】この問題を解決するため、例えば１９９３
年度Ｅｕｒｏ ＤｉｓｐｌａｙＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ；ｐ５１１〜５１４には、Ｓｉ
Ｃｌ4 を用いてＣｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ薄膜中にＣｌ
（塩素）を添加することが記載されている。しかしなが
ら、その方法で用いるＣｌにより、発光母材であるＳｒ
Ｓは湿度に非常に敏感になり、パターニング等のウェッ
トプロセスにおいて、僅かな水分でも発光層に混入する
と、膜が白濁したり剥離するといった問題が生じる。
年度Ｅｕｒｏ ＤｉｓｐｌａｙＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ；ｐ５１１〜５１４には、Ｓｉ
Ｃｌ4 を用いてＣｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ薄膜中にＣｌ
（塩素）を添加することが記載されている。しかしなが
ら、その方法で用いるＣｌにより、発光母材であるＳｒ
Ｓは湿度に非常に敏感になり、パターニング等のウェッ
トプロセスにおいて、僅かな水分でも発光層に混入する
と、膜が白濁したり剥離するといった問題が生じる。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みたもので、発光層
にＣｌを添加して高輝度化を図るとともに、耐湿性を向
上させることを目的とする。
にＣｌを添加して高輝度化を図るとともに、耐湿性を向
上させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明は
上記目的を達成するため、発光層を、発光中心元素を添
加した第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と、発光中心元素
及びハロゲン元素を添加した第２のIIa −VIb 族化合物
薄膜とを有して構成し、第１のIIa −VIb 族化合物薄膜
を発光層の最上層としたことを特徴としている。
上記目的を達成するため、発光層を、発光中心元素を添
加した第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と、発光中心元素
及びハロゲン元素を添加した第２のIIa −VIb 族化合物
薄膜とを有して構成し、第１のIIa −VIb 族化合物薄膜
を発光層の最上層としたことを特徴としている。
【０００８】従って、第２のIIa −VIb 族化合物薄膜に
ハロゲン元素を添加することにより発光輝度を高くする
ことができ、また発光層の最上層をハロゲン元素を含ま
ない第１のIIa −VIb 族化合物薄膜とすることにより、
第２のIIa −VIb 族化合物薄膜の吸湿性を緩和し、耐湿
性を向上させることができる。さらに、第１のIIa −VI
b 族化合物薄膜の上にキャップ層を形成するようにすれ
ば、そのキャップ層によって上記耐湿性を一層向上させ
ることができる。この場合、キャップ層をＺｎＳ又はＺ
ｎＳｅにて形成するようにすれば、耐湿性をさらに向上
させることができる。但し、Ｓｅ（セレン）の毒性を考
慮すればＺｎＳを用いることが望ましい。
ハロゲン元素を添加することにより発光輝度を高くする
ことができ、また発光層の最上層をハロゲン元素を含ま
ない第１のIIa −VIb 族化合物薄膜とすることにより、
第２のIIa −VIb 族化合物薄膜の吸湿性を緩和し、耐湿
性を向上させることができる。さらに、第１のIIa −VI
b 族化合物薄膜の上にキャップ層を形成するようにすれ
ば、そのキャップ層によって上記耐湿性を一層向上させ
ることができる。この場合、キャップ層をＺｎＳ又はＺ
ｎＳｅにて形成するようにすれば、耐湿性をさらに向上
させることができる。但し、Ｓｅ（セレン）の毒性を考
慮すればＺｎＳを用いることが望ましい。
【０００９】上記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜の膜厚
は、５０ｎｍ以上であることが望ましい。これは、後述
する図２に示すように、第１のIIa −VIb 族化合物薄膜
の膜厚を５０ｎｍ以上にした場合に、耐湿性が著しく向
上するからである。また、第２のIIa −VIb 族化合物薄
膜を発光層の最下層とした場合には、その膜の配向性に
より発光層の表面を平坦化させることができ、絶縁耐圧
を向上させることができる。特に、膜厚を１００ｎｍ以
上とした場合にはその効果が著しい。
は、５０ｎｍ以上であることが望ましい。これは、後述
する図２に示すように、第１のIIa −VIb 族化合物薄膜
の膜厚を５０ｎｍ以上にした場合に、耐湿性が著しく向
上するからである。また、第２のIIa −VIb 族化合物薄
膜を発光層の最下層とした場合には、その膜の配向性に
より発光層の表面を平坦化させることができ、絶縁耐圧
を向上させることができる。特に、膜厚を１００ｎｍ以
上とした場合にはその効果が著しい。
【００１０】本発明に係るＥＬ素子の製造方法において
は、発光中心元素及びハロゲン元素を添加した第１のII
a −VIb 族化合物薄膜と、発光中心元素を添加した第２
のIIa −VIb 族化合物薄膜とを連続成膜する工程を有し
て、第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を最上層とする発光
層を形成することを特徴としている。この製造方法を用
いることにより、上述した高発光輝度の耐湿性に優れた
ＥＬ素子を得ることができる。
は、発光中心元素及びハロゲン元素を添加した第１のII
a −VIb 族化合物薄膜と、発光中心元素を添加した第２
のIIa −VIb 族化合物薄膜とを連続成膜する工程を有し
て、第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を最上層とする発光
層を形成することを特徴としている。この製造方法を用
いることにより、上述した高発光輝度の耐湿性に優れた
ＥＬ素子を得ることができる。
【００１１】この製造方法として、具体的には、気相成
長法を用い、ハロゲン元素原料を他のプロセスガスと同
時に供給して第１のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成し、
ハロゲン元素の供給を停止することにより第２のIIa −
VIb 族化合物薄膜を連続して成膜する工程を用いること
ができる。ここで、ハロゲン元素原料は、他のプロセス
ガスとは独立した供給配管にて供給するか、又はVIb 族
元素原料の供給配管と同配管にて供給するようにするこ
とができる。また、ハロゲン元素原料は、ハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素ガス、ハロゲン化合物ガスから選択
された少なくとも１種を用いることができ、さらに具体
的には塩素、塩化水素、塩素化合物から選択された少な
くとも１種とすることができる。
長法を用い、ハロゲン元素原料を他のプロセスガスと同
時に供給して第１のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成し、
ハロゲン元素の供給を停止することにより第２のIIa −
VIb 族化合物薄膜を連続して成膜する工程を用いること
ができる。ここで、ハロゲン元素原料は、他のプロセス
ガスとは独立した供給配管にて供給するか、又はVIb 族
元素原料の供給配管と同配管にて供給するようにするこ
とができる。また、ハロゲン元素原料は、ハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素ガス、ハロゲン化合物ガスから選択
された少なくとも１種を用いることができ、さらに具体
的には塩素、塩化水素、塩素化合物から選択された少な
くとも１種とすることができる。
【００１２】上記気相成長法としては、有機金属気相成
長法を用いることができる。また、IIa 族元素原料とVI
b 族元素原料を交互に供給して薄膜形成していく、いわ
ゆるＡ．Ｌ．Ｅ法を用いることもできる。具体的には、
発光層をIIa 族元素原料とVIb 族元素原料を交互に供給
して成膜していく方法を用い、ハロゲン元素原料をVIb
族元素原料と同時に供給することにより第１のIIa −VI
b 化合物薄膜を形成し、ハロゲン元素原料の供給を停止
することにより第２のIIa −VIb 化合物薄膜を形成す
る。なお、この方法を用いた場合、発光中心元素原料は
IIa 族元素原料と同時に供給するようにすることができ
る。
長法を用いることができる。また、IIa 族元素原料とVI
b 族元素原料を交互に供給して薄膜形成していく、いわ
ゆるＡ．Ｌ．Ｅ法を用いることもできる。具体的には、
発光層をIIa 族元素原料とVIb 族元素原料を交互に供給
して成膜していく方法を用い、ハロゲン元素原料をVIb
族元素原料と同時に供給することにより第１のIIa −VI
b 化合物薄膜を形成し、ハロゲン元素原料の供給を停止
することにより第２のIIa −VIb 化合物薄膜を形成す
る。なお、この方法を用いた場合、発光中心元素原料は
IIa 族元素原料と同時に供給するようにすることができ
る。
【００１３】また、気相成長法以外に、スパッタ法によ
り第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と第２のIIa −VIb 族
化合物薄膜を連続して成膜するようにしてもよい。ま
た、このスパッタ法を用いた場合、スパッタリング中に
ハロゲン化合物ガスを導入して第１のIIa −VIb 族化合
物薄膜を形成し、ハロゲン化合物ガスの供給を停止する
ことにより第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成するよ
うにして、発光層を形成することができる。
り第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と第２のIIa −VIb 族
化合物薄膜を連続して成膜するようにしてもよい。ま
た、このスパッタ法を用いた場合、スパッタリング中に
ハロゲン化合物ガスを導入して第１のIIa −VIb 族化合
物薄膜を形成し、ハロゲン化合物ガスの供給を停止する
ことにより第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成するよ
うにして、発光層を形成することができる。
【００１４】さらに、発光層を形成する他の方法として
は、発光中心元素及びハロゲン元素を添加したIIa −VI
b 族化合物ペレットと、発光中心元素を添加したIIa −
VIb族化合物ペレットを用いた蒸着法により、真空状態
を維持した状態にて第１のIIa −VIb 族化合物薄膜及び
第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を連続して形成する方法
を用いることができる。
は、発光中心元素及びハロゲン元素を添加したIIa −VI
b 族化合物ペレットと、発光中心元素を添加したIIa −
VIb族化合物ペレットを用いた蒸着法により、真空状態
を維持した状態にて第１のIIa −VIb 族化合物薄膜及び
第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を連続して形成する方法
を用いることができる。
【００１５】なお、上記した発光層を構成するIIa 族元
素としては、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウ
ム）、Ｂａ（バリウム）から選択された少なくとも１種
を用いることができる。また、VIb 族元素としては、Ｓ
（硫黄）又はＳｅを用いることができる。さらに、発光
層中に添加される発光中心元素としては、ＣｅまたはＥ
ｕ（ユーロピウム）を用いることができる。
素としては、Ｃａ（カルシウム）、Ｓｒ（ストロンチウ
ム）、Ｂａ（バリウム）から選択された少なくとも１種
を用いることができる。また、VIb 族元素としては、Ｓ
（硫黄）又はＳｅを用いることができる。さらに、発光
層中に添加される発光中心元素としては、ＣｅまたはＥ
ｕ（ユーロピウム）を用いることができる。
【００１６】
（第１実施例）以下、本発明を具体的な実施例に基づい
て説明する。図１は本発明に係るＥＬ素子１０の断面を
示した模式図である。なお、図１のＥＬ素子１０では、
矢印方向に光を取り出している。
て説明する。図１は本発明に係るＥＬ素子１０の断面を
示した模式図である。なお、図１のＥＬ素子１０では、
矢印方向に光を取り出している。
【００１７】薄膜ＥＬ素子１０は、絶縁性基板であるガ
ラス基板１１上に、光学的に透明なＺｎＯ（酸化亜鉛）
からなる第１透明電極（第１電極）１２、光学的に透明
なＴａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層１３、発光層１４、光
学的に透明なＺｎＳキャップ層１５、光学的に透明なＴ
ａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層１６、光学的に透明なＺｎ
Ｏからなる第２透明電極（第２電極）１７が順次積層さ
れて形成されている。なお、発光層１４は、発光中心と
してＣｅを添加しさらにＣｌが添加されたＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ及びＣｌが添加されていないＳｒ
Ｓ：Ｃｅ薄膜１４Ｂから構成されている。
ラス基板１１上に、光学的に透明なＺｎＯ（酸化亜鉛）
からなる第１透明電極（第１電極）１２、光学的に透明
なＴａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層１３、発光層１４、光
学的に透明なＺｎＳキャップ層１５、光学的に透明なＴ
ａ2 Ｏ5 からなる第１絶縁層１６、光学的に透明なＺｎ
Ｏからなる第２透明電極（第２電極）１７が順次積層さ
れて形成されている。なお、発光層１４は、発光中心と
してＣｅを添加しさらにＣｌが添加されたＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ及びＣｌが添加されていないＳｒ
Ｓ：Ｃｅ薄膜１４Ｂから構成されている。
【００１８】次に、上記薄膜ＥＬ素子１０の製造方法に
ついて説明する。なお、以下の説明における各層の膜厚
は、ガラス基板１１の中央の部分を基準として記述して
ある。まず、ガラス基板１１上に第１透明電極１２を成
膜した。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧａ2 Ｏ
3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状に成形
したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティン
グ装置を用いた。具体的には、上記ガラス基板１１の温
度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を
真空に排気した。その後、Ａｒ（アルゴン）ガスを導入
して圧力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉ
ｎの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整し
た。
ついて説明する。なお、以下の説明における各層の膜厚
は、ガラス基板１１の中央の部分を基準として記述して
ある。まず、ガラス基板１１上に第１透明電極１２を成
膜した。蒸着材料としては、ＺｎＯ粉末にＧａ2 Ｏ
3 （酸化ガリウム）を加えて混合し、ペレット状に成形
したものを用い、成膜装置としてはイオンプレーティン
グ装置を用いた。具体的には、上記ガラス基板１１の温
度を一定に保持したままイオンプレーティング装置内を
真空に排気した。その後、Ａｒ（アルゴン）ガスを導入
して圧力を一定に保ち、成膜速度が６〜１８ｎｍ／ｍｉ
ｎの範囲となるようビーム電力及び高周波電力を調整し
た。
【００１９】次に、第１透明電極１２上に、Ｔａ2 Ｏ5
からなる第１絶縁層１３をスパッタ法により形成した。
具体的には、ガラス基板１１の温度を一定に保持し、ス
パッタ装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入
し、１ＫＷの高周波電力で成膜を行った。上記第１絶縁
層１３上に、ＳｒＳを母体材料とし、発光中心としてＣ
ｅを、ハロゲン元素としてＣｌを添加したＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ及びＣｌを添加していないＳｒＳ：
Ｃｅ薄膜１４Ｂからなる発光層１４を、ＭＯＣＶＤ（有
機金属気相成長）法により形成した。
からなる第１絶縁層１３をスパッタ法により形成した。
具体的には、ガラス基板１１の温度を一定に保持し、ス
パッタ装置内にＡｒとＯ2 （酸素）の混合ガスを導入
し、１ＫＷの高周波電力で成膜を行った。上記第１絶縁
層１３上に、ＳｒＳを母体材料とし、発光中心としてＣ
ｅを、ハロゲン元素としてＣｌを添加したＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａ及びＣｌを添加していないＳｒＳ：
Ｃｅ薄膜１４Ｂからなる発光層１４を、ＭＯＣＶＤ（有
機金属気相成長）法により形成した。
【００２０】具体的には、ガラス基板１１を４００℃に
保持し、反応室内を減圧雰囲気下にした後、Ａｒキャリ
アガスを用いてＳｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 （ビスジピバロ
イルメタン化ストロンチウム）を、またＡｒ希釈したＨ
2 Ｓ（硫化水素）を流した。また、発光中心の添加のた
めに、トリジピバロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（Ｃ11
Ｈ19Ｏ2 ）3 ）を反応室へ導入した。そのときＣｅ（Ｃ
11Ｈ19Ｏ2 ）3 （トリジピバロイルメタン化セリウム）
ソースの温度を１００〜１２０℃に加熱し、キャリアガ
スとしてＡｒを用いた。
保持し、反応室内を減圧雰囲気下にした後、Ａｒキャリ
アガスを用いてＳｒ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2 ）2 （ビスジピバロ
イルメタン化ストロンチウム）を、またＡｒ希釈したＨ
2 Ｓ（硫化水素）を流した。また、発光中心の添加のた
めに、トリジピバロイルメタン化セリウム（Ｃｅ（Ｃ11
Ｈ19Ｏ2 ）3 ）を反応室へ導入した。そのときＣｅ（Ｃ
11Ｈ19Ｏ2 ）3 （トリジピバロイルメタン化セリウム）
ソースの温度を１００〜１２０℃に加熱し、キャリアガ
スとしてＡｒを用いた。
【００２１】さらに、ハロゲン元素を添加するために、
ＨＣｌ（塩化水素）ガスをＡｒで０．０５ａｔ％以下の
濃度になるように希釈し、この混合ガスを反応室内に導
入した。この方法にて、おおよそ５００ｎｍの厚さにな
るようにＣｌ及びＣｅを共に添加したＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ
ｌ薄膜１４Ａを成長させた。次に、Ｃｌの供給原料であ
るＨＣｌガスの供給を停止し、Ｃｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ
薄膜１４Ｂを１００ｎｍ成長させた。
ＨＣｌ（塩化水素）ガスをＡｒで０．０５ａｔ％以下の
濃度になるように希釈し、この混合ガスを反応室内に導
入した。この方法にて、おおよそ５００ｎｍの厚さにな
るようにＣｌ及びＣｅを共に添加したＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃ
ｌ薄膜１４Ａを成長させた。次に、Ｃｌの供給原料であ
るＨＣｌガスの供給を停止し、Ｃｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ
薄膜１４Ｂを１００ｎｍ成長させた。
【００２２】発光層１４を形成する時の反応炉内の圧力
は、反応炉とポンプの間に取り付けた圧力調節器にて反
応室の全圧力を一定に維持した。上記Ｃｅ添加のＳｒ
Ｓ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの成長後、ＭＯＣＶＤ法にてＺｎ
（Ｃ 2 Ｈ5 ）2 （ジエチル亜鉛）とＨ2 Ｓ（硫化水素）
を原料に用いてＺｎＳ薄膜を１００〜２００ｎｍの厚さ
になるように形成した。
は、反応炉とポンプの間に取り付けた圧力調節器にて反
応室の全圧力を一定に維持した。上記Ｃｅ添加のＳｒ
Ｓ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの成長後、ＭＯＣＶＤ法にてＺｎ
（Ｃ 2 Ｈ5 ）2 （ジエチル亜鉛）とＨ2 Ｓ（硫化水素）
を原料に用いてＺｎＳ薄膜を１００〜２００ｎｍの厚さ
になるように形成した。
【００２３】次に、ＺｎＳ層１５上に、Ｔａ2 Ｏ5 から
なる第２絶縁層１６を上述の第１絶縁層１３と同様の方
法で形成した。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明電極
１７を、上述の第１透明電極１２と同様の方法により、
第２絶縁層１６上に形成した。各層の膜厚は、第１、第
２透明電極１２、１７が２００ｎｍ、第１、第２絶縁層
１３、１６が３００ｎｍ、発光層１４が６００ｎｍであ
る。
なる第２絶縁層１６を上述の第１絶縁層１３と同様の方
法で形成した。そして、ＺｎＯ膜からなる第２透明電極
１７を、上述の第１透明電極１２と同様の方法により、
第２絶縁層１６上に形成した。各層の膜厚は、第１、第
２透明電極１２、１７が２００ｎｍ、第１、第２絶縁層
１３、１６が３００ｎｍ、発光層１４が６００ｎｍであ
る。
【００２４】図２に、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を
変化させ、第２絶縁層１６まで形成したものについて、
浸水試験を行った結果を示す。ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂ
が５０ｎｍ未満の膜厚では、図に示すように耐湿性に問
題があり、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を５０ｎｍ以
上にすることにより、耐湿性を向上させることができ
た。また、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂを１００ｎｍ以上と
した場合には非常に高い耐湿性が得られた。
変化させ、第２絶縁層１６まで形成したものについて、
浸水試験を行った結果を示す。ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂ
が５０ｎｍ未満の膜厚では、図に示すように耐湿性に問
題があり、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を５０ｎｍ以
上にすることにより、耐湿性を向上させることができ
た。また、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂを１００ｎｍ以上と
した場合には非常に高い耐湿性が得られた。
【００２５】また、実際に作製した試料において６０Ｈ
ｚの交流電圧を使用したときの、発光輝度特性を図３に
示す。ここで、従来法１はＣｌを添加していない発光層
を用いた場合のＥＬ素子、従来法２は薄膜全体にＣｌを
添加した発光層を用いた場合のＥＬ素子の発光輝度特性
である。従来法１に比べて発光閾値電圧は３０ｖ低下し
ている。また、発光閾値電圧＋４０ｖの電圧のところで
の発光輝度は、従来法１に比べて著しく向上している。
また、従来法２に比べると発光閾値電圧は同様に３０ｖ
程度低下したが、発光輝度については僅かに低下した。
ｚの交流電圧を使用したときの、発光輝度特性を図３に
示す。ここで、従来法１はＣｌを添加していない発光層
を用いた場合のＥＬ素子、従来法２は薄膜全体にＣｌを
添加した発光層を用いた場合のＥＬ素子の発光輝度特性
である。従来法１に比べて発光閾値電圧は３０ｖ低下し
ている。また、発光閾値電圧＋４０ｖの電圧のところで
の発光輝度は、従来法１に比べて著しく向上している。
また、従来法２に比べると発光閾値電圧は同様に３０ｖ
程度低下したが、発光輝度については僅かに低下した。
【００２６】図４に、上記のようにして製造されたＥＬ
素子１０について耐水試験を行った結果を示す。この耐
水試験は、第２絶縁層１６を形成した時点で水中に浸
し、水分の浸入等により発光層の剥離が０．１mm以上の
大きさになった時点の浸水時間を測定したものである。
同上の従来法１と同程度の耐水性を有し、また従来法２
と比べると著しい耐水性の向上が見られた。
素子１０について耐水試験を行った結果を示す。この耐
水試験は、第２絶縁層１６を形成した時点で水中に浸
し、水分の浸入等により発光層の剥離が０．１mm以上の
大きさになった時点の浸水時間を測定したものである。
同上の従来法１と同程度の耐水性を有し、また従来法２
と比べると著しい耐水性の向上が見られた。
【００２７】また、ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａの膜
厚を２００ｎｍとし、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を
４００ｎｍとしたＥＬ素子についても検討を行った。図
５に、このＥＬ素子の発光輝度特性を示す。従来法１と
比較すると発光輝度は高いが、従来法２と比較すると発
光輝度はやや低い。また、図６に耐水試験を行った結果
を示す。従来法１とほぼ同程度の耐水性を持ち合わせて
おり、同上従来法２の吸湿性を著しく改善することがで
きた。
厚を２００ｎｍとし、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を
４００ｎｍとしたＥＬ素子についても検討を行った。図
５に、このＥＬ素子の発光輝度特性を示す。従来法１と
比較すると発光輝度は高いが、従来法２と比較すると発
光輝度はやや低い。また、図６に耐水試験を行った結果
を示す。従来法１とほぼ同程度の耐水性を持ち合わせて
おり、同上従来法２の吸湿性を著しく改善することがで
きた。
【００２８】以上のことから、本実施例の方法により発
光層１４を形成することにより、高い輝度を有し、さら
に洗浄及びウェットエッチング等のウェットプロセスに
十分に耐え得る薄膜の形成が可能になった。なお、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａは、結晶が（２００）配向し
ており、この上にＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂを形成した場
合、その配向性が維持されて形成されるため、表面が平
坦となり絶縁耐圧を向上させることができる。但し、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａの膜厚を１００ｎｍより薄
くすると、その結晶化を十分とすることができないた
め、その上に形成するＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの配向性
を変えることができず、（１１１）配向となるため、膜
表面を平坦化することができない。従って、膜表面を平
坦化して絶縁耐圧を向上させるためには、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａの膜厚を１００ｎｍ以上とする必要
があり、好ましくは上記実施例に示すように２００ｎｍ
以上とするのがよい。
光層１４を形成することにより、高い輝度を有し、さら
に洗浄及びウェットエッチング等のウェットプロセスに
十分に耐え得る薄膜の形成が可能になった。なお、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａは、結晶が（２００）配向し
ており、この上にＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂを形成した場
合、その配向性が維持されて形成されるため、表面が平
坦となり絶縁耐圧を向上させることができる。但し、Ｓ
ｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａの膜厚を１００ｎｍより薄
くすると、その結晶化を十分とすることができないた
め、その上に形成するＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの配向性
を変えることができず、（１１１）配向となるため、膜
表面を平坦化することができない。従って、膜表面を平
坦化して絶縁耐圧を向上させるためには、ＳｒＳ：Ｃ
ｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａの膜厚を１００ｎｍ以上とする必要
があり、好ましくは上記実施例に示すように２００ｎｍ
以上とするのがよい。
【００２９】また、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を６
００ｎｍ以上にすると、その薄膜表面の凹凸が著しくな
るため、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を６００ｎｍよ
り薄くする必要がある。 （第２実施例）この実施例においては、発光層１４の形
成を、２元ターゲットを用いたスパッタ法を用いて行っ
た。第１ターゲットは、４重量％のＣｅ添加のＳｒＳ：
Ｃｅ粉末を仮焼し、再び粉砕した粉末を９００℃の温度
でプレス成形したものを用いた。また、ハロゲン元素を
添加した第２ターゲットは、４重量％のＣｅＣｌ3 （塩
化セリウム）添加のＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 粉末を仮焼し、
再び粉砕した粉末を９００℃の温度でプレス成形したも
のを用いた。なお、この発光層１４の形成以外は、第１
実施例と同様である。
００ｎｍ以上にすると、その薄膜表面の凹凸が著しくな
るため、ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１４Ｂの膜厚を６００ｎｍよ
り薄くする必要がある。 （第２実施例）この実施例においては、発光層１４の形
成を、２元ターゲットを用いたスパッタ法を用いて行っ
た。第１ターゲットは、４重量％のＣｅ添加のＳｒＳ：
Ｃｅ粉末を仮焼し、再び粉砕した粉末を９００℃の温度
でプレス成形したものを用いた。また、ハロゲン元素を
添加した第２ターゲットは、４重量％のＣｅＣｌ3 （塩
化セリウム）添加のＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 粉末を仮焼し、
再び粉砕した粉末を９００℃の温度でプレス成形したも
のを用いた。なお、この発光層１４の形成以外は、第１
実施例と同様である。
【００３０】発光層１４の具体的な形成法を以下に説明
する。 （１）まず、発光層１４を形成するためのガラス基板を
基板ホルダーにセットし、第１ターゲットを備えた成膜
室に搬送し真空引きを行った。真空ポンプにて１０-5Ｐ
ａ以上の真空度になったことを確認し、ガラス基板の加
熱温度を５００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓの混
合ガスを導入し、最終的な圧力を４．０Ｐａに調節し
た。スパッタに要した高周波電力は１００Ｗであり、プ
リスパッタを１０分程度行った後、１００ｎｍの薄膜を
形成した。
する。 （１）まず、発光層１４を形成するためのガラス基板を
基板ホルダーにセットし、第１ターゲットを備えた成膜
室に搬送し真空引きを行った。真空ポンプにて１０-5Ｐ
ａ以上の真空度になったことを確認し、ガラス基板の加
熱温度を５００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓの混
合ガスを導入し、最終的な圧力を４．０Ｐａに調節し
た。スパッタに要した高周波電力は１００Ｗであり、プ
リスパッタを１０分程度行った後、１００ｎｍの薄膜を
形成した。
【００３１】（１）次に、予め１０-5Ｐａ以上の真空度
に保たれた第２ターゲットを備えた成膜室に、上記ガラ
ス基板を含めた基板ホルダーを搬送し、基板加熱にて５
００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓの混合ガスを導
入し、圧力調節器により成膜室内圧力を４．０Ｐａに保
持した。この場合にもスパッタに要した高周波電力は１
００Ｗであり、プリスパッタを１０分程度行った後、１
００ｎｍの薄膜を形成した。
に保たれた第２ターゲットを備えた成膜室に、上記ガラ
ス基板を含めた基板ホルダーを搬送し、基板加熱にて５
００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓの混合ガスを導
入し、圧力調節器により成膜室内圧力を４．０Ｐａに保
持した。この場合にもスパッタに要した高周波電力は１
００Ｗであり、プリスパッタを１０分程度行った後、１
００ｎｍの薄膜を形成した。
【００３２】上記（１）（２）の操作を２度繰り返した
後、再び（１）の操作を行った。但し、この時の膜厚は
１００ｎｍではなく２００ｎｍとし、発光層１４全体の
膜厚を６００ｎｍとした。図７に、第２絶縁層まで形成
した状態で、浸水試験を行った結果を示す。図中の従来
法とは、ＣｅＣｌ3 を添加したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用
いて発光層を形成したものである。従来法では最長でも
１０分で、水と発光層の反応による膜質の変化が生じた
が、上記実施例による方法によれば、多少のばらつきは
あるが３０分以上は膜質の変化が見られず、実験最長時
間の２時間を過ぎても膜質の変化がみられないサンプル
が多くみられた。
後、再び（１）の操作を行った。但し、この時の膜厚は
１００ｎｍではなく２００ｎｍとし、発光層１４全体の
膜厚を６００ｎｍとした。図７に、第２絶縁層まで形成
した状態で、浸水試験を行った結果を示す。図中の従来
法とは、ＣｅＣｌ3 を添加したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用
いて発光層を形成したものである。従来法では最長でも
１０分で、水と発光層の反応による膜質の変化が生じた
が、上記実施例による方法によれば、多少のばらつきは
あるが３０分以上は膜質の変化が見られず、実験最長時
間の２時間を過ぎても膜質の変化がみられないサンプル
が多くみられた。
【００３３】このように多元ターゲットを用いたスパッ
タ法によっても耐水性を兼ね備えた青緑色ＥＬ素子を製
造することができる。 （第３実施例）この実施例においては、発光層１４を、
ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて形成した。なお、
この発光層１４の形成以外は、第１実施例と同様であ
る。
タ法によっても耐水性を兼ね備えた青緑色ＥＬ素子を製
造することができる。 （第３実施例）この実施例においては、発光層１４を、
ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いて形成した。なお、
この発光層１４の形成以外は、第１実施例と同様であ
る。
【００３４】発光層１４の具体的な形成法を以下に説明
する。まず、発光層を形成するためのガラス基板を基板
ホルダーにセットし、ＳｒＳ：Ｃｅターゲットを備えた
成膜室に搬送し真空引きを行った。真空ポンプにて１０
-5Ｐａ以上の高真空になったことを確認し、ガラス基板
の加熱温度を５００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓ
及びＨＣｌの混合ガスを導入し、最終的な圧力を４．０
Ｐａに調節した。スパッタに要した高周波電力は１００
Ｗであり、プリスパッタを１０分間程度行った後、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａを５００ｎｍ形成した。
する。まず、発光層を形成するためのガラス基板を基板
ホルダーにセットし、ＳｒＳ：Ｃｅターゲットを備えた
成膜室に搬送し真空引きを行った。真空ポンプにて１０
-5Ｐａ以上の高真空になったことを確認し、ガラス基板
の加熱温度を５００℃に保持した。次に、ＡｒとＨ2 Ｓ
及びＨＣｌの混合ガスを導入し、最終的な圧力を４．０
Ｐａに調節した。スパッタに要した高周波電力は１００
Ｗであり、プリスパッタを１０分間程度行った後、Ｓｒ
Ｓ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜１４Ａを５００ｎｍ形成した。
【００３５】次に、導入するガスをＡｒとＨ2 Ｓの混合
ガスに変更した。但し、導入ガス流量は、上記Ａｒ、Ｈ
2 Ｓ及びＨＣｌの混合ガスを導入した量と同量とした。
スパッタリングの条件としては、上記条件と同じであ
り、同方法にて１００ｎｍの膜厚のＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１
４Ｂを形成した。図８に、第２絶縁層まで形成した状態
で、浸水試験を行った結果を示す。図中の従来法とは、
ＣｅＣｌ3 を添加したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用いて発光
層を形成したものである。本実施例により作製したサン
プルは、従来法にて作製したサンプルに較べて大幅に改
善されており、平均耐水時間は従来法で作製したサンプ
ルの１００倍以上になった。 （第４実施例）この実施例においては、発光層１４を、
電子ビーム蒸着法を用いて形成した。なお、この発光層
１４の形成以外は、第１実施例と同様である。
ガスに変更した。但し、導入ガス流量は、上記Ａｒ、Ｈ
2 Ｓ及びＨＣｌの混合ガスを導入した量と同量とした。
スパッタリングの条件としては、上記条件と同じであ
り、同方法にて１００ｎｍの膜厚のＳｒＳ：Ｃｅ薄膜１
４Ｂを形成した。図８に、第２絶縁層まで形成した状態
で、浸水試験を行った結果を示す。図中の従来法とは、
ＣｅＣｌ3 を添加したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用いて発光
層を形成したものである。本実施例により作製したサン
プルは、従来法にて作製したサンプルに較べて大幅に改
善されており、平均耐水時間は従来法で作製したサンプ
ルの１００倍以上になった。 （第４実施例）この実施例においては、発光層１４を、
電子ビーム蒸着法を用いて形成した。なお、この発光層
１４の形成以外は、第１実施例と同様である。
【００３６】発光層１４の具体的な形成法を以下に説明
する。まず、発光層を形成するためのガラス基板を基板
ホルダーにセットし、Ｃｅ及びＦ（フッ素）をＳｒＳに
添加したペレットを備えた成膜室に搬送し、真空引きを
行った。真空ポンプにて１０-5Ｐａ以上の高真空になっ
たことを確認し、ガラス基板の加熱温度を３００℃に保
持した。次に、ペレットに照射するビーム電力を成膜速
度：６０ｎｍ／ｍｉｎの一定速度になるように調節し
た。このようにしてＣｅ及びＦ添加のＳｒＳ：Ｃｅ、Ｆ
薄膜を形成した。
する。まず、発光層を形成するためのガラス基板を基板
ホルダーにセットし、Ｃｅ及びＦ（フッ素）をＳｒＳに
添加したペレットを備えた成膜室に搬送し、真空引きを
行った。真空ポンプにて１０-5Ｐａ以上の高真空になっ
たことを確認し、ガラス基板の加熱温度を３００℃に保
持した。次に、ペレットに照射するビーム電力を成膜速
度：６０ｎｍ／ｍｉｎの一定速度になるように調節し
た。このようにしてＣｅ及びＦ添加のＳｒＳ：Ｃｅ、Ｆ
薄膜を形成した。
【００３７】次に、ＣｅをＳｒＳに添加したペレットに
変更し、上記同様の方法にてＣｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ薄
膜を形成した。上記のようにして、ＳｒＳ; Ｃｅ、Ｆ及
びＳｒＳ：Ｃｅの複合膜を厚さ７００ｎｍで形成した。
図９に、第２絶縁層まで形成した状態で、浸水試験を行
った結果を示す。図中の従来法とは、ＣｅＣｌ3 を添加
したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用いて発光層を形成したもの
である。本実施例により作製したサンプルは、従来法に
て作製したサンプルに較べて大幅に改善されており、平
均耐水時間は従来法で作製したサンプルの１００倍以上
になった。
変更し、上記同様の方法にてＣｅ添加のＳｒＳ：Ｃｅ薄
膜を形成した。上記のようにして、ＳｒＳ; Ｃｅ、Ｆ及
びＳｒＳ：Ｃｅの複合膜を厚さ７００ｎｍで形成した。
図９に、第２絶縁層まで形成した状態で、浸水試験を行
った結果を示す。図中の従来法とは、ＣｅＣｌ3 を添加
したＳｒＳ：ＣｅＣｌ3 を用いて発光層を形成したもの
である。本実施例により作製したサンプルは、従来法に
て作製したサンプルに較べて大幅に改善されており、平
均耐水時間は従来法で作製したサンプルの１００倍以上
になった。
【図１】本発明の第１実施例に係るＥＬ素子の断面を示
した模式図である。
した模式図である。
【図２】第１実施例に係るＥＬ素子の発光層におけるＳ
ｒＳ：Ｃｅ薄膜の膜厚と耐水時間の関係を示した図であ
る。
ｒＳ：Ｃｅ薄膜の膜厚と耐水時間の関係を示した図であ
る。
【図３】第１実施例に係るＥＬ素子の発光輝度と印加電
圧の関係を表した図である。
圧の関係を表した図である。
【図４】第１実施例に係るＥＬ素子の浸水時間を他の方
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
【図５】第１実施例に係るＥＬ素子の膜厚を変化させた
例の発光輝度と印加電圧の関係を表した図である。
例の発光輝度と印加電圧の関係を表した図である。
【図６】第１実施例に係るＥＬ素子の膜厚を変化させた
例の浸水時間を他の方法で作製したＥＬ素子と比較した
図である。
例の浸水時間を他の方法で作製したＥＬ素子と比較した
図である。
【図７】第２実施例に係るＥＬ素子の浸水時間を他の方
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
【図８】第３実施例に係るＥＬ素子の浸水時間を他の方
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
【図９】第４実施例に係るＥＬ素子の浸水時間を他の方
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
法で作製したＥＬ素子と比較した図である。
１０…ＥＬ素子、１１…ガラス基板（絶縁性基板）、１
２…第１透明電極（第１電極）、１３…第１絶縁層、１
４…発光層、１４Ａ…ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜、１４Ｂ
…ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜、１５…ＺｎＳキャップ層、１６…
第２絶縁層、１７…第２透明電極（第２電極）。
２…第１透明電極（第１電極）、１３…第１絶縁層、１
４…発光層、１４Ａ…ＳｒＳ：Ｃｅ、Ｃｌ薄膜、１４Ｂ
…ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜、１５…ＺｎＳキャップ層、１６…
第２絶縁層、１７…第２透明電極（第２電極）。
Claims (14)
- 【請求項１】 基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層及び第２電極が積層形成され、少なくと
も前記発光層からの光取り出し側を光学的に透明なもの
としたエレクトロルミネッセンス素子において、 前記発光層が、発光中心元素を添加した第１のIIa −VI
b 族化合物薄膜と、発光中心元素及びハロゲン元素を添
加した第２のIIa −VIb 族化合物薄膜とを有して構成さ
れており、前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜が前記発
光層の最上層とされていることを特徴とするエレクトロ
ルミネッセンス素子。 - 【請求項２】 前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜の上
にキャップ層が形成されていることを特徴とする請求項
１に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項３】 前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜の膜
厚は、５０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１又
は２に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項４】 前記第２のIIa −VIb 族化合物薄膜が前
記発光層の最下層とされていることを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか１つに記載のエレクトロルミネッセ
ンス素子。 - 【請求項５】 前記第２のIIa −VIb 族化合物薄膜の膜
厚は、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４
に記載のエレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項６】 基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光
層、第２絶縁層及び第２電極が積層形成され、少なくと
も前記発光層からの光取り出し側を光学的に透明なもの
としたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法におい
て、 発光中心元素及びハロゲン元素を添加した第１のIIa −
VIb 族化合物薄膜と、発光中心元素を添加した第２のII
a −VIb 族化合物薄膜とを連続成膜する工程を有して、
前記第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を最上層とする前記
発光層を形成することを特徴とするエレクトロルミネッ
センス素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記発光層を形成する工程は、気相成長
法を用い、ハロゲン元素原料を他のプロセスガスと同時
に供給して前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成
し、ハロゲン元素の供給を停止することにより前記第２
のIIa −VIb 族化合物薄膜を連続して成膜する工程を有
することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミ
ネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記気相成長法は、IIa 族元素、VIb 族
元素及び発光中心元素の原料のうち少なくとも１種に有
機金属を用いた有機金属気相成長法であることを特徴と
する請求項７に記載のエレクトロルミネッセンス素子の
製造方法。 - 【請求項９】 前記気相成長法を用いて発光層を形成す
る工程は、発光層をIIa 族元素原料とVIb 族元素原料を
交互に供給する方法を用い、ハロゲン元素原料をVIb 族
元素原料と同時に供給することにより前記第１のIIa −
VIb 化合物薄膜を形成し、ハロゲン元素原料の供給を停
止することにより前記第２のIIa −VIb 化合物薄膜を形
成するものであることを特徴とする請求項７に記載のエ
レクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項１０】 発光中心元素原料をIIa 族元素原料と
同時に供給することを特徴とする請求項９に記載のエレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項１１】 前記発光層を形成する工程は、スパッ
タ法により前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と前記第
２のIIa −VIb 族化合物薄膜を連続して成膜する工程を
有することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法。 - 【請求項１２】 スパッタリング中にハロゲン化合物ガ
スを導入して前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成
し、ハロゲン化合物ガスの供給を停止することにより前
記第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を形成することを特徴
とする請求項１１に記載のエレクトロルミネッセンス素
子の製造方法。 - 【請求項１３】 前記発光層を形成する工程は、蒸着法
により前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜と前記第２の
IIa −VIb 族化合物薄膜を連続して成膜する工程を有す
ることを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。 - 【請求項１４】 発光中心元素及びハロゲン元素を添加
したIIa −VIb 族化合物ペレットと、発光中心元素を添
加したIIa −VIb 族化合物ペレットを用い、真空状態を
維持した状態にて前記第１のIIa −VIb 族化合物薄膜及
び前記第２のIIa −VIb 族化合物薄膜を連続して形成す
ることを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネ
ッセンス素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09886795A JP3543414B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09886795A JP3543414B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293384A true JPH08293384A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3543414B2 JP3543414B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=14231148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09886795A Expired - Fee Related JP3543414B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3543414B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113488596A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-08 | 华中科技大学 | 一种Ce3+基卤化物电致发光器件 |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP09886795A patent/JP3543414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113488596A (zh) * | 2021-06-30 | 2021-10-08 | 华中科技大学 | 一种Ce3+基卤化物电致发光器件 |
| CN113488596B (zh) * | 2021-06-30 | 2022-05-20 | 华中科技大学 | 一种Ce3+基卤化物电致发光器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3543414B2 (ja) | 2004-07-14 |
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