JPH0827098A - スルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法 - Google Patents
スルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法Info
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- JPH0827098A JPH0827098A JP16032794A JP16032794A JPH0827098A JP H0827098 A JPH0827098 A JP H0827098A JP 16032794 A JP16032794 A JP 16032794A JP 16032794 A JP16032794 A JP 16032794A JP H0827098 A JPH0827098 A JP H0827098A
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- quinonediazide compound
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スルホニルクロライド基を含有するキノンジ
アジド化合物を、経済的に、かつ、工業的有利に製造す
る方法を提供する。 【構成】 スルホニルクロライド基を含有するキノンジ
アジド化合物を製造するにあたり、置換基としてスルホ
ン酸基またはその金属塩の基を有するキノンジアジド化
合物を原料とし、これにクロロ硫酸と塩化チオニルとを
反応させることを特徴とする。 【効果】 目的物を、高収率で、安価に、安全に製造す
ることができる。
アジド化合物を、経済的に、かつ、工業的有利に製造す
る方法を提供する。 【構成】 スルホニルクロライド基を含有するキノンジ
アジド化合物を製造するにあたり、置換基としてスルホ
ン酸基またはその金属塩の基を有するキノンジアジド化
合物を原料とし、これにクロロ硫酸と塩化チオニルとを
反応させることを特徴とする。 【効果】 目的物を、高収率で、安価に、安全に製造す
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スルホニルクロライド
基を有するキノンジアジド化合物の製造方法に関する。
さらに詳しくは、感光性平版印刷版やフォトレジスト等
に適用される感光性材料、またはその中間体として有用
なスルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合
物を、工業的に有利に製造する方法に関する。
基を有するキノンジアジド化合物の製造方法に関する。
さらに詳しくは、感光性平版印刷版やフォトレジスト等
に適用される感光性材料、またはその中間体として有用
なスルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合
物を、工業的に有利に製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スルホニルクロライド基を有するキノン
ジアジド化合物は、写真、印刷、染料、液晶などの有機
工業薬品の中間体として有用な化合物であり、特に近
年、写真、印刷および電子工業の発展に伴い、この化合
物の光反応性を利用した感光剤の中間体として広く使用
されるようになった。
ジアジド化合物は、写真、印刷、染料、液晶などの有機
工業薬品の中間体として有用な化合物であり、特に近
年、写真、印刷および電子工業の発展に伴い、この化合
物の光反応性を利用した感光剤の中間体として広く使用
されるようになった。
【０００３】従来、スルホニルクロライド基を有するキ
ノンジアジド化合物を製造する方法としては、置換基と
してスルホン酸基（その金属塩の基をも含む。以下同
じ。）を有するキノンジアジド化合物を原料とする方法
が知られている。例えば、(1)置換基としてスルホン酸
基を有するキノンジアジド化合物に、大過剰のクロロ硫
酸を反応させる方法、(2) 置換基としてスルホン酸基有
するキノンジアジド化合物に、クロロ硫酸または無水硫
酸と塩素を反応させる方法（ドイツ特許第２４６５７３
号明細書、同２４６５７４号明細書参照）、(3) 置換基
としてスルホン酸基を有するキノンジアジド化合物に、
触媒の存在下ホスゲンと反応させる方法（特開昭５９−
１９６８６０号公報参照）が挙げられる。
ノンジアジド化合物を製造する方法としては、置換基と
してスルホン酸基（その金属塩の基をも含む。以下同
じ。）を有するキノンジアジド化合物を原料とする方法
が知られている。例えば、(1)置換基としてスルホン酸
基を有するキノンジアジド化合物に、大過剰のクロロ硫
酸を反応させる方法、(2) 置換基としてスルホン酸基有
するキノンジアジド化合物に、クロロ硫酸または無水硫
酸と塩素を反応させる方法（ドイツ特許第２４６５７３
号明細書、同２４６５７４号明細書参照）、(3) 置換基
としてスルホン酸基を有するキノンジアジド化合物に、
触媒の存在下ホスゲンと反応させる方法（特開昭５９−
１９６８６０号公報参照）が挙げられる。
【０００４】しかし、上記(1) および(2) の方法では、
キノンジアジド化合物に対して通常数十モル以上という
大過剰のクロロ硫酸を使用するためコスト高になる、未
反応のクロロ硫酸の処理が必要でその除去のために繁雑
な操作と時間を必要とする、(2) の方法ではさらに有害
な塩素を使用する、などの欠点がある。上記(3) の方法
では、塩素よりも更に有害なホスゲンを使用する必要が
あるという欠点がある。
キノンジアジド化合物に対して通常数十モル以上という
大過剰のクロロ硫酸を使用するためコスト高になる、未
反応のクロロ硫酸の処理が必要でその除去のために繁雑
な操作と時間を必要とする、(2) の方法ではさらに有害
な塩素を使用する、などの欠点がある。上記(3) の方法
では、塩素よりも更に有害なホスゲンを使用する必要が
あるという欠点がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、スル
ホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物を、
経済的に、安全に、かつ、工業的に有利に製造する方法
を提供することにある。
ホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物を、
経済的に、安全に、かつ、工業的に有利に製造する方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、置換基としてスル
ホン酸基を有するキノンジアジド化合物を原料とし、ク
ロロ硫酸と塩化チオニルとを併用してスルホニルクロラ
イド化反応を行うことにより、クロロ硫酸の使用量を大
幅に減少し、目的物を高収率で得ることができることを
見出し、本発明を完成するに至った。
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、置換基としてスル
ホン酸基を有するキノンジアジド化合物を原料とし、ク
ロロ硫酸と塩化チオニルとを併用してスルホニルクロラ
イド化反応を行うことにより、クロロ硫酸の使用量を大
幅に減少し、目的物を高収率で得ることができることを
見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】しかして、上記課題を解決するために、本
発明の請求項１に記載の発明においては、スルホニルク
ロライド基を有するキノンジアジド化合物を製造するに
あたり、置換基としてスルホン酸基またはその金属塩の
基（以下併せてスルホン酸基と言う。）を有するキノン
ジアジド化合物を原料とし、これにクロロ硫酸と塩化チ
オニルとを反応させるという手段を講じているものであ
る。
発明の請求項１に記載の発明においては、スルホニルク
ロライド基を有するキノンジアジド化合物を製造するに
あたり、置換基としてスルホン酸基またはその金属塩の
基（以下併せてスルホン酸基と言う。）を有するキノン
ジアジド化合物を原料とし、これにクロロ硫酸と塩化チ
オニルとを反応させるという手段を講じているものであ
る。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明方
法では、置換基としてスルホン酸基を有するキノンジア
ジド化合物を原料とする。原料化合物は、キノンジアジ
ド骨格に硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄などを用いた従来
公知の芳香族スルホン化反応により、スルホン酸基を有
するキノンジアジド化合物に導入したり、スルホン酸基
を有する化合物をキノンジアジド化合物に導くことによ
り製造できる。キノンジアジド骨格は、「Ｓｔｕｄｉｅ
ｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ７
Ｑｕｉｎｏｎｅ Ｄｉａｚｉｄｅｓ (Elsvier Scienti
fic Publishing Company, 1981)」などに記載の方法で
製造することができる。本発明の上記原料の製造に適す
る骨格のキノンジアジド化合物としては、１，４−ベン
ゾキノンジアジド、１，２−ベンゾキノンジアジド、
１，４−ナフトキノンジアジド、１，２−ナフトキノン
ジアジド、２，１−ナフトキノンジアジドからなる群か
ら選択された化合物であることが好ましい。
法では、置換基としてスルホン酸基を有するキノンジア
ジド化合物を原料とする。原料化合物は、キノンジアジ
ド骨格に硫酸、発煙硫酸、三酸化硫黄などを用いた従来
公知の芳香族スルホン化反応により、スルホン酸基を有
するキノンジアジド化合物に導入したり、スルホン酸基
を有する化合物をキノンジアジド化合物に導くことによ
り製造できる。キノンジアジド骨格は、「Ｓｔｕｄｉｅ
ｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ７
Ｑｕｉｎｏｎｅ Ｄｉａｚｉｄｅｓ (Elsvier Scienti
fic Publishing Company, 1981)」などに記載の方法で
製造することができる。本発明の上記原料の製造に適す
る骨格のキノンジアジド化合物としては、１，４−ベン
ゾキノンジアジド、１，２−ベンゾキノンジアジド、
１，４−ナフトキノンジアジド、１，２−ナフトキノン
ジアジド、２，１−ナフトキノンジアジドからなる群か
ら選択された化合物であることが好ましい。
【０００９】置換基としてスルホン酸基を有するキノン
ジアジド化合物の具体例としては、次の化合物が挙げら
れるが、本発明はこれら例示されたものに限定されるも
のではない。１，４−ベンゾキノンジアジド−３−スル
ホン酸、２−メチル−１，４−ベンゾキノンジアジド−
５−スルホン酸、２−クロロ−１，４−ベンゾキノンジ
アジド−６−スルホン酸、２−ニトロ−１，４−ベンゾ
キノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−スルホン酸、４−ニトロ−１，２−ベ
ンゾキノンジアジド−５−スルホン酸、４−ブロム−
１，２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン酸、５−
メチル−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，
２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−７−スルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−８−スルホン酸、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−３，６−ジスルホン酸、１，２−ナフト
キノンジアジド−３，８−ジスルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−４，６−ジスルホン酸、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４，７−ジスルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−４，８−ジスルホン酸、１，２
−ナフトキノンジアジド−３，６，８−トリスルホン
酸、４−クロロ−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸、６−ニトロ−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スル
ホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホン
酸、２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホン酸、
２，１−ナフトキノンジアジド−３，６−ジスルホン
酸、２，１−ナフトキノンジアジド−３，７−ジスルホ
ン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスル
ホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−４，７−ジス
ルホン酸、３−クロロ−２，１−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸、６−ニトロ−２，１−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸、１，４−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸、７−クロロ−１，４−ナフトキ
ノンジアジド−７−スルホン酸、２−ニトロ−１，４−
ナフトキノンジアジド−７−スルホン酸、１，６−ナフ
トキノンジアジド−３−スルホン酸、１，７−ナフトキ
ノンジアジド−３−スルホン酸、１，７−ナフトキノン
ジアジド−３，６−ジスルホン酸、１，８−ナフトキノ
ンジアジド−３，６−ジスルホン酸、２，６−ナフトキ
ノンジアジド−８−スルホン酸、２，６−ナフトキノン
ジアジド−１，４−ジスルホン酸、９，１０，１，４−
アントラキノンジアジド−５−スルホン酸、９，１０，
２，１−アントラキノンジアジド−５，７−ジスルホン
酸、２，１−フェナンスレンジアジド−５−スルホン
酸、２，３−ピリジンキノンジアジド−５−スルホン
酸、４，３−ピリジンキノンジアジド−５−スルホン
酸、 ４，３−キノリンキノンジアジド−６−スルホン
酸、７，８−キノリンキノンジアジド−スルホン酸、
３，４−クリセンキノンジアジド−スルホン酸。
ジアジド化合物の具体例としては、次の化合物が挙げら
れるが、本発明はこれら例示されたものに限定されるも
のではない。１，４−ベンゾキノンジアジド−３−スル
ホン酸、２−メチル−１，４−ベンゾキノンジアジド−
５−スルホン酸、２−クロロ−１，４−ベンゾキノンジ
アジド−６−スルホン酸、２−ニトロ−１，４−ベンゾ
キノンジアジド−５−スルホン酸、１，２−ベンゾキノ
ンジアジド−４−スルホン酸、４−ニトロ−１，２−ベ
ンゾキノンジアジド−５−スルホン酸、４−ブロム−
１，２−ベンゾキノンジアジド−５−スルホン酸、５−
メチル−１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン
酸、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸、
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸、１，
２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−７−スルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−８−スルホン酸、１，２−ナフトキ
ノンジアジド−３，６−ジスルホン酸、１，２−ナフト
キノンジアジド−３，８−ジスルホン酸、１，２−ナフ
トキノンジアジド−４，６−ジスルホン酸、１，２−ナ
フトキノンジアジド−４，７−ジスルホン酸、１，２−
ナフトキノンジアジド−４，８−ジスルホン酸、１，２
−ナフトキノンジアジド−３，６，８−トリスルホン
酸、４−クロロ−１，２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸、６−ニトロ−１，２−ナフトキノンジアジ
ド−４−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−
４−スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−５−
スルホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−６−スル
ホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−７−スルホン
酸、２，１−ナフトキノンジアジド−８−スルホン酸、
２，１−ナフトキノンジアジド−３，６−ジスルホン
酸、２，１−ナフトキノンジアジド−３，７−ジスルホ
ン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスル
ホン酸、２，１−ナフトキノンジアジド−４，７−ジス
ルホン酸、３−クロロ−２，１−ナフトキノンジアジド
−５−スルホン酸、６−ニトロ−２，１−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸、１，４−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸、７−クロロ−１，４−ナフトキ
ノンジアジド−７−スルホン酸、２−ニトロ−１，４−
ナフトキノンジアジド−７−スルホン酸、１，６−ナフ
トキノンジアジド−３−スルホン酸、１，７−ナフトキ
ノンジアジド−３−スルホン酸、１，７−ナフトキノン
ジアジド−３，６−ジスルホン酸、１，８−ナフトキノ
ンジアジド−３，６−ジスルホン酸、２，６−ナフトキ
ノンジアジド−８−スルホン酸、２，６−ナフトキノン
ジアジド−１，４−ジスルホン酸、９，１０，１，４−
アントラキノンジアジド−５−スルホン酸、９，１０，
２，１−アントラキノンジアジド−５，７−ジスルホン
酸、２，１−フェナンスレンジアジド−５−スルホン
酸、２，３−ピリジンキノンジアジド−５−スルホン
酸、４，３−ピリジンキノンジアジド−５−スルホン
酸、 ４，３−キノリンキノンジアジド−６−スルホン
酸、７，８−キノリンキノンジアジド−スルホン酸、
３，４−クリセンキノンジアジド−スルホン酸。
【００１０】金属塩を作る金属としては、ナトリウム、
カリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アル
ミニウムなどが挙げられる。上記の置換基としてスルホ
ン酸基を有するキノンジアジド化合物の中では、スルホ
ン基以外の置換基を有しないか、アルキル基またはアル
コキシ基で置換されている１，２−ナフトキノンジアジ
ド骨格を有している化合物が、好ましい。
カリウム、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アル
ミニウムなどが挙げられる。上記の置換基としてスルホ
ン酸基を有するキノンジアジド化合物の中では、スルホ
ン基以外の置換基を有しないか、アルキル基またはアル
コキシ基で置換されている１，２−ナフトキノンジアジ
ド骨格を有している化合物が、好ましい。
【００１１】本発明方法では、原料とし上に例示した置
換基としてスルホン酸基を有するキノンジアジド化合物
を使用し、これをクロロ硫酸および塩化チオニルと反応
させる。クロロ硫酸としては、純粋なクロロ硫酸または
工業用のクロロ硫酸を使用することができる。上記原料
と反応させるクロロ硫酸の使用量は、キノンジアジド化
合物に置換基として存在するスルホン酸基１モル当た
り、１〜２０モルの範囲で選ぶのが好ましい。クロロ硫
酸の使用量が１モル未満では生成物の収率が低下して好
ましくなく、２０モルを越えると未反応のクロロ硫酸の
後処理の繁雑さと、安全性の面で、いずれも好ましくな
い。上記範囲でより好ましいのは２〜１０モルの範囲で
あり、特に好ましいのは３〜５モルの範囲である。
換基としてスルホン酸基を有するキノンジアジド化合物
を使用し、これをクロロ硫酸および塩化チオニルと反応
させる。クロロ硫酸としては、純粋なクロロ硫酸または
工業用のクロロ硫酸を使用することができる。上記原料
と反応させるクロロ硫酸の使用量は、キノンジアジド化
合物に置換基として存在するスルホン酸基１モル当た
り、１〜２０モルの範囲で選ぶのが好ましい。クロロ硫
酸の使用量が１モル未満では生成物の収率が低下して好
ましくなく、２０モルを越えると未反応のクロロ硫酸の
後処理の繁雑さと、安全性の面で、いずれも好ましくな
い。上記範囲でより好ましいのは２〜１０モルの範囲で
あり、特に好ましいのは３〜５モルの範囲である。
【００１２】塩化チオニルは、純粋な塩化チオニルまた
は工業用の塩化チオニルを使用することができる。塩化
チオニルの使用量は、キノンジアジド化合物に置換基と
して存在するスルホン酸基１モル当たり、０．５モルな
いし５モルの範囲で選ぶのが好ましい。０．５モル未満
では生成物の収率が低下し、５モルを越えると未反応の
塩化チオニルの後処理の繁雑さと、安全性の面で、いず
れも好ましくない。上記範囲では、１モルないし３モル
の範囲が特に好ましい。
は工業用の塩化チオニルを使用することができる。塩化
チオニルの使用量は、キノンジアジド化合物に置換基と
して存在するスルホン酸基１モル当たり、０．５モルな
いし５モルの範囲で選ぶのが好ましい。０．５モル未満
では生成物の収率が低下し、５モルを越えると未反応の
塩化チオニルの後処理の繁雑さと、安全性の面で、いず
れも好ましくない。上記範囲では、１モルないし３モル
の範囲が特に好ましい。
【００１３】キノンジアジド化合物のスルホニルクロラ
イド化反応は、一般には溶媒の存在下で実施されるが、
無溶媒下でも実施できる。かかる溶媒としては、二硫化
炭素、ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、液体
二酸化硫黄、ニトロベンゼンなどが挙げられる。なかで
も、ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素が好
ましい。
イド化反応は、一般には溶媒の存在下で実施されるが、
無溶媒下でも実施できる。かかる溶媒としては、二硫化
炭素、ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、液体
二酸化硫黄、ニトロベンゼンなどが挙げられる。なかで
も、ジクロロメタン、クロロホルム、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素が好
ましい。
【００１４】キノンジアジド化合物のスルホニルクロラ
イド化反応は、原料の種類、クロロ硫酸および塩化チオ
ニルの使用量、溶媒使用の有無、溶媒の種類、使用量な
どの条件によって反応性が異なるが、反応温度は一般に
１０〜１００℃の範囲で選ぶことができる。１０℃未満
では生成物の収率が低下し、１００℃を越えるとキノン
ジアジド化合物が分解するので、いずれも好ましくな
い。
イド化反応は、原料の種類、クロロ硫酸および塩化チオ
ニルの使用量、溶媒使用の有無、溶媒の種類、使用量な
どの条件によって反応性が異なるが、反応温度は一般に
１０〜１００℃の範囲で選ぶことができる。１０℃未満
では生成物の収率が低下し、１００℃を越えるとキノン
ジアジド化合物が分解するので、いずれも好ましくな
い。
【００１５】キノンジアジド化合物のスルホニルクロラ
イド化反応は、加圧下でも減圧下でも別段差支えない
が、通常、常圧付近で実施される。スルホニルクロライ
ド化反応は、連続式、半連続式または回分式で実施する
ことができる。スルホニルクロライド化反応は、クロロ
硫酸および塩化チオニルを溶媒不存在下、または溶媒を
存在させて混合し、この混合物に前記原料の置換基を有
するキノンジアジド化合物を加えて、窒素気流中で攪拌
下で行なうのが好ましい。
イド化反応は、加圧下でも減圧下でも別段差支えない
が、通常、常圧付近で実施される。スルホニルクロライ
ド化反応は、連続式、半連続式または回分式で実施する
ことができる。スルホニルクロライド化反応は、クロロ
硫酸および塩化チオニルを溶媒不存在下、または溶媒を
存在させて混合し、この混合物に前記原料の置換基を有
するキノンジアジド化合物を加えて、窒素気流中で攪拌
下で行なうのが好ましい。
【００１６】スルホニルクロライド化反応性は、原料の
キノンジアジド化合物の種類、クロロ硫酸および塩化チ
オニルの使用量、溶媒使用の有無、溶媒の種類、使用
量、反応温度などの条件によって異なり、各々の諸条件
に適した反応条件が選択される。スルホニルクロライド
化反応終了後の反応生成物は、溶剤を使用した場合に
は、まずこれを減圧または常圧での蒸留分離あるいは析
出分離などの処理に付して除去し、同時に反応生成物か
らスルホニルクロライド基含有キノンジアジド化合物を
回収する。析出分離は、反応生成物を氷水、ベンゼン、
ヘキサンなどのスルホニルクロライドに対する難溶性溶
媒中に注入してスルホニルクロライド基含有キノンジア
ジド化合物の沈殿を生成させる、いわゆる再沈殿によっ
て生じた固体を濾過、分離する方法が採用される。
キノンジアジド化合物の種類、クロロ硫酸および塩化チ
オニルの使用量、溶媒使用の有無、溶媒の種類、使用
量、反応温度などの条件によって異なり、各々の諸条件
に適した反応条件が選択される。スルホニルクロライド
化反応終了後の反応生成物は、溶剤を使用した場合に
は、まずこれを減圧または常圧での蒸留分離あるいは析
出分離などの処理に付して除去し、同時に反応生成物か
らスルホニルクロライド基含有キノンジアジド化合物を
回収する。析出分離は、反応生成物を氷水、ベンゼン、
ヘキサンなどのスルホニルクロライドに対する難溶性溶
媒中に注入してスルホニルクロライド基含有キノンジア
ジド化合物の沈殿を生成させる、いわゆる再沈殿によっ
て生じた固体を濾過、分離する方法が採用される。
【００１７】この様にして得られたスルホニルクロライ
ド基含有キノンジアジド化合物は、そのまままたはさら
に必要に応じて再結晶などの精製処理を行ったあと、感
光性平版印刷版やフォトレジスト材料などの感光性材
料、またはその中間体原料として使用される。
ド基含有キノンジアジド化合物は、そのまままたはさら
に必要に応じて再結晶などの精製処理を行ったあと、感
光性平版印刷版やフォトレジスト材料などの感光性材
料、またはその中間体原料として使用される。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、次のような特別に有利な効果
を奏し、その産業上の利用価値は極めて大である。 (1) 本発明方法では、原料の置換基を有するキノンジア
ジド化合物と反応させるクロロ硫酸および塩化チオニル
は大過剰には使用しないので、繁雑な後処理が不要で、
反応操作が簡単である。 (2) 本発明方法では、目的とするスルホニルクロライド
基を有するキノンジアジド化合物を高収率で得ることが
できる。 (3) 本発明方法では、有害なガスを使用しないので安全
である。
を奏し、その産業上の利用価値は極めて大である。 (1) 本発明方法では、原料の置換基を有するキノンジア
ジド化合物と反応させるクロロ硫酸および塩化チオニル
は大過剰には使用しないので、繁雑な後処理が不要で、
反応操作が簡単である。 (2) 本発明方法では、目的とするスルホニルクロライド
基を有するキノンジアジド化合物を高収率で得ることが
できる。 (3) 本発明方法では、有害なガスを使用しないので安全
である。
【００１９】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて更に具体的
に説明するが、本発明はその趣旨を越えない限り、以下
の記載例に限定されるものではない。 実施例１ メカニカルスターラー、ジムロートを装置した容量１リ
ットルの３口フラスコに、クロロ硫酸を６０ミリリット
ル（０．９１モル）、塩化チオニルを２５ミリリットル
（０．３４モル）それぞれ仕込み、窒素気流下に攪拌し
つつ、氷冷下で１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸ナトリウムを６５グラム（０．２４モル）仕込
んだ。フラスコ内容物を窒素気流下に攪拌しつつ、内温
を７０℃に昇温し、この温度で８時間反応させた。反応
終了後、反応混合物を氷水中に投入し、析出物を濾過
し、水洗したあと、温度４０℃、１ｍｍＨｇ下で減圧乾
燥した。生成物は、質量分析装置による分析によって
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イドであることが確認された。また、生成物の原料キノ
ンジアジド化合物に対する収率は、８０％であった。
に説明するが、本発明はその趣旨を越えない限り、以下
の記載例に限定されるものではない。 実施例１ メカニカルスターラー、ジムロートを装置した容量１リ
ットルの３口フラスコに、クロロ硫酸を６０ミリリット
ル（０．９１モル）、塩化チオニルを２５ミリリットル
（０．３４モル）それぞれ仕込み、窒素気流下に攪拌し
つつ、氷冷下で１，２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホン酸ナトリウムを６５グラム（０．２４モル）仕込
んだ。フラスコ内容物を窒素気流下に攪拌しつつ、内温
を７０℃に昇温し、この温度で８時間反応させた。反応
終了後、反応混合物を氷水中に投入し、析出物を濾過
し、水洗したあと、温度４０℃、１ｍｍＨｇ下で減圧乾
燥した。生成物は、質量分析装置による分析によって
１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イドであることが確認された。また、生成物の原料キノ
ンジアジド化合物に対する収率は、８０％であった。
【００２０】実施例２ 実施例１に記載の例において、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸ナトリウムに代えて、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸ナトリウムを使
用した他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、８０％であった。
アジド−５−スルホン酸ナトリウムに代えて、１，２−
ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸ナトリウムを使
用した他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、８０％であった。
【００２１】実施例３ 実施例１で用いたのと同じフラスコに、クロロ硫酸を８
０ミリリットル（１．２０モル）、塩化チオニルを２５
ミリリットル（０．３４モル）それぞれ仕込み、窒素気
流下に攪拌しつつ、氷冷下で１，２−ナフトキノンジア
ジド−４，６−ジスルホン酸ナトリウムを４５グラム
（０．１２モル）仕込んだ。フラスコ内容物を窒素気流
下に攪拌しつつ、内温を８０℃に昇温し、この温度で８
時間反応させた。反応終了後、反応混合物を氷水中に投
入し、析出物を濾過し、水洗したあと、温度４０℃、１
ｍｍＨｇ下で減圧乾燥した。生成物は、質量分析装置に
よって１，２−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスル
ホニルクロライドであることが確認され、実施例１にお
けると同様に測定した収率は、７０％であった。
０ミリリットル（１．２０モル）、塩化チオニルを２５
ミリリットル（０．３４モル）それぞれ仕込み、窒素気
流下に攪拌しつつ、氷冷下で１，２−ナフトキノンジア
ジド−４，６−ジスルホン酸ナトリウムを４５グラム
（０．１２モル）仕込んだ。フラスコ内容物を窒素気流
下に攪拌しつつ、内温を８０℃に昇温し、この温度で８
時間反応させた。反応終了後、反応混合物を氷水中に投
入し、析出物を濾過し、水洗したあと、温度４０℃、１
ｍｍＨｇ下で減圧乾燥した。生成物は、質量分析装置に
よって１，２−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスル
ホニルクロライドであることが確認され、実施例１にお
けると同様に測定した収率は、７０％であった。
【００２２】比較例１ 実施例１に記載の例において、塩化チオニルを使用しな
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、１０％以下であった。
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、１０％以下であった。
【００２３】比較例２ 実施例２に記載の例において、塩化チオニルを使用しな
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、１０％以下であった。
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロ
ライドであることが確認され、同例におけると同様に測
定した収率は、１０％以下であった。
【００２４】比較例３ 実施例３に記載の例において、塩化チオニルを使用しな
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスルホニ
ルクロライドであることが確認され、同例におけると同
様に測定した収率は、１０％以下であった。
かった他は、同例におけると同様の手順で反応させ、生
成物を得た。生成物は、質量分析装置による分析によっ
て１，２−ナフトキノンジアジド−４，６−ジスルホニ
ルクロライドであることが確認され、同例におけると同
様に測定した収率は、１０％以下であった。
【００２５】比較例４ 実施例１で用いたのと同じフラスコに、塩化チオニルを
１００ミリリットル（１．４モル）仕込み、窒素気流下
に攪拌しつつ、氷冷下の１，２−ナフトキノンジアジド
−４，６−ジスルホン酸ナトリウムを４５グラム（０．
１２モル）仕込んだ。フラスコ内容物を窒素気流下に攪
拌しつつ、内温を８０℃に昇温し、この温度で８時間反
応させた。反応終了後、反応混合物を氷水中に投入し、
析出物を濾過したが、析出物は得られなかった。
１００ミリリットル（１．４モル）仕込み、窒素気流下
に攪拌しつつ、氷冷下の１，２−ナフトキノンジアジド
−４，６−ジスルホン酸ナトリウムを４５グラム（０．
１２モル）仕込んだ。フラスコ内容物を窒素気流下に攪
拌しつつ、内温を８０℃に昇温し、この温度で８時間反
応させた。反応終了後、反応混合物を氷水中に投入し、
析出物を濾過したが、析出物は得られなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 真一 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内 (72)発明者 東野 克彦 東京都日野市さくら町１番地 コニカ株式 会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 スルホニルクロライド基を有するキノン
ジアジド化合物を製造するにあたり、置換基としてスル
ホン酸基またはその金属塩の基（以下併せてスルホン酸
基と言う。）を有するキノンジアジド化合物を原料と
し、これにクロロ硫酸と塩化チオニルとを反応させるこ
とを特徴とするスルホニルクロライド基を有するキノン
ジアジド化合物の製造方法。 - 【請求項２】 置換基としてスルホン酸基を有するキノ
ンジアジド化合物の骨格が、１，４−ベンゾキノンジア
ジド、１，２−ベンゾキノンジアジド、１，４−ナフト
キノンジアジド、１，２−ナフトキノンジアジド、２，
１−ナフトキノンジアジドからなる群から選ばれたいず
れかであることを特徴とする、請求項１記載のスルホニ
ルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方
法。 - 【請求項３】 置換基としてスルホン酸基を有するキノ
ンジアジド化合物が、１，２−ナフトキノンジアジドで
あることを特徴とする、請求項１記載のスルホニルクロ
ライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法。 - 【請求項４】 置換基としてスルホン酸基を有するキノ
ンジアジド化合物が、他の置換基を有しないか、あるい
はアルキル基またはアルコキシ基を有するものであるこ
とを特徴とする、請求項３記載のスルホニルクロライド
基を有するキノンジアジド化合物の製造方法。 - 【請求項５】 スルホン酸基の置換基の位置が、キノン
ジアジド化合物骨格の４，５，６，７のいずれかの位置
であることを特徴とする、請求項４記載のスルホニルク
ロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法。 - 【請求項６】 スルホン酸基の置換基の数が、１または
２であることを特徴とする、請求項５記載のスルホニル
クロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方
法。 - 【請求項７】 金属塩の金属が、ナトリウム、カリウ
ム、バリウムからなる群から選ばれたいずれかであるこ
とを特徴とする、請求項１ないし請求項６いずれか１項
に記載のスルホニルクロライド基を有するキノンジアジ
ド化合物の製造方法。 - 【請求項８】 反応温度が１０〜１００℃の範囲である
ことを特徴とする、請求項１ないし請求項７いずれか１
項に記載のスルホニルクロライド基を有するキノンジア
ジド化合物の製造方法。 - 【請求項９】 スルホン酸基基１モルあたり０．５モル
〜５モルの範囲の塩化チオニルを用いることを特徴とす
る、請求項１ないし請求項８いずれか１項に記載のスル
ホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16032794A JPH0827098A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | スルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16032794A JPH0827098A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | スルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0827098A true JPH0827098A (ja) | 1996-01-30 |
Family
ID=15712573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16032794A Pending JPH0827098A (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | スルホニルクロライド基を有するキノンジアジド化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827098A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274714B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-08-14 | Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. | Method for producing 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride |
| JP2012168487A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP16032794A patent/JPH0827098A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274714B1 (en) | 1999-04-15 | 2001-08-14 | Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. | Method for producing 1,2-naphthoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride |
| KR100362590B1 (ko) * | 1999-04-15 | 2002-12-28 | 도요 고세이 고교 가부시키가이샤 | 1,2-나프토퀴논-2-디아지드-4-설포닐 클로라이드의 제조방법 |
| JP2012168487A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-06 | Toray Ind Inc | ポジ型感光性樹脂組成物 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040120 |