JPH06224583A - フェライト電波吸収体 - Google Patents
フェライト電波吸収体Info
- Publication number
- JPH06224583A JPH06224583A JP2715793A JP2715793A JPH06224583A JP H06224583 A JPH06224583 A JP H06224583A JP 2715793 A JP2715793 A JP 2715793A JP 2715793 A JP2715793 A JP 2715793A JP H06224583 A JPH06224583 A JP H06224583A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- sintered body
- electromagnetic wave
- resistivity
- wave absorber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】 抵抗率を１０3 〜１０1 Ω-mに制御したフェ
ライト焼結体を反射板上に積層したフェライト電波吸収
体。 【効果】 フェライト焼結体の抵抗率を１０3 〜１０1
Ω-mに制御することにより電波吸収特性が改良され、２
０dB吸収帯域が２０Ｍ〜５００ＭHzと拡大する。
ライト焼結体を反射板上に積層したフェライト電波吸収
体。 【効果】 フェライト焼結体の抵抗率を１０3 〜１０1
Ω-mに制御することにより電波吸収特性が改良され、２
０dB吸収帯域が２０Ｍ〜５００ＭHzと拡大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェライト電波吸収
体、詳しくはフェライト焼結体の抵抗率を制御すること
により、或は誘電率に周波数特性を付与することによ
り、目的とする周波数域において改良された電波吸収性
をもつフェライト電波吸収体に関するものである。
体、詳しくはフェライト焼結体の抵抗率を制御すること
により、或は誘電率に周波数特性を付与することによ
り、目的とする周波数域において改良された電波吸収性
をもつフェライト電波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電波吸収体は、磁気損失を利用したフェ
ライトや、誘電損失をもつカーボンなどをウレタンなど
に含浸させたものが製品化されている。しかしこれら
は、電磁波のもつ２つの成分、磁界及び電界成分の片方
のみを損失させる、即ち、フェライトは磁界成分のみ
を、カーボンは電界成分のみを損失させる、ことにより
電磁波エネルギーを吸収している。
ライトや、誘電損失をもつカーボンなどをウレタンなど
に含浸させたものが製品化されている。しかしこれら
は、電磁波のもつ２つの成分、磁界及び電界成分の片方
のみを損失させる、即ち、フェライトは磁界成分のみ
を、カーボンは電界成分のみを損失させる、ことにより
電磁波エネルギーを吸収している。
【０００３】一般的に、電波吸収体は、その吸収特性と
して２０dB以上の吸収特性を必要とすると言われてい
る。これは、例えば電波吸収体を電波暗室などに使用す
る場合、電波暗室の性能をえるため最低２０dBの電波吸
収特性を有する電波吸収体を使用する必要のあることを
示しており、又電波暗室は、現在３０Ｍ〜１ＧHzの周波
数に対応することが主流となっている。
して２０dB以上の吸収特性を必要とすると言われてい
る。これは、例えば電波吸収体を電波暗室などに使用す
る場合、電波暗室の性能をえるため最低２０dBの電波吸
収特性を有する電波吸収体を使用する必要のあることを
示しており、又電波暗室は、現在３０Ｍ〜１ＧHzの周波
数に対応することが主流となっている。
【０００４】これまでのフェライト電波吸収体は、磁気
損失の周波数分散のみを利用しているため２０dB以上の
特性を示す周波数域が５０Ｍ〜４００ＭHzと狭く、残り
の周波数に対しては、別に対応する必要があった。従っ
て、フェライト電波吸収体のみで作られた簡易電波暗室
においては、満足した電波吸収特性がえられなかった。
損失の周波数分散のみを利用しているため２０dB以上の
特性を示す周波数域が５０Ｍ〜４００ＭHzと狭く、残り
の周波数に対しては、別に対応する必要があった。従っ
て、フェライト電波吸収体のみで作られた簡易電波暗室
においては、満足した電波吸収特性がえられなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高磁気損失
と高誘電損失とを併せもつことにより、広い範囲の周波
数域において、有効な、フェライト電波吸収体を提供す
ることを課題としている。
と高誘電損失とを併せもつことにより、広い範囲の周波
数域において、有効な、フェライト電波吸収体を提供す
ることを課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】一般に、高周波
域における物質の磁気損失（μ″）及び誘電損失
（ε″）は、その物体の基本的特性を表わすものであ
り、前者は複素比透磁率μr ＝μ′−ｊμ″（又は損失
角 tanδ＝μ″／μ′）、後者は複素比誘電率εr ＝
ε′−ｊε″（又は損失角 tanδ＝ε″／ε′）で示さ
れる。複素比透磁率及び複素比誘電率がわかれば、その
物質の反射率（入射電磁波が物質に垂直に入射した場合
に、物質表面で反射される割合）が求められ、物質の吸
収特性を、図７に示したような構成で測定することによ
り吸収体特性として知ることができる。
域における物質の磁気損失（μ″）及び誘電損失
（ε″）は、その物体の基本的特性を表わすものであ
り、前者は複素比透磁率μr ＝μ′−ｊμ″（又は損失
角 tanδ＝μ″／μ′）、後者は複素比誘電率εr ＝
ε′−ｊε″（又は損失角 tanδ＝ε″／ε′）で示さ
れる。複素比透磁率及び複素比誘電率がわかれば、その
物質の反射率（入射電磁波が物質に垂直に入射した場合
に、物質表面で反射される割合）が求められ、物質の吸
収特性を、図７に示したような構成で測定することによ
り吸収体特性として知ることができる。
【０００７】本発明の制御された電波吸収体は、目的と
する周波数域で、所望の磁気損失μ″をえるとともに、
誘電損失ε″をも生じさせることにより、吸収特性を改
良するものである。
する周波数域で、所望の磁気損失μ″をえるとともに、
誘電損失ε″をも生じさせることにより、吸収特性を改
良するものである。
【０００８】高周波域において必要とする複素比透磁率
と複素比誘電率とを得るため種々検討した結果、フェラ
イト焼結体の抵抗率を制御することにより、或はフェラ
イト焼結体の誘電率に周波数特性を持たせることによ
り、目的が達成されることを認めた。即ち、本発明は、
制御された抵抗率、好ましくは１０3 〜１０1 Ω-mに制
御された抵抗率を有するフェライト焼結体、或は周波数
特性を有する誘電率を有するフェライト焼結体を用いた
電波吸収体を提案するものである。
と複素比誘電率とを得るため種々検討した結果、フェラ
イト焼結体の抵抗率を制御することにより、或はフェラ
イト焼結体の誘電率に周波数特性を持たせることによ
り、目的が達成されることを認めた。即ち、本発明は、
制御された抵抗率、好ましくは１０3 〜１０1 Ω-mに制
御された抵抗率を有するフェライト焼結体、或は周波数
特性を有する誘電率を有するフェライト焼結体を用いた
電波吸収体を提案するものである。
【０００９】一般に使用されているNi-Zn 系フェライト
電波吸収体は１０7 Ω-m以上の抵抗率を有しているが、
本発明に使用する制御された抵抗率を有するフェライト
焼結体は、Ni-Zn 系フェライトを還元雰囲気中、高温で
長時間焼結することにより容易にえられる。
電波吸収体は１０7 Ω-m以上の抵抗率を有しているが、
本発明に使用する制御された抵抗率を有するフェライト
焼結体は、Ni-Zn 系フェライトを還元雰囲気中、高温で
長時間焼結することにより容易にえられる。
【００１０】このようにしてえられた制御された抵抗率
を有するフェライト焼結体は、図２及び図３に示したよ
うに、周波数特性を有する誘電率を示すようになる。
を有するフェライト焼結体は、図２及び図３に示したよ
うに、周波数特性を有する誘電率を示すようになる。
【００１１】このような方法によりえられたフェライト
焼結体を図７に示したように反射板上に積層する。反射
板としては、一般的な金属板であれば使用可能であり、
積層するフェライト焼結体の厚さは、その複素比透磁率
及び複素比誘電率により適宜選択することが出来る。
焼結体を図７に示したように反射板上に積層する。反射
板としては、一般的な金属板であれば使用可能であり、
積層するフェライト焼結体の厚さは、その複素比透磁率
及び複素比誘電率により適宜選択することが出来る。
【００１２】
【実施例】一般に使用されているNi-Zn 系フェライト電
波吸収体の比誘電率（εr ＝ε′−ｊε″）、比透磁率
（μr ＝μ′−ｊμ″）の測定結果を図１に、その電波
吸収特性を図４に示した。誘電損失（ε″）は０に近
く、周波数特性が極めて小さく、２０dB吸収帯域は、５
０Ｍ〜４００ＭHzと狭い、従ってフェライト電波吸収体
のみで形成されている簡易電波暗室では、充分な電波吸
収特性がえられていないことが明らかである。前記の方
法により、Ni−Zn系フェライト電波吸収体の抵抗率を１
０3 Ω-mに制御した本願発明による電波吸収体のε′、
ε″、μ′及びμ″の測定結果を図２に、その電波吸収
特性を図５に示した。比誘電率ε′、誘電損失ε″が周
波数特性を持ち、２０dB吸収帯域が２０Ｍ〜５００ＭHz
と拡がり、吸収特性が改善されたことを示している。更
にNi−Zn系フェライト電波吸収体において、その抵抗率
を１０°Ω-mに制御した場合のε′、ε″、μ′及び
μ″の測定結果を図３に、その電波吸収特性を図６に示
した。ε′及びε″が上がり、吸収特性が悪くなってい
ることが明らかである。
波吸収体の比誘電率（εr ＝ε′−ｊε″）、比透磁率
（μr ＝μ′−ｊμ″）の測定結果を図１に、その電波
吸収特性を図４に示した。誘電損失（ε″）は０に近
く、周波数特性が極めて小さく、２０dB吸収帯域は、５
０Ｍ〜４００ＭHzと狭い、従ってフェライト電波吸収体
のみで形成されている簡易電波暗室では、充分な電波吸
収特性がえられていないことが明らかである。前記の方
法により、Ni−Zn系フェライト電波吸収体の抵抗率を１
０3 Ω-mに制御した本願発明による電波吸収体のε′、
ε″、μ′及びμ″の測定結果を図２に、その電波吸収
特性を図５に示した。比誘電率ε′、誘電損失ε″が周
波数特性を持ち、２０dB吸収帯域が２０Ｍ〜５００ＭHz
と拡がり、吸収特性が改善されたことを示している。更
にNi−Zn系フェライト電波吸収体において、その抵抗率
を１０°Ω-mに制御した場合のε′、ε″、μ′及び
μ″の測定結果を図３に、その電波吸収特性を図６に示
した。ε′及びε″が上がり、吸収特性が悪くなってい
ることが明らかである。
【００１３】
【発明の効果】本発明によるフェライト電波吸収体は、
複素比透磁率と複素比誘電率とを併せ有するため従来使
用されているフェライト電波吸収体に比し、吸収特性が
すぐれている。
複素比透磁率と複素比誘電率とを併せ有するため従来使
用されているフェライト電波吸収体に比し、吸収特性が
すぐれている。
【図１】従来のNi−Zn系フェライト電波吸収体の比透磁
率、比誘電率と周波数との関係を示したグラフ図であ
る。
率、比誘電率と周波数との関係を示したグラフ図であ
る。
【図２】本願発明により、抵抗率を１０3 Ω-mに制御し
たNi-Zn 系フェライト電波吸収体の比透磁率、比誘電率
との関係を示したグラフ図である。
たNi-Zn 系フェライト電波吸収体の比透磁率、比誘電率
との関係を示したグラフ図である。
【図３】抵抗率を１０°Ω-mに制御したNi−Zn系フェラ
イト電波吸収体の比透磁率、比誘電率と周波数との関係
を示したグラフ図である。
イト電波吸収体の比透磁率、比誘電率と周波数との関係
を示したグラフ図である。
【図４】従来のNi−Zn系フェライト電波吸収体の電波吸
収特性を示したグラフ図である。
収特性を示したグラフ図である。
【図５】本発明により抵抗率を１０3 Ω-mに制御したNi
-Zn 系フェライト電波吸収体の電波吸収特性を示したグ
ラフ図である。
-Zn 系フェライト電波吸収体の電波吸収特性を示したグ
ラフ図である。
【図６】抵抗率を１０°Ω-mに制御したNi−Zn系フェラ
イト電波吸収体の電波吸収特性を示したグラフ図であ
る。
イト電波吸収体の電波吸収特性を示したグラフ図であ
る。
【図７】フェライト焼結体を反射板上に積層してえたフ
ェライト電波吸収体の構成を示した図である。
ェライト電波吸収体の構成を示した図である。
μ′ 比透磁率の実部 μ″ 比透磁率の虚部（磁気損失） ε′ 比誘電率の実部 ε″ 比誘電率の虚部（誘電損失） ｆ 周波数（ＭHz) １ 反射板 ２ 焼結フェライト電波吸収体 ３ 電波
Claims (2)
- 【請求項１】 フェライト焼結体の抵抗率を１０3 〜１
０1 （Ω-m) に制御したことを特徴とするフェライト電
波吸収体。 - 【請求項２】 フェライト焼結体の誘電率に周波数特性
をもたせたことを特徴とするフェライト電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2715793A JPH06224583A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2715793A JPH06224583A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224583A true JPH06224583A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12213225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2715793A Pending JPH06224583A (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | フェライト電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06224583A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6745057B1 (en) | 1999-05-10 | 2004-06-01 | Nec Corporation | Portable telephone |
| JP2019110166A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社トーキン | ノイズ抑制シート |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP2715793A patent/JPH06224583A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6745057B1 (en) | 1999-05-10 | 2004-06-01 | Nec Corporation | Portable telephone |
| JP2019110166A (ja) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 株式会社トーキン | ノイズ抑制シート |
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