JPH09186484A

JPH09186484A - 広帯域電波吸収体

Info

Publication number: JPH09186484A
Application number: JP7354302A
Authority: JP
Inventors: Michiharu Takahashi; 道晴高橋
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1995-12-27
Filing date: 1995-12-27
Publication date: 1997-07-15
Anticipated expiration: 2015-12-27
Also published as: KR100303197B1; US5812080A; KR970054893A; JP3030453B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電子機器に利用される周波数の高周波数化の
要求に応えると同時に、物理的な高さが低く、より経済
的に広帯域な電波吸収特性を有する電波吸収体を提供す
る。【解決手段】反射板上に、単位吸収体を間隔ｐで繰り
返して配置した構造を有し、該単位吸収体が、厚みｄ、
長さＬ、幅ｔ_mの磁性体板を十字形に交差させた形状の
第１層と、該第１層の上に設けられた、半径が反射板方
向から電波到来方向に向かって階段状に順次減少する磁
性体円柱を積層してなる多段層とからなり、かつ、前記
多段層内の磁性体円柱の最大半径をｒ_maxとするとき、Ｌ＝ｐ２ｒ_max≦ｐｔ_m＜ｐなる関係を満足し、さらに、単位吸収体における多段層
のうち少なくとも１つ以上の層を構成する磁性体円柱
が、隣合う単位吸収体の磁性体円柱と機械的に接触して
いないことを特徴とする広帯域電波吸収体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、広帯域電波吸収体
に関し、詳しくは、電子機器の不要放射試験、妨害電磁
波耐性試験、アンテナ特性試験などに広く利用される電
波暗室の壁材や、ビルや橋などの建築物や構造物からの
電波反射によるＴＶや航行レーダヘの障害防止などのた
めの電波吸収壁材として用いられる広帯域電波吸収体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、広帯域電波吸収体として最も良く
知られているものに、損失誘電体によって構成されるピ
ラミッド形電波吸収体と称される四角錐状ものがある。
このタイプの電波吸収体は吸収要素として抵抗損失を利
用したもので、電波反射板である金属板上に四角錐状の
電波吸収部材を設けた構成となっている。この四角錐状
の電波吸収部材は、例えば多孔質プラスチックに微小カ
ーボン粒を含浸させたもの、或いは発泡ポリウレタン粒
に抵抗体であるカーボン微粒子を装荷したものを、適当
な方法でピラミッド状に固めて構成され、金属板上にそ
の断面積が該金属板に向かって順次増加するように設け
られる。このような構成では、電波吸収部材の断面積が
金属板に向かって順次増加しているため、電波吸収部材
のインピーダンスが空間から金属反射板方向に向かって
順次低くなり、空間インピーダンスとの整合が行われ
る。

【０００３】上記のタイプの電波吸収体は非常に広帯域
の電波吸収特性を示すが、一般にその高さは吸収しよう
とする電波の最低周波数の２分の１波長程度となり、例
えば３０ＭＨｚの周波数の電波から吸収しようとする
と、電波吸収体の高さは５ｍ程度となってしまう。この
ような電波吸収体を例えば電波暗室の吸収壁として用い
た場合、測定空間が狭くなる等のスペース上の問題、あ
るいは壁面、天井への取付作業が容易でない等の施工上
の問題がある。さらに、基材がプラスチックであるの
で、吸収した電波による発熱のため、発火、燃焼の危険
やガスの発生等の問題があり、また電波吸収体自体の吸
水性のために、機械的あるいは電気的特性の劣化等や、
これらの特性の経年変化、あるいは損傷等の問題があ
る。しかし、このタイプの電波吸収体は、物理的な高さ
の低くできるマイクロ波帯の電波吸収体としては、その
吸収特性がよいところから、引き続き利用されている。

【０００４】これに対し、磁性損失を利用することによ
り、電波吸収体の高さの問題を解決する技術が提案され
ている。例えば、磁性損失を与える磁性体として、焼結
フェライト磁性体を用いて構成された電波吸収体があ
る。この電波吸収体は５〜８ｍｍ程度の低い高さで、例
えば３０ＭＨｚという低周波数の電波から吸収できると
いう優れた特性を持っている。しかし、この電波吸収体
では、使用できる周波数帯域は３０〜３００ＭＨｚと帯
域が狭いという問題点があった。

【０００５】一方、例えばＴＶ電波のビルによる反射障
害防止のために、ビルの壁面の全面にフェライトタイル
を貼り付けることが行われている。また、フェライトタ
イルを建物の壁面に磁界方向には連続するが電界方向に
は間隔をあけて配置することにより、上記全面配置の場
合に比べフェライトタイルの使用枚数を減らし、経済的
にＶＨＦ帯のＴＶ電波障害を防止することも行われてい
る。しかし、これらの場合も電波吸収体の電波吸収帯域
幅は狭く、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯までの周波数にわたっ
てＴＶ電波を吸収するほどの帯域幅ではない。また、こ
のタイプの電波吸収体は単一偏波であるため、利用がＴ
Ｖ電波障害対策などに限られており、電波暗室等には、
このように偏波依存性を持つ電波吸収体は不適当である
ので利用できない。

【０００６】さらに、単層フェライトタイルの狭帯域を
改善する技術として、フェライトタイルに先に述ベた損
失誘電体を積層した電波吸収体、ないしは２枚のフェラ
イトタイルを適当な空隙を介して積層した電波吸収体が
提案されている。ところが、前者に対しては積層吸収体
自体の高さが依然として高いという不具合の他に、電気
的にも機械的にも異なる２種類の材料を必要とし、かつ
構造が複雑になるという欠点がある。また、後者にあっ
ては、その組み合わせ機構に機械的に弱い薄い材料が要
求されるなどの欠点がある。そのため、これらの電波吸
収体はほとんど実用になっていない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】今後、電子機器に利用
される周波数は、より高い周波数に亘るようになり、従
って電波暗室の壁材として要求される性能につき、その
上限周波数は必然的に高くならざるを得ないと思われ
る。本発明は、この要求に応えると同時に、物理的な高
さが低く、より経済的に広帯域な電波吸収特性を有する
電波吸収体を提供することをその目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、反射板上に、
磁性体からなるそれぞれ電気定数の大幅に異なる第１層
と第２層以降の複数層を、反射板に垂直な方向に連続し
て積み重ねてなる多層電波吸収体に係るものである。詳
しくは、反射板に最も近い第１層を磁性体板を十字型に
交差させるか、ないしはタイル状の磁性体とし、第１層
の上に順次重ねる第２層以降の層は、その断面が円形で
ある磁性体柱をもって構成する。さらに、第２層以降の
層を構成する各々の磁性体円柱の半径は第２層から電波
到来方向に向かい順次階段状に小さくなるように構成す
る。かくして得られた多層磁性体を、当該電波吸収体を
構成する「単位吸収体」とし、この単位吸収体を、反射
板上に一定間隔で配置することにより、所要面積の本発
明による広帯域電波吸収体が構成される。

【０００９】さらに、上記単位吸収体の配置に際し、隣
合う第２層以降の積層磁性体円柱間は、少なくとも一つ
以上の層の磁性体円柱において、その側壁が高さ方向の
何処においても、隣合う同一層の磁性体円柱と互いに接
触しない形に配置する。すなわち、この接触していない
部分の磁性体円柱は、直線偏波に対し、その電界方向及
び磁界方向に対しても機械的に不連続な構造を有してい
る。好ましい例としては、隣合う単位吸収体の第１層間
は互いに密着して反射板上に配列をし、第２層以降の層
は、磁性体円柱の半径を単位吸収体の配置間隔の２分の
１より小さくし、互いに隙間をあける。このようにする
と、その部分の吸収層は、単位吸収体内に占める半径で
決まる磁性体部と空隙部との関係により、その電気的性
格が決まり、その層の透磁率及び誘電率は、単位吸収体
内に空隙がなく磁性体が充填されている場合の各定数に
比べ、いずれの値も低下し、材料と円柱の半径の設定に
より、各吸収層に要求される最適な数値のものが容易に
得られ、広帯域電波吸収体を構成することができる。

【００１０】このように、本発明によれば、上記目的を
達成するため、反射板上に、単位吸収体を間隔ｐで繰り
返して配置した構造を有し、該単位吸収体が、厚みｄ、
長さＬ、幅ｔ_mの磁性体板を十字形に交差させた形状の
第１層と、該第１層の上に設けられた、半径が反射板方
向から電波到来方向に向かって階段状に順次減少する磁
性体円柱を積層してなる多段層とからなり、かつ、前記
多段層内の磁性体円柱の最大半径をｒ_maxとするとき、Ｌ＝ｐ２ｒ_max≦ｐｔ_m＜ｐなる関係を満足し、さらに、単位吸収体における多段層
のうち少なくとも１つ以上の層を構成する磁性体円柱
が、隣合う単位吸収体の磁性体円柱と機械的に接触して
いないことを特徴とする広帯域電波吸収体が提供され
る。また、本発明によれば、反射板上に、単位吸収体を
間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該単位吸収体
が、厚みｄ、長さＬ、幅ｔ_mの磁性体板を十字形に交差
させた形状の第１層と、該第１層の上に設けられた、半
径ｒ、高さｈの磁性体円柱からなる第２層とからなり、
さらに、Ｌ＝ｐ２ｒ＜ｐｔ_m＜ｐなる関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体
が提供される。また、本発明によれば、反射板上に、単
位吸収体を間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該
単位吸収体が、厚みｄ、長さ及び幅がＬのタイル状磁性
体からなる第１層と、該第１層の上に設けられた、半径
が反射板方向から電波到来方向に向かって階段状に順次
減少する磁性体円柱を積層してなる多段層とからなり、
かつ、前記多段層内の磁性体円柱の最大半径をｒ_maxと
するとき、Ｌ＝ｐ２ｒ_max≦ｐｄ≦ｐなる関係を満足し、さらに、単位吸収体における多段層
のうち少なくとも１つ以上の層を構成する磁性体円柱
が、隣合う単位吸収体の磁性体円柱と機械的に接触して
いないことを特徴とする広帯域電波吸収体が提供され
る。また、本発明によれば、反射板上に、単位吸収体を
間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該単位吸収体
が、厚みｄ、長さ及び幅がＬのタイル状磁性体からなる
第１層と、該第１層の上に設けられた、半径ｒ、高さｈ
の磁性体円柱からなる第２層とからなり、さらに、Ｌ＝ｐ２ｒ＜ｐｄ≦ｐｄ≦ｈなる関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体
が提供される。また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１層の実効透磁率が１０００〜３０００で、第２
層以降の層の実効透磁率が１．０１〜１０で、かつ、前
記磁性体板及び磁性体円柱がそれぞれ焼結フェライトで
形成されていることを特徴とする広帯域電波吸収体が提
供される。また、本発明によれば、上記構成において、
少なくとも一つ以上の層が焼結フェライト粉体と高分子
化合物との混合物で形成されていることを特徴とする広
帯域電波吸収体が提供される。さらに、本発明によれ
ば、上記構成において、電波吸収体の前面に損失誘電体
を付加してなる広帯域電波吸収体が提供される。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の広帯域電波吸収体は、反
射板上に、吸収すべき入射電波の磁界方向と電界方向に
対し、磁性体が連続している第１層と、同じく入射電波
の磁界方向と電界方向に対して、規則的に円柱による磁
性体部と円柱の無い空隙部との繰り返し構造を有する第
２層以降の層との組み合わせにより構成されている。

【００１２】一般に磁性体の比透磁率μ_r、比誘電率ε_r
は μ_r=μ_r1-ｊμ_r2 ε_r=ε_r1-ｊε_r2（１）の複素数で表わすことができ、かつ、周波数分散特性を
持っている。ここに、μ_r1は比透磁率μ_rの実数分、μ
_r2は虚数分を示し、ε_r1は比誘電率ε_rの実数分、ε_r2
は虚数分を示している。

【００１３】例えば、電波吸収体の構成材料としてよく
使用されるＮｉＺｎ系焼結フェライトの材料自体の比透
磁率は、材質により異なり、１ＫＨｚ程度の低い周波数
で、（１）式のμ_r1の値はμ_r1=１０〜２５００程度の
値が得られ、μ_r2の値もμ_r1が大きければ大きいのが一
般的であるが、いずれにしても、どちらの値も周波数に
よって変化する。また、ＮｉＺｎ系焼結フェライトの材
料の比誘電率のうちε_r1の値は材料により、約１２から
１５となるが、周波数に対してほぼ一定とみなしてよ
く、ε_r2の値は非常に小さいのが普通である。

【００１４】今後の説明で、単に、比透磁率、比誘電率
という表現は、それぞれ（１）式の実数部、すなわち、
μ_r1、ε_r1を表現し、特に断りがない限り、周波数１Ｋ
Ｈｚの場合の値である。また、関心のある層に、空隙
（ここでは空気）と磁性体の両方が存在する場合、その
層の持つ比透磁率と比誘電率は、それと電気的に等価な
均一媒質で占められている層とみなして、以後この層の
比透磁率と比誘電率を「実効比透磁率」と「実効比誘電
率」と呼ぶことにする。

【００１５】この実効透磁率と実効誘電率が、磁性体と
空隙の関係により、どうなるかを調べてみたところ、空
隙を設けることにより、実効比透磁率と実効比誘電率
は、磁性体間に空隙がなく連続している場合に比べ小さ
くなるだけでなく、その周波数特性も大きく変化するこ
とを確認した。このことを図１５を用いて説明する。

【００１６】図１５では、点線で囲まれた面積内は、半
径ｒのフェライト円柱と空間の共存範囲を示しており、
この共存範囲が磁界方向に２個だけ連続している場合
を、電波の進行方向からみた正面図として描いている。
この共存範囲が波長に比べ十分磁界方向に長く連続して
間隔ｐで配置されているものとし、その磁性体材料の比
透磁率が２５００で、間隔ｐが２０ｍｍで、ｒが１０．
０ｍｍの場合（同図Ａ）と、磁性体円柱の半径ｒが３．
０ｍｍで他の条件を同じにした場合（同図Ｂ）の層の実
効比透磁率の周波数分散をそれぞれ図１６に曲線（Ａ）
と曲線（Ｂ）で示す。つまり、磁性体円柱間に隙間がな
い（ｓ＝０ｍｍ）場合とｓ＝１４ｍｍの隙間がある場合
で、その間のｓの変化に対しては、その比透磁率の周波
数分散は、図１６の曲線（Ａ）から曲線（Ｂ）の範囲で
変化することを意味している。

【００１７】このように、空隙があることにより、実効
比透磁率は、μ_r1、μ_r2共にその最大値が小さくなるだ
けでなく、空隙があることによって、特にμ_r2の値が最
大になる周波数が高い方に大きく移動し、空隙がない場
合に比べ分散特性の全く違ったものとなっていることが
解る。本発明では、このような実効比透磁率の周波数分
散の変動と、実効比誘電率の低下を有効に利用する。

【００１８】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。なお、以下に述べる実施例の特性は、すべ
て、図１７に示すようなトリプレート線路を用い、ＴＥ
Ｍ波による測定で評価したものである。また、各実施例
の電波吸収体の構造を示す図１、図４、図７において、
Ｆは焼結フェライト、Ｍは反射板を示す。また、図２、
図５、図８、図１０は関連する実施例を構成する単位構
造に相当する「単位吸収体」を示している。従って、本
発明の電波吸収体は、この単位吸収体を互いに第１層が
接触した状態で、所要面積となるよう、反射板上に同一
平面上に並べて配置することにより構成される。また、
各図の単位吸収体において、ｈは吸収体の電波入射方向
に測った全体の高さ、ｔ_mは第１層の磁性体の幅、Ｌは
単位吸収体の一辺の長さ、ｄは第１層の厚みであり、ｈ
₂,・・・ｈ₈は第２層以降の層の各磁性体円柱の高さ、
ｒ₂,・・・ｒ₈は第２層以降の層に配置される各磁性体
円柱の半径、ｐは隣合う単位吸収体の間隔、ｓ₂,・・・
ｓ₈は第２層以降の層の隣合う単位吸収体間の同一磁性
体円柱の間隔で、各図とも共通である。

【００１９】実施例１本発明による電波吸収体の一実施例の構造を図１に示
す。図において、反射板Ｍに近い第１層は、磁性体板を
同一面上で十字型に交差させた形状に構成し、その上に
設けられる第２層と第３層は断面が円形の磁性体柱を２
段積み重ねることによって構成する。従って、本実施例
は全体として３層からなる多層電波吸収体で、その３層
目の磁性体円柱の半径は２層目の磁性体円柱の半径に比
べ小さく、磁性体円柱の高さは３層目の方が２層目に比
べて高くなっている。本実施例の電波吸収体を構成する
ための構造単位となる第１層、第２層、第３層を一緒に
した積層磁性体を単位吸収体として、その詳細構造を図
２に示す。なお、図２において、（ａ）は斜視図、
（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図である。従って、図１
の構造は、反射板Ｍ上に図２に示す単位吸収体を、第１
層の厚みの部分が、隣合う単位吸収体間で互いに接触す
る状態で所要数量配列したものである。

【００２０】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、すべて
の層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一材料であり、そ
の比透磁率は２５００、比誘電率は１５である。単位吸
収体間の間隔ｐは２０ｍｍに設定し、第１層の磁性体板
の厚みｄは８．０ｍｍ、幅ｔ_mは１５ｍｍ、長さＬは２
０ｍｍである。第２層の磁性体円柱の高さｈ₂は１０ｍ
ｍ、半径ｒ₂は８．７ｍｍであり、この第２層は、第１
層の上に接した状態で積層されている。また、第３層の
磁性体円柱の高さｈ₃は１１ｍｍ、半径ｒ₃は６ｍｍで、
この第３層は、第２層の上に接した状態で積層されてい
る。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層の磁性体
円柱相互間ではｓ₂=２．６ｍｍの隙間があいており、第
３層の磁性体円柱相互間ではｓ₃=８．０ｍｍの隙間があ
いていることになる。

【００２１】本実施例の構造の場合、第１層の実効比透
磁率は約１８８０、実効比誘電率は約１２であり、第２
層の実効比透磁率は約４．１、実効比誘電率は３．２で
あり、第３層の実効比透磁率は約１．６、実効比誘電率
は１．６である。

【００２２】かく構成された本発明の電波吸収体の吸収
特性は、図１で上から、すなわち、第３層の表面から反
射板Ｍ方向に垂直入射した電磁波に対し、図３に示すよ
うに、反射減衰量２０ｄＢ以上を３０−６２００ＭＨｚ
の範囲でカバーしている。

【００２３】実施例２本発明による他の実施例の電波吸収体の構造を図４に示
す。本実施例は実施例１と同じく３層からなる電波吸収
体の例であるが、反射板Ｍに近い第１層を、タイル状の
フェライト磁性体にしている。第２層及び第３層は、半
径の異なる磁性体円柱で、実施例１と同じにしている。
本実施例の電波吸収体を構成するための構造単位となる
第１層、第２層及び第３層を一緒にした積層磁性体によ
る単位吸収体の詳細構造を図５に示す。なお、図５にお
いて、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面
図である。すなわち、図４の構造は、反射板Ｍ上に図５
に示す単位吸収体を、第１層の厚みの部分が隣り合う単
位吸収体間で互いに接触する状態で所要数量配列したも
のである。

【００２４】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、すベて
の層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一材料であり、そ
の比透磁率は２５００、比誘電率は１５である。第１層
のタイル状磁性体板の厚みｄは６．０ｍｍ、長さＬは２
０ｍｍ、幅ｔ_mはタイル状であるからｔ_m=Ｌ、すなわ
ち、２０ｍｍに設定している。第２層の磁性体円柱の高
さｈ₂は９ｍｍとし、この第２層は、第１層の上に接し
た状態で積層されている。また、第３層の磁性体円柱の
高さｈ₃は１１ｍｍで、この第３層は、第２層の上に接
した状態で積層されている。さらに、第２層の磁性体円
柱の半径ｒ₂は８．６ｍｍ、第３層の磁性体円柱の半径
ｒ₃は６ｍｍで、単位吸収体の間隔ｐは２０ｍｍに設定
している。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層の
磁性体円柱相互間はｓ₂=２．８ｍｍの隙間があいてお
り、第３層の磁性体円柱相互間はｓ₃=８．０ｍｍの隙間
があいていることになる。

【００２５】本実施例の構造の場合、第１層はタイル状
であるためその比透磁率は材料自体と同じ約２５００、
比誘電率は約１５である。また、第２層の実効比透磁率
は約３．８、実効比誘電率は３．０であり、第３層の実
効比透磁率は約１．６、実効比誘電率は１．６である。

【００２６】かく構成された本発明の電波吸収体の吸収
特性は、図４で上から、すなわち、第３層の表面から反
射板Ｍ方向に垂直入射した電磁波に対し、図６に示すよ
うに、反射減衰量２０ｄＢ以上を３０−６６００ＭＨｚ
の範囲でカバーしている。

【００２７】実施例３本発明のさらに他の実施例の電波吸収体の構造を図７に
示す。本実施例は２層からなる電波吸収体の場合であ
り、第１層は磁性体板を交差させた十字型の磁性体、そ
して第２層は磁性体円柱であり、第１層の上に積み重ね
られている。第１層と第２層を構成する単位吸収体とな
る積層磁性体柱の構造を図８に示す。なお、図８におい
て、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図
である。すなわち、図７の構造は、反射板Ｍ上に図８で
示される単位吸収体の積層磁性体を、第１層の厚みの部
分が隣り合う単位吸収体間で互いに接触する状態で所要
数量を同一平面上に配列したものである。

【００２８】本実施例で使用した磁性材料Ｆは第１層も
第２層も同一のＮｉＺｎ系焼結フェライトであり、その
比透磁率は２５００、比透磁率は１５である。単位吸収
体の間隔ｐは２０ｍｍに設定し、第１層の磁性体板の厚
みｄは８．０ｍｍ、幅ｔ_mは１５ｍｍ、長さＬは２０ｍ
ｍである。第２層目の磁性体円柱の高さｈ₂は１２ｍ
ｍ、半径ｒ₂は８．５ｍｍである。従って、隣合う単位
吸収体間では、第２層の磁性体円柱相互間はｓ₂=３．０
ｍｍの隙間があいていることになる。

【００２９】本実施例の構造の場合、第１層の実効比透
磁率は約１８８０、実効比誘電率は約１２であり、第２
層の実効比透磁率は約３．６、実効比誘電率は２．９で
ある。

【００３０】かく構成された本発明の電波吸収体の吸収
特性は、図９に示すように、反射減衰量２０ｄＢ以上を
３０−２９００ＭＨｚの範囲でカバーしている。

【００３１】実施例４本発明のさらに他の実施例は８層からなる電波吸収体の
例であり、第２層以降の層は、その半径がそれぞれ異な
る磁性体円柱を積層した多段層に形成され、第２層以降
の層を構成する磁性体円柱の半径は金属板Ｍから電波到
来方向に向かって順次階段状に小さくなっている。反射
板Ｍに近い第１層は、タイル状のフェライト磁性体で形
成されている。本実施例の電波吸収体を構成するための
構造単位となる第１層から第８層までを積層した積層磁
性体による単位吸収体の詳細構造を図１０に示す。図１
０において、（ａ）は斜視図、（ｂ）は正面図、（ｃ）
は側面図である。すなわち、本実施例の電波吸収体を構
成するには、反射板Ｍ上に図１０に示す単位吸収体を、
第１層の厚み部分が、隣合う単位吸収体間で互いに接触
する状態で所要数量配列すれば良い。

【００３２】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、これま
での他の実施例と同じく、すベての層でＮｉＺｎ系焼結
フェライトの同一材料であり、その比透磁率は２５０
０、比誘電率は１５である。第１層のタイル状磁性体板
の厚みｄは６ｍｍ、長さＬは２０ｍｍ、幅ｔ_mは２０ｍ
ｍである。従って、隣合う第１層間はタイル状であるた
め当然互いに接触しているが、第１層の上に接して積み
上げられた第２層から第８層までは、隣合う層の同一層
の磁性体円柱は互いに離れており、吸収体全体の高さｈ
が４９ｍｍである。さらに、第２層以降の磁性体円柱の
半径は、ｒ₂の９．１ｍｍから、ｒ₈の３．０ｍｍまで順
次小さくなって行き、各磁性体円柱の高さはｈ₂が７ｍ
ｍから、ｈ₈が３ｍｍまで各層において実験で得られた
好ましい値に定めている。単位吸収体の間隔ｐは２０ｍ
ｍとした。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層以
降の同一層の磁性体円柱相互間はｓ₂=１．８ｍｍ、第８
層の磁性円柱相互間はｓ₈=１４．０ｍｍと、磁性体円柱
半径が小さくなるに従い隙間が次第に大きく開いて行く
ようになっている。なお、本実施例の各部の寸法を表１
に示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】本実施例の構造の場合、第１層はタイル状
であるためその比透磁率は材料自体と同じ約２５００、
比誘電率は約１５である。また、第２層の実効比透磁率
は約５．３、実効比誘電率は３．８であり、第８層の実
効比透磁率は約１．１、実効比誘電率は１．１である。
なお、各層の実効比透磁率及び実効比誘電率をそれぞれ
表２に示す。

【００３５】

【表２】

【００３６】かく構成された本発明の電波吸収体の吸収
特性は、図１０で上から、すなわち、第８層の表面から
反射板Ｍ方向に垂直入射した電磁波に対し、図１１に示
すように、反射減衰量２０ｄＢ以上を３０ＭＨｚ−３０
ＧＨｚの範囲でカバーしている。

【００３７】以上実施例１、２、３、４はいずれもその
構成材料は焼結フェライトを使用したものである。これ
らの場合、その第１層はフェライト板を十字型に交差し
た場合であれ、フェライトタイル（ｔ_m=Ｌの場合に相当
する）の場合であれ、その実効比透磁率を１０００以上
に設定している。また、第２層以降の実効比透磁率は１
０以下に設定されている。このように電波吸収体を焼結
フェライトのみで構成した場合は、第２層以降の実効比
透磁率を第１層に比べ約１００分の１以下にすることに
より、低い周波数から動作可能な広帯域電波吸収体を構
成することができる。

【００３８】実施例５図１２は本発明によるさらに他の電波吸収体の構造を側
断面で示す。本発明によれば、図に示すように、前方
（入射波方向）に、損失誘電体ＬＤを付加して、さらに
広帯域な電波吸収体に発展させることができる。図１２
において、Ａの部分は実施例３に示したものと同じ電波
吸収体である。また、損失誘電体ＬＤは、カーボン粉体
を、発泡ポリウレタンに体積１リットル当たり０．５ｇ
の割合で一様に含浸して製作した。この損失誘電体ＬＤ
の比誘電率は約１．２である。これをＡの表面から、電
波入射方向にＡの表面積と同一面積で３００ｍｍの長さ
の角柱状の部材として付加した。

【００３９】かく構成された本発明の電波吸収体の特性
は、図１３に示すように、反射減衰量２０ｄＢ以上の範
囲が、実施例３では３０−２９００ＭＨｚであったのに
対し、３０ＭＨｚ−５ＧＨｚに広がっている。

【００４０】実施例６前記各実施例においては、磁性材料として用いたもの
は、すベての層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一磁性
材料であったが、本発明に利用できる磁性材料はこれに
限ったものではない。例えば、フェライトの粉体をクロ
ロプレンゴムないしはポリオレフィンなどのプラスチッ
クに分散した、通称ゴムフェライトを用いても良い。

【００４１】一つの例として、粒径が５−５０ミクロン
のＭｎＺｎ系焼結フェライトの粉体を、重量比で、クロ
ロプレンゴム１に対しフェライト粉体１０の割合で分散
させた場合、比透磁率μ_r1が約１０、比誘電率ε_r1が１
１の磁性材料を得ることができる。このゴムフェライト
を実施例３、すなわち、図７、図８に示す構造にするこ
とにより、マイクロ波帯用の電波吸収体に構成すること
ができる。具体的には、その単位吸収体の間隔ｐを２０
ｍｍに設定し、第１層の磁性体板の厚みｄを５ｍｍ、幅
ｔ_mを２０ｍｍ、長さＬを２０ｍｍに設定する。従って
第１層はタイル状になる。また、その上の第２層目の磁
性体円柱の高さｈ₂を１５ｍｍ、磁性体円柱の半径ｒ₂を
７．６ｍｍに設定する。かく構成された電波吸収体は、
隣合う単位吸収体間では、第２層の磁性体円柱相互間は
ｓ₂=４．８ｍｍの隙間があいていることになる。この構
造の場合、前記のゴムフェライトを使用し、かつ第１層
がタイル状であるため、第１層の実効比透磁率は約１
０、実効比誘電率は約１１である。また、第２層の実効
比透磁率は約２．２５、実効比誘電率は２．１である。

【００４２】このようなゴムフェライトによる本発明の
電波吸収体の吸収特性は、図１４に示すように、反射減
衰量２０ｄＢ以上を１０００−５３００ＭＨｚの範囲で
カバーするマイクロ波帯用の広帯域な特性を示す。

【００４３】また、実施例５のような多層の構成にあっ
ては、例えば、第１層と第２層は焼結フェライトで構成
し、実効比透磁率が比較的小さくて良い第２層以降の層
をこのようなゴムフェライトを用いて構成することもで
きる。

【００４４】また、本発明の電波吸収体において、第１
層の磁性体板を十字型にする場合、上記図２の（ｂ）あ
るいは図８（ｂ）に示すような形の他、図１８に示すよ
うなＸ型、ないしはタイル状の磁性体板の四隅を円弧状
に欠削した糸巻き型の形状に変形したものとしてもよ
い。本発明における十字型とはこのような変形形状をも
包含する。

【００４５】さらに、第２層以降の層に、空隙をもたせ
る方法としては、実施例で述ベたように、断面が円形の
磁性体柱が最も合理的であるが、例えば図１９（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に２層型の場合の断面を示すように、
４、６、８角形の様な多角形を採用しても、電界方向、
磁界方向にも空隙を有するから、効果に変わりがないこ
とはその動作原理から明らかである。ただし、垂直、水
平両偏波に対し同一吸収特性を与えるためには、電界、
磁界両方向に対し同一面積の空隙を持つことが好まし
い。

【００４６】

【発明の効果】以上、本発明では、２層形又はそれ以上
の多層形の構成の電波吸収体において、少なくとも第１
層は磁性体板の長さを単位吸収体の配列間隔と等しくし
て、互いに隣合う単位吸収体どうしを密着させ、それよ
り電波入射面に近い層の磁性体円柱の半径を、単位吸収
体の配列間隔の２分の１より小さくし、規則的な空隙部
と磁性体部の繰り返し構造にし、それぞれの層の実効比
誘電率と実効比透磁率を、それぞれの層を構成する磁性
体円柱の半径をコントロールすることにより、要求され
る値に設定し、その結果、全体として広帯域な多層電波
吸収体ができることを示した。

【００４７】また、第１層がフェライトタイル型であっ
ても、その上に、同様の方法で、電気定数の異なる層を
積み重ねることにより広帯域な電波吸収体が得られるこ
とも示した。これは既設のフェライトタイル形の吸収体
を改善する場合にも有効である。

【００４８】このように、入射面に近い層間を互いに接
触しない構造とした電波吸収体としては、抵抗膜を用い
たピラミッド型のものが従来から見られるが、周知のよ
うに抵抗膜を用いるものにあっては、その高さとして、
使用する最低周波数の略２分の１波長もの寸法を必要と
するものであった。また磁性体を用いたものにあって
は、磁性体が、電界方向にだけ不連続なものが従来例と
して存在するが、その帯域幅は小さいものであった。し
かしながら、本発明は、磁性体柱を用いるので、これら
の問題も解消し、高さが低く、従来の磁性体による電波
吸収体に比べ著しく広帯域な電波吸収体が得られる。

【００４９】さらに、本発明によれば、電波吸収体の表
面から入射波方向に、損失誘電体ＬＤを付加して、さら
に広帯域な電波吸収体にできることも示した。

【００５０】また、上述の実施例では、電波吸収体を構
成するための単位吸収体を示したが、もちろん、本発明
の電波吸収体の経済的な製造に当たっては、この単位吸
収体を、多数連結したものを製作し、さらにそれを連結
して所要面積の吸収壁を構成するができる。

【００５１】また、本発明の電波吸収体の構造は、各層
を同一磁性材料のフェライトを用いて構成するのが経済
的に望ましい。なぜなら、この場合、フェライト仮焼粉
の成型時に、各層を一体に同時成型が可能であり、各層
毎に種類の異なる材料を用いて製造する場合に比ベ、大
幅にコストを低減できるからである。

【００５２】また、フェライト磁性体はそれ自身硬いセ
ラミックであるから、抵抗膜ないしはカーボン粉体によ
る吸収体のように、抵抗体を保持するための保持材料な
いしは保持機構を必要としない。従って、電波暗室内に
おける電子機器の電磁波に対する耐電磁性試験のよう
に、壁材の吸収体に高電力が吸収される場合にあって、
吸収体が高温になり、従来見られたような熱による変
形、特性の劣化、燃えることによる火災や有害ガスの発
生等の障害もない。

【００５３】さらに、本発明の電波吸収体は、空隙部を
有するから、空気と光が空隙部分に進入ないしは通過す
る特長がある。特に、第１層として磁性体板を十字型や
その変形の形にしたものを用いる場合は、光や空気が吸
収壁の表面から反射板まで通過する。従って、電波暗室
用壁材として、このような特長を持つ本発明の電波吸収
体を使用する場合、反射板として金属ネット等の通気性
を持つ材料を利用することにより、電波暗室内の空調ダ
クト口や照明器具等を反射板の背後に配置できるため、
これらを室内に取り付けた場合に起きる好ましくない乱
反射を防ぐと共に、空調や照明を有効にできる利点があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電波吸収体の一実施例の斜視図。

【図２】図１に示す本発明の電波吸収体の単位吸収体の
構造を説明する図。

【図３】図１に示す本発明の電波吸収体の吸収特性を示
す図。

【図４】本発明の３層形電波吸収体の実施例の斜視図。

【図５】図４に示す本発明の電波吸収体の構造単位であ
る単位吸収体を示す図。

【図６】図４に示す本発明の電波吸収体の吸収特性を示
す図。

【図７】本発明の２層形電波吸収体の実施例の斜視図。

【図８】図７に示す本発明の電波吸収体の単位吸収体の
構造を説明する図。

【図９】図７に示す本発明の電波吸収体の吸収特性を示
す図。

【図１０】本発明の８層形電波吸収体の実施例を構成す
る単位吸収体を示す図。

【図１１】図１０に示す単位吸収体で構成した本発明の
電波吸収体の吸収特性を示す図。

【図１２】本発明の電波吸収体に損失誘電体を付加した
実施例の断面構造図。

【図１３】図１２に示す電波吸収体の吸収特性を示す
図。

【図１４】磁性体材料がゴムフェライトの場合の本発明
の吸収特性例を示す図。

【図１５】断面が円形のフェライト柱が磁界方向に隙間
がある場合を説明する図。

【図１６】フェライト円柱の比透磁率の周波数分散の例
を示す図。

【図１７】実施例の電波吸収体の吸収特性を測定するた
めのトリプレート線路の構造を示す図。

【図１８】第１層の十字型磁性体からの変形例を示す
図。

【図１９】断面が円形の磁性体柱からの変形例を示す
図。

【符号の説明】

Ａ本発明の電波吸収体ｄ第１層の磁性体の厚みＥ電界Ｆフェライト磁性体ｆ周波数Ｈ磁界ｈ電波吸収体全体の反射板からの高さｈ₂,・・・ｈ₈第２層以降の各層の磁性体柱の高さＬ第１層の磁性体板の長さＲ／Ｌ反射減衰量（ｄＢ）Ｍ反射板ｐ単位吸収体の配置間隔、磁性体柱の配置間隔ｓ₂,・・・ｓ₈第２層以降の層の隣合う単位吸収体間
の同一磁性体円柱間の隙間ｒ₂,・・・ｒ₈第２層以降の多段磁性体円柱の各柱の
半径ｔ_m第１層の磁性体の幅 ε_r比誘電率 μ_r比透磁率

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年８月１５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】広帯域電波吸収体

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、広帯域電波吸収体
に関し、詳しくは、電子機器の不要放射試験、妨害電磁
波耐性試験、アンテナ特性試験などに広く利用される電
波暗室の壁材や、ビルや橋などの建築物や構造物からの
電波反射によるＴＶや航行レーダへの障害防止などのた
めの電波吸収壁材として用いられる広帯域電波吸収体に
関するものである。

【０００２】

【０００６】さらに、単層フェライトタイルの狭帯域を
改善する技術として、フェライトタイルに先に述べた損
失誘電体を積層した電波吸収体、ないしは２枚のフェラ
イトタイルを適当な空隙を介して積層した電波吸収体が
提案されている。ところが、前者に対しては積層吸収体
自体の高さが依然として高いという不具合の他に、電気
的にも機械的にも異なる２種類の材料を必要とし、かつ
構造が複雑になるという欠点がある。また、後者にあっ
ては、その組み合わせ機構に機械的に弱い薄い材料が要
求されるなどの欠点がある。そのため、これらの電波吸
収体はほとんど実用になっていない。

【０００７】

【０００８】

【００１０】このように、本発明によれば、上記目的を
達成するため、反射板上に、単位吸収体を間隔ｐで繰り
返して配置した構造を有し、該単位吸収体が、厚みｄ、
長さＬ、幅ｔ_ｍの磁性体板を十字形に交差させた形状の
第１層と、該第１層の上に設けられた、半径が反射板方
向から電波到来方向に向かって階段状に順次減少する磁
性体円柱を積層してなる多段層とからなり、かつ、前記
多段層内の磁性体円柱の最大半径をｒ_ｍａｘとすると
き、Ｌ＝ｐ２ｒ_ｍａｘ≦ｐｔ_ｍ＜ｐなる関係を満足し、さらに、単位吸収体における多段層
のうち少なくとも１つ以上の層を構成する磁性体円柱
が、隣合う単位吸収体の磁性体円柱と機械的に接触して
いないことを特徴とする広帯域電波吸収体が提供され
る。また、本発明によれば、反射板上に、単位吸収体を
間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該単位吸収体
が、厚みｄ、長さＬ、幅ｔ_ｍの磁性体板を十字形に交差
させた形状の第１層と、該第１層の上に設けられた、半
径ｒ、高さｈの磁性体円柱からなる第２層とからなり、
さらに、Ｌ＝ｐ２ｒ＜ｐｔ_ｍ＜ｐなる関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体
が提供される。また、本発明によれば、反射板上に、単
位吸収体を間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該
単位吸収体が、厚みｄ、長さ及び幅がＬのタイル状磁性
体からなる第１層と、該第１層の上に設けられた、半径
が反射板方向から電波到来方向に向かって階段状に順次
減少する磁性体円柱を積層してなる多段層とからなり、
かつ、前記多段層内の磁性体円柱の最大半径をｒ_ｍａｘ
とするとき、Ｌ＝ｐ２ｒ_ｍａｘ≦ｐｄ≦ｐなる関係を満足し、さらに、単位吸収体における多段層
のうち少なくとも１つ以上の層を構成する磁性体円柱
が、隣合う単位吸収体の磁性体円柱と機械的に接触して
いないことを特徴とする広帯域電波吸収体が提供され
る。また、本発明によれば、反射板上に、単位吸収体を
間隔ｐで繰り返して配置した構造を有し、該単位吸収体
が、厚みｄ、長さ及び幅がＬのタイル状磁性体からなる
第１層と、該第１層の上に設けられた、半径ｒ、高さｈ
の磁性体円柱からなる第２層とからなり、さらに、Ｌ＝ｐ２ｒ＜ｐｄ≦ｐｄ≦ｈなる関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体
が提供される。また、本発明によれば、上記構成におい
て、第１層の実効透磁率が１０００〜３０００で、第２
層以降の層の実効透磁率が１．０１〜１０で、かつ、前
記磁性体板及び磁性体円柱がそれぞれ焼結フェライトで
形成されていることを特徴とする広帯域電波吸収体が提
供される。また、本発明によれば、上記構成において、
少なくとも一つ以上の層が焼結フェライト粉体と高分子
化合物との混合物で形成されていることを特徴とする広
帯域電波吸収体が提供される。また、本発明によれば、
上記構成において、電波吸収体の前面に損失誘電体を付
加してなる広帯域電波吸収体が提供される。さらに、本
発明によれば、反射板上に、単位吸収体を間隔ｐで繰り
返して配置した構造を有し、該単位吸収体が、厚みｄ、
長さＬ、幅ｔ_ｍの磁性体板を十字形に交差させてなり、
かつ、それらの間にＬ＝ｐｔ_ｍ≦ｐｄ≦ｔ_ｍなる関係を満足することを特徴とする広帯域電波吸収体
が提供される。

【００１１】

【００１２】一般に磁性体の比透磁率μ_ｒ、比誘電率ε
_ｒは μ_ｒ＝μ_ｒ１−ｊμ_ｒ２ ε_ｒ＝ε_ｒ１−ｊε_ｒ２（１）の複素数で表わすことができ、かつ、周波数分散特性を
持っている。ここに、μ_ｒ１は比透磁率μ_ｒの実数分、
μ_ｒ２は虚数分を示し、ε_ｒ１は比誘電率ε_ｒの実数
分、ε_ｒ２は虚数分を示している。

【００１３】例えば、電波吸収体の構成材料としてよく
使用されるＮｉＺｎ系焼結フェライトの材料自体の比透
磁率は、材質により異なり、１ＫＨｚ程度の低い周波数
で、（１）式のμ_ｒ１の値はμ_ｒ１＝１０〜２５００程
度の値が得られ、μ_ｒ２の値もμ_ｒ１が大きければ大き
いのが一般的であるが、いずれにしても、どちらの値も
周波数によって変化する。また、ＮｉＺｎ系焼結フェラ
イトの材料の比誘電率のうちε_ｒ１の値は材料により、
約１２から１５となるが、周波数に対してほぼ一定とみ
なしてよく、ε_ｒ２の値は非常に小さいのが普通であ
る。

【００１４】今後の説明で、単に、比透磁率、比誘電率
という表現は、それぞれ（１）式の実数部、すなわち、
μ_ｒ１、ε_ｒ１を表現し、特に断りがない限り、周波数
１ＫＨｚの場合の値である。また、関心のある層に、空
隙（ここでは空気）と磁性体の両方が存在する場合、そ
の層の持つ比透磁率と比誘電率は、それと電気的に等価
な均一媒質で占められている層とみなして、以後この層
の比透磁率と比誘電率を「実効比透磁率」と「実効比誘
電率」と呼ぶことにする。

【００１７】このように、空隙があることにより、実効
比透磁率は、μ_ｒ１、μ_ｒ２共にその最大値が小さくな
るだけでなく、空隙があることによって、特にμ_ｒ２の
値が最大になる周波数が高い方に大きく移動し、空隙が
ない場合に比べ分散特性の全く違ったものとなっている
ことが解る。本発明では、このような実効比透磁率の周
波数分散の変動と、実効比誘電率の低下を有効に利用す
る。

【００１８】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に
説明する。なお、以下に述べる実施例の特性は、すべ
て、図１７に示すようなトリプレート線路を用い、ＴＥ
Ｍ波による測定で評価したものである。また、各実施例
の電波吸収体の構造を示す図１、図４、図７において、
Ｆは焼結フェライト、Ｍは反射板を示す。また、図２、
図５、図８、図１０は関連する実施例を構成する単位構
造に相当する「単位吸収体」を示している。従って、本
発明の電波吸収体は、この単位吸収体を互いに第１層が
接触した状態で、所要面積となるよう、反射板上に同一
平面上に並べて配置することにより構成される。また、
各図の単位吸収体において、ｈは吸収体の電波入射方向
に測った全体の高さ、ｔ_ｍは第１層の磁性体の幅、Ｌは
単位吸収体の一辺の長さ、ｄは第１層の厚みであり、ｈ
_２，・・・ｈ_８は第２層以降の層の各磁性体円柱の高
さ、ｒ_２，・・・ｒ_８は第２層以降の層に配置される各
磁性体円柱の半径、ｐは隣合う単位吸収体の間隔、
ｓ_２，・・・ｓ_８は第２層以降の層の隣合う単位吸収体
間の同一磁性体円柱の間隔で、各図とも共通である。

【００２０】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、すべて
の層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一材料であり、そ
の比透磁率は２５００、比誘電率は１５である。単位吸
収体間の間隔ｐは２０ｍｍに設定し、第１層の磁性体板
の厚みｄは８．０ｍｍ、幅ｔ_ｍは１５ｍｍ、長さＬは２
０ｍｍである。第２層の磁性体円柱の高さｈ_２は１０ｍ
ｍ、半径ｒ_２は８．７ｍｍであり、この第２層は、第１
層の上に接した状態で積層されている。また、第３層の
磁性体円柱の高さｈ_３は１１ｍｍ、半径ｒ_３は６ｍｍ
で、この第３層は、第２層の上に接した状態で積層され
ている。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層の磁
性体円柱相互間ではｓ_２＝２．６ｍｍの隙間があいてお
り、第３層の磁性体円柱相互間ではｓ_３＝８．０ｍｍの
隙間があいていることになる。

【００２４】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、すべて
の層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一材料であり、そ
の比透磁率は２５００、比誘電率は１５である。第１層
のタイル状磁性体板の厚みｄは６．０ｍｍ、長さＬは２
０ｍｍ、幅ｔ_ｍはタイル状であるからｔ_ｍ＝Ｌ、すなわ
ち、２０ｍｍに設定している。第２層の磁性体円柱の高
さｈ_２は９ｍｍとし、この第２層は、第１層の上に接し
た状態で積層されている。また、第３層の磁性体円柱の
高さｈ_３は１１ｍｍで、この第３層は、第２層の上に接
した状態で積層されている。さらに、第２層の磁性体円
柱の半径ｒ_２は８．６ｍｍ、第３層の磁性体円柱の半径
ｒ_３は６ｍｍで、単位吸収体の間隔ｐは２０ｍｍに設定
している。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層の
磁性体円柱相互間はｓ_２＝２．８ｍｍの隙間があいてお
り、第３層の磁性体円柱相互間はｓ_３＝８．０ｍｍの隙
間があいていることになる。

【００２８】本実施例で使用した磁性材料Ｆは第１層も
第２層も同一のＮｉＺｎ系焼結フェライトであり、その
比透磁率は２５００、比透磁率は１５である。単位吸収
体の間隔ｐは２０ｍｍに設定し、第１層の磁性体板の厚
みｄは８．０ｍｍ、幅ｔ_ｍは１５ｍｍ、長さＬは２０ｍ
ｍである。第２層目の磁性体円柱の高さｈ_２は１２ｍ
ｍ、半径ｒ_２は８．５ｍｍである。従って、隣合う単位
吸収体間では、第２層の磁性体円柱相互間はｓ_２＝３．
０ｍｍの隙間があいていることになる。

【００３２】本実施例で使用した磁性材料Ｆは、これま
での他の実施例と同じく、すべての層でＮｉＺｎ系焼結
フェライトの同一材料であり、その比透磁率は２５０
０、比誘電率は１５である。第１層のタイル状磁性体板
の厚みｄは６ｍｍ、長さＬは２０ｍｍ、幅ｔ_ｍは２０ｍ
ｍである。従って、隣合う第１層間はタイル状であるた
め当然互いに接触しているが、第１層の上に接して積み
上げられた第２層から第８層までは、隣合う層の同一層
の磁性体円柱は互いに離れており、吸収体全体の高さｈ
が４９ｍｍである。さらに、第２層以降の磁性体円柱の
半径は、ｒ_２の９．１ｍｍから、ｒ_８の３．０ｍｍまで
順次小さくなって行き、各磁性体円柱の高さはｈ_２が７
ｍｍから、ｈ_８が３ｍｍまで各層において実験で得られ
た好ましい値に定めている。単位吸収体の間隔ｐは２０
ｍｍとした。従って、隣合う単位吸収体間では、第２層
以降の同一層の磁性体円柱相互間はｓ_２＝１．８ｍｍ、
第８層の磁性円柱相互間はｓ_８＝１４．０ｍｍと、磁性
体円柱半径が小さくなるに従い隙間が次第に大きく開い
て行くようになっている。なお、本実施例の各部の寸法
を表１に示す。

【００３３】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３７】以上実施例１、２、３、４はいずれもその
構成材料は焼結フェライトを使用したものである。これ
らの場合、その第１層はフェライト板を十字型に交差し
た場合であれ、フェライトタイル（ｔ_ｍ＝Ｌの場合に相
当する）の場合であれ、その実効比透磁率を１０００以
上に設定している。また、第２層以降の実効比透磁率は
１０以下に設定されている。このように電波吸収体を焼
結フェライトのみで構成した場合は、第２層以降の実効
比透磁率を第１層に比べ約１００分の１以下にすること
により、低い周波数から動作可能な広帯域電波吸収体を
構成することができる。

【００４０】実施例６前記各実施例においては、磁性材料として用いたもの
は、すべての層でＮｉＺｎ系焼結フェライトの同一磁性
材料であったが、本発明に利用できる磁性材料はこれに
限ったものではない。例えば、フェライトの粉体をクロ
ロプレンゴムないしはポリオレフィンなどのプラスチッ
クに分散した、通称ゴムフェライトを用いても良い。

【００４１】一つの例として、粒径が５−５０ミクロン
のＭｎＺｎ系焼結フェライトの粉体を、重量比で、クロ
ロプレンゴム１に対しフェライト粉体１０の割合で分散
させた場合、比透磁率μ_ｒ１が約１０、比誘電率ε_ｒ１
が１１の磁性材料を得ることができる。このゴムフェラ
イトを実施例３、すなわち、図７、図８に示す構造にす
ることにより、マイクロ波帯用の電波吸収体に構成する
ことができる。具体的には、その単位吸収体の間隔ｐを
２０ｍｍに設定し、第１層の磁性体板の厚みｄを５ｍ
ｍ、幅ｔ_ｍを２０ｍｍ、長さＬを２０ｍｍに設定する。
従って第１層はタイル状になる。また、その上の第２層
目の磁性体円柱の高さｈ_２を１５ｍｍ、磁性体円柱の半
径ｒ_２を７．６ｍｍに設定する。かく構成された電波吸
収体は、隣合う単位吸収体間では、第２層の磁性体円柱
相互間はｓ_２＝４．８ｍｍの隙間があいていることにな
る。この構造の場合、前記のゴムフェライトを使用し、
かつ第１層がタイル状であるため、第１層の実効比透磁
率は約１０、実効比誘電率は約１１である。また、第２
層の実効比透磁率は約２．２５、実効比誘電率は２．１
である。

【００４５】さらに、第２層以降の層に、空隙をもたせ
る方法としては、実施例で述べたように、断面が円形の
磁性体柱が最も合理的であるが、例えば図１９（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に２層型の場合の断面を示すように、
４、６、８角形の様な多角形を採用しても、電界方向、
磁界方向にも空隙を有するから、効果に変わりがないこ
とはその動作原理から明らかである。ただし、垂直、水
平両偏波に対し同一吸収特性を与えるためには、電界、
磁界両方向に対し同一面積の空隙を持つことが好まし
い。