JPH0826759A - 石英ガラスルツボ、その製造方法及び製造装置 - Google Patents

石英ガラスルツボ、その製造方法及び製造装置

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JPH0826759A
JPH0826759A JP6187905A JP18790594A JPH0826759A JP H0826759 A JPH0826759 A JP H0826759A JP 6187905 A JP6187905 A JP 6187905A JP 18790594 A JP18790594 A JP 18790594A JP H0826759 A JPH0826759 A JP H0826759A
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】回転可能な上部開口型1に二酸化ケイ素粉末を
供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層3
を形成したのち、内部から加熱溶融すると同時に、型の
開口部を覆う2個以上の穴を有する蓋体5の穴6,7を
介して型内の高温ガス雰囲気を換気することにより製造
する方法、および製造装置より成る。 【効果】石英ガラスルツボは、内表面層に微小泡集合体
の形成がなく、しかも不純物特にアルカリ金属元素、カ
ルシウム、鉄等の遷移金属による汚染もない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、全層厚が高純度の石英
ガラスルツボ、特に内表面層が高純度であるとともに微
小泡集合体が存在しない石英ガラスルツボ、その製造方
法およびそれを実施する製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、単結晶半導体材料の基板として用
いられるシリコン単結晶はシリコン多結晶を石英ガラス
ルツボ中に溶融し、それを種結晶に結晶成長させて製造
するといういわゆるチョクラルスキー法によって製造さ
れてきた。前記製造方法に用いられる石英ガラスルツボ
は製造方法によって幾通りかの種類があるが、実用的に
は回転可能な中空の型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉
末を充填し、該型を回転させながら二酸化ケイ素粉末を
加熱溶融する石英ガラスルツボの製造方法で得られた半
透明石英ガラスルツボが用いられてきた。前記半透明石
英ガラスルツボは多数の気泡が分散し熱の分布を均一に
するとともに他のルツボに比べて強度が高く任意の大き
さのルツボを製造できる利点を有している。
【0003】上記半透明石英ガラスルツボを用いてシリ
コン単結晶を成長させても、その過程において結晶化が
不安定となり結晶化率(多結晶が単結晶となる割合)が
低下するという問題点があった。その原因の1つとして
原料である二酸化ケイ素の昇華成分が凝縮、落下して形
成した微小泡集合体が熱膨張を起し内周面を部分的に剥
離し、剥離した石英小片が溶融シリコンに混入すること
等が挙げられる。前記問題点を解決するためルツボの内
表面を加熱溶融し透明層を形成したり、あるいは溶融し
た二酸化ケイ素粉末を飛散させて形成した厚い透明層を
有する石英ガラスルツボの製造方法が提案された。しか
しながら、前記製造方法の何れも微小泡集合体を充分除
去することができず、シリコン単結晶を結晶化率良く引
き上げることのできる石英ガラスルツボではなかった。
また、前記加熱溶融工程では、二酸化ケイ素およびそれ
に含まれる微量不純物の選択的蒸発・凝縮や、電極グラ
ファイトの消耗に伴う含有灰分の飛散等によって、得ら
れるルツボの内表面に汚染が起こり、高純度原料を使用
してもそれに見合った内表面を作成することができなか
った。このために、高純度原料を使用しても、結晶欠陥
抑制に充分な効果が得られなかった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、上記問題点が型内
の二酸化ケイ素昇華成分および濃縮された不純物を含む
高温ガス雰囲気の換気により解決することを見出し、本
発明を完成したものである。すなわち
【0005】本発明は、高純度の石英ガラスルツボを提
供することを目的とする。本発明は、内表面層中に微小
泡集合体の存在がなく、しかも高純度である石英ガラス
ルツボを提供することを目的とする。
【0006】本発明は、上記石英ガラスルツボを製造す
るための工業的に有利な製造方法を提供することを目的
とする。
【0007】本発明は、上記石英ガラスルツボの製造方
法を実施するための装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶融して
得た石英ガラスルツボであって、含有される不純物の銅
元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が0.5
ppb以下、鉄元素濃度が120ppb以下、ナトリウ
ム元素濃度が20ppb以下であることを特徴とする石
英ガラスルツボ、および前記石英ガラスルツボを、回転
可能な上部開口型に二酸化ケイ素粉末を供給し、型の内
周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層を形成したのち、
内部から加熱溶融すると同時に、型の開口部を覆う2個
以上の穴を有する蓋体の穴を介して型内の高温ガス雰囲
気を換気することにより製造する方法、およびその装置
に係る。
【0009】本発明の石英ガラスルツボは、半透明の石
英ガラスルツボであって、それに含有される不純物の銅
元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が0.5
ppb以下、鉄元素濃度が120ppb以下、ナトリウ
ム元素濃度が20ppb以下でシリコン単結晶の成長を
安定に行うことができる石英ガラスルツボである。特に
ルツボ内表面から1mm以内の深さに透明層を有し、そ
の透明層に2mm以上の微小泡集合体が1個以下で、か
つ高純度である石英ガラスルツボは内表面が平滑で高品
質のシリコン単結晶を結晶化率よく製造することができ
る。
【0010】本発明の石英ガラスルツボは、高純度化さ
れた結晶質二酸化ケイ素粉またはゾルゲル法等で合成さ
れた高純度の非晶質二酸化ケイ素粉等の二酸化ケイ素粉
末を用い、それを回転する上部開口型内に供給し、型の
内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層を形成したの
ち、内部からそれを加熱溶融する同時に、型内の高温ガ
ス雰囲気を換気することにより製造される。特に透明層
を有する石英ガラスルツボは、(i)上部開口型に通気
孔を設けてガス通気性にし、この通気孔を介して外周か
ら二酸化ケイ素粉末充填層中の気体を減圧吸引しつつ加
熱溶融すると同時に、型内の高温ガス雰囲気を換気する
石英ガラスルツボの製造方法、および(ii)特開平2
ー188489号公報等に記載するように回転する上部
開口型内に二酸化ケイ素粉末充填層を形成し、それを型
の内部から加熱溶融し生地層とすると同時に、さらに二
酸化ケイ素粉末を少量づつ供給し溶融・飛散させつつ、
型内の高温ガス雰囲気を換気する石英ガラスルツボの製
造方法で製造される。前記製造方法における型内の換気
に使用する気流としては、粉塵量が0.01mg/m3
以下のものを用いる。粉塵量が前記範囲を超えると、混
入した不純物パーテクルによりルツボ内表面に微小泡が
形成されたり、あるいは汚染が発生したりする。
【0011】上記石英ガラスルツボの製造時に採られる
換気は上部開口型を覆う蓋体に形成した穴を介して行な
われるが、穴の数は、排気と給気とが行える2個以上、
型内の高温ガス雰囲気が破壊されない数以下で選ばれ
る。穴はそれぞれ独立して設けるのがよく、その形状は
円形状、楕円形状、または四角形状とし、スリット状は
換気作用が弱く好ましくない。前記穴の少なくとも1つ
を通って、型内の二酸化ケイ素昇華成分および昇華・凝
縮の繰返で濃縮された不純物を含む高温ガス雰囲気が排
出される一方、それに見合う気流が他の穴から給気され
る。換気は自然換気でもあるいは強制的換気でもよい
が、好ましくは強制的換気がよい。前記強制的換気には
換気用ダクトが用いられ、それを排気穴の上部に設ける
か、あるいは排気穴および給気穴の上部に夫々設けて強
制的に換気する。給気のために設けた給気用ダクトの先
端にさらに除塵用フィルターを接続すると、外気中の不
純物パーテクルの混入を防ぐことができ、例えルツボ製
造室の雰囲気の粉塵量が0.01mg/m3を超えてい
ても型内の雰囲気中の粉塵量を0.01mg/m3以下
に維持することができる。
【0012】本発明の製造方法を実施する装置を次に説
明する。本発明の石英ガラスルツボの製造装置は、図1
に示すように、上部開口型1、型の開口部を覆う2個以
上の穴6、7を有する蓋体5、穴の1つから挿入された
加熱手段4、二酸化ケイ素粉末供給手段(図示せず)お
よび上部開口型1を回転する回転駆動機構2とからな
る。前記製造装置において、特に型1に図2に示すよう
に通気孔14を設けガス通気性とするとともに、外周に
真空装置13を設置し、二酸化ケイ素粉末充填層の加熱
溶融時に該層中の気体を減圧吸引し内表面に透明層を形
成する装置、あるいは図3に示すように第1の穴6に加
熱手段4および二酸化ケイ素粉末供給手段9を隙間を設
けて挿入し、二酸化ケイ素粉末供給手段9で二酸化ケイ
素粉末充填層を形成したのち、該二酸化ケイ素粉末充填
層を加熱溶融すると同時に、追加的二酸化ケイ素粉末を
供給し、それを溶融・飛散させ透明層8を形成する装置
とすると、ルツボの内表面から1mm以内の深さに高純
度で、かつ微小泡集合体のない透明層を有し内表面が平
滑な石英ガラスルツボを製造できる。前記各製造装置に
図3に示す排気用ダクト10を排気穴の上部に設けると
換気が強制的に行われ、ルツボ内表面層の純度の向上や
微小泡集合体の減少に役立つ。
【0013】上記各製造装置にさらに図4に示すように
排気用ダクト10と給気用ダクト11とを併設すると、
型内の高温ガス雰囲気の換気が強力に推進され石英ガラ
スルツボ内表面の微小泡集合体の形成や汚染が一段と少
なくなる。前記給気用ダクト11の先に除塵用フィルタ
ー12を接続すると、不純物パーテクルの混入を防ぐこ
とができる。
【0014】
【実施例】以下に実施例に基づいて具体的に説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【0015】実施例1 図1に示す装置を用い、回転する型1内に粒径150〜
300μmの二酸化ケイ素粉末を12kgを供給し、型
の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層を形成し、型
を回転させながら前記二酸化ケイ素粉末充填層を内面か
ら加熱溶融するとともに、第2の穴7で型内の高温ガス
雰囲気を排気する一方、第1の穴6から気流を給気し換
気しつつ直径460mmの半透明石英ガラスルツボを1
0個作成した。得られた石英ガラスルツボを目視検査
し、直径2mmを超える微小泡集合体の個数を計測し
た。その結果を表1に示す。
【0016】また、上記に作成した石英ガラスルツボを
用いてホウ素をドープした6インチ(152.4mm)
のシリコン単結晶の引上げを行った。そのときの転位の
有無を引上げ回数毎に観察した。その結果を表2に示
す。
【0017】比較例1 実施例1の原料と同じ二酸化ケイ素粉末を用いて蓋体に
穴のない図5に示す装置を用いて実施例1と同様な操作
で石英ガラスルツボを10個を作成した。得られた石英
ガラスルツボについて実施例1と同様の各検査を行なっ
た。その結果を表1、2に示す。
【0018】
【表1】
【0019】
【表2】
【0020】上記表1、2から明らかなように、本発明
の石英ガラスルツボには微小泡集合体がほとんど含まれ
ておらず、該石英ガラスルツボを用いてシリコン単結晶
を5回引上げてもトラブルの発生が少なく、単結晶化率
が良かった。
【0021】実施例2 図3に示す装置を用い、回転する型1内に粒径150〜
300μmの二酸化ケイ素粉末12kgを供給して二酸
化ケイ素粉末充填層を形成し、それを加熱用炭素電極で
内面から加熱して生地層とするとともに、前記と同じ粒
径を有する二酸化ケイ素粉末1.2kgを120g/分
の供給割合で供給し、溶融・飛散させて厚さ0.8mm
の透明層を有する直径460mmの半透明石英ガラスル
ツボを10個作成した。前記二酸化ケイ素粉末を1.2
kg供給する間、蓋体5の第2の穴7から、排気用ダク
トを介して14m3/分の排気を行った。そのときの製
造室の雰囲気の粉塵量は、0.005mg/m3であっ
た。粉塵量の測定は、ロウ・ボリューム・エア・サンプ
ラーに、目開き径が0.8μmのフィルタを取り付けて
行った。
【0022】得られた透明層を有する石英ガラスルツボ
を目視検査し、直径2mmを超える微小泡集合体の個数
を計測した。その結果を表3に示す。
【0023】また、上記各10個の石英ガラスルツボか
ら無作為に5個を選んで、その透明層と生地層からそれ
ぞれサンプルを切り出し、該サンプル中の不純物量を高
周波誘導結合プラズマ質量分析法と原子吸光法を併用し
て測定した。その結果を表4に示す。
【0024】一方、比較のために実施例2の装置の蓋体
を穴のない蓋体として、直径460mmの透明層を有す
る石英ガラスルツボ10個を作成した。得られた石英ガ
ラスルツボについて上記と同様な試験を行い、それを表
3、4に示す。
【0025】
【表3】
【0026】
【表4】
【0027】上記表3、4から明らかなように本発明の
石英ガラスルツボはその透明層および生地層に原料の不
純物量に見合った不純物量が含有されるにとどまり、し
かも微小泡集合体も1個を発見できるにすぎなかった。
他方、比較例の石英ガラスルツボの透明層には不純物が
多く濃縮され、かつ微小泡集合体も多数みられた。
【0028】実施例3 実施例2で作成した残りの5個を用いてリンをドープし
た6インチ(152.4mm)のシリコン単結晶を引き
上げを行った。その際の転位の有無を引上げ回数毎に観
察した。その結果を表5に示す。また、上記表5の3回
目の引上げによって得られたシリコン単結晶の中央部の
単位面積当りの酸化誘起積層欠陥数を調べその平均値を
求めた。その結果を表6に示す。
【0029】一方、実施例2で比較のために作成した石
英ガラスルツボの残りの5個について上記と同様な試験
を行った。その結果を表5、6に示す。
【0030】
【表5】
【0031】
【表6】
【0032】上記表5、6から明らかなように本発明の
石英ガラスルツボを用いると、シリコン単結晶を複数回
安定に、結晶化率よく引き上げることができ、しかも得
られたシリコン単結晶は高品質のものであった。
【0033】
【発明の効果】本発明の石英ガラスルツボは、内表面層
に微小泡集合体の形成がなく、しかも不純物特にアルカ
リ金属元素、カルシウム、鉄等の遷移金属による汚染も
ない石英ガラスルツボであり、それを用いたシリコン単
結晶の引上げは安定に行なわれ、結晶化率がよく、単結
晶の生産性が向上し、しかも得られた単結晶の品質も良
好であった。前記石英ガラスルツボは、回転する型内に
二酸化ケイ素粉末を供給し、二酸化ケイ素粉末充填層を
形成し、それを加熱溶融すると同時に、二酸化ケイ素粉
末の昇華成分や不純物を含む高温ガス雰囲気を型を覆う
蓋体の穴を通して型外に排出するという簡便な方法で製
造できる。さらに前記製造方法を実施するための装置
は、従来の石英ガラスルツボ製造装置の型の上部開口部
を覆う蓋体に2個以上の穴を設ければよく、装置として
も工業的に有利なものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す石英ガラスルツボの製造
装置の縦断面図である。
【図2】本発明の好ましい実施例を示す石英ガラスルツ
ボの製造装置の縦断面図である。
【図3】本発明の好ましい他の実施例を示す石英ガラス
ルツボの製造装置の縦断面図である。
【図4】図1の石英ガラスルツボ製造装置に排気用ダク
トと給気用ダクトを設けた縦断面図である。
【図5】図1の装置において蓋体に2個以上の穴のない
石英ガラスルツボの製造装置の縦断面図である。
【符号の説明】
1 上部開口型 2 回転駆動機構 3 二酸化ケイ素粉体充填層 4 加熱手段 5 蓋体 6 第1の穴 7 第2の穴 8 透明層 9 二酸化ケイ素供給手段 10 排気用ダクト 11 給気用ダクト 12 除塵用フィルター 13 真空装置 14 通気孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 博行 福井県武生市北府2丁目13番60号 信越石 英株式会社武生工場内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶
    融して得た石英ガラスルツボであって、含有される不純
    物の銅元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が
    0.5ppb以下、鉄元素濃度が120ppb以下、ナ
    トリウム元素濃度が20ppb以下であることを特徴と
    する石英ガラスルツボ。
  2. 【請求項2】ルツボの内表面から1mm以内の深さを占
    める内表面層に含有される不純物の銅元素、クロム元素
    およびニッケル元素の各濃度が0.5ppb以下、鉄元
    素濃度が120ppb以下、ナトリウム元素濃度が20
    ppb以下であることを特徴とする請求項1記載の石英
    ガラスルツボ。
  3. 【請求項3】内表面層が透明層であることを特徴とする
    請求項2記載の石英ガラスルツボ。
  4. 【請求項4】内表面層中に直径2mmを超える微小泡集
    合体の数が1個以下であることを特徴とする請求項2ま
    たは3記載の石英ガラスルツボ。
  5. 【請求項5】回転可能な上部開口型に二酸化ケイ素粉末
    を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層
    を形成したのち、内部から加熱溶融する石英ガラスルツ
    ボの製造方法において、前記型の開口部を2個以上の穴
    を有する蓋体で覆うとともに型内の高温ガス雰囲気を前
    記穴を介して換気しながら加熱溶融することを特徴とす
    る石英ガラスルツボの製造方法。
  6. 【請求項6】回転可能なガス通気性の上部開口型に二酸
    化ケイ素粉末を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ
    素粉末充填層を形成したのち、外周から減圧吸引しなが
    ら前記二酸化ケイ素粉末充填層を内部から加熱溶融して
    内表面に透明層を形成する石英ガラスルツボの製造方法
    において、前記型の開口部を2個以上の穴を有する蓋体
    で覆うとともに型内の高温ガス雰囲気を前記穴を介して
    換気しながら加熱溶融することを特徴とする石英ガラス
    ルツボの製造方法。
  7. 【請求項7】回転可能な上部開口型に二酸化ケイ素粉末
    を供給し、型の内周面に沿って二酸化ケイ素粉末充填層
    を形成し、それを型の内部から加熱溶融するとともに、
    さらに二酸化ケイ素粉末を少量ずつ供給し、溶融・飛散
    させ、内表面に透明層を形成する石英ガラスルツボの製
    造方法において、前記型の開口部を2個以上の穴を有す
    る蓋体で覆うとともに型内の高温ガス雰囲気を前記穴を
    介して換気しながら溶融・飛散させることを特徴とする
    石英ガラスルツボの製造方法。
  8. 【請求項8】換気を強制的に行うことを特徴とする請求
    項5ないし7のいずれか1記載の石英ガラスルツボの製
    造方法。
  9. 【請求項9】換気で流入する気流中の粉塵量が0.01
    mg/m3以下であることを特徴とする請求項5ないし
    8のいずれか1記載の石英ガラスルツボの製造方法。
  10. 【請求項10】回転可能な上部開口型、回転駆動機構、
    二酸化ケイ素粉末供給手段、加熱手段、および型の開口
    部を覆う蓋体を備えた石英ガラスルツボの製造装置にお
    いて、前記蓋体が2個以上の穴を有することを特徴とす
    る石英ガラスルツボの製造装置。
  11. 【請求項11】回転可能なガス通気性の上部開口型、回
    転駆動機構、二酸化ケイ素粉末供給手段、加熱手段、型
    の開口部を覆う蓋体および真空装置を備えた石英ガラス
    ルツボの製造装置において、前記蓋体が2個以上の穴を
    有することを特徴とする石英ガラスルツボの製造装置。
  12. 【請求項12】回転可能な上部開口型、回転駆動機構、
    二酸化ケイ素粉末供給手段、加熱手段、および型の開口
    部を覆う蓋体を備えた石英ガラスルツボの製造装置にお
    いて、前記蓋体が2個以上の穴を有し、穴の1つに二酸
    化ケイ素粉末供給手段および加熱手段が隙間をもって挿
    入されていることを特徴とする石英ガラスルツボの製造
    装置
  13. 【請求項13】蓋体の穴が独立した2個以上の穴である
    ことを特徴とする請求項10または12記載の石英ガラ
    スルツボの製造装置。
  14. 【請求項14】蓋体の少なくとも1つの穴に排気手段が
    設けられていることを特徴とする請求項10ないし13
    のいずれか1記載の石英ガラスルツボの製造装置。
  15. 【請求項15】蓋体の穴に排気手段および給気手段がそ
    れぞれ設けられていることを特徴とする請求項10ない
    し13のいずれか1記載の石英ガラスルツボの製造装
    置。
  16. 【請求項16】給気手段の先に除塵用フィルターが接続
    されていることを特徴とする請求項15記載の石英ガラ
    スルツボの製造装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103154330A (zh) * 2011-05-25 2013-06-12 圣戈班研发(上海)有限公司 石英坩埚及其制造方法
JP5398074B2 (ja) * 2007-07-28 2014-01-29 株式会社Sumco 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置
KR101385532B1 (ko) * 2006-09-28 2014-04-29 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 바륨이 도핑된 내벽을 갖는 실리카 유리 도가니의 제조방법
KR101659340B1 (ko) * 2015-03-30 2016-09-26 (주) 디에스테크노 고 순도 실린더형 석영 유리의 제조 장치
KR20190088314A (ko) * 2018-01-18 2019-07-26 이석연 잉곳 도가니의 열처리장치
WO2019155837A1 (ja) 2018-02-06 2019-08-15 信越石英株式会社 カーボン電極及び石英ガラスるつぼの製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997010182A1 (en) * 1995-09-12 1997-03-20 Corning Incorporated Furnace, method of use, and optical product made by furnace in producing fused silica glass
US6182237B1 (en) 1998-08-31 2001-01-30 International Business Machines Corporation System and method for detecting phase errors in asics with multiple clock frequencies
KR100383796B1 (ko) * 1999-04-06 2003-05-14 가부시키가이샤 난와쿼츠 석영유리도가니의 제조방법
JP2001342026A (ja) * 2000-05-30 2001-12-11 Tosoh Quartz Corp 石英ガラスの製造方法及び製造装置
AUPR054000A0 (en) * 2000-10-04 2000-10-26 Austai Motors Designing Pty Ltd A planetary gear apparatus
US6502422B1 (en) * 2000-10-27 2003-01-07 General Electric Company Method for quartz crucible fabrication
US6546754B1 (en) 2000-10-27 2003-04-15 General Electric Company Apparatus for silica crucible manufacture
US6755049B2 (en) * 2001-03-08 2004-06-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method of producing a quartz glass crucible
US20040118156A1 (en) * 2001-03-08 2004-06-24 Gabriele Korus Method of producing a quartz glass crucible
US6510707B2 (en) * 2001-03-15 2003-01-28 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Methods for making silica crucibles
JP4841764B2 (ja) * 2001-07-23 2011-12-21 信越石英株式会社 シリコン単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの製造方法及び装置
US20050120945A1 (en) * 2003-12-03 2005-06-09 General Electric Company Quartz crucibles having reduced bubble content and method of making thereof
WO2005073439A1 (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. シリコン単結晶及びシリコンウェーハ及びそれらの製造装置並びに製造方法
US7837955B2 (en) * 2006-03-08 2010-11-23 Unimin Corporation Continuous reactor system for anoxic purification
DE102008026890B3 (de) * 2008-06-05 2009-06-04 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Tiegels aus Quarzglas
US8272234B2 (en) * 2008-12-19 2012-09-25 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Silica crucible with pure and bubble free inner crucible layer and method of making the same
US9003832B2 (en) * 2009-11-20 2015-04-14 Heraeus Shin-Etsu America, Inc. Method of making a silica crucible in a controlled atmosphere
TW201202454A (en) * 2010-07-07 2012-01-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same
CN102384646A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 方强 实现内加热的坩埚、炉体及坩埚电阻炉
US20120267280A1 (en) * 2011-04-25 2012-10-25 Glen Bennett Cook Vessel for molten semiconducting materials and methods of making the same
US8281620B1 (en) * 2011-04-27 2012-10-09 Japan Super Quartz Corporation Apparatus for manufacturing vitreous silica crucible
US8857214B2 (en) * 2011-11-18 2014-10-14 Sunedison Semiconductor Limited Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles
US8524319B2 (en) 2011-11-18 2013-09-03 Memc Electronic Materials, Inc. Methods for producing crucibles with a reduced amount of bubbles

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56149333A (en) * 1980-04-15 1981-11-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Manufacture of quartz glass crucible and device therefor
JPS6355190A (ja) * 1986-07-24 1988-03-09 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 半導体製造に際して使用するための溶融石英部材
JPH01148718A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英るつぼの製造方法
JPH01160836A (ja) * 1987-12-17 1989-06-23 Tokyo Ceramics Kk 石英ガラスルツボの製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2928089C3 (de) * 1979-07-12 1982-03-04 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verbundtiegel für halbleitertechnologische Zwecke und Verfahren zur Herstellung
JPS59164645A (ja) * 1983-03-11 1984-09-17 Denki Kagaku Kogyo Kk 溶融珪酸の製造方法
GB8427915D0 (en) * 1984-11-05 1984-12-12 Tsl Thermal Syndicate Plc Vitreous silica products
US4632686A (en) * 1986-02-24 1986-12-30 Gte Products Corporation Method of manufacturing quartz glass crucibles with low bubble content
US4963178A (en) * 1986-03-31 1990-10-16 Gte Products Corporation Apparatus for making quartz glass crucibles
US4713104A (en) * 1986-03-31 1987-12-15 Gte Products Corporation Quartz glass crucibles
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
JP2559604B2 (ja) * 1987-12-15 1996-12-04 東芝セラミックス株式会社 石英ガラスルツボの製造方法
JP2933404B2 (ja) * 1990-06-25 1999-08-16 信越石英 株式会社 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボとその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56149333A (en) * 1980-04-15 1981-11-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Manufacture of quartz glass crucible and device therefor
JPS6355190A (ja) * 1986-07-24 1988-03-09 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 半導体製造に際して使用するための溶融石英部材
JPH01148718A (ja) * 1987-12-03 1989-06-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd 石英るつぼの製造方法
JPH01160836A (ja) * 1987-12-17 1989-06-23 Tokyo Ceramics Kk 石英ガラスルツボの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101385532B1 (ko) * 2006-09-28 2014-04-29 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 바륨이 도핑된 내벽을 갖는 실리카 유리 도가니의 제조방법
JP5398074B2 (ja) * 2007-07-28 2014-01-29 株式会社Sumco 石英ガラスルツボの製造方法および製造装置
CN103154330A (zh) * 2011-05-25 2013-06-12 圣戈班研发(上海)有限公司 石英坩埚及其制造方法
JP2013544745A (ja) * 2011-05-25 2013-12-19 サンゴバン・リサーチ・(シャンハイ)・カンパニー・リミテッド シリカ坩堝およびその製造方法
KR101659340B1 (ko) * 2015-03-30 2016-09-26 (주) 디에스테크노 고 순도 실린더형 석영 유리의 제조 장치
KR20190088314A (ko) * 2018-01-18 2019-07-26 이석연 잉곳 도가니의 열처리장치
WO2019155837A1 (ja) 2018-02-06 2019-08-15 信越石英株式会社 カーボン電極及び石英ガラスるつぼの製造方法
KR20200118024A (ko) 2018-02-06 2020-10-14 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 카본전극 및 석영유리도가니의 제조방법
EP3750854A4 (en) * 2018-02-06 2021-10-27 Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. CARBON ELECTRODE AND QUARTZ GLASS CRUCIBLE PRODUCTION PROCESS

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