JPH0828590B2 - 漏洩電磁波遮蔽構造 - Google Patents
漏洩電磁波遮蔽構造Info
- Publication number
- JPH0828590B2 JPH0828590B2 JP5040803A JP4080393A JPH0828590B2 JP H0828590 B2 JPH0828590 B2 JP H0828590B2 JP 5040803 A JP5040803 A JP 5040803A JP 4080393 A JP4080393 A JP 4080393A JP H0828590 B2 JPH0828590 B2 JP H0828590B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electromagnetic wave
- leakage
- shielding structure
- rubber
- wave shielding
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は漏洩電磁波遮蔽構造に関
し、特に高周波送信回路等の電磁波放射手段を収容した
金属ケースと蓋体との接合部からの電磁波の漏洩を防止
する漏洩電磁波遮蔽構造に関する。
し、特に高周波送信回路等の電磁波放射手段を収容した
金属ケースと蓋体との接合部からの電磁波の漏洩を防止
する漏洩電磁波遮蔽構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の漏洩電磁波遮蔽構造の第１の従
来例は、図４の断面図に示すように、金属ケース２３と
金属蓋２２とを接合部２４において接合し密封してい
る。ここで収納部２５内に装備された高周波送信回路
（図示せず）から漏洩する電磁波が接合部２４の微少な
間隙を通して漏洩するのを防止するために、金属ケース
２３の周辺部に溝２６を設けて後述するシールドゴム２
１をはめ込んでいる。このシールドゴム２１は金属蓋２
２を所定間隔で金属ケース２３にねじ止めした状態で押
しつぶされ、密着部２４Ａの面積にわたって金属蓋２２
の面と密着して電磁波の漏洩を防止している。このシー
ルドゴム２１の材質はシリコンゴムの中に銀又は銅粉を
含浸させて導電性を持たせているので、金属蓋２２との
間で導電性を保持するとともにシリコンゴムの弾性によ
り密着性も保たれている。
来例は、図４の断面図に示すように、金属ケース２３と
金属蓋２２とを接合部２４において接合し密封してい
る。ここで収納部２５内に装備された高周波送信回路
（図示せず）から漏洩する電磁波が接合部２４の微少な
間隙を通して漏洩するのを防止するために、金属ケース
２３の周辺部に溝２６を設けて後述するシールドゴム２
１をはめ込んでいる。このシールドゴム２１は金属蓋２
２を所定間隔で金属ケース２３にねじ止めした状態で押
しつぶされ、密着部２４Ａの面積にわたって金属蓋２２
の面と密着して電磁波の漏洩を防止している。このシー
ルドゴム２１の材質はシリコンゴムの中に銀又は銅粉を
含浸させて導電性を持たせているので、金属蓋２２との
間で導電性を保持するとともにシリコンゴムの弾性によ
り密着性も保たれている。
【０００３】次に図５に示す第２の従来例としては、特
開昭６１−２６９８９２号公報に示されるように、電子
レンジ本体３１とドア３２との間の電波漏洩通路３３か
ら漏洩する低周波（２．４５ＧＨｚ）の電磁波から高周
波（９．８０〜１２．２５ＧＨｚ）までの電磁波を減衰
させるために、低周波用電磁波吸収ガスケット３４と高
周波用電磁波吸収ガスケット３５とを並設して挿入して
いる。これらの２個の電磁波吸収ガスケットにより３０
ｄＢ／ｃｍ程度の減衰量を得ている。
開昭６１−２６９８９２号公報に示されるように、電子
レンジ本体３１とドア３２との間の電波漏洩通路３３か
ら漏洩する低周波（２．４５ＧＨｚ）の電磁波から高周
波（９．８０〜１２．２５ＧＨｚ）までの電磁波を減衰
させるために、低周波用電磁波吸収ガスケット３４と高
周波用電磁波吸収ガスケット３５とを並設して挿入して
いる。これらの２個の電磁波吸収ガスケットにより３０
ｄＢ／ｃｍ程度の減衰量を得ている。
【０００４】また、図６（ａ）および（ｂ）に示す第３
の従来例としては、実開昭６４−５６１９５号公報に示
されるように、図６（ａ）では容器本体４１と蓋体４３
との間の開口部４２に環状シート４４を配置し、さらに
ハードフェライト４９とソフトフェライト５０をその環
状シート４４内に埋設している。また図６（ｂ）では、
開口部４２の間に容器本体４１に固定した磁石５１を埋
設しているソフトフェライト５０を設け、容器本体４１
と蓋体４３とを磁着させて密着性を保持している。
の従来例としては、実開昭６４−５６１９５号公報に示
されるように、図６（ａ）では容器本体４１と蓋体４３
との間の開口部４２に環状シート４４を配置し、さらに
ハードフェライト４９とソフトフェライト５０をその環
状シート４４内に埋設している。また図６（ｂ）では、
開口部４２の間に容器本体４１に固定した磁石５１を埋
設しているソフトフェライト５０を設け、容器本体４１
と蓋体４３とを磁着させて密着性を保持している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、第１の従来例
ではシールドゴムの導電性に限界があり、かつ、金属蓋
とシールドゴムとの密着部長にも限界があるので、厳重
な電磁波の遮蔽効果を得るには不十分な欠点がある。
ではシールドゴムの導電性に限界があり、かつ、金属蓋
とシールドゴムとの密着部長にも限界があるので、厳重
な電磁波の遮蔽効果を得るには不十分な欠点がある。
【０００６】また、第２の従来例では電子レンジのマグ
ネトロン等の発振周波数帯の電磁波を減衰させるために
ある特定周波数帯域に減衰が限定される欠点がある。
ネトロン等の発振周波数帯の電磁波を減衰させるために
ある特定周波数帯域に減衰が限定される欠点がある。
【０００７】また、第３の従来例では環状シートやソフ
トフェライトを短かい長さ寸法の間隙に介在させるの
で、容器本体と蓋体との密着性に限界があり、高い遮蔽
効果を期待することはできない。
トフェライトを短かい長さ寸法の間隙に介在させるの
で、容器本体と蓋体との密着性に限界があり、高い遮蔽
効果を期待することはできない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の漏洩電磁波遮蔽
構造は電磁波を放射する手段を収納し開放面を形成する
外周辺部に第１の半溝部を有する金属ケースと、前記開
放面を覆うように前記金属ケースに装着され前記第１の
半溝部との係合により閉域空間部を形成する金属蓋と、
前記空間部に嵌合されかつ前記電磁波の漏洩成分に対し
て複数段の電磁波減衰機能を有する阻止フィルタを組み
込んだ弾性シールドゴムとを備える。
構造は電磁波を放射する手段を収納し開放面を形成する
外周辺部に第１の半溝部を有する金属ケースと、前記開
放面を覆うように前記金属ケースに装着され前記第１の
半溝部との係合により閉域空間部を形成する金属蓋と、
前記空間部に嵌合されかつ前記電磁波の漏洩成分に対し
て複数段の電磁波減衰機能を有する阻止フィルタを組み
込んだ弾性シールドゴムとを備える。
【０００９】また前記シールドゴムの基台を形成する導
電性ゴムの周縁部に前記電磁波の漏洩成分の中心周波数
帯波長のｎ／４（ｎは奇数の整数）波長間隔で磁性粉末
を含浸した複数個のゴムを所定の深さで埋設している。
電性ゴムの周縁部に前記電磁波の漏洩成分の中心周波数
帯波長のｎ／４（ｎは奇数の整数）波長間隔で磁性粉末
を含浸した複数個のゴムを所定の深さで埋設している。
【００１０】また前記磁性粉末がフェライト粉末である
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１１】また前記空間部に嵌合された状態の前記シ
ールドゴムの外周部へ前記電磁波の漏洩成分が時計回り
の方向と反時計回りの方向とにわかれて侵入した場合
に、前記電磁波漏洩成分の合成点で互いに逆相になるよ
うに前記空間部の電磁波入力接合部と電磁波出力接合部
との距離を設定する。
ールドゴムの外周部へ前記電磁波の漏洩成分が時計回り
の方向と反時計回りの方向とにわかれて侵入した場合
に、前記電磁波漏洩成分の合成点で互いに逆相になるよ
うに前記空間部の電磁波入力接合部と電磁波出力接合部
との距離を設定する。
【００１２】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の一実施例の断面図であり、
図２は図１におけるシールドゴム１の構造説明図であ
る。この実施例の漏洩電磁波遮蔽構造は、高周波送信回
路等の電磁波放射手段（図示せず）を収納する収納部８
を有し、周辺部の断面がＬ型の半溝部９Ａを形成した金
属ケース５と、この金属ケース５に嵌合する周辺部の断
面がコの字型の半溝部９Ｂを形成した金属蓋４と、金属
ケース５と金属蓋４とがはめ込まれた状態で閉域の空間
部を生成する半溝部９Ａ（金属ケース側）および半溝部
９Ｂ（金属蓋側）と、半溝部９Ａおよび９Ｂで囲まれた
空間に圧縮してはめ込まれるシールドゴム１とで構成さ
れる。このシールドゴム１は導電性ゴム２と、所定の間
隔で導電性ゴム２の周縁部に埋め込まれた複数個のフェ
ライトゴム３とで構成される。
図２は図１におけるシールドゴム１の構造説明図であ
る。この実施例の漏洩電磁波遮蔽構造は、高周波送信回
路等の電磁波放射手段（図示せず）を収納する収納部８
を有し、周辺部の断面がＬ型の半溝部９Ａを形成した金
属ケース５と、この金属ケース５に嵌合する周辺部の断
面がコの字型の半溝部９Ｂを形成した金属蓋４と、金属
ケース５と金属蓋４とがはめ込まれた状態で閉域の空間
部を生成する半溝部９Ａ（金属ケース側）および半溝部
９Ｂ（金属蓋側）と、半溝部９Ａおよび９Ｂで囲まれた
空間に圧縮してはめ込まれるシールドゴム１とで構成さ
れる。このシールドゴム１は導電性ゴム２と、所定の間
隔で導電性ゴム２の周縁部に埋め込まれた複数個のフェ
ライトゴム３とで構成される。
【００１４】次にシールドゴム１の高周波の漏洩電磁波
に対する動作を図１および図２を参照して説明する。図
１において内側接合部６から浸入した電磁波は時計回り
のＡ方向と反時計回りのＢ方向へ漏洩するが、まずＡ方
向の漏洩波は導電性ゴム２と金属蓋４との接触部とフェ
ライトゴム３とを順次漏洩して外側接合部７に到達す
る。一方Ｂ方向の漏洩波も同様に導電性ゴム２と金属ケ
ース５の接触部とフェライトゴム３とを順次漏洩して外
側接合部７に到達する。ここで、内側接合部６から導電
性ゴム２を通って初めのフェライトゴム３までの電気的
波長をλ２Ｅおよびλ２Ｆとし、複数のフェライトゴム
３間の間隔の電気的波長をそれぞれλ２Ａ〜λ２Ｄと
し、各フェライトゴム３の深さ方向の電気的波長をそれ
ぞれλ１Ａ〜λ１Ｅとする。このλ１Ａ〜λ１Ｄの電気
的波長はほぼ１／４波長に選択される。なおこの電気的
波長１／４波長はフェライトゴム自体の波長短縮率を考
慮した値である。またλ２Ａ〜λ２Ｄの電気的波長は接
触面が長い方が望ましく１／４波長の奇数倍に選択され
る。この構成を採用することによりフェライトゴム３の
部分がハイインピーダンスとなり、導電性ゴム３の部分
が低インピーダンスとなる複数段構成の阻止フィルタと
なる。したがって、この段数分だけ外側接合部７に到達
する漏洩電磁波は減衰を受ける。また、λ１Ａ〜λ１Ｄ
の電気的波長を少しずつ変化させて阻止帯域幅を広くす
ることもできる。さらにフェライト自体も電磁波を吸収
する作用を有するので減衰量が増加する。ここでλ２Ｅ
とλ２Ｆとの電気的波長を１／２波長ずらし、Ａ方向の
残留漏洩波とＢ方向の残留漏洩波が外側接合部７で逆相
で合成されるとさらに効果的である。したがって図１に
示すとおり、金属ケース５の半溝部９Ａの断面形状をＬ
型とし金属蓋４の半溝部９Ｂの断面形状をコの字型とす
ることにより、形成された空間部の内側接合部６から外
側接合部７への内周辺距離が時計回りと反時計回りとで
差を有し、上述した１／２波長の電気的波長を確保でき
る構造としている。なお、このシールドゴム１は図３に
示すようにほぼ円筒形を形成して金属ケース５に金属蓋
４をねじ止めして半溝部９Ａおよび９Ｂとの間で形成さ
れる空間内に圧縮してはめ込まれる。
に対する動作を図１および図２を参照して説明する。図
１において内側接合部６から浸入した電磁波は時計回り
のＡ方向と反時計回りのＢ方向へ漏洩するが、まずＡ方
向の漏洩波は導電性ゴム２と金属蓋４との接触部とフェ
ライトゴム３とを順次漏洩して外側接合部７に到達す
る。一方Ｂ方向の漏洩波も同様に導電性ゴム２と金属ケ
ース５の接触部とフェライトゴム３とを順次漏洩して外
側接合部７に到達する。ここで、内側接合部６から導電
性ゴム２を通って初めのフェライトゴム３までの電気的
波長をλ２Ｅおよびλ２Ｆとし、複数のフェライトゴム
３間の間隔の電気的波長をそれぞれλ２Ａ〜λ２Ｄと
し、各フェライトゴム３の深さ方向の電気的波長をそれ
ぞれλ１Ａ〜λ１Ｅとする。このλ１Ａ〜λ１Ｄの電気
的波長はほぼ１／４波長に選択される。なおこの電気的
波長１／４波長はフェライトゴム自体の波長短縮率を考
慮した値である。またλ２Ａ〜λ２Ｄの電気的波長は接
触面が長い方が望ましく１／４波長の奇数倍に選択され
る。この構成を採用することによりフェライトゴム３の
部分がハイインピーダンスとなり、導電性ゴム３の部分
が低インピーダンスとなる複数段構成の阻止フィルタと
なる。したがって、この段数分だけ外側接合部７に到達
する漏洩電磁波は減衰を受ける。また、λ１Ａ〜λ１Ｄ
の電気的波長を少しずつ変化させて阻止帯域幅を広くす
ることもできる。さらにフェライト自体も電磁波を吸収
する作用を有するので減衰量が増加する。ここでλ２Ｅ
とλ２Ｆとの電気的波長を１／２波長ずらし、Ａ方向の
残留漏洩波とＢ方向の残留漏洩波が外側接合部７で逆相
で合成されるとさらに効果的である。したがって図１に
示すとおり、金属ケース５の半溝部９Ａの断面形状をＬ
型とし金属蓋４の半溝部９Ｂの断面形状をコの字型とす
ることにより、形成された空間部の内側接合部６から外
側接合部７への内周辺距離が時計回りと反時計回りとで
差を有し、上述した１／２波長の電気的波長を確保でき
る構造としている。なお、このシールドゴム１は図３に
示すようにほぼ円筒形を形成して金属ケース５に金属蓋
４をねじ止めして半溝部９Ａおよび９Ｂとの間で形成さ
れる空間内に圧縮してはめ込まれる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の漏洩電磁
波遮蔽構造は、阻止フィルタの機能を組み込んだシール
ドゴムを金属ケースおよび金属蓋の半溝部によって形成
されて長い接触距離を与える閉域空間部に設けることに
より、高い漏洩減衰量を確保するとともに、漏洩減衰帯
域を広くとることができる効果がある。
波遮蔽構造は、阻止フィルタの機能を組み込んだシール
ドゴムを金属ケースおよび金属蓋の半溝部によって形成
されて長い接触距離を与える閉域空間部に設けることに
より、高い漏洩減衰量を確保するとともに、漏洩減衰帯
域を広くとることができる効果がある。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図１に示すシールドゴムの構造説明図である。
【図３】図１に示すシールドゴムの斜視図である。
【図４】第１の従来例の断面図である。
【図５】第２の従来例の断面図である。
【図６】第３の従来例の断面図である。
１ シールドゴム ２ 導電性ゴム ３ フェライトゴム ４ 金属蓋 ５ 金属ケース ６ 内側接合部 ７ 外側接合部 ８ 収納部 ９Ａ，９Ｂ 半溝部
Claims (4)
- 【請求項１】 電磁波を放射する手段を収納し開放面を
形成する外周辺部に第１の半溝部を有する金属ケース
と、前記開放面を覆うように前記金属ケースに装着され
前記第１の半溝部との係合により閉域空間部を形成する
金属蓋と、前記空間部に嵌合されかつ前記電磁波の漏洩
成分に対して複数段の電磁波減衰機能を有する阻止フィ
ルタを組み込んだ弾性シールドゴムとを備えることを特
徴とする漏洩電磁波遮蔽構造。 - 【請求項２】 前記シールドゴムの基台を形成する導電
性ゴムの周縁部に前記電磁波の漏洩成分の中心周波数帯
波長のｎ／４（ｎは奇数の整数）波長間隔で磁性粉末を
含浸した複数個のゴムを所定の深さで埋設していること
を特徴とする請求項１記載の漏洩電磁波遮蔽構造。 - 【請求項３】 前記磁性粉末がフェライト粉末であるこ
とを特徴とする請求項２記載の漏洩電磁波遮蔽構造。 - 【請求項４】 前記空間部に嵌合された状態の前記シー
ルドゴムの外周部へ前記電磁波の漏洩成分が時計回りの
方向と反時計回りの方向とにわかれて侵入した場合に、
前記電磁波漏洩成分の合成点で互いに逆相になるように
前記空間部の電磁波入力接合部と電磁波出力接合部との
距離を設定することを特徴とする請求項１または２記載
の漏洩電磁波遮蔽構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040803A JPH0828590B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 漏洩電磁波遮蔽構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5040803A JPH0828590B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 漏洩電磁波遮蔽構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252578A JPH06252578A (ja) | 1994-09-09 |
| JPH0828590B2 true JPH0828590B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12590801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5040803A Expired - Lifetime JPH0828590B2 (ja) | 1993-03-02 | 1993-03-02 | 漏洩電磁波遮蔽構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828590B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260881A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Advantest Corp | 電子機器収納用筐体の電磁波シールド構造 |
| JP2002365487A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-12-18 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 光コネクタ及び光コネクタ用のシールドケース |
| JP2018032943A (ja) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 株式会社デンソーテン | 送信装置および送信装置の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH668347A5 (de) * | 1985-06-28 | 1988-12-15 | Jakob Senn | Dichtung an gehaeuseartigen einrichtungen mit elektrischen geraeten. |
-
1993
- 1993-03-02 JP JP5040803A patent/JPH0828590B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06252578A (ja) | 1994-09-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960910 |