JP4063914B2 - 複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法 - Google Patents

複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法に関し、特に小型化を図ることができる複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光導波路グレーティンググレーティングは、光ファイバあるいは基盤型光導波路などのコアの長さ方向に一定の周期的な変化、例えばコアの屈折率の周期的な変化やコア径の周期的変化などを形成したものである。
【0003】
従来より光導波路グレーティングの製造方法の1つとして、ゲルマニウムが添加された石英ガラスに強い紫外光を照射するとその照射量に応じて屈折率が上昇する現象を利用して、コアに周期的な屈折率変化(屈折率変調)を形成する方法が知られている。
例えば、光ファイバグレーティングを作製する場合には、ゲルマニウム添加コア/シリカクラッドの光ファイバ、またはゲルマニウム添加コア/フッ素添加クラッドの光ファイバが使用され、図3に示すように、その外周部を覆う合成樹脂製の被覆層(図示せず)の一部を除去した光ファイバ2を、水素加圧容器中(100atm程度)で水素添加処理した後、一定周期で形成されたスリット3aを有するホトマスク3を介して、前記光ファイバ2の被覆層を除去した部分に紫外光を照射することによって、光ファイバ2(コア)の長さ方向に一定周期で紫外光を照射する方法が用いられる。他には、光ファイバ2長さ方向に等間隔で順次紫外光を照射する方法などが用いられている。
【0004】
一般に光導波路グレーティングには、放射モード結合型と反射モード結合型があり、放射モード結合型グレーティングはコアを伝搬するモードとクラッドを伝搬するモードとを結合させることによって、特定波長の光を光導波路外に放射して減衰させる特性が得られるようにしたものである。
また反射モード結合型グレーティングは、コアを正の方向に伝搬するモードと、コアをこれとは反対の方向(負の方向)に伝搬するモードとを結合させることによって、特定波長の光を反射させる特性が得られるようにしたものである。
放射モード結合型グレーティングと反射型グレーティングの構成上の主な違いは、上述した周期(以下、グレーティングピッチということがある)の違いにある。
例えばコアに屈折率の周期的変化を形成してなる光導波路グレーティングの場合、放射型グレーティングはグレーティングピッチを数百μmにすることによって得られ、反射型グレーティングはグレーティングピッチを1μm程度とすることによって得られている。
特に反射型グレーティングにおいてグレーティングピッチを等間隔一定にすると、図4に模式的に示すような透過スペクトルとなり、狭帯域の比較的鋭い透過損失のピーク(以下損失ピークという)が得られることが知られている。この損失ピークの波長帯の幅を阻止帯域幅、その中心の波長を中心波長(図中λcで示す)、透過損失の大きさを阻止率という。
また、他にチャープトグレーティングがある。チャープトグレーティングとは、チャープトピッチの位相マスクを介して紫外光を照射する方法によって製造することができる。チャープトピッチとはグレーティングピッチが特定のピッチを中心にスペクトル状に広がっているものである。
チャープトグレーティングにおいては、ピッチの周期の変化に対応して、損失ピークの波長も変化するので、比較的鋭くない損失ピークの特性が得られる。
【0005】
そこで、このように狭帯域の損失ピークが得られる反射型グレーティングを用い、その透過スペクトルにおいて2つ以上の損失ピークが得られるようにした複数波長阻止型光導波路グレーティングが提案されている。
図5は光ファイバに反射型グレーティングを形成し、2つの損失ピークが得られるように構成した複数波長阻止型光ファイバグレーティングの一例において、コアに形成された屈折率の変化を模式的に示したグラフである。
【0006】
この複数波長阻止型光ファイバグレーティングを構成する光ファイバにおいて、コアはクラッドより高屈折率で、少なくともゲルマニウムが添加された石英ガラスからなっている。クラッドはコアよりも低屈折率の石英系ガラスからなり、例えば純石英ガラス、あるいはフッ素添加石英ガラスなどが好ましく用いられる。
この複数波長阻止型光ファイバグレーティングは、上述のような構成の光ファイバの一部に、コアの屈折率が光ファイバ(コア)長さ方向に周期的に変化した2種類のグレーティング部1A,1Bが、光ファイバ長さ方向にそって別々の位置に形成されたものである。これらグレーティング部1A,1Bは異なるグレーティングピッチを有し、グレーティング特性が異なるものである。この結果、この複数波長阻止型光ファイバグレーティングにおいては2つの損失ピークを有する透過スペクトルが得られるようになっている。
【0007】
しかしながら、このような従来の複数波長阻止型光ファイバグレーティングは、光ファイバ(コア)の長さ方向にそって2種類以上のグレーティング部1A,1Bを、それぞれ別々の位置に形成するため、収納スペースが大きくなり、素子の小型化をすすめる上で障害となっていた。また、一般的にはグレーティング部1A,1Bの一方を形成した後に他の一方を形成するので、製造時間が長く、製造効率が低いという問題もあった。
この問題は、基盤型の光導波路にグレーティング部を形成した複数波長阻止型光導波路グレーティングにおいても同様である。
また、光ファイバは一般にその外周部が合成樹脂からなる被覆層で覆われた状態で取り扱われている。このため複数波長阻止型光ファイバグレーティングを作製するには、まず光ファイバの被覆層を引き剥す必要がある。このとき、グレーティング部1A,1Bの長さが長い程、前記被覆層を引き剥がす範囲が広くなり、この被覆層の引き剥し操作によって光ファイバの引っ張り強度が低下しやすくなることがあった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
よって、本発明においては、小型化を図ることができる複数波長阻止型光ファイバグレーティングとその製造方法を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、
請求項1に係る発明は、コアが紫外光照射によって屈折率が変化する材料からなる光導波路を水素添加処理し、該光導波路に紫外光を照射してグレーティング部を形成するグレーティング部形成工程と、該光導波路を温度100〜120℃、圧力約100気圧で90分間程度加熱する水素再拡散工程と、該光導波路の該グレーティング部を含む部分に紫外光を照射して、他のグレーティング部を形成する他のグレーティング部形成工程を有し、該他のグレーティング部形成工程を少なくとも1回以上行って、1種類以上の他のグレーティング部を形成することを特徴とする複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について光ファイバを例として、図3を利用して詳しく説明する。
コアに周期的な屈折率変化(屈折率変調)を形成するには、従来と同様にしてゲルマニウムが添加された石英ガラスに強い紫外光を照射するとその照射量に応じて屈折率が上昇する現象を利用する。
光ファイバ2は、コアはクラッドより高屈折率で、少なくともゲルマニウムが添加された石英ガラスからなっている。クラッドはコアよりも低屈折率の石英系ガラスからなり、例えば純石英ガラス、あるいはフッ素添加石英ガラスなどが好ましく用いられる。
【0011】
まず、本発明の複数波長阻止型光ファイバグレーティングを作製するには、光ファイバ2の外周部を覆う合成樹脂からなる被覆層(図示せず)の一部を除去し、水素加圧容器中(100atm程度)で水素添加処理した後(水素添加処理工程)、特定の周期で形成されたスリット3aを有するホトマスク3を介して、前記光ファイバ2の被覆層を除去した部分に第1の紫外光照射を行う。
この結果、図1(a)に示すように、コアの屈折率が周期的に変化した第1のグレーティング部10Aが形成される(第1のグレーティング部形成工程)。
【0012】
この後、光ファイバ2を100〜120℃の温度下に所定時間放置して、前記水素添加処理工程において添加された水素を再拡散させる。再拡散条件は、後述するように例えば光ファイバ2のコア径が10μmの場合、110℃90分間程度が好適であることが実験的に確認されている(水素再拡散工程)。
ついで、前記第1のグレーティング部10Aに、この第1のグレーティング部10Aを形成するのに用いたものと異なる周期のスリット3aを有するホトマスク3を介して、第2の紫外光照射を行う。
この結果、図1(b)に示すように、コアの屈折率が周期的に変化した第2のグレーティング部10Bが形成される。この第2のグレーティング部10Bは、前記第1のグレーティング部10Aとはグレーティングピッチが異なるため、グレーティング特性が異なるものである(第2のグレーティング部形成工程)。
このようにして光ファイバ2の1箇所にグレーティング特性が異なる2種類の第1のグレーティング部10A,第2のグレーティング部10Bを形成することによって、その透過スペクトルにおいて、ふたつの損失ピークを有する2波長阻止型光ファイバグレーティングが得られる。
【0013】
上述の水素再拡散工程を行う理由は、単に光ファイバ2の一部に紫外光を照射して第1のグレーティング部10Aを形成した後、水素再拡散工程を行わずに、さらにこの第1のグレーティング部10Aに紫外光を照射して第2のグレーティング部10Bを形成すると、屈折率の変化量が十分に得られず、従来のように第1のグレーティング部と第2のグレーティング部を別々の位置に形成した場合と比較して透過スペクトルにおける損失ピークの阻止率が小さくなるという問題が発生するためである。
ところで、水素添加処理は紫外光照射にあたって光ファイバのコアの屈折率の変化量を大きくするために行われる。本発明者らは、第1の紫外光照射後、紫外光にさらされた位置(すなわちスリット3aに対応した位置)においては、2重の紫外光照射に対して十分な屈折率変化を生じさせるには水素濃度が不足していることが前記阻止率低下の原因であることをつきとめた。
そしてこれを解決するには、光ファイバ2をある程度高温下に放置することによって、水素を再拡散させ、光ファイバ2のコアにおける水素濃度のばらつきをなくした後に第2の紫外光照射を行うことが有効であることを見いだし、本発明を完成させた。
以下検討の経緯を実施例を示して説明する。
【0014】
(実施例)
水素の再拡散を十分に行うための条件を検討するために、以下のような実験を行った。
コア径20μmのゲルマニウム添加コア/シリカクラッドの光ファイバを用いた。
光ファイバを水素加圧容器中(100atm程度)で水素添加処理した後、この光ファイバの一部に、特定の周期のチャープトピッチの位相マスクを介して紫外光を照射して、図2(a)に示すようなコアの屈折率の周期的な変化を有する第1のグレーティング部20Aを形成した。このときグレーティングのチャープトピッチは0.56〜0.58μm、グレーティング長は10mmとした。
この後、下記に示した条件で光ファイバの水素再拡散処理を行った後、再度光ファイバに特定の周期のチャープトピッチの位相マスクを介して紫外光を照射して、図2(a)に示すようなコアの屈折率の周期的な変化を有する第2のグレーティング部20Bを形成した。この第2のグレーティング部20Bは、第1のグレーティング部20Aを含む位置に、かつ第1のグレーティング部20Aよりもグレーティング長が長くなるように形成した。グレーティングのチャープトピッチは0.525〜0.545μm、グレーティング長は15mmとした。
水素再拡散工程の条件は、(1)110℃,20分;(2)110℃,40分;(3)110℃,90分とした。
また、上述の第1のグレーティング部20Aと第2のグレーティング部20Bを形成する際の紫外光の光源としてはKrFレーザを用い、248nmの紫外光を照射した。照射条件の詳細を表1に示す。
【0015】
【表1】
Figure 0004063914
【0016】
このようにして作製した2波長阻止型光ファイバグレーティングの透過スペクトルにおいては、図2(b)、図2(c)に示すように第1のグレーティング部20Aのチャープトピッチの周期特性に対応した波長特性を有する損失ピークAと、第2のグレーティング部20Bのチャープトピッチの周波数特性に対応した波長特性を有する損失ピークBが得られた。
水素再拡散工程の条件が(1)110℃,20分の場合は、図2(b)に示すような透過スペクトルとなった。
すなわち、第2のグレーティング部20Bにおいては、第2の紫外光照射においてのみ紫外光が照射された部分D,D′と、第1の紫外光照射と第2の紫外光照射において紫外光照射が重複した部分Cとが存在する。このため第2のグレーティング部20Bに対応する損失ピークBにおいては、紫外光照射が重複した部分Cのグレーティング周期に対応する波長域CBと、紫外光照射が重複していない部分D,D′のグレーティング周期に対応する波長域DB,DB′が存在する。
前記波長域DB,DB′の透過率はほぼ同程度であったが、この場合は水素再拡散工程が不十分であったため、前記波長域CBの透過率が波長域DB,DB′の透過率よりも上昇した。すなわち、阻止率が低下した損失ピークBの透過スペクトル特性が得られた。
また、第1のグレーティング部20Aは第1の紫外光照射と第2の紫外光照射において紫外光照射が重複した部分Cからなり、つまり全域において紫外光照射が重複している。そしてこの第1のグレーティング部20Aに対応する損失ピークAの波長域は、前記紫外線照射が重複した部分Cのグレーティング周期に対応する波長域CAとなっている。
このとき上述のように水素再拡散工程が不十分であったため、損失ピークAにおいては、波長域CAの透過率が、損失ピークBにおいて照射が重複していない部分D,D′のグレーティング周期に対応する波長域DB,DB′の透過率と比較して、阻止率が低下した透過スペクトル特性が得られた。
この結果、損失ピークA,Bの阻止率は、それぞれ本来得られるべきの阻止率a,bよりも低い阻止率a′,b′となった。
水素再拡散工程の条件が(2)110℃,40分の場合は、やや図2(b)に示すよりも、波長域CA,CBの透過率が、波長域DB,DB′の透過率に近づいた透過スペクトル特性が得られた。
【0017】
水素再拡散工程の条件を(3)110℃,90分とした場合には、図2(c)に示すように、波長域CA,CBの透過率が、波長域DB,DB′の透過率と同程度である透過スペクトル特性が得られた。
この結果、損失ピークA,Bの阻止率として、本来得られるべき阻止率a,bが得られた。損失ピークAの中心波長λAは1650nmで、阻止率は10dBであった。また、損失ピークBの中心波長λBは1550nmで、阻止率は10dBであった。
したがって、水素再拡散工程において、十分に水素の再拡散を行うことにより阻止率が低下するという問題を解決できることが確認できた。
【0018】
ところで、計算では110℃,30分の条件下で光ファイバを放置すれば水素の再拡散が十分行われるはずであったが、実際には理論値よりも長い時間がかかる結果となった。
したがって、2波長阻止型光ファイバグレーティングを作製するにおいては、水素再拡散工程の条件を予め実験的に求めておくと好ましい。この条件は、光ファイバのコア径や、第1の照射を行った際の紫外光照射条件によっても変化する。
また、光ファイバを100〜120℃程度の温度条件下で放置すると光ファイバから水素の一部が脱離する傾向がある。このため、水素再拡散工程の時間が長すぎると、光ファイバのコア中の水素濃度が低くなり、紫外光を照射したときのコアの屈折率変化量が小さくなって、結果として阻止率が低下することがあるので注意が必要である。
上述のコア径10μmの光ファイバにおいては、再拡散工程の条件を110℃,90分とすると、水素再拡散工程における水素の脱離に起因する阻止率の低下は小さく、実用的な2波長阻止型光ファイバグレーティングとして使用できる。
【0019】
上述の実施例においては、紫外光照射の重複の有無と透過率の波長領域との対応を明確にするために、特定の周期スペクトルのチャープトピッチの位相マスクを介して紫外光を照射する方法によって第1のグレーティング部20Aと第2のグレーティング部20Bを形成したが、この他一定周期で設けられたスリットを有するホトマスクを介して紫外光を照射する方法や、光ファイバの長さ方向に等間隔で順次紫外光を照射する方法などを用いてグレーティング部20Aと20Bを形成することもできる。
また、本発明で用いる紫外光の波長は200〜300nm程度が好ましく、光源としてはKrFレーザ(波長248nm)などが好適に用いられる。
【0020】
2波長阻止型光ファイバグレーティングにおいて得られる透過スペクトルにおいて、2つの損失ピークのそれぞれの中心波長、阻止率、阻止帯域幅は、グレーティング部の屈折率変化量、グレーティングピッチ、グレーティング長、実効屈折率などによって変化する。
2波長阻止型光ファイバグレーティングの設計においては、所望の中心波長、阻止率、阻止帯域幅が得られるように、また2つの損失ピークが分離するようにこれらを調整する。屈折率変化量は紫外光のエネルギー密度、照射時間によって調節することができる。
また、図1に示したように第1のグレーティング部と第2のグレーティング部は、同じグレーティング長で全く重なるように設けることもできるし、図2に示したように、異なるグレーティング長で設けることも可能である。また、図2に示した例においては、第2のグレーティング部20Bのグレーティング長が長くなっているが、逆に第1のグレーティング部20Aのグレーティング長を長く設計してもよい。
【0021】
なお、この2波長阻止型光ファイバグレーティングには、放射型グレーティングを適用することもできるが、複数の損失ピークを十分分離するためには狭帯域における損失ピークが得られる反射型グレーティングとするのが好適である。この場合グレーティングピッチはチャープドピッチでも等間隔一定ピッチでもよいが、その範囲は0.53〜0.58μm程度とされる。
また、上述の2波長阻止型光ファイバグレーティングにおいては、グレーティング部を2種類形成し、透過スペクトルにおいて2つの損失ピークが得られるようにしたが、水素再拡散工程における水素の脱離が無視できる程度であれば、上述の水素再拡散工程から第2のグレーティング部形成工程を繰り返して、3種類以上のグレーティング部を形成し、透過スペクトルにおいて3種類以上の損失ピークが得られるようにすることもできる。
また、この実施例においては、光導波路として光ファイバを例にとって説明したが、基盤型の光導波路に対して適用できることは言うまでもない。
【0022】
このように本発明においては、紫外光を照射してグレーティング部を形成した後に、水素再拡散工程を行って、さらに前記グレーティング部を含む部分に紫外光を照射して他のグレーティング部を形成する。このことによって、光ファイバの一箇所に2種類以上のグレーティング部を形成することができ、複数波長阻止型光ファイバグレーティングが得られるため、小型化を図ることができる。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、水素添加し処理した光導波路に紫外光を照射してグレーティング部を形成した後水素再拡散工程を行って、さらに前記グレーティング部を含む部分に紫外光を照射して他のグレーティング部を形成する。
すなわち、前記水素再拡散工程によって、紫外光にさらされた部分とされされていない部分の水素濃度を同程度とすることにより、再び紫外光を照射したときに十分なコアの屈折率の変化量が得られ、この結果阻止率の低下を低減することができるものである。
このことによって、光ファイバの一箇所に2種類以上のグレーティング部を形成することができ、複数波長阻止型光ファイバグレーティングが得られるため、小型化を図ることができる。
また、従来よりもグレーティング部の長さを短くすることができるので、光ファイバグレーティングを作製する場合に、光ファイバの被覆層の引き剥し操作に伴う光ファイバの引っ張り強度の低下がおこり難いという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の複数波長阻止型光ファイバ(光導波路)グレーティングの形成工程をコアの屈折率の変化で示したもので、図1(a)は、第1のグレーティング部形成後のコアの長さ方向におけるコアの屈折率の変化を示し、図1(b)は第2のグレーティング部形成後のコアの長さ方向におけるコアの屈折率の変化を示したグラフである。
【図2】 実施例の2波長阻止型光ファイバグレーティングの水素再拡散工程の条件による透過スペクトルの変化を示したもので、図2(a)は2波長阻止型光ファイバグレーティングのコアの長さ方向におけるコアの屈折率分布を示したグラフであり、図2(b)は、水素再拡散工程が不十分である場合の透過スペクトルを示したグラフであり、図2(c)は、水素再拡散工程が十分に行われた場合の透過スペクトルを示したグラフである。
【図3】 光ファイバグレーティングの製造方法を示した説明図である。
【図4】 反射型グレーティングにおいて得られる狭帯域の損失ピークを有する透過スペクトルを模式的に示したグラフである。
【図5】 通常の光ファイバの2箇所にグレーティング部を作成した2波長阻止型光ファイバグレーティングの一例におけるコアの長さ方向のコアの屈折率の変化を示したグラフである。
【符号の説明】
2…光ファイバ、3…ホトマスク、3a…スリット、10A,20A…第1のグレーティング部、10B,20B…第2のグレーティング部

Claims (1)

  1. コアが紫外光照射によって屈折率が変化する材料からなる光導波路を水素添加処理し、該光導波路に紫外光を照射してグレーティング部を形成するグレーティング部形成工程と、
    該光導波路を温度100〜120℃、圧力約100気圧で90分間程度加熱する水素再拡散工程と、
    該光導波路の該グレーティング部を含む部分に紫外光を照射して、他のグレーティング部を形成する他のグレーティング部形成工程を有し、
    該他のグレーティング部形成工程を少なくとも1回以上行って、1種類以上の他のグレーティング部を形成することを特徴とする複数波長阻止型光導波路グレーティングの製造方法。
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