JPH08255708A - 電子部品、これに用いる金属端子、前記電子部品の製造方法、及び絶縁電線の皮膜剥離処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐熱性の高い絶縁被覆が施された絶縁電線を
用いた場合でも信頼性の高い電気接続が得られる接続構
造を有する電子部品を提供する。 【構成】 絶縁電線10を金属端子20に巻付け半田付けし
た接続構造を有する電子部品において、絶縁電線10が、
その長手方向の一部が金属端子20から離れて裏側間隙ｃ
を形成するように、かつ絶縁電線10間に裏側間隙ｃと連
続する側方間隙ｔが開くように巻付けられており、少な
くとも前記裏側間隙ｃに面する絶縁電線10の導体表面お
よび金属端子20表面が半田付けされている電子部品。 【効果】 絶縁電線10と金属端子20との間及び絶縁電線
10間にそれぞれ裏側間隙ｃと側方間隙ｔを開け、これに
反射率の高い炭酸ガスレーザーを照射するので、絶縁皮
膜は絶縁電線の全周に渡り剥離され半田付けが良好にな
される。導体がレーザーにより受けるダメージも小さ
い。依って絶縁電線10と金属端子20との電気接続が高い
信頼性でなされる。炭酸ガスレーザーは絶縁被覆層を短
時間で剥離でき、又ランニングコストが安く経済的であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性の高い絶縁被覆
が施された絶縁電線を用いた場合でも信頼性の高い電気
接続が得られる接続構造を有する電子部品、これに用い
る金属端子、前記電子部品の製造方法、及び絶縁電線の
皮膜剥離処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図11はコイルの斜視図である。磁心に巻
かれた絶縁電線10の端末部分がコイル下端の金属端子27
に巻付けられている。図12は、前記金属端子部分の斜視
図及び横断面図である。断面矩形の金属端子27に、絶縁
電線10が密着して巻付けられ、半田（図示せず）付けさ
れている。絶縁電線10と金属端子27との間及び絶縁電線
10間にはすき間はない。絶縁電線10には、一般に半田付
け可能な絶縁電線、すなわち溶融半田に漬けると絶縁皮
膜が消失する絶縁電線が用いられている。この絶縁電線
を金属端子に接続するには、絶縁電線10の端末を金属端
子27に巻付け、次に絶縁電線10の巻付部分を半田浴に漬
けて半田付けしている。

【０００３】ところで、近年の電子機器等の小型化、高
機能化に伴い、そこに組込まれるコイル等の電子部品の
使用環境は非常に厳しくなってきている。その為、前記
電子部品に用いられる絶縁電線には高耐熱性が要求さ
れ、又前記絶縁電線の電気接続には高い信頼性が求めら
れている。このうち、高耐熱化の要求に応じて絶縁電線
の絶縁皮膜を高耐熱性のものにすると、半田浴に漬けた
だけでは、除去できなくなる。

【０００４】このため、近年、絶縁皮膜をレーザー照射
により剥離する方法が提案されている。実開平3-63913
号には、図13に示すように、金属端子29にねじ状の部分
を形成し、その谷部80に入るように絶縁電線10を巻付け
た後、レーザー光を照射して表面側の絶縁皮膜を剥離す
る方法が開示されている。ところが、この方法では、絶
縁電線の表面側しか、端子との電気的接続に寄与しない
ので、接続の信頼性が低い問題がある。

【０００５】本発明の目的は、耐熱性の高い絶縁電線を
用いたときでも、より信頼性の高い電気接続が得られる
接続構造を有する電子部品、これに用いる金属端子、前
記電子部品の製造方法、及び絶縁電線の皮膜剥離処理方
法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
絶縁電線を金属端子に巻付け半田付けした接続構造を有
する電子部品において、絶縁電線が、その長手方向の一
部が金属端子から離れて裏側間隙を形成するように、か
つ絶縁電線間に裏側間隙と連続する側方間隙が開くよう
に巻付けられており、少なくとも前記裏側間隙に面する
絶縁電線の導体表面及び金属端子表面が半田付けされて
いることを特徴とする電子部品である。

【０００７】この発明では、絶縁電線を裏側間隙、側方
間隙が形成されるように巻付けるので、これにレーザー
光を照射すると、裏側の絶縁皮膜も反射したレーザー光
により剥離され、金属端子に巻付けられた絶縁電線はそ
の全周に渡り絶縁皮膜層が剥離される。従って半田付け
が良好になされ、電気接続の信頼性が向上して、電子機
器等の小型化、高機能化が実現可能となる。

【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１の電子部
品に用いる金属端子であって、巻き付けられる絶縁電線
との間に、前記裏側間隙を形成する為の凹部がその表面
側に形成されており、この凹部の端子長さ方向の開口幅
が、絶縁電線の径より大であって、この凹部上を絶縁電
線が架空状態で配されるようになっていることを特徴と
する金属端子である。

【０００９】この金属端子では、絶縁電線を所定の張力
を掛けて巻付けるだけで、絶縁電線と金属端子の凹部底
面との間に所定の裏側間隙が自ずと形成される。

【００１０】請求項３記載の発明は、絶縁電線を金属端
子に巻付け、次に金属端子に巻付けた絶縁電線の絶縁皮
膜をレーザー剥離し、次に絶縁皮膜を剥離した絶縁電線
と金属端子とを半田付けする電子部品の製造方法におい
て、絶縁電線を、その長手方向の一部が金属端子から離
れて裏側間隙を形成するように、かつ絶縁電線間に裏側
間隔と連続する側方間隙が開くように巻付け、この後金
属端子の絶縁電線が巻付けられた部分に炭酸ガスレーザ
ーを照射して絶縁電線の絶縁皮膜を剥離することを特徴
とする電子部品の製造方法である。

【００１１】この発明は、絶縁電線を側方間隙が開くよ
うに巻付け、この後炭酸ガスレーザーを照射して絶縁電
線の絶縁皮膜を剥離する電子部品の製造方法である。こ
の方法で用いる炭酸ガスレーザー光は、金属表面に対す
る反射率が高いので、反射光による絶縁電線裏面の絶縁
層の剥離を効率良く行うことができる。

【００１２】請求項４記載の発明は、金属端子の少なく
とも一部が錫又はその合金であることを特徴とする請求
項３記載の電子部品の製造方法である。

【００１３】この発明によれば、絶縁皮膜の剥離直後
に、電線の導体表面に錫又はその合金が蒸着する。従っ
て、半田付け処理時にフラックスが不要となり、又低温
で半田処理ができるので接合の信頼性が一層向上する。

【００１４】請求項５記載の発明は、金属板上に架空状
態に配した絶縁電線にレーザー照射する絶縁電線の皮膜
剥離処理方法であって、前記金属板の少なくとも一部が
錫又はその合金で形成されていることを特徴とする絶縁
電線の皮膜剥離処理方法である。

【００１５】請求項５記載の発明では、皮膜剥離処理後
の絶縁電線は、金属板から離して別の所に半田付けして
用いられる。この場合も、絶縁皮膜が剥離された導体上
に錫又はその合金が蒸着し、請求項４記載の発明の場合
と同様の効果が得られる。

【００１６】

【発明の実施の態様】請求項１記載の発明における電子
部品の一例としてコイルを挙げることができる。ここ
で、コイルとは、空心でも磁心入りでもよく、形状はソ
レノイド形、トロイダル形、つぼ形、スパイラル形等任
意のコイルである。具体的にはステッピングモーター、
サーボモーター等家電や自動車に使用される小型モータ
ー又はトランス等の全般である。又電子部品とは、前記
トロイダルコイルを具備した高周波ノイズ対策部品、前
記トランスを具備した高周波用スイッチング電源等であ
る。

【００１７】この発明で、金属端子に巻付けた絶縁電線
と金属端子との間及び絶縁電線間にそれぞれ間隙を空け
るのは、絶縁電線の絶縁皮膜を表側のみならず、裏側
（金属端子側）も剥離し、絶縁電線の露出した導体と金
属端子との間で半田付けが良好になされるようにする為
である。絶縁電線と金属端子間の裏側間隙ｃの幅、及び
絶縁電線間の側方間隙ｔの幅は、絶縁電線の直径ｄ以上
であることが望ましい。その理由は、端子表面から照射
され、金属端子表面で反射して絶縁電線の裏面に到達す
るレーザー光の光量が大となり、絶縁電線の裏側及び側
面の絶縁皮膜層の剥離を十分に行うことができ、半田付
け後の半田内に絶縁皮膜のカスが残ったりするトラブル
を防止できる為である。絶縁電線間の側方間隙ｔを１〜
５mm（ｄの10〜50倍）にすることにより、裏側及び側面
の絶縁皮膜をより完全に剥離できるが、レーザーの照射
効率を考えると１〜２mmが好適である。又絶縁電線と金
属端子間の裏側間隙ｃは１mm以下であることが望まし
い。その理由は裏側間隙が１mm以下であれば、半田が表
面張力によって、端子−絶縁電線間に充填され易いから
である。

【００１８】図１は、請求項１記載の発明の電子部品に
設けた接続構造の態様を示す斜視図及び横断面図であ
る。絶縁電線10が、断面台形の金属端子20の周囲に、絶
縁電線間に側方間隙ｔを開けて楕円形状に巻付けられて
いる。絶縁電線10は金属端子20の角部に接触し、表面と
の間に裏側間隙ｃが開いている。このように絶縁電線10
を金属端子に巻付けるには、金属端子20の表面に細棒状
のものを載置した状態で絶縁電線10を巻付け、この後介
在させた細棒を抜けば良い。

【００１９】以下に、請求項２記載の発明の金属端子を
図を参照して具体的に説明する。図２〜９は、請求項２
記載の発明の金属端子の態様を示す。図２に示す金属端
子21は横断面形状がコの字型のもので、この金属端子21
に絶縁電線10を巻付けると、金属端子21の凹部31に裏側
間隙ｃが形成される。絶縁電線間には側方間隙ｔが開い
ている。図３に示す金属端子22は横断面形状が半円筒状
のもので、この金属端子22に絶縁電線10を巻付けると、
金属端子22の凹部32に裏側間隙ｃが形成される。図４に
示す金属端子23は横断面形状がＴ字型のもので、この金
属端子23に絶縁電線10を巻付けると、金属端子23の凹部
（切欠部）33により裏側間隙ｃが形成される。図５に示
す金属端子24は横断面形状がつづら折れ状のもので、こ
の金属端子24に絶縁電線10を巻付けると、金属端子24の
上下面の凹部34に裏側間隙ｃが形成される。図６に示す
金属端子25は、長方形状の孔が開けられた枠板25ａとそ
の裏に当てられた底板25ｂとからなる舟型のもので、両
端部を除く横断面に凹部35が形成されている。この金属
端子25に絶縁電線10を巻付けると、金属端子25の凹部35
により裏側間隙ｃが形成される。この金属端子25は半田
が凹部35に保持される為、半田付けが良好になされる。

【００２０】これら金属端子には、巻付けた絶縁電線間
に所定の幅で側方間隙ｔが開くように、絶縁電線の巻付
け位置を規定する溝を設けておくと良い。図７に示す金
属端子26は、側壁上端面に所定間隔を開けて溝40が形成
されている。この溝40に入るように巻付けられた絶縁電
線10間には側方間隙ｔが形成される。絶縁電線10と金属
端子26との間には裏側間隙ｃが開いている。この溝は図
１に示した断面台形の金属端子20の角部50に形成しても
同様の効果がある。図中符号36は凹部である。

【００２１】図８に示す金属端子27は、図７に示した金
属端子26の凹部36の底面に山谷が繰返し形成されたもの
で、山谷の斜面60は平面であり、側壁上端面の溝40は谷
70の位置に設けられている。図９に示す金属端子28は、
図８に示した金属端子27の山谷の斜面61を曲面にしたも
のである。前記図８、９に示した金属端子は、レーザー
光の反射面が広いこと、反射レーザー光が絶縁電線10の
裏面及び側面に集中すること等により、絶縁皮膜が効率
よく除去される。

【００２２】本発明において、絶縁電線の絶縁皮膜層を
剥離するのに炭酸ガスレーザーを用いる理由は、炭酸
ガスレーザーは絶縁皮膜層の剥離性が良い。又炭酸ガ
スレーザーは金属に対する反射率が高い為、裏側の絶縁
皮膜層も反射したレーザー光で効率よく剥離できる。又
絶縁電線の導体を殆ど損傷させない。更に炭酸ガス
は安価でランニングコストが安いこと等の為である。炭
酸ガスレーザーの照射方式はパルス発振式が剥離した絶
縁皮膜層が飛散し易く望ましい。レーザーの金属表面で
の反射率は波長が長い程高くなることが知られている。
反射率は材料の表面状態により変化するので、個々に実
験により求める。炭酸ガスレーザー（波長10.6μm)の銅
に対する反射率は98％、エキシマレーザー（波長0.25μ
m)のそれは25％である。

【００２３】炭酸ガスレーザーは、通常、金属端子に対
し垂直な方向から照射すれば良い。絶縁電線に当たらな
かったレーザー光は金属端子面で乱反射し、絶縁電線の
裏側の絶縁皮膜に当たる。金属端子面には、それがどん
なに平坦でも、オングストローム規模の凹凸があり、レ
ーザー光は必ず乱反射する。金属端子のレーザー光照射
面は、レーザー光を焦光し易い凹面形状にしておくと絶
縁皮膜層の剥離が効率よくなされる。炭酸ガスレーザー
光の照射面積は金属端子の絶縁電線の巻付けられた部分
全体を覆う広さに調節しておくと、絶縁皮膜層を迅速、
均一に、効率よく剥離できて望ましい。

【００２４】本発明にて用いる金属端子には、レーザー
の反射率が高く、半田付けが可能な金属材料で形成され
ていることが望ましい。特に、銅、銀、錫、カドミウム
等の材料、又は前記材料が表面に被覆された複合材料が
望ましい。

【００２５】上述した各金属端子に錫又はその合金から
なるものを用いると、請求項４の電子部品の製造方法を
実施できる。錫又はその合金で形成される部分は、金属
端子の一部であっても良い。この場合、金属端子の表面
を錫又はその合金で形成することが望ましいが、その上
に他の金属やプラスチック等がコーティングしてあって
も良い。請求項４と請求項５記載の発明において、絶縁
皮膜の剥離直後に、電線の導体表面に錫又はその合金を
蒸着させるには、炭酸ガスレーザーのエネルギー出力を
40Ｊ／cm² 以上に上げ、反射率の90％以下の錫又はその
合金を使用するのが望ましい。又金属端子又は金属板
に、反射率90％以下で融点の低い、錫やその合金を使用
し、炭酸ガスレーザーのエネルギー出力を上げることに
より、絶縁皮膜が剥離直後に、導体上に錫又はその合金
を蒸着させることが可能となる。錫やその合金は前述し
た金属材料の中でも比較的炭酸ガスレーザーを吸収し易
く蒸着し易い。

【００２６】請求項５記載の発明では金属板90として、
図10に示すように凹部91を有し、請求項２記載の発明で
用いられる凹部を有する金属端子（図２等）と同様の形
状をしているものを用いることが、作業効率上望まし
い。この金属板90の表面には錫又はその合金がコーティ
ングされている。レーザー照射されて絶縁皮膜が剥離し
た絶縁電線10は、この金属板90にそのまま半田付けされ
るのではなく、金属板90から取外し、他の箇所に接合さ
れるものである。請求項３の電子部品の製造方法では、
上述のような金属端子が設けられた電子部品の金属端子
に炭酸ガスレーザーを照射する。

【００２７】本発明にて用いる絶縁電線としては、ＩＥ
Ｃ Pub.172による耐熱指数が 200℃未満 130℃以上の耐
熱性のやや低い樹脂塗料を焼付けた１層構造のもの、又
は前記耐熱性のやや低い樹脂塗料（以下、中耐熱性樹脂
塗料と称す。）の上にＩＥＣPub.172 による耐熱指数が
200℃以上の高耐熱性樹脂塗料を焼付けた２層構造のも
の等を適用できる。前記２層構造の絶縁電線では、中耐
熱性樹脂塗料で形成する層の厚さを全体の1/3 以下にす
ると、高耐熱性と半田付性を両立し易い（特願平3-2051
34参照）。前記高耐熱性樹脂塗料を導体に直接焼付けた
ものはレーザー光による絶縁皮膜の剥離を行うと薄い膜
が残り易く、半田接合性が損なわれることがある。これ
に対し、前記２層構造のものは、ＩＥＣ Pub.172におけ
るＨ種クラスの耐熱性を有し、且つ半田付け時に前記の
ような不都合も生じない。

【００２８】前記中耐熱性樹脂塗料には、ヒドロキシル
エチルイソシアヌレート系の３価アルコールを含有しな
いポリエステルイミド系のものや、ポリウレタン系、ポ
リエステル系のものが使用でき、前記高耐熱性樹脂塗料
には、ヒドロキシルエチルイソシアヌレート系の３価ア
ルコールを含有するポリエステルイミド系、ポリヒダン
トインイミドエステル系、ポリヒダントイン系、ポリエ
ステルアミドイミド系、ポリアミドイミド系、ポリイミ
ド系、ポリパラバン酸系等のものが使用できる。

【００２９】

【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）図１に示した、横断面形状が台形の金属端
子20の表面に半田製の細棒を当て、これに絶縁電線(0.1
mmφ）を巻付け、この後加熱して半田製細棒を溶かし
た。これにより金属端子20と絶縁電線10との間に裏側間
隙ｃを形成した。次に絶縁電線10の巻付け部分に炭酸ガ
スレーザーからレーザー光を照射して絶縁皮膜層を剥離
して導体を露出させ、次いで露出導体と金属端子を半田
付けして電気接続を行った。絶縁電線間の側方間隙ｔの
幅、炭酸ガスレーザーの照射角度、及びレーザー照射面
積は表に示すように種々に変化させた。絶縁電線には、
ＩＥＣ Pub.172による耐熱性がＨ種の塗料を塗布したも
の（前記２層構造のもの）、Ｅ種、Ｂ種、Ｃ種の塗料を
塗布したものを用いた。絶縁電線の巻付回数は３回とし
た。

【００３０】塗料には表に示すようにポリエステル塗
料、ポリウレタン塗料等種々の樹脂塗料を用いた。 ポ
リエステル塗料は、ジメチルテレフタレート、エチレン
グレコール、グリセリンを原料に用いて合成した。ポリ
イミド塗料も合成品を用いた。以下にその合成方法を示
す。先ずN-メチルピロリドン535gとキシレン13g の溶剤
中にジアミノジフェニルメエーテル0.35モル(70g) を投入
し、窒素雰囲気中で２時間攪拌した後、ピロメリット酸
二無水物0.35モル(76.3g) を添加する。その後40℃未満の
温度に冷却しながら２時間攪拌し、更にN-メチルピロリ
ドンを172g添加して、不揮発分濃度が16％のポリイミド
塗料を得る。その他の樹脂塗料は市販品を用いた。即
ち、ポリウレタン塗料は東特塗料社製のもの（商品名F
1）を用いた。ポリアミドイミド塗料は、ジフェニルメ
タンジイソシアネートとトリメリット酸無水物を原料に
用いて合成した日立化成社製のもの（商品名HI-406）を
用いた。エステルイミドは大日精化社製のもの（商品名
Fs-304）を用いた。

【００３１】（実施例２）図２〜６に示した、横断面形
状に凹部を有する金属端子に絶縁電線を張力を掛けて巻
付け、この絶縁電線の巻付け部分に炭酸ガスレーザーを
照射して絶縁皮膜層を剥離した。次に露出導体と金属端
子を半田付けして電気接続を行った。絶縁電線間の側方
間隙ｔの幅は種々に変化させた。炭酸ガスレーザーは金
属端子面に対し90度の角度から照射した。絶縁電線には
Ｈ種の塗料が塗布されたもの（前記２層構造のもの）を
用いた。

【００３２】（実施例３）図７に示した、絶縁電線をガ
イドする溝を有する金属端子に、絶縁電線を張力を掛け
て巻付け、次に金属端子に巻付けた部分の絶縁電線に炭
酸ガスレーザーを照射して絶縁皮膜層を剥離して導体を
露出させ、次いで露出導体と金属端子とを半田付けして
電気接続を行った。絶縁電線間の側方間隙ｔの幅は種々
に変化させた。炭酸ガスレーザーの照射角度は金属端子
面に対し90度にした。絶縁電線にはＨ種を用いた。

【００３３】（実施例４）図８、９に示した金属端子
に、絶縁電線を張力を掛けて巻付け、次に金属端子に巻
付けた部分の絶縁電線に炭酸ガスレーザーを照射して絶
縁皮膜層を剥離して導体を露出させ、次いで露出導体と
金属端子とを半田付けして電気接続を行った。絶縁電線
間の側方間隙ｔの幅は0.1 mmとした。炭酸ガスレーザー
の照射角度は金属端子面に対し90度にした。絶縁電線に
はＨ種を用いた。

【００３４】（実施例５）図２に示した形状の金属端子
に絶縁電線を張力を掛けて巻付け、次に金属端子に巻付
けた部分の絶縁電線に炭酸ガスレーザーを照射して絶縁
皮膜層を剥離して導体を露出させ、次いで露出導体と金
属端子とを半田付けして電気接続を行った。絶縁電線の
側方間隙を１mmの幅に固定した。炭酸ガスレーザーを出
力をあげて金属端子面に対し90度の角度から照射した。
絶縁電線にはＨ種の塗料が塗布されたもの（前記２層構
造のもの）を用いた。金属端子には錫めっきしたものを
用いた。

【００３５】（比較例１）実施例１において、絶縁電線
を金属端子に、絶縁電線と金属端子間に間隙を開けずに
巻付けた他は、実施例１と同じ方法により電気接続を行
った。

【００３６】（比較例２）実施例２において、絶縁電線
を金属端子に、絶縁電線間に間隙を開けずに密に巻付け
た他は、実施例１と同じ方法により電気接続を行った。
金属端子には図２イに示した金属端子を用いた。

【００３７】（比較例３）実施例１において、絶縁皮膜
層をエキシマレーザーを用いて剥離した他は、実施例１
と同じ方法により電気接続を行った。

【００３８】（比較例４）実施例１において、絶縁電線
の絶縁皮膜にアミドイミド（Ｈ種）を用いた他は、実施
例１と同じ方法により電気接続を行った。

【００３９】前記実施例及び比較例において、金属端子
には表に示すように、銅、錫、銀、カドミウム等の種々
材料のものを用いた。レーザー照射は下記条件により行
った。 〔ＴＥＡ型炭酸ガスレーザー〕 実施例１〜４、比較例１〜４の場合 出力：14〜20Ｊ/cm²、周波数：10Ｈｚ、照射面積：金属
端子の幅(1mm) ×長さ(1〜12mm) 、照射ショット数：５
ショット(0.5秒）。 実施例５の場合 出力：50〜60Ｊ/cm²、周波数：10Ｈｚ、照射面積：金属
端子の幅(1mm) ×長さ(1〜12mm) 、照射ショット数：10
ショット(1.0秒）。 〔エキシマレーザー〕 出力： 0.2Ｊ/cm²、周波数： 100Ｈｚ、照射面積：金属
端子の幅(1mm) ×長さ(3mm) 、照射ショット数： 200ショ
ット(2.0秒）。 半田付けは、フラックスに JIS-Z3283のAA級を使用し、
360℃に加熱した半田浴(Pb/Sn＝50/50)にコイルの金属
端子部を１秒間浸漬して行った。

【００４０】前記実施例及び比較例において、絶縁皮膜
層の剥離状態と半田付着状態を調査した。絶縁皮膜層の
剥離状態はコイル端子より絶縁電線を取り出し、目視に
より判定した。半田付着状態は半田の濡れ状態と金属端
子の横断面を観察し、絶縁電線の露出した導体部分への
半田の濡れ状態を、Ａ（良）〜Ｄ（悪）の４段階評価し
た。Ａは半田の濡れ状態が極めて良好なもの、Ｂは濡れ
不良部分が僅かながら存在するもの、Ｃは濡れ不良部分
が散在するもの、Ｄは非濡れ部分が多数存在するもので
ある。結果を表１及び表２に示す。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【表２】

【００４３】

【表３】

【００４４】表１と表２から明らかなように、本発明例
品 (No.1〜31) は、いずれも絶縁皮膜が絶縁電線表側の
みならず裏側も剥離され、半田付着状態は、実用上問題
ないＢ以上の判定を得た。絶縁電線と金属端子間の裏側
間隙ｃ及び絶縁電線間の側方間隙ｔは広い程、絶縁皮膜
もより完全に剥離され、半田も良好に付着した（No.1〜
7)。レーザー照射角度の影響(No.1,8,9)は照射角度が大
きい程絶縁皮膜は良好に剥離された。No.1,10,11を比較
すると、レーザー照射長さが長い方が絶縁電線を剥離し
易いことが分かる。絶縁皮膜の耐熱性の影響は、耐熱性
の低いもの程剥離し易いことが分かる(No.12〜15) 。金
属端子の材質の影響は明確には認められなかった(No.16
〜18) 。金属端子の形状の影響も明確には認められなか
った(No.19〜23) 。絶縁電線の巻付位置を規定する溝を
設けた金属端子を用いたもの(No.24〜26) では、絶縁電
線間の間隙が狭い場合でも間隙を正確に開けることがで
き、絶縁皮膜も完全に剥離され、巻付けも迅速に行え
た。更に金属端子凹部底面を山谷状に形成したもの(No.
27〜28) は、レーザー光の大量の反射光が絶縁電線に集
中した為、絶縁皮膜がより効率よく除去された。

【００４５】No.29〜31はレーザー出力を 50J/cm²以上
に高めたもので、絶縁皮膜が完全に除去された上、露出
した導体表面に錫が均一に蒸着された。このものは、フ
ラックスなしで、且つ低温で半田付けが良好になされ
た。

【００４６】比較例品のNo.32 は絶縁電線を金属端子に
密着して巻付け、No.33 は絶縁電線を相互に密着させて
巻付けた為、いずれも絶縁皮膜が広く残存し、半田付性
が著しく低下した。No.34 は反射率の低いエキシマレー
ザーを用いた為、裏面側の絶縁皮膜の剥離が不十分であ
った。電子顕微鏡観察でも絶縁皮膜が極く薄く残留して
いるのが観察された。又照射時間も炭酸ガスレーザーの
場合に較べて長時間を要した。No.35 は絶縁皮膜をＨ種
のアミドイミドにより１層に形成した為絶縁皮膜が十分
剥離されなかった。

【００４７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明では、絶縁電
線を、上述のように裏側間隙、側方間隙が開くように巻
付けるので、レーザー光を照射すると絶縁皮膜は絶縁電
線表面側のみならず、裏面においても剥離される。従っ
て、本発明によれば、高耐熱性の絶縁電線を用いても信
頼性の高い端子接続を形成できる。又請求項３の方法で
は、金属表面での反射率の高い炭酸ガスレーザーを用い
るので、絶縁電線の裏側の絶縁被覆も反射したレーザー
光で効率良く剥離できる。更にレーザー光の出力を高め
ることにより露出した導体上に錫が蒸着し、半田付け
が、容易、且つ良好になされる。又請求項５の方法で
は、錫が蒸着され半田付性に優れた露出導体部分を有す
る絶縁電線が容易に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の接続構造の態様を示す斜視図及び横断
面図である。

【図２】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図３】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図４】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図５】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図６】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図７】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び横断面図である。

【図８】本発明で用いる金属端子の態様を示す斜視図及
び縦断面図である。

【図９】本発明で用いる金属端子の他の態様を示す縦断
面図である。

【図10】本発明で用いる金属板の態様を示す斜視図であ
る。

【図11】コイルにおける絶縁電線と金属端子の接続構造
の斜視図である。

【図12】従来の接続構造の態様を示す斜視図及び断面図
である。

【図13】従来の他の接続構造の態様を示す一部断面図で
ある。

【符号の説明】

10…………絶縁電線 20〜29……金属端子 31〜36……金属端子の凹部 40…………金属端子のガイド溝 50…………断面台形の金属端子の角部 60,61 ……山谷の斜面 70…………山谷の谷部 80…………ねじ状部分の谷部 90…………金属板 91…………凹部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁電線を金属端子に巻付け半田付けし
   た接続構造を有する電子部品において、絶縁電線が、そ
   の長手方向の一部が金属端子から離れて裏側間隙を形成
   するように、かつ絶縁電線間に裏側間隙と連続する側方
   間隙が開くように巻付けられており、少なくとも前記裏
   側間隙に面する絶縁電線の導体表面及び金属端子表面が
   半田付けされていることを特徴とする電子部品。
2. 【請求項２】 請求項１の電子部品に用いる金属端子で
   あって、巻き付けられる絶縁電線との間に前記裏側間隙
   を形成する為の凹部がその表面側に形成されており、こ
   の凹部の端子長さ方向の開口幅が、絶縁電線の径より大
   であって、この凹部上を絶縁電線が架空状態で配される
   ようになっていることを特徴とする金属端子。
3. 【請求項３】 絶縁電線を金属端子に巻付け、次に金属
   端子に巻付けた絶縁電線の絶縁皮膜をレーザー剥離し、
   次に絶縁皮膜を剥離した絶縁電線と金属端子とを半田付
   けする電子部品の製造方法において、絶縁電線を、その
   長手方向の一部が金属端子から離れて裏側間隙を形成す
   るように、かつ絶縁電線間に裏側間隔と連続する側方間
   隙が開くように巻付け、この後金属端子の絶縁電線が巻
   付けられた部分に炭酸ガスレーザーを照射して絶縁電線
   の絶縁皮膜を剥離することを特徴とする電子部品の製造
   方法。
4. 【請求項４】 金属端子の少なくとも一部が錫又はその
   合金であることを特徴とする請求項３記載の電子部品の
   製造方法。
5. 【請求項５】 金属板上に架空状態に配した絶縁電線に
   レーザー照射する絶縁電線の皮膜剥離処理方法であっ
   て、前記金属板の少なくとも一部が錫又はその合金で形
   成されていることを特徴とする絶縁電線の皮膜剥離処理
   方法。