JPH08286039A - 光ファイバ型回折格子の作製方法 - Google Patents

光ファイバ型回折格子の作製方法

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JPH08286039A
JPH08286039A JP7090877A JP9087795A JPH08286039A JP H08286039 A JPH08286039 A JP H08286039A JP 7090877 A JP7090877 A JP 7090877A JP 9087795 A JP9087795 A JP 9087795A JP H08286039 A JPH08286039 A JP H08286039A
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JP
Japan
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optical fiber
ultraviolet light
refractive index
diffraction grating
hydrogen
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Application number
JP7090877A
Other languages
English (en)
Inventor
Maki Inai
麻紀 稲井
Masumi Ito
真澄 伊藤
Tadashi Enomoto
正 榎本
Susumu Inoue
享 井上
Masaichi Mobara
政一 茂原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
  • Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 屈折率変化が略軸対称で、特定波長の光成分
に対する反射率を増大させるファイバ型回折格子の作製
方法を提供する。 【構成】 駆動モータ110に連結された回転チャック
120に装着し、駆動モータ110を動作させることに
より、光ファイバ10を回転させる。こうして、光ファ
イバ10を回転させながら、干渉機構40を用いて干渉
空間50を生成するように、光源30から出射された連
続光である紫外光を干渉させて照射して、屈折率変化を
生じさせ、略軸対称の回折格子を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ファイバのコア部の
屈折率を光軸に沿って周期的に変化させて回折格子を形
成する光ファイバ型回折格子の作製方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】近年、光ファイバ通信技術の進展に伴
い、ネットワークの複雑化や信号波長の多重化などが進
行し、システム構成は高度化しつつある。このような光
通信システムでは、光回路素子の重要性が増大してい
る。
【0003】光回路素子における一般的構成の一つとし
てファイバ型素子は、小型で挿入損失が小さいことや、
光ファイバとの接続が容易であること等の利点を有して
いる。そして、このようなファイバ型素子として、ファ
イバ型フィルターが知られている。
【0004】最近では、コア部に酸化ゲルマニウムをド
ープした石英系光ファイバについて、紫外光照射によっ
てコア部の屈折率が変化するという知見が周知であり、
このような光誘起屈折率変化を利用したファイバ型フィ
ルターとして、光ファイバ型回折格子が研究開発されて
いる。
【0005】この光ファイバ型回折格子は、光ファイバ
内を進行する光のうち特定波長の光成分を反射するもの
であり、一般に、紫外光の照射によって光ファイバのコ
ア部に屈折率が光軸に沿って周期的に変化した領域を形
成することにより作製されている。この作製方法には、
信頼性の高い光ファイバ型回折格子を生産性良く作製す
ることができるという利点がある。
【0006】このような光ファイバ型回折格子において
は反射率Rが重要な特性であり、この反射率Rは、グレ
ーティング長(コア部の屈折率が光軸に沿って周期的に
変化した領域の長さ)と光誘起による屈折率の変化量に
依存する。この関係は、次式のように表される。
【0007】R=tanh2 (LπΔn/λR ) ここで、Rは反射率、Lはグレーティング長、Δnは光
誘起による屈折率の変化量、λR は反射波長である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】紫外光照射による屈折
率変化は、コア部のガラス中に存在するゲルマニウム関
連のガラス欠陥に起因することが知られている。しか
し、従来のような濃度で酸化ゲルマニウム(GeO2
をコア部にドープしただけの通常の通信用ガラス光ファ
イバではガラス欠陥の数が少ないため、紫外光を照射し
ても屈折率変化量Δnが小さく、したがって、上記の式
から明らかなように反射率も低い。具体的に言えば、紫
外光照射によるコア部の屈折率変化は10-5程度であ
り、反射率は数%と過小である。
【0009】反射率を高くするためには、上記の式が示
すようにグレーティング長Lを大きくする方法もある
が、紫外光レーザビームを照射するにあたって、レーザ
ビームに高い均一性が要求され、そのために紫外光照射
を行う光学系が複雑になるという問題点がある。また、
ガラス欠陥が少ないため、紫外光照射による屈折率変化
の速度が遅く、反射率を高くしようとすると、照射時間
が長くなって生産性が低下するという問題点がある。
【0010】本発明は、光ファイバについて存在する上
記の問題点に鑑みなされたものであり、反射率の高く、
反射特性の径方向についての依存性を低減した光ファイ
バ型回折格子を容易に、生産性良く作製する方法を提供
することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ファイバ
型回折格子の作製方法は、上記の目的を達成するため
に、光ファイバの所定領域について、紫外光照射手段か
ら出射された紫外光を光ファイバの周方向に関して略均
一に照射し、所定領域のコア部の屈折率を変化させる屈
折率変化工程を備える、ことを特徴とする。
【0012】ここで、光ファイバの中心軸を回転中心軸
として光ファイバと紫外光照射手段とを相対的に回転さ
せることが実用的である。この場合、紫外光照射手段
から連続光を出射させ、光ファイバの中心軸を回転中心
軸として前記光ファイバと前記紫外光照射手段とを相対
的に回転させたり、紫外光照射手段から第1の周期で
パルス光を出射させるとともに、第1の周期とは同期し
ない第2の回転周期で、前記光ファイバの中心軸を回転
中心軸として前記光ファイバと前記紫外光照射手段とを
相対的に回転させることが可能である。
【0013】また、屈折率変化工程の前に、光ファイバ
のコア部に水素を添加する水素添加工程を更に備えるこ
とを特徴としてもよい。
【0014】ここで、水素添加工程は、光ファイバを水
素雰囲気で還元処理する工程であることを特徴としても
よい。
【0015】この水素添加工程における光ファイバの還
元処理は、水素雰囲気で該光ファイバを加熱して行っ
てもよいし、水素雰囲気で該光ファイバを加圧して行
ってもよい。
【0016】また、水素添加工程により光ファイバに添
加される水素の濃度は、500ppm以上であることを
特徴としてもよい。
【0017】また、水素添加工程は、水素雰囲気で光フ
ァイバを4.17atm以上の圧力で加圧する工程であ
ることを特徴としてもよい。
【0018】また、光ファイバのコア部は酸化ゲルマニ
ウムがドープされた石英ガラスからなり、光ファイバの
クラッド部の少なくともコア部の周辺は酸化ゲルマニウ
ムがドープされた石英ガラスからなることを特徴として
もよい。ここで、光ファイバのクラッド部には、フッ素
または酸化ボロンが添加されることとすることができ
る。
【0019】また、屈折率変化工程は、コヒーレント光
源からの紫外光を干渉させて生じた干渉縞を所定領域の
コア部に照射する工程であることを特徴としてもよい。
【0020】ここで、紫外光の干渉縞を、紫外光を2
つの分岐光に分岐し、一方の分岐光を前記光ファイバの
光軸方向に対して第1角度で所定領域に照射すると共
に、他方の分岐光を光軸方向に対して第1角度の補角と
なる第2角度で所定領域に照射して形成したり、紫外
光を所定周期で配列された格子を有する位相格子に照射
して、これを透過させることにより生じたさせて形成し
たりすることが可能である。
【0021】
【作用】本発明の光ファイバの所定領域について、屈折
率変化工程で紫外光照射手段から出射された紫外光を光
ファイバの周方向に関して略均一に照射し、所定領域の
コア部の屈折率を均一に変化させる。この結果、回折格
子の反射特性(反射スペクトル波形、反射率)が向上す
る。
【0022】こうした光ファイバの周方向に関して略均
一に照射にあたっては、光ファイバの中心軸を回転中心
軸として光ファイバと紫外光照射手段とを相対的に回転
させることが実用的である。具体的には、紫外光照射
手段から連続光を出射させ、光ファイバの中心軸を回転
中心軸として光ファイバと前記紫外光照射手段とを相対
的に回転させたり、紫外光照射手段から第1の周期で
パルス光を出射させるとともに、第1の周期とは同期し
ない第2の回転周期で、光ファイバの中心軸を回転中心
軸として光ファイバと紫外光照射手段とを相対的に回転
させたりすることで、光ファイバの周方向に関して略均
一に照射することを実現できる。
【0023】また、酸化ゲルマニウムをドープした石英
ガラス系の光ファイバにおいて、紫外光照射による屈折
率変化のメカニズムは、完全に解明されてはいない。し
かしながら、重要な原因として、ゲルマニウムに関連し
た酸素欠損型の欠陥が考えられており、このような欠陥
としてSi−GeまたはGe−Geなどの中性酸素モノ
空孔が想定されている。このような屈折率変化のメカニ
ズムに関しては、文献「1993年電子情報通信学会春季大
会, C-243,pp.4-279」などに記載されている。
【0024】本出願の発明者らは、酸化ゲルマニウムを
ドープした石英系の光ファイバに通常わずかしか存在し
ない酸素欠損型の欠陥を増大させることにより、紫外光
照射による屈折率変化が増大するであろうと推定した。
そして、光ファイバ内に存在するゲルマニウムに関連し
た酸素欠損型の欠陥を増大するためには、光ファイバを
水素雰囲気で還元処理することが有効であることを見出
した。
【0025】紫外光の照射による屈折率変化工程に先立
って、光ファイバを水素雰囲気で還元処理する水素添加
工程を行うことにより、光ファイバには水素が添加され
る。本発明者らの知見によれば、水素が添加された光フ
ァイバに紫外光が照射されると、添加水素が光ファイバ
材料中のゲルマニウム、シリカ、酸素と反応して、Ge
−H,Ge−OH,Si−H,Si−OHという新たな
結合を形成し、これらの結合が屈折率変化を高める。
【0026】水素添加工程において、光ファイバのコア
部に水素が添加される。このとき、光ファイバを構成す
る石英(SiO2 )や、これにドープされている酸化ゲ
ルマニウム(GeO2 )が全体的に還元され易くなり、
GeやSiと結合している酸素が一部取り除かれる現象
が発生すると推察される。結合酸素が一部取り除かれた
GeやSiが結合しあえば、Si−GeまたはGe−G
eなどの中性酸素モノ空孔、すなわち酸素欠損型の欠陥
が新たに生じることとなる。これにより、光ファイバの
コア部における酸素欠損型の欠陥が増大し、紫外光照射
による屈折率変化が高まる。
【0027】水素添加工程の後、屈折率変化工程におい
て、紫外光が周方向について略均一に所定領域のコア部
に照射されると、添加水素がコア部のゲルマニウム、シ
リカ、酸素と反応して、Ge−H,Ge−OH,Si−
H,Si−OHという結合が略軸対称に形成され、これ
らの結合が光誘起屈折率変化を高める。したがって、酸
素欠損型欠陥の増大による効果と添加水素の反応により
生成された新たな結合(Ge−H等)による効果とが相
舞って、紫外光の照射領域では大きな屈折率変化が生じ
る。
【0028】これにより、コア部に屈折率が局部的に高
まった領域が光軸に沿って配列された格子(グレーティ
ング)が形成され、光ファイバ型回折格子が完成する。
この光ファイバ型回折格子のコア部を進行する光が格子
領域に至ると、屈折率変化の周期に対応した特定波長の
光成分が十分な反射率で反射されるので、本発明の光フ
ァイバ型回折格子は光ファイバ型フィルタとして機能す
る。
【0029】水素添加工程で水素を添加するにあたって
は、光ファイバを水素雰囲気で還元処理する方法を採る
ことができる。この場合、光ファイバを構成する石英
(SiO2 )や、これにドープされている酸化ゲルマニ
ウム(GeO2 )が還元され易くなり、GeやSiと結
合している酸素が一部取り除かれる現象が発生する。結
合酸素が一部取り除かれたGeやSiが結合しあえば酸
素欠損型の欠陥が新たに生じることとなり、光ファイバ
のコア部における酸素欠損型の欠陥が増大して、紫外光
の照射による屈折率変化が高まる。
【0030】これに加えて、紫外光がコア部における複
数の所定領域に照射されると、酸素が取り除かれたGe
やSiと光ファイバに添加された水素とが反応して、G
e−H,Ge−OH,Si−H,Si−OHという結合
が形成され、これらが屈折率変化を高める。したがっ
て、酸素欠損型欠陥の増大による効果と添加水素の反応
により生成された新たな結合(Ge−H等)による効果
とが相舞って、紫外光の照射領域では大きな屈折率変化
が生じる。
【0031】また、水素添加工程における光ファイバの
還元処理について、水素雰囲気で光ファイバを加圧して
行うことが効果的である。なお、光ファイバに対する圧
力は、範囲20〜300atmに含まれていることが好
ましい。仮に、この圧力が20atm未満である場合、
光ファイバを構成するガラスと水素との反応が遅いの
で、生産性が向上しない。仮に、この圧力が300at
mを越える場合、作製設備に高耐圧性が要求されるの
で、設備費が高騰して実用的でなくなる。
【0032】また、本発明者らの知見によれば、添加さ
れる水素の濃度が500ppm以上であると、紫外光の
照射によって、十分な反射率の光ファイバ型回折格子が
得られる。500ppm以上の添加水素濃度を得るため
には、4.17気圧以上の水素雰囲気で光ファイバを加
圧すると良い。
【0033】屈折率変化工程における紫外光の照射につ
いて、紫外光を干渉させて生じた干渉縞をコア部の所定
領域に照射して行うことが容易である。なお、紫外光の
干渉縞は、分岐した紫外光の一方をコア部の軸方向に対
して第1角度で、他方を第1角度の補角となる第2角度
で、共に所定領域に照射して形成されることが適切であ
る。このホログラフィック法によれば、コア部の屈折率
変化は、これら二つの分岐光の入射角度に対応した周期
で生じる。また、紫外光の干渉縞は、所定周期で配列さ
れた格子を有する位相格子に紫外光を位相格子の面方向
に対して所定角度で照射して形成されることが適切であ
る。この位相格子法によれば、コア部の屈折率変化は、
位相格子の格子配列に対応した周期で生じる。
【0034】
【実施例】以下、本発明に係る実施例の構成及び作用に
ついて、図1〜図5を参照して説明する。なお、図面の
説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する
説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のもの
と必ずしも一致していない。
【0035】本発明の実施例に係る光ファイバ型回折格
子の作製方法では、まず、光ファイバを用意し、水素雰
囲気で光ファイバを加熱して還元処理する。図1は、水
素還元処理の説明図である。図1に示すように、炉心管
20内に光ファイバ10を設置し、バルブ21側からバ
ルブ22に向かって水素(H2 )ガスを気流として通過
させつつ、図示しないヒータで炉心管20を高温に加熱
する。この際、水素ガスの流量は、バルブ21及び22
の開閉によって調節される。
【0036】光ファイバ10は、コア部に酸化ゲルマニ
ウム(GeO2 )を含み、クラッド部に酸化ゲルマニウ
ムおよび屈折率低下剤(フッ素(F)または酸化ボロン
(B2 3 ))が添加された石英系光ファイバであり、
本実施例では、被覆のされていない裸光ファイバであ
る。裸光ファイバとするのは、加熱により被覆が損傷、
劣化するのを防ぐためである。また、炉心管20内の圧
力は、ほぼ1atmである。
【0037】なお、加熱温度とは、炉心管20内の水素
雰囲気の温度であり、これは炉心管20内に配設された
熱電対により測定される。
【0038】上記のような水素添加工程によれば、光フ
ァイバ10に添加された水素により光ファイバ10のコ
ア部やクラッド部にドープされている酸化ゲルマニウム
が還元され易くなり、GeやSiと結合している酸素が
一部取り除かれる現象が発生する。結合酸素が一部取り
除かれたGeやSiが結合しあえば、酸素欠損型の欠陥
が新たに生じることとなり、光ファイバのコア部におい
て通常わずかしか存在しない酸素欠損型の欠陥が増大す
る。
【0039】また、水素添加工程では、水素雰囲気で光
ファイバを加圧して還元処理することが可能である。
【0040】具体的には、図1に示すように、炉心管2
0内に光ファイバ10を設置し、バルブ21を開放する
と共にバルブ22を閉塞して水素(H2 )ガスを流入す
ることにより、炉心管20内を高圧で加圧する。この
際、水素ガスの注入量は、バルブ21の開閉によって調
節される。光ファイバ10は、コア部にゲルマニウム
(Ge)を含む通常の石英系光ファイバであり、二次被
覆までされた光ファイバ心線である。また、水素雰囲気
は特に加熱されているわけではないので、炉心管20内
の温度は常温のままである。
【0041】なお、光ファイバ10に対する圧力は、2
0atm以上であることが好ましいが、範囲20〜30
0atmに含まれていることがより好ましい。仮に、こ
の圧力が20atm未満である場合、光ファイバ10を
構成するガラスと水素との反応が遅いので、生産性が向
上しない。仮に、この圧力が300atmを越える場
合、製造設備に高耐圧性が要求されるので、設備費が高
騰して実用的でなくなる。
【0042】なお、上記の圧力は炉心管20内部の圧力
であり、これは炉心管20に付属の圧力計で測定され
る。
【0043】上記のような工程によれば、光ファイバ1
0に添加された水素により光ファイバ10のコア部にド
ープされている酸化ゲルマニウムが還元され易くなりG
eやSiと結合している酸素が一部取り除かれる結果、
光ファイバのコア部やクラッド部において通常わずかし
か存在しない酸素欠損型の欠陥が増大する。
【0044】次に、光ファイバ10を回転させながら紫
外光を照射して照射領域のコア部の屈折率を変化させ
る。図2は、この屈折率変化工程の説明図である。図2
に示すように、駆動モータ110に連結された回転チャ
ック120に装着し、駆動モータ110を動作させるこ
とにより、光ファイバ10を1回転/秒で回転させる。
こうして、光ファイバ10を回転させながら、干渉機構
40を用いて干渉空間50を生成するように、光源30
から出射された連続光である紫外光を干渉させて照射す
る。光源30は、SHG(高調波発生器)アルゴンレー
ザやKrFエキシマレーザ等であり、所定波長を有する
コヒーレントな紫外光を出射する。干渉機構40は、ビ
ームスプリッタ41及びミラー42,43で構成されて
いる。ビームスプリッタ41は、光源30からの紫外光
を二つの分岐光に二分岐させる。ミラー42及び43
は、ビームスプリッタ41からの分岐光をそれぞれ反射
し、光ファイバ10の軸方向に対して所定角度θ1 ,θ
2 でそれぞれ入射して共面ビームとして相互に干渉させ
る。光ファイバ10は、クラッド部11及びコア部12
で構成されている。クラッド部11およびコア部12
は、上述したように酸化ゲルマニウムがドープされてお
り、フッ素(F)または酸化ボロン(B2 3 )と酸化
ゲルマニウムとが添加されたクラッド部11と比較して
高屈折率を有する。なお、二つの分岐光の入射角度θ1
及びθ2 は相互に補角であり、これらの和(θ1
θ2 )は180°になる。
【0045】このような工程によれば、光ファイバ10
を回転させながら、光ファイバ10に所定波長の紫外光
を照射するので、酸化ゲルマニウムをドープしたクラッ
ド部11やコア部12における露光領域の屈折率が周方
向に略均一に変化する。現在、このような紫外光照射に
よる屈折率変化のメカニズムは、完全に解明されてはい
ない。しかしながら、これを説明するものとして、クラ
マース・クローニッヒ機構、双極子モデル及び圧縮モデ
ルなどが一般に提案されている。ここでは、クラマース
・クローニッヒ機構に基づいて説明を行う。
【0046】光ファイバ10内のクラッド部11やコア
部12には、Geに関連した酸素欠損型の欠陥が通常わ
ずかに存在している。ここで、欠陥をGe−Siの中性
酸素モノ空孔で代表すると、その欠陥は紫外光照射によ
って Ge−Si → Ge・+Si+ +e- (1) で示すように転化する。この反応で放出された電子は転
化した欠陥の周辺に位置するGeにトラップされるの
で、クラッド部11やコア部12の光吸収特性が変化す
る。このような欠陥における吸収スペクトルによると、
紫外光照射前には波長240〜250nm付近にピーク
が現れるが、紫外線照射後には波長210nm付近及び
280nm付近にピークが遷移することが確認されてい
る。この遷移によりコア部の屈折率が変化すると考えら
れている。なお、周知なクラマース・クローニッヒの関
係式に基づき、欠陥の吸収スペクトル変化から見積った
コア部12における屈折率変化の値は、反射率の測定値
から算出した屈折率変化の値に良く一致している。
【0047】還元処理された光ファイバ10のクラッド
部11やコア部12では、上述したように通常わずかし
か存在しない酸素欠損型の欠陥が増大しているので、紫
外光の露光領域における屈折率変化が大きくなる。これ
に加えて、紫外光がコア部に照射されると、酸素が取り
除かれたGeやSi、あるいは通常のGe−O−Siの
ような結合と、光ファイバに添加された水素とが反応し
て、Ge−H,Ge−OH,Si−H,Si−OHとい
う結合が形成される。本出願の発明者らは、これらの結
合が新たな光吸収帯を形成することにより、紫外光照射
による屈折率変化が高まると推察する。したがって、本
発明の方法によれば、酸素欠損型欠陥の増大による効果
と添加水素の反応により生成された新たな結合(Ge−
H等)による効果とが相舞って、紫外光の露光領域にお
ける屈折率変化が10-4〜10-3程度に大きくなる。
【0048】本実施例では、二つのコヒーレントな紫外
光を光ファイバ10の軸方向に対する角度θ1 ,θ
2 (=180°−θ1 )で入射して干渉させている。そ
のため、光ファイバ10の径方向に対するコヒーレント
な紫外光の入射角度θ(=90°−θ1 )と紫外光の波
長λとを用い、干渉空間50における干渉縞の間隔Λ
は、 Λ=λ/(2sinθ) (2) となる。したがって、クラッド部11やコア部12の露
光領域には、異なる屈折率を有する領域が干渉縞の間隔
Λを周期として光ファイバ10の軸方向に配列されるの
で、コア部には格子13が、クラッド部には格子15が
形成されることになる。
【0049】周知なブラッグの回折条件に基づいてコア
部12の屈折率nと格子13の周期Λとを用い、このフ
ァイバ型回折格子の反射波長λR は、 λR =2nΛ =λn/sinθ (3) となる。また、格子13、15の長さLと屈折率差Δn
とを用い、このファイバ型回折格子の反射率Rは、 R=tanh2 (LπΔn/λR ) (4) となる。したがって、光ファイバ10のコア部12で
は、格子13が10-4〜10-3程度の大きい屈折率変化
で形成されているので、反射波長λR の反射率が100
%近い値に達する。
【0050】なお、このようなホログラフィック法で
は、光源30としては干渉性の良好なレーザが必要であ
る。また、高精度の位置調整や安定性が必要となる。
【0051】上記のホログラフィック法に替えて、紫外
光を位相格子を介して干渉させつつ照射し、屈折率が光
軸に沿って所定周期で変化した領域を形成する位相格子
法を使用することが可能である。
【0052】図3は、位相格子法の説明図である。図3
に示すように、図2の場合と同様に、駆動モータ110
に連結された回転チャック120に装着し、駆動モータ
110を動作させることにより、光ファイバ10を1回
転/秒で回転させる。こうして、光ファイバ10を回転
させながら、位相格子60を光ファイバ10に隣接して
設置し、光源30から出射された連続光である紫外光を
位相格子60表面の法線方向に対して所定角度θで入射
させる。光源30は、SHGアルゴンレーザやKrFエ
キシマレーザ等であり、これらは所定波長を有するコヒ
ーレントな紫外光を出射する。位相格子60は、所定周
期で格子を配列して形成されている。光ファイバ10
は、シリカガラスからなるクラッド部11及びコア部1
2で構成されている。コア部12は、上述したように酸
化ゲルマニウムがドープされており、クラッド部11と
比較して高屈折率を有する。
【0053】このような工程によれば、光ファイバ10
を回転させながら、光ファイバ10に所定波長の紫外光
を照射するので、酸化ゲルマニウムをドープしたコア部
12における露光領域の屈折率が変化する。現在、この
ような紫外光照射による屈折率変化のメカニズムは、完
全に解明されてはいない。しかしながら、この屈折率変
化には、ファイバ10のコア部12に通常わずかに存在
しているGeに関連した酸素欠損型の欠陥が関与してい
ると、一般に推定されている。
【0054】ここで、還元処理された光ファイバ10の
コア部12では、通常わずかしか存在しない酸素欠損型
の欠陥が増大しているので、紫外光の露光領域における
屈折率変化が大きくなる。
【0055】また、格子が所定間隔Λ´で配列された位
相格子60表面の法線方向に対して紫外光を角度θで照
射して干渉させている。そのため、コア部12の露光領
域における干渉縞の間隔Λは、 Λ=Λ´ (5) となる。したがって、コア部12の露光領域には、異な
る屈折率を有する領域が干渉縞の間隔Λを周期として光
ファイバ10の軸方向に配列されるので、格子13が形
成されることになる。
【0056】周知なブラッグの回折条件に基づいてコア
部12の屈折率nと格子13の周期Λとを用い、このフ
ァイバ型回折格子の反射波長λR は、 λR =2nΛ =2nΛ´ (6) となる。また、格子13の長さLと屈折率差Δnとを用
い、このファイバ型回折格子の反射率Rは、上述した式
(4)に示すようになる。したがって、光ファイバ10
のコア部12では、格子13が10-4〜10-3程度の大
きい屈折率変化で形成されているので、反射波長λR
反射率が100%近い値に達する。
【0057】なお、このような位相格子法によれば、上
述したホログラフィック法に要求される位置調整や安定
性の条件が緩和される。また、通常のリソグラフィ技術
や化学エッチングにより、格子の周期を自由に選択する
ことができるので、複雑な形状も実現可能である。
【0058】上記のホログラフィック法および位相格子
法では、光源から連続光を発生することとしたが、光源
からパルス光を発生することとすることが可能である。
但し、この場合には、光ファイバの回転周期とパルス光
の発生周期とが同期しない設定とする必要がある。
【0059】こうして得た回折格子が形成された光ファ
イバをRNFP法による3次元解析で、屈折率分布を測
定した結果、屈折率の分布が軸対称であることが確認さ
れた。
【0060】次に、ファイバ型回折格子の反射率測定を
行った。図4は、反射率測定のシステム構成図である。
図4に示すように、このシステムは、光源70、光ファ
イバ10及び光スペクトルアナライザ90を光カプラ8
0で光結合して構成されている。光ファイバ10は、上
記の実施例で形成した格子(グレーティング)13を有
するファイバ型回折格子である。光源70は通常の発光
ダイオード等であり、光ファイバ10における反射波長
λR を有する光成分を含む光を出射する。光カプラ80
は通常の溶融延伸型ファイバカプラであり、光源70か
らの入射光を光ファイバ10に出力すると共に光ファイ
バ10からの反射光を光スペクトルアナライザ90に出
力する。光スペクトルアナライザ90は、光ファイバ1
0からの反射光における波長と光強度との関係を検出す
る。なお、光ファイバ10の開放端は、マッチングオイ
ル100中に浸されている。このマッチングオイル10
0は、通常の屈折率整合液であり、不要な反射光成分を
除去している。
【0061】このような構成によれば、光源70から出
射された光は、光カプラ80を介して光ファイバ10に
入射する。光ファイバ10では、コア部12に形成され
ている格子13が特定波長の光成分を反射する。光ファ
イバ10から出射された光は、光カプラ80を介して光
スペクトルアナライザ90で受光される。光スペクトル
アナライザ90では、波長と光強度とからなる光ファイ
バ10の反射スペクトルが検出される。測定の結果、反
射率は90%と良好であった。
【0062】本出願の発明者らは、光ファイバ内に添加
される水素の濃度に着目した。すなわち、水素が添加さ
れた光ファイバに紫外光が照射されると、添加水素が光
ファイバ材料中のゲルマニウム、シリカ、酸素と反応し
て、Ge−H,Ge−OH,Si−H,Si−OHとい
う新たな結合を形成する。ここで、本出願の発明者ら
は、これらの結合が新たな光吸収帯を形成することに起
因して、光ファイバのコア部に水素を添加することによ
り、紫外光照射による屈折率変化が高まることを見出だ
した。
【0063】水素の添加による屈折率変化は、光ファイ
バのコア部に添加される水素の量が多い程、大きくなる
と推察される。そこで、本発明者らは、様々な濃度の水
素を光ファイバのコア部に添加してから、紫外光を照射
し、得られたファイバ型回折格子の反射率を調べて、水
素の添加濃度とその効果との関係を調査した。
【0064】図5は、調査結果を示すグラフである。こ
のグラフに示されるように、水素(H2 )無添加の光フ
ァイバでは反射率は20%であるが、コア部に添加され
た水素濃度が増加するにつれて反射率が上昇し、500
ppmで反射率30%、1000ppmで反射率50
%、3000ppm以上では反射率99%に達すること
が分かった。なお、1ppmは、1モルのSiO2 に1
-6モルの水素が含まれていることを表す。
【0065】次に、紫外光を照射して反射率が飽和する
までの照射時間の水素濃度依存性を調べた。図6は、こ
の結果を示すグラフである。このグラフに示されるよう
に、水素濃度の増加とともに必要な照射時間は減少し、
20000ppmにおいて10分まで短縮される。これ
は、水素無添加の光ファイバに要する時間のほぼ20分
の1に相当する。さらに高濃度では、照射時間が短くな
り、48000ppmで1分となったところで照射時間
の短縮化傾向が飽和した。
【0066】以上の結果によれば、コア部の水素濃度が
500ppm以上であると、反射率上昇の効果が著し
い。さらに、50%以上の反射率を得るためには、水素
濃度が1000ppm以上であることが、また、90%
以上の極めて高い反射率を得るためには、水素濃度が2
000ppm以上であることが必要である。さらに高い
反射率99%を得るためには、水素濃度が3000pp
m以上であることが必要である。一方、水素濃度が48
000ppm以上では紫外光照射時間の短縮効果が飽和
しており、反射率上昇の効果も既に飽和しているので、
これ以上水素添加濃度を増やしても意義は少ないと思わ
れる。したがって、光ファイバのコア部に含まれる水素
の濃度は、約500ppm以上であることが好ましく、
特に、約500〜約48000ppmの範囲にあること
が適当である。
【0067】なお、上記の水素濃度は以下の方法により
推定されたものである。次の表1は、この水素濃度推定
に当たって用いるもので、ロッド径1mmの石英ガラス
への水素の溶解度を示すものである。
【0068】
【表1】
【0069】水素濃度推定に当たっては、まず、表1の
データに基づき、温度と拡散度との関係を比例関係と見
なし、最小二乗法を用いて、ほぼ常温の20℃(293
K)における石英ガラスに対する水素の溶解度を算出す
る。これをppm単位に換算すると、20℃における飽
和水素濃度が約121ppmと求まる。
【0070】ゲルマニウムがドープされたコアを有する
20℃の光ファイバに関して、波長1.24μm光の水
素分子による吸収損失は約6dB/kmであることが分
かっている。このことから、20℃の光ファイバにおい
て、吸収損失1dB/km当たりの水素濃度は、 121/6=約20ppm/(dB/km) と求まる。
【0071】続いて、水素が添加された光ファイバ(温
度20℃)の損失スペクトルを測定し、水素分子に起因
する波長1.24μmの吸収ピークが示す損失値[dB
/km]を求める。この損失値に吸収損失1dB/km
当たりの水素濃度20ppm/(dB/km)を掛ける
ことにより、添加水素濃度[ppm]が求まる。すなわ
ち、1.24μm光の損失値を20倍したものが上記し
た添加水素濃度の推定値である。
【0072】図7は、水素雰囲気の圧力、すなわち光フ
ァイバに対する加圧圧力と、添加される水素濃度との関
係を示すグラフである。このグラフに示されるように、
加圧圧力と添加水素濃度とは、ほぼ比例関係にある。グ
ラフの通り、500ppmを添加するには約4.17a
tmの圧力が必要であり、48000ppmを添加する
には約400atmの圧力が必要である。したがって、
加圧圧力は、約4.17atm以上であることが好まし
く、特に、約4.17〜約400atmの範囲にあるこ
とが適当である。
【0073】また、反射率50%以上を得るためには約
8.34atm以上の圧力が、反射率90%以上を得る
ためには約16.7atm以上の圧力が適当であり、反
射率99%以上を得るためには約25.0atm以上の
圧力が適当である。
【0074】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
光ファイバ型回折格子の作製方法によれば、光ファイバ
の所定領域について、紫外光照射手段から出射された紫
外光を光ファイバの周方向に関して略均一に照射し、所
定領域のコア部の屈折率を変化させる屈折率変化工程を
備えるので、光ファイバの中心軸について略軸対称の態
様で屈折率が変化し、光ファイバが導波する光の経路に
依存しない機能特性を有する光ファイバ型回折格子を先
性することができる。
【0075】更に、本出願の発明者らは、酸化ゲルマニ
ウムをドープした光ファイバに水素を添加することによ
り、紫外光照射による屈折率変化が増大することを見出
だした。また、酸化ゲルマニウムをドープした石英系光
ファイバに通常わずかしか存在しない酸素欠損型の欠陥
を増大させることにより、紫外光照射による屈折率変化
が増大するであろうと推定した。
【0076】本発明の光ファイバ型回折格子の作製方法
によれば、第1の工程において、光ファイバのコア部に
水素が添加され、続いて、第2の工程において、紫外光
がコア部における複数の所定領域に照射されるので、酸
素欠損型の欠陥が増大するとともに水素の反応による新
しい結合が生じる。これらによって、前記所定領域では
極めて大きな屈折率変化が生じる。
【0077】これにより、光ファイバのコア部に屈折率
が局部的に大きく変化した領域を光軸に沿って配列して
格子(グレーティング)を形成することができるので、
この光ファイバを進行する光のうち、屈折率変化の周期
に対応した特定波長の光成分が極めて高反射率で反射さ
れる。したがって、本発明の方法によれば、屈折率分布
が略軸対称で、極めて高い反射率を有する光ファイバ型
回折格子を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るファイバ型回折格子の作製方法に
おける第1の工程を示す構成図である。
【図2】本発明に係るファイバ型回折格子の作製方法に
おける第2の工程を示す構成図である。
【図3】本発明に係るファイバ型回折格子の作製方法に
おける第2の工程を示す構成図である。
【図4】本発明に係る作製方法で形成されたファイバ型
回折格子における反射率測定を行うシステムを示す構成
図である。
【図5】光ファイバに添加する水素の濃度と得られるフ
ァイバ型回折格子の反射率との関係を示すグラフであ
る。
【図6】光ファイバに添加する水素の濃度と反射率が飽
和するまでの紫外光照射時間との関係を示すグラフであ
る。
【図7】水素雰囲気の圧力と光ファイバに添加される水
素の濃度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
10…光ファイバ、11…クラッド部、12…コア部、
13,15…格子、20…炉心管、21,22…バル
ブ、30,70…光源、40…干渉機構、41…ビーム
スプリッタ、42,43…ミラー、50…干渉空間、6
0…位相格子、80…光カプラ、90…光スペクトルア
ナライザ、100…マッチングオイル、110…駆動モ
ータ、120…回転チャック。
フロントページの続き (72)発明者 井上 享 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 茂原 政一 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光ファイバの所定領域について、紫外光
    照射手段から出射された紫外光を前記光ファイバの周方
    向に関して略均一に照射し、前記所定領域のコア部の屈
    折率を変化させる屈折率変化工程を備える、ことを特徴
    とする光ファイバ型回折格子の作製方法。
  2. 【請求項2】 前記光ファイバの中心軸を回転中心軸と
    して前記光ファイバと前記紫外光照射手段とを相対的に
    回転させる、ことを特徴とする請求項1記載の光ファイ
    バ型回折格子の作製方法。
  3. 【請求項3】 前記紫外光照射手段から連続光を出射さ
    せる、ことを特徴とする請求項1記載の光ファイバ型回
    折格子の作製方法。
  4. 【請求項4】 前記紫外光照射手段から第1の周期でパ
    ルス光を出射させるとともに、前記第1の周期とは同期
    しない第2の回転周期で、前記光ファイバの中心軸を回
    転中心軸として前記光ファイバと前記紫外光照射手段と
    を相対的に回転させる、ことを特徴とする請求項2記載
    の光ファイバ型回折格子の作製方法。
  5. 【請求項5】 前記光ファイバの前記コア部は酸化ゲル
    マニウムがドープされた石英ガラスからなり、前記光フ
    ァイバのクラッド部の少なくとも前記コア部の周辺は酸
    化ゲルマニウムがドープされた石英ガラスからなること
    を特徴とする請求項1記載の光ファイバ型回折格子の作
    製方法。
  6. 【請求項6】 前記光ファイバの前記クラッド部には、
    フッ素または酸化ボロンが添加されることを特徴とする
    請求項5記載の光ファイバ型回折格子の作製方法。
JP7090877A 1995-04-17 1995-04-17 光ファイバ型回折格子の作製方法 Pending JPH08286039A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100349045B1 (ko) * 1997-07-08 2002-11-18 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 광필터의제조방법과장치,광필터,나선홈을구비한섬유홀더및위상마스크
GB2375830A (en) * 2001-05-22 2002-11-27 Marconi Caswell Ltd Creating Bragg gratings in optical waveguide devices
KR100426284B1 (ko) * 2002-03-29 2004-04-08 광주과학기술원 광섬유 격자의 제작 장치와 그 제조방법 및 광섬유 격자

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GB2375830A (en) * 2001-05-22 2002-11-27 Marconi Caswell Ltd Creating Bragg gratings in optical waveguide devices
KR100426284B1 (ko) * 2002-03-29 2004-04-08 광주과학기술원 광섬유 격자의 제작 장치와 그 제조방법 및 광섬유 격자

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