JP2000022380A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JP2000022380A JP2000022380A JP10183640A JP18364098A JP2000022380A JP 2000022380 A JP2000022380 A JP 2000022380A JP 10183640 A JP10183640 A JP 10183640A JP 18364098 A JP18364098 A JP 18364098A JP 2000022380 A JP2000022380 A JP 2000022380A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型暗室に使用でき、１ＧＨｚ以上の周波数
に対して２０ｄＢ以上の吸収性能を示す電波吸収体を開
発する。 【解決手段】 気孔率：フェライト粉率：樹脂率を３：
４：３のvol比としたフェライト吸収体（２）にフェラ
イトタイル（３）を組合せる。
に対して２０ｄＢ以上の吸収性能を示す電波吸収体を開
発する。 【解決手段】 気孔率：フェライト粉率：樹脂率を３：
４：３のvol比としたフェライト吸収体（２）にフェラ
イトタイル（３）を組合せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電波吸収体に関し、
特に小型暗室用複合電波吸収体に関するものであり、詳
しくは、フェライトタイル上に多孔質フェライト吸収体
を重ね合わせた複合電波吸収体に関する。
特に小型暗室用複合電波吸収体に関するものであり、詳
しくは、フェライトタイル上に多孔質フェライト吸収体
を重ね合わせた複合電波吸収体に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、電子機器が雑音として電磁妨害波
を発生させ他の電子機器に誤動作を与えたり、また逆
に、電子機器自身が妨害波を受け誤動作を起こしたりす
る危険が増加している。このため、電磁妨害波が入射し
ても障害を起こさない対策及び他の機器に悪影響を与え
る電磁波を発生させない対策が電子製品には必要になっ
てきている。即ち、この２つの対策を満足するための電
磁的両立性（ＥＭＣ）が電子製品には要求されてきてい
る。そこで、これらの性質を調査する測定用の部屋が必
要となってくるが、調査対象としている電子機器以外か
らの電波の影響を受けない様にするためこの部屋の外壁
側には電波が侵入しないように金属板で電波をシールド
し、また、電子機器から出た電磁波が壁で反射しない様
に内壁側には電波吸収体が貼付けてある。このような部
屋を電波暗室という。電波暗室には大型製品（自動車、
大型電子機器等）のＥＭＣ調査を行う大型暗室と比較的
小物の電子製品を調査する小型暗室の２種類がある。
を発生させ他の電子機器に誤動作を与えたり、また逆
に、電子機器自身が妨害波を受け誤動作を起こしたりす
る危険が増加している。このため、電磁妨害波が入射し
ても障害を起こさない対策及び他の機器に悪影響を与え
る電磁波を発生させない対策が電子製品には必要になっ
てきている。即ち、この２つの対策を満足するための電
磁的両立性（ＥＭＣ）が電子製品には要求されてきてい
る。そこで、これらの性質を調査する測定用の部屋が必
要となってくるが、調査対象としている電子機器以外か
らの電波の影響を受けない様にするためこの部屋の外壁
側には電波が侵入しないように金属板で電波をシールド
し、また、電子機器から出た電磁波が壁で反射しない様
に内壁側には電波吸収体が貼付けてある。このような部
屋を電波暗室という。電波暗室には大型製品（自動車、
大型電子機器等）のＥＭＣ調査を行う大型暗室と比較的
小物の電子製品を調査する小型暗室の２種類がある。
【０００３】本出願人は、既に、特開平７−３０２９９
１号公報や特開平８−１３０３８８号公報等に開示され
る多孔質フェライト電波吸収体を提供している。電波暗
室で従来使用されている、電波吸収体（以下、吸収体）
はフェライトタイルとカーボンピラミッドを重ね合わせ
た複合吸収体が一般的であった。この理由は、当初カー
ボンピラミッドのみを暗室用吸収体としていたが２００
ＭＨｚ以下の低周波領域における吸収量が十分でなかっ
たためフェライトタイルを複合化することによってある
一定量の吸収量（通常は２０ｄＢ）を確保するという方
法がとられたためであった。しかし、この複合吸収体に
使用されるカーボンピラミッドは高さが１８０ｃｍ以上
もあり、大型暗室では使用することができるが小型暗室
では部屋そのものの大きさの制限から通常は使用しない
というのが現状であった。そこで、小型暗室では吸収体
としてフェライトタイルのみが使用されているが、３０
〜２００Ｍ、また、５００ＭＨｚ以上において吸収量が
規格である２０ｄＢを満たさないという問題が生じてい
る。
１号公報や特開平８−１３０３８８号公報等に開示され
る多孔質フェライト電波吸収体を提供している。電波暗
室で従来使用されている、電波吸収体（以下、吸収体）
はフェライトタイルとカーボンピラミッドを重ね合わせ
た複合吸収体が一般的であった。この理由は、当初カー
ボンピラミッドのみを暗室用吸収体としていたが２００
ＭＨｚ以下の低周波領域における吸収量が十分でなかっ
たためフェライトタイルを複合化することによってある
一定量の吸収量（通常は２０ｄＢ）を確保するという方
法がとられたためであった。しかし、この複合吸収体に
使用されるカーボンピラミッドは高さが１８０ｃｍ以上
もあり、大型暗室では使用することができるが小型暗室
では部屋そのものの大きさの制限から通常は使用しない
というのが現状であった。そこで、小型暗室では吸収体
としてフェライトタイルのみが使用されているが、３０
〜２００Ｍ、また、５００ＭＨｚ以上において吸収量が
規格である２０ｄＢを満たさないという問題が生じてい
る。
【０００４】また、近年使用される周波数帯が高周波側
に伸びてきているという傾向がある。現状においては３
０Ｍ〜１ＧＨｚが暗室内で測定される周波数範囲である
が、将来、１ＧＨｚ以上の周波数範囲での測定も暗室内
で行われることは不可避である。現状の小型暗室は、１
ＧＨｚ以上の高周波側の吸収量はほとんどなく高周波側
の測定は全くできないというのが実情である。
に伸びてきているという傾向がある。現状においては３
０Ｍ〜１ＧＨｚが暗室内で測定される周波数範囲である
が、将来、１ＧＨｚ以上の周波数範囲での測定も暗室内
で行われることは不可避である。現状の小型暗室は、１
ＧＨｚ以上の高周波側の吸収量はほとんどなく高周波側
の測定は全くできないというのが実情である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述した従
来技術の問題点を解決するために、２０ｄＢ以上の電波
吸収特性をもつものの多孔質フェライト本体の高さが小
型暗室に使用できるものであり、加えて、１ＧＨｚ以上
の周波数範囲でも２０ｄＢ以上の吸収特性を示す電波吸
収体を提供することを解決すべき課題とする。
来技術の問題点を解決するために、２０ｄＢ以上の電波
吸収特性をもつものの多孔質フェライト本体の高さが小
型暗室に使用できるものであり、加えて、１ＧＨｚ以上
の周波数範囲でも２０ｄＢ以上の吸収特性を示す電波吸
収体を提供することを解決すべき課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】課題を解決する基本的手
段は、磁性を持たず、かつ、誘電率が低いマトリックス
材の中にフェライト粉を分散させたものを発泡させたピ
ラミッドまたは楔形状の多孔質吸収体をフェライトタイ
ルの上に貼付けて電波吸収体とすることである。
段は、磁性を持たず、かつ、誘電率が低いマトリックス
材の中にフェライト粉を分散させたものを発泡させたピ
ラミッドまたは楔形状の多孔質吸収体をフェライトタイ
ルの上に貼付けて電波吸収体とすることである。
【０００７】具体的には、本発明は、ピラミッド形また
はくさび形の多孔質フェライト本体と、フェライトタイ
ルの組合せからなり、多孔質フェライト本体が汎用樹脂
中にフェライト粉を分散させたものであり、気孔率：フ
ェライト粉率：汎用樹脂率が３：４：３のvol比であ
り、フェライト粉がＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯを含むこ
とを特徴とする電波吸収体を提供する。
はくさび形の多孔質フェライト本体と、フェライトタイ
ルの組合せからなり、多孔質フェライト本体が汎用樹脂
中にフェライト粉を分散させたものであり、気孔率：フ
ェライト粉率：汎用樹脂率が３：４：３のvol比であ
り、フェライト粉がＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯを含むこ
とを特徴とする電波吸収体を提供する。
【０００８】図１に小型暗室で一般的に用いられている
フェライトタイルの吸収特性を示す。４５０ＭＨｚ以上
は２０ｄＢという吸収性能を満足していない。（６０Ｍ
Ｈｚ以下も２０ｄＢを満足していないがこの周波数範囲
は本発明外とする。）４５０ＭＨｚ以上の周波数に対し
て２０ｄＢ以上の吸収性能を得ようとすると、大型カー
ボンピラミッドとは異なる高さの低い多孔質フェライト
吸収体で補完する必要がある。ここで重要な事はフェラ
イトタイル上に付け加える吸収体がフェライトタイルの
吸収性能を阻害しない事である。
フェライトタイルの吸収特性を示す。４５０ＭＨｚ以上
は２０ｄＢという吸収性能を満足していない。（６０Ｍ
Ｈｚ以下も２０ｄＢを満足していないがこの周波数範囲
は本発明外とする。）４５０ＭＨｚ以上の周波数に対し
て２０ｄＢ以上の吸収性能を得ようとすると、大型カー
ボンピラミッドとは異なる高さの低い多孔質フェライト
吸収体で補完する必要がある。ここで重要な事はフェラ
イトタイル上に付け加える吸収体がフェライトタイルの
吸収性能を阻害しない事である。
【０００９】本発明の一部である多孔質フェライト吸収
体はフェライトタイルで対応できない１ＧＨｚ以下の低
周波側と１ＧＨｚ以上の高周波側の吸収性能を同時に補
完できる吸収体である。その作用について低周波側と高
周波側を別々に説明する。まず、低周波側について説明
する。本発明の一部である多孔質フェライト吸収体はフ
ェライト粉を誘電率の低いマトリックス（一般的には汎
用樹脂がこれに相当する。）に分散させ、かつ、発泡化
させている事に特長がある。低周波領域でフェライトタ
イルの吸収能を阻害せず、かつ、吸収量を増加させるた
めには吸収体表面での反射がなく、透過中に減衰のみが
生じるような吸収体にしてやる必要がある。この事は、
電磁波が多孔質体の中で吸収による振幅のみの減衰が生
じ、位相は自由空間での位相と同じになる事を意味して
いる。暗室内のアンテナから出た電磁波が多孔質吸収体
をそのまま位相を変えずに透過できるためには自由空間
の特性インピーダンスとこの発泡体の特性インピーダン
スが等しくなる事が条件となる。自由空間の特性インピ
ーダンスＺoは真空中の誘電率εo、透磁率μoを用いて
表現すると
体はフェライトタイルで対応できない１ＧＨｚ以下の低
周波側と１ＧＨｚ以上の高周波側の吸収性能を同時に補
完できる吸収体である。その作用について低周波側と高
周波側を別々に説明する。まず、低周波側について説明
する。本発明の一部である多孔質フェライト吸収体はフ
ェライト粉を誘電率の低いマトリックス（一般的には汎
用樹脂がこれに相当する。）に分散させ、かつ、発泡化
させている事に特長がある。低周波領域でフェライトタ
イルの吸収能を阻害せず、かつ、吸収量を増加させるた
めには吸収体表面での反射がなく、透過中に減衰のみが
生じるような吸収体にしてやる必要がある。この事は、
電磁波が多孔質体の中で吸収による振幅のみの減衰が生
じ、位相は自由空間での位相と同じになる事を意味して
いる。暗室内のアンテナから出た電磁波が多孔質吸収体
をそのまま位相を変えずに透過できるためには自由空間
の特性インピーダンスとこの発泡体の特性インピーダン
スが等しくなる事が条件となる。自由空間の特性インピ
ーダンスＺoは真空中の誘電率εo、透磁率μoを用いて
表現すると
【数１】 である。尚、自由空間における電磁波の吸収は無視でき
るのでεo、μoは実数である。
るのでεo、μoは実数である。
【００１０】一方、多孔質吸収体はそれ自身吸収能を持
っているので、ε、μは複素数部分を持ち ε＝ε′−ｊε″ …………（２） μ＝μ′−ｊμ″ …………（３） と表現できる。ここで、ε′、μ′は位相に関する実数
部であり、ε″、μ″は吸収に関する虚数部である。ま
た、ｊは複素数である。多孔質吸収体の特性インピーダ
ンスＺは（２）、（３）を用いて、
っているので、ε、μは複素数部分を持ち ε＝ε′−ｊε″ …………（２） μ＝μ′−ｊμ″ …………（３） と表現できる。ここで、ε′、μ′は位相に関する実数
部であり、ε″、μ″は吸収に関する虚数部である。ま
た、ｊは複素数である。多孔質吸収体の特性インピーダ
ンスＺは（２）、（３）を用いて、
【数２】 であるので、電磁波が多孔質吸収体表面で反射する事が
なく内部でε″、μ″による吸収のみが生じる条件は
（１）＝（４）で与えられる。実数部と虚数部が等しい
とき、整理すると以下のような式が得られる。 μ′／ε′＝μ″／ε″＝μo ／εo …………（５） つまり、吸収に関するε″、μ″と、位相に関する
ε′、μ′の比が空気のεo、μoの比に等しくなると透
過性は良くなる。通常、比誘電率εr（ε／εo）と比透
磁率μr（μ／μo）を用いて表現する事が多いので
（５）をεr、μrを用いて書き直すと ε′r ＝μ′r …………（６） ε″r ＝μ″r …………（７） となる。
なく内部でε″、μ″による吸収のみが生じる条件は
（１）＝（４）で与えられる。実数部と虚数部が等しい
とき、整理すると以下のような式が得られる。 μ′／ε′＝μ″／ε″＝μo ／εo …………（５） つまり、吸収に関するε″、μ″と、位相に関する
ε′、μ′の比が空気のεo、μoの比に等しくなると透
過性は良くなる。通常、比誘電率εr（ε／εo）と比透
磁率μr（μ／μo）を用いて表現する事が多いので
（５）をεr、μrを用いて書き直すと ε′r ＝μ′r …………（６） ε″r ＝μ″r …………（７） となる。
【００１１】実際の発泡フェライト吸収体の設計におい
ては（６）、（７）を満足するように、マトリックス、
気孔率、フェライト粉添加量をコントロールすべきであ
る。また、（６）、（７）を満足すると言う前提に置い
て吸収量を大きくするためにはε″、μ″はなるべく大
きい事が要求される。本発明による複合吸収体は１ＧＨ
ｚ以下の周波数においてフェライトタイルと（６）、
（７）を満足する多孔質フェライト吸収体（フェライト
粉を誘電率の低いマトリックス、具体的には汎用の樹脂
のなかに分散させ、かつ、成形体の中になるべく多くの
気孔を存在させるようにして成形する）の両方の吸収特
性が互いに阻害する事なく加算的に作用し合うため高い
吸収量を得る事が可能となる。
ては（６）、（７）を満足するように、マトリックス、
気孔率、フェライト粉添加量をコントロールすべきであ
る。また、（６）、（７）を満足すると言う前提に置い
て吸収量を大きくするためにはε″、μ″はなるべく大
きい事が要求される。本発明による複合吸収体は１ＧＨ
ｚ以下の周波数においてフェライトタイルと（６）、
（７）を満足する多孔質フェライト吸収体（フェライト
粉を誘電率の低いマトリックス、具体的には汎用の樹脂
のなかに分散させ、かつ、成形体の中になるべく多くの
気孔を存在させるようにして成形する）の両方の吸収特
性が互いに阻害する事なく加算的に作用し合うため高い
吸収量を得る事が可能となる。
【００１２】次に、１ＧＨｚ以上の高周波側の吸収につ
いて説明する。本発明の複合吸収体のうちフェライトタ
イルは１ＧＨｚ以上の周波数範囲でほとんど吸収量がな
いため（フェライトタイル自身が反射板となる。）高周
波側の吸収は発泡フェライト吸収体内で生じる共振を利
用している。電波暗室で吸収体（今の場合、多孔質フェ
ライト吸収体を吸収体と考える。）が施工されると吸収
体の裏側には必ず反射板（今の場合はフェライトタイル
を反射板と考える。）があるのでこの時の共振周波数は
吸収体の整合条件から以下の式で表現される。
いて説明する。本発明の複合吸収体のうちフェライトタ
イルは１ＧＨｚ以上の周波数範囲でほとんど吸収量がな
いため（フェライトタイル自身が反射板となる。）高周
波側の吸収は発泡フェライト吸収体内で生じる共振を利
用している。電波暗室で吸収体（今の場合、多孔質フェ
ライト吸収体を吸収体と考える。）が施工されると吸収
体の裏側には必ず反射板（今の場合はフェライトタイル
を反射板と考える。）があるのでこの時の共振周波数は
吸収体の整合条件から以下の式で表現される。
【数３】 ここで、ωrは共振周波数、ｄは吸収体厚さである。
今、（ ）内の係数が１より小さいと仮定すると
今、（ ）内の係数が１より小さいと仮定すると
【数４】 と置けるので（８）は ｊωr μr ・ｄ＝１ …………（９） となる。（３）を（９）に代入して実数部をまとめる
と、 ωr ＝１／（μ″r ｄ） …………（１０） となる。
と、 ωr ＝１／（μ″r ｄ） …………（１０） となる。
【００１３】ところで、本発明の吸収体は気孔を持った
樹脂の中にフェライト粉を分散させたものであるから、
吸収体のμ″rは当然フェライトタイルのような焼結体
にくらべて小さくなる。したがって、材質の面から（１
０）より、共振周波数はフェライトタイルのような焼結
体にくらべて高周波側にずれる事になる。また、形状が
ピラミッドか楔形状であるとこの共振周波数が高周波側
に広帯域化し非常に高い周波数までも吸収性能を維持す
る事ができる。
樹脂の中にフェライト粉を分散させたものであるから、
吸収体のμ″rは当然フェライトタイルのような焼結体
にくらべて小さくなる。したがって、材質の面から（１
０）より、共振周波数はフェライトタイルのような焼結
体にくらべて高周波側にずれる事になる。また、形状が
ピラミッドか楔形状であるとこの共振周波数が高周波側
に広帯域化し非常に高い周波数までも吸収性能を維持す
る事ができる。
【００１４】以上、本発明による複合吸収体は、１ＧＨ
ｚ以下の周波数範囲では、フェライトタイルと多孔質フ
ェライト吸収体の両方の加算的な吸収効果により、ま
た、１ＧＨｚ以上の周波数範囲ではピラミッドまたは楔
形状を持つ多孔質フェライト吸収体の共振による吸収効
果により大きな吸収量を確保する事ができるところに特
長がある。
ｚ以下の周波数範囲では、フェライトタイルと多孔質フ
ェライト吸収体の両方の加算的な吸収効果により、ま
た、１ＧＨｚ以上の周波数範囲ではピラミッドまたは楔
形状を持つ多孔質フェライト吸収体の共振による吸収効
果により大きな吸収量を確保する事ができるところに特
長がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】フェライトタイル及び多孔質フェ
ライト吸収体の材料組成、形状、製造法、接合法は次の
如くである。 フェライトタイル： (1) 材料組成……表１に材料組成を示す。
ライト吸収体の材料組成、形状、製造法、接合法は次の
如くである。 フェライトタイル： (1) 材料組成……表１に材料組成を示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】(2) 形状……１００×１００×６．３mm3
の平板状のものを使用した。 (3) 製造法……表１の組成を持つ造粒粉を１ton／cm2
で成形した後、１２００℃で１時間焼成を行った。その
後、６面研削を行った。 多孔質フェライト吸収体： (1) 材料組成……マトリックス材としてフェノール樹
脂（εr＝４〜５，μr＝１）を用いこの中に表２に示す
フェライト粉を分散させた。
の平板状のものを使用した。 (3) 製造法……表１の組成を持つ造粒粉を１ton／cm2
で成形した後、１２００℃で１時間焼成を行った。その
後、６面研削を行った。 多孔質フェライト吸収体： (1) 材料組成……マトリックス材としてフェノール樹
脂（εr＝４〜５，μr＝１）を用いこの中に表２に示す
フェライト粉を分散させた。
【００１８】
【表２】
【００１９】(2) 気孔率／フェライト率／フェノール
率（ｖｏｌ％）……発泡フェノール吸収体を構成する気
孔／フェライト粉／フェノールの体積比を表３に示す。
率（ｖｏｌ％）……発泡フェノール吸収体を構成する気
孔／フェライト粉／フェノールの体積比を表３に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】(3) 形状……底面が１００×１００mm2、
高さが１００mmの四角錐であるピラミッド形状とした。 (4) 製造法……フェノール樹脂の中にフェライト粉を
添加し強制攪拌することにより発泡させた後、硬化剤を
添加しすばやくピラミッド形状を持つ型の中に注入して
硬化させた。硬化させた後、残留樹脂分除去と未反応樹
脂の架橋の意味で１８０℃×４時間の熱処理を行った。 接合法：フェライトタイル３と多孔質フェライト吸収体
２の接合はピラミッド形状を持つ多孔質フェライト吸収
体２の底面に接着剤を塗りフェライトタイル３上に貼付
けた。貼付け後の複合吸収体１の概略図を図２に示す。
高さが１００mmの四角錐であるピラミッド形状とした。 (4) 製造法……フェノール樹脂の中にフェライト粉を
添加し強制攪拌することにより発泡させた後、硬化剤を
添加しすばやくピラミッド形状を持つ型の中に注入して
硬化させた。硬化させた後、残留樹脂分除去と未反応樹
脂の架橋の意味で１８０℃×４時間の熱処理を行った。 接合法：フェライトタイル３と多孔質フェライト吸収体
２の接合はピラミッド形状を持つ多孔質フェライト吸収
体２の底面に接着剤を塗りフェライトタイル３上に貼付
けた。貼付け後の複合吸収体１の概略図を図２に示す。
【００２２】発泡フェライト吸収体の比誘電率、比透磁
率、反射率、透過率の測定結果：本発明においては、発
泡フェライトが１ＧＨｚ以下の低周波で電波を良く透過
させる性質を持つことが重要であることは既に述べた
が、これは（６）、（７）式を満足するμr、εrを多孔
質フェライトが持つことである。本実施例においては多
孔質フェライトが（６）、（７）を満足することを確認
するため、ネットワークアナライザーを用いＳパラメー
ター法でμr、εrを求めた。結果を図３に示す。図３に
示すように１ＧＨｚ近傍（特に８００ＭＨｚ辺りまで）
μr′とεr′は非常に近い値であり（６）が十分に満足
されていると見なして良い。一方、μr″とεr″は
（７）の関係を満たしていないが、μr″、εr″自身の
絶対値自体が小さいので（７）の寄与は小さいと考えら
れる。このことは、Ｓパラメーター法で同時に測定可能
な反射率（Ｓ11）と透過率（Ｓ21）の結果にも現れてい
る。図４にATTENUATION（減衰量）をｄＢ表示（ｄＢ＝
２０log Ｓ11orＳ21）した結果を示すが透過率は１ＧＨ
ｚまで５ｄＢ以下であり非常に小さい値である。このよ
うに、（６）、（７）を同時に満足しなくても寄与の大
きい方が（６）または（７）を満たしていれば電波を透
過させる性質は十分に持っていると解釈して良い。
率、反射率、透過率の測定結果：本発明においては、発
泡フェライトが１ＧＨｚ以下の低周波で電波を良く透過
させる性質を持つことが重要であることは既に述べた
が、これは（６）、（７）式を満足するμr、εrを多孔
質フェライトが持つことである。本実施例においては多
孔質フェライトが（６）、（７）を満足することを確認
するため、ネットワークアナライザーを用いＳパラメー
ター法でμr、εrを求めた。結果を図３に示す。図３に
示すように１ＧＨｚ近傍（特に８００ＭＨｚ辺りまで）
μr′とεr′は非常に近い値であり（６）が十分に満足
されていると見なして良い。一方、μr″とεr″は
（７）の関係を満たしていないが、μr″、εr″自身の
絶対値自体が小さいので（７）の寄与は小さいと考えら
れる。このことは、Ｓパラメーター法で同時に測定可能
な反射率（Ｓ11）と透過率（Ｓ21）の結果にも現れてい
る。図４にATTENUATION（減衰量）をｄＢ表示（ｄＢ＝
２０log Ｓ11orＳ21）した結果を示すが透過率は１ＧＨ
ｚまで５ｄＢ以下であり非常に小さい値である。このよ
うに、（６）、（７）を同時に満足しなくても寄与の大
きい方が（６）または（７）を満たしていれば電波を透
過させる性質は十分に持っていると解釈して良い。
【００２３】複合吸収体の吸収量測定結果：フェライト
タイル（板形状）と多孔質フェライト吸収体（ピラミッ
ド形状）の複合吸収体の吸収量を測定した結果を図５に
示す。吸収量測定はネットワークアナライザーを用いた
同軸管法（１ＧＨｚまで）とアーチ法（１ＧＨｚ以上）
を併用して行った。図５でわかるように１００ＭＨｚか
ら１３ＧＨｚまでの広帯域にわたって２０ｄＢ以上の吸
収量を満足している。このような結果は、本発明の複合
吸収体が１ＧＨｚ以下の周波数範囲においてはフェライ
トタイルと多孔質フェライト吸収体の加算的効果で吸収
量が大きくなり、１ＧＨｚ以上の周波数範囲では多孔質
フェライト吸収体の共振による吸収効果とピラミッド形
状にすることによる広帯域化が効果的に効いて、このよ
うな広い周波数範囲で優れた電波吸収能を示したといえ
る。
タイル（板形状）と多孔質フェライト吸収体（ピラミッ
ド形状）の複合吸収体の吸収量を測定した結果を図５に
示す。吸収量測定はネットワークアナライザーを用いた
同軸管法（１ＧＨｚまで）とアーチ法（１ＧＨｚ以上）
を併用して行った。図５でわかるように１００ＭＨｚか
ら１３ＧＨｚまでの広帯域にわたって２０ｄＢ以上の吸
収量を満足している。このような結果は、本発明の複合
吸収体が１ＧＨｚ以下の周波数範囲においてはフェライ
トタイルと多孔質フェライト吸収体の加算的効果で吸収
量が大きくなり、１ＧＨｚ以上の周波数範囲では多孔質
フェライト吸収体の共振による吸収効果とピラミッド形
状にすることによる広帯域化が効果的に効いて、このよ
うな広い周波数範囲で優れた電波吸収能を示したといえ
る。
【図１】フェライトタイルの電波吸収性能を示す図であ
る。
る。
【図２】電波吸収体を示す断面図である。
【図３】εr、μrの測定結果を示す図である。
【図４】発泡フェライト吸収体の反射率と透過率を示す
図である。
図である。
【図５】複合吸収体の吸収量を示す図である。
２ フェライト吸収体 ３ フェライトタイル
Claims (3)
- 【請求項１】 ピラミッド形またはくさび形の多孔質フ
ェライト本体と、フェライトタイルの組合せからなり、
多孔質フェライト本体が汎用樹脂中にフェライト粉を分
散させたものであり、気孔率：フェライト粉率：汎用樹
脂率が３：４：３のvol比であり、フェライト粉がＦｅ2
Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯを含むことを特徴とする電波吸収
体。 - 【請求項２】 汎用樹脂がフェノール樹脂であり、フェ
ライトタイルが請求項１のフェライト粉にＣｕＯを添加
してなる請求項１記載の電波吸収体。 - 【請求項３】 フェライトタイルと多孔質フェライト本
体からなり、フェライトタイルの吸収性能が１ＧＨｚ以
下の周波数範囲にあって、多孔質フェライト本体の比誘
電率εrと比透磁率μrが ε′r ＝μ′r ε″r ＝μ″r を満足するか、または、それに非常に近いものであり、
同時に、フェライトタイルの吸収性能が劣化する周波数
範囲において、共振周波数を持つ多孔質フェライト吸収
体であることを特長とする。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10183640A JP2000022380A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10183640A JP2000022380A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電波吸収体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000022380A true JP2000022380A (ja) | 2000-01-21 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP10183640A Pending JP2000022380A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 電波吸収体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000022380A (ja) |
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