JPH0726876Y2 - 電波暗室用電波吸収体 - Google Patents
電波暗室用電波吸収体Info
- Publication number
- JPH0726876Y2 JPH0726876Y2 JP1990071316U JP7131690U JPH0726876Y2 JP H0726876 Y2 JPH0726876 Y2 JP H0726876Y2 JP 1990071316 U JP1990071316 U JP 1990071316U JP 7131690 U JP7131690 U JP 7131690U JP H0726876 Y2 JPH0726876 Y2 JP H0726876Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anechoic chamber
- wave absorber
- electromagnetic wave
- ferrite
- return loss
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、ノイズ吸収特性に優れた電波吸収体に関し、
それを利用した電波暗室に関するものである。
それを利用した電波暗室に関するものである。
（従来の技術） 電波吸収体としては、Ni−Zn系、及びMg−Zn系フェライ
トが広く利用されている。その電波吸収体としては、主
に板状のフェライト焼結体が単層で用いられている。ま
た、フェライト粉とゴム又は、樹脂を混合した複合体も
提案されている。
トが広く利用されている。その電波吸収体としては、主
に板状のフェライト焼結体が単層で用いられている。ま
た、フェライト粉とゴム又は、樹脂を混合した複合体も
提案されている。
また、電子機器のEMC試験、すなわち放射電磁波ノイズ
評価および強磁界照射試験をするための電波暗室の電波
吸収体として、Ni−Zn系又は、Mg−Zn系フェライトより
なる電磁波吸収体パネルを室内面全体に配置することも
提案されている。特開平２−21699号公報に開示されて
いる。
評価および強磁界照射試験をするための電波暗室の電波
吸収体として、Ni−Zn系又は、Mg−Zn系フェライトより
なる電磁波吸収体パネルを室内面全体に配置することも
提案されている。特開平２−21699号公報に開示されて
いる。
（考案が解決しようとする課題） 電波吸収体としては、30MHzから1GHzまでの周波数範囲
で、反射減衰量が20dB程度以上必要とされている。従来
の電波吸収体として用いられているNi−Zn系又はMg−Zn
系フェライトでは、反射減衰量20dB以上を得ることので
きる周波数範囲は狭く、50MHzから400MHz程度とされて
いた。
で、反射減衰量が20dB程度以上必要とされている。従来
の電波吸収体として用いられているNi−Zn系又はMg−Zn
系フェライトでは、反射減衰量20dB以上を得ることので
きる周波数範囲は狭く、50MHzから400MHz程度とされて
いた。
この対策として、μｉとして3,000以上のNi−Zn系フェ
ライトが必要とされているが、安定して製造できない状
態にあり、上記の特性を満足するような広帯域で十分な
吸収性能を持つ磁性体が見当らなかった。
ライトが必要とされているが、安定して製造できない状
態にあり、上記の特性を満足するような広帯域で十分な
吸収性能を持つ磁性体が見当らなかった。
本考案では、上記の事を鑑みて、厚さを従来のままで、
低周波での反射減衰特性が良好で、30MHzで20dB以上の
十分な反射減衰量を得ることができ、従来よりも吸収帯
域が広くなる電波吸収体を提供し、更にそれを用いた電
波暗室を提供することを目的とする。
低周波での反射減衰特性が良好で、30MHzで20dB以上の
十分な反射減衰量を得ることができ、従来よりも吸収帯
域が広くなる電波吸収体を提供し、更にそれを用いた電
波暗室を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本考案は、電波を反射する反射板の前面に、Mg−Zn系フ
ェライトを配置し、その前面にNi−Zn系又はMg−Zn系フ
ェライトを配置した電波吸収体である。
ェライトを配置し、その前面にNi−Zn系又はMg−Zn系フ
ェライトを配置した電波吸収体である。
更に、その電波吸収体を用いた電波暗室である。
本考案の構成により、低周波での反射減衰量を改善した
電波吸収体を得ることができた。尚、本考案とは逆に、
反射板の前面にNi−Zn系又はMg−Zn系フェライトを配置
し、その前面にMg−Zn系フェライトを配置した電波吸収
体では、吸収帯域が、低周波側へ移動するとともに狭く
なり高周波側での反射減衰特性が悪くなった。
電波吸収体を得ることができた。尚、本考案とは逆に、
反射板の前面にNi−Zn系又はMg−Zn系フェライトを配置
し、その前面にMg−Zn系フェライトを配置した電波吸収
体では、吸収帯域が、低周波側へ移動するとともに狭く
なり高周波側での反射減衰特性が悪くなった。
（実施例） 実施例１ 本考案に係る一実施例の断面図を第１図に示す。この実
施例は、電波を反射する反射板１の前面に、μｉとして
3,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェライト板２を配置
し、その前面に、μｉとして1,500を有する厚さ5mmのNi
−Zn系フェライト板３を配置したものである。。上記フ
ェライト板の製造方法は、一般的なフェライトコアの製
造方法により、作成したものである。
施例は、電波を反射する反射板１の前面に、μｉとして
3,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェライト板２を配置
し、その前面に、μｉとして1,500を有する厚さ5mmのNi
−Zn系フェライト板３を配置したものである。。上記フ
ェライト板の製造方法は、一般的なフェライトコアの製
造方法により、作成したものである。
この実施例の反射減衰特性を、第３図のグラフ31に示
す。
す。
実施例２ 実施例１と同様の構造であって、電波を反射する反射板
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系
フェライト板を配置し、その前面に、μｉとして1,500
を有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板を配置した。
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系
フェライト板を配置し、その前面に、μｉとして1,500
を有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板を配置した。
この実施例２の反射減衰特性を、第３図のグラフ32に示
す。
す。
実施例３ 実施例１と同様の構造であって、電波を反射する反射板
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ5mmのMn−Zn系
フェライト板を配置し、その前面に、μｉとして1,500
を有する厚さ5mmのMn−Zn系フェライト板を配置した。
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ5mmのMn−Zn系
フェライト板を配置し、その前面に、μｉとして1,500
を有する厚さ5mmのMn−Zn系フェライト板を配置した。
この実施例３の反射減衰特性を第３図のグラフ33に示
す。
す。
比較例として、電波を反射する反射板の前面に、μｉと
して1,500を有する厚さ6mmのNi−Zn系フェライト板を配
置したときの反射減衰特性を第３図のグラフ34に示す。
して1,500を有する厚さ6mmのNi−Zn系フェライト板を配
置したときの反射減衰特性を第３図のグラフ34に示す。
また、電波を反射する反射板の前面に、μｉとして1,50
0を有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板を配置し、そ
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系
フェライト板を配置したときの反射減衰特性を第３図の
グラフ35に示す。
0を有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板を配置し、そ
の前面に、μｉとして6,000を有する厚さ3mmのMn−Zn系
フェライト板を配置したときの反射減衰特性を第３図の
グラフ35に示す。
この第３図に示すように、本考案の電波吸収体は、特
に、低周波での反射減衰量が優れ、従来のものより広い
周波数範囲において、高い反射減衰量を得ていることが
わかる。
に、低周波での反射減衰量が優れ、従来のものより広い
周波数範囲において、高い反射減衰量を得ていることが
わかる。
実施例４ シールド材でシールドされた室の全内面に、μｉとして
6,000以上を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェライト板を貼
り付け、その前面に、μｉとして1,500を有する厚さ5mm
のNi−Zn系フェライト板を貼り付け、簡易電波暗室を形
成した。
6,000以上を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェライト板を貼
り付け、その前面に、μｉとして1,500を有する厚さ5mm
のNi−Zn系フェライト板を貼り付け、簡易電波暗室を形
成した。
この簡易電波暗室によれば、30〜400MHzにて20dB以上の
反射減衰量を得ることができた。この簡易電波暗室は、
誘電体の吸収体を用いないので簡単な構造で電波暗室を
構成できる。
反射減衰量を得ることができた。この簡易電波暗室は、
誘電体の吸収体を用いないので簡単な構造で電波暗室を
構成できる。
実施例５ 本考案に係る実施例５の断面図を第２図に示す。この実
施例は、シールド材21でシールドされた室の全内面に、
μｉとして6,000以上を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェラ
イト板22を貼り付け、その前面に、μｉとして1,500を
有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板23を貼り付け、
更にその前面に、誘電体の吸収体24を貼り付けて電波暗
室を形成した。
施例は、シールド材21でシールドされた室の全内面に、
μｉとして6,000以上を有する厚さ3mmのMn−Zn系フェラ
イト板22を貼り付け、その前面に、μｉとして1,500を
有する厚さ5mmのNi−Zn系フェライト板23を貼り付け、
更にその前面に、誘電体の吸収体24を貼り付けて電波暗
室を形成した。
この電波暗室によれば、30MHz以上の周波数で、反射減
衰量が20dB以上確保することができた。また、この時の
誘電体の吸収体24の寸法は、本考案のフェライト板によ
り低周波側の反射減衰量を改善したので、従来のものに
較べ、1/3以下とすることができた。
衰量が20dB以上確保することができた。また、この時の
誘電体の吸収体24の寸法は、本考案のフェライト板によ
り低周波側の反射減衰量を改善したので、従来のものに
較べ、1/3以下とすることができた。
（考案の効果） 本考案によれば、電波を反射する反射板の前面に、Mn−
Zn系フェライト板を配置し、更に、その前面に、Ni−Zn
又はMg−Zn系フェライトを配置することにより、低周波
側での反射減衰特性に優れた電波吸収体を得ることがで
きた。
Zn系フェライト板を配置し、更に、その前面に、Ni−Zn
又はMg−Zn系フェライトを配置することにより、低周波
側での反射減衰特性に優れた電波吸収体を得ることがで
きた。
また、この電波吸収体を電波暗室や簡易電波暗室に用い
ることにより、電波吸収性能に優れた暗室を構成でき、
電波暗室では、前面の誘電体の吸収体を短くすることが
でき、又簡易電波暗室では誘電体の吸収体を用いないの
で、暗室の小型化又は室内を広くすることができる。更
に簡易電波暗室では、簡単に電波暗室を構成できる。
ることにより、電波吸収性能に優れた暗室を構成でき、
電波暗室では、前面の誘電体の吸収体を短くすることが
でき、又簡易電波暗室では誘電体の吸収体を用いないの
で、暗室の小型化又は室内を広くすることができる。更
に簡易電波暗室では、簡単に電波暗室を構成できる。
第１図は、本考案に係る一実施例の断面図であり、第２
図は、本考案に係る実施例５の断面図であり、第３図
は、本考案の実施例と比較例との反射減衰特性のグラフ
である。
図は、本考案に係る実施例５の断面図であり、第３図
は、本考案の実施例と比較例との反射減衰特性のグラフ
である。
Claims (4)
- 【請求項１】電波を反射する反射板の前面に、μｉが30
00以上のMn−Zn系フェライト板を配置し、その前面に、
Ni−Zn系フェライト板を配置することにより、30MHzで2
0dB以上の反射減衰量を得ることを特徴とする電波暗室
用電波吸収体。 - 【請求項２】電波を反射する反射板の前面に、μｉが30
00以上のMn−Zn系フェライト板を配置し、その前面に、
Mg−Zn系フェライト板を配置することにより、30MHzで2
0dB以上の反射減衰量を得ることを特徴とする電波暗室
用電波吸収体。 - 【請求項３】実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項
記載の電波吸収体を用いた簡易電波暗室。 - 【請求項４】実用新案登録請求の範囲第１項又は第２項
記載の電波吸収体の前面に、誘電体又は抵抗体の吸収体
を配置した電波吸収体を用いた電波暗室。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990071316U JPH0726876Y2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電波暗室用電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990071316U JPH0726876Y2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電波暗室用電波吸収体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428497U JPH0428497U (ja) | 1992-03-06 |
| JPH0726876Y2 true JPH0726876Y2 (ja) | 1995-06-14 |
Family
ID=31608232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990071316U Expired - Lifetime JPH0726876Y2 (ja) | 1990-07-02 | 1990-07-02 | 電波暗室用電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0726876Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2590549Y2 (ja) * | 1992-04-10 | 1999-02-17 | 株式会社トーキン | 電波暗室 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5267945A (en) * | 1975-12-04 | 1977-06-06 | Tdk Corp | Electric wave absorbing wall |
| DE2734791A1 (de) * | 1977-07-29 | 1979-02-15 | Schering Ag | Neue prostaglandin-i tief 2 -derivate und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPH0295294U (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-30 |
-
1990
- 1990-07-02 JP JP1990071316U patent/JPH0726876Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0428497U (ja) | 1992-03-06 |
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