JPH08250493A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08250493A JPH08250493A JP5388095A JP5388095A JPH08250493A JP H08250493 A JPH08250493 A JP H08250493A JP 5388095 A JP5388095 A JP 5388095A JP 5388095 A JP5388095 A JP 5388095A JP H08250493 A JPH08250493 A JP H08250493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating film
- film
- high temperature
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁膜の上層に形成する配線の信頼性および
半導体デバイスの歩留りの向上を図る。 【構成】 半導体基板１上に形成された段差を有する絶
縁膜４の表面を、高温に加熱されたプレス部材５を用い
て直接プレスし、絶縁膜４の平坦化を行う。これによ
り、絶縁膜４の完全平坦化を実現できる。また、プレス
後に高温に加熱されたプレス部材５を除去してやれば、
半導体基板１の温度は急速に冷却されるため、従来例の
ように熱処理後に異常粒子が析出する問題は生じない。
したがって、絶縁膜４の上層に形成する配線の信頼性お
よび半導体デバイスの歩留りの向上を図ることができ
る。
半導体デバイスの歩留りの向上を図る。 【構成】 半導体基板１上に形成された段差を有する絶
縁膜４の表面を、高温に加熱されたプレス部材５を用い
て直接プレスし、絶縁膜４の平坦化を行う。これによ
り、絶縁膜４の完全平坦化を実現できる。また、プレス
後に高温に加熱されたプレス部材５を除去してやれば、
半導体基板１の温度は急速に冷却されるため、従来例の
ように熱処理後に異常粒子が析出する問題は生じない。
したがって、絶縁膜４の上層に形成する配線の信頼性お
よび半導体デバイスの歩留りの向上を図ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図面を参照しながら、従来の半導体装置
の製造方法について説明する。図２は従来例の工程説明
図である。図２において、１１はシリコン基板、１２は
ＬＯＣＯＳ酸化膜、１３はポリシリコン電極、１４はボ
ロンリン珪酸ガラス膜である。製造時には、図２（ａ）
に示すように、ポリシリコン電極１３上にボロンリン珪
酸ガラス膜１４を成長する。つぎに、図２（ｂ）に示す
ように、石英チューブ２０およびヒータ２１により約８
００〜１０００℃に加熱した拡散炉において、窒素雰囲
気中で熱処理を行う。このとき、シリコン基板１１が炉
内の雰囲気により間接的に高温に加熱されるので、図２
（ｃ）に示すように、ボロンリン珪酸ガラス膜１４が流
動化し、ポリシリコン電極１３のエッジ部分の形状が滑
らかな平坦化形状を得ることができる。このような絶縁
膜の平坦化は、下地の段差を低減し、上層に形成する配
線の信頼性や歩留りを向上させるために、特に重要であ
る。
の製造方法について説明する。図２は従来例の工程説明
図である。図２において、１１はシリコン基板、１２は
ＬＯＣＯＳ酸化膜、１３はポリシリコン電極、１４はボ
ロンリン珪酸ガラス膜である。製造時には、図２（ａ）
に示すように、ポリシリコン電極１３上にボロンリン珪
酸ガラス膜１４を成長する。つぎに、図２（ｂ）に示す
ように、石英チューブ２０およびヒータ２１により約８
００〜１０００℃に加熱した拡散炉において、窒素雰囲
気中で熱処理を行う。このとき、シリコン基板１１が炉
内の雰囲気により間接的に高温に加熱されるので、図２
（ｃ）に示すように、ボロンリン珪酸ガラス膜１４が流
動化し、ポリシリコン電極１３のエッジ部分の形状が滑
らかな平坦化形状を得ることができる。このような絶縁
膜の平坦化は、下地の段差を低減し、上層に形成する配
線の信頼性や歩留りを向上させるために、特に重要であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置の製造方法では、下地段差のエッジ部分
の形状は改善できるものの、段差の高低差を緩和するよ
うな完全平坦化の実現は困難であった。また、半導体デ
バイスの微細化が進み、拡散炉における熱処理温度が低
温化されてくると、以前と同程度の平坦化形状を得るた
めに、ボロンリン珪酸ガラス膜１４中の不純物濃度を高
くする必要があった。この場合、拡散炉では熱処理後の
冷却速度が遅いため、熱処理後のボロンリン珪酸ガラス
膜１４表面に、異常粒子が析出し、半導体デバイスの歩
留りを低下させる問題があった。
来の半導体装置の製造方法では、下地段差のエッジ部分
の形状は改善できるものの、段差の高低差を緩和するよ
うな完全平坦化の実現は困難であった。また、半導体デ
バイスの微細化が進み、拡散炉における熱処理温度が低
温化されてくると、以前と同程度の平坦化形状を得るた
めに、ボロンリン珪酸ガラス膜１４中の不純物濃度を高
くする必要があった。この場合、拡散炉では熱処理後の
冷却速度が遅いため、熱処理後のボロンリン珪酸ガラス
膜１４表面に、異常粒子が析出し、半導体デバイスの歩
留りを低下させる問題があった。
【０００４】したがって、この発明の目的は、絶縁膜の
上層に形成する配線の信頼性および半導体デバイスの歩
留りの向上を図ることができる半導体装置の製造方法を
提供することである。
上層に形成する配線の信頼性および半導体デバイスの歩
留りの向上を図ることができる半導体装置の製造方法を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体装置の
製造方法は、半導体基板上に形成された段差を有する絶
縁膜の表面を、高温に加熱されたプレス部材を用いて直
接プレスし、絶縁膜の平坦化を行うことを特徴とするも
のである。
製造方法は、半導体基板上に形成された段差を有する絶
縁膜の表面を、高温に加熱されたプレス部材を用いて直
接プレスし、絶縁膜の平坦化を行うことを特徴とするも
のである。
【０００６】
【作用】この発明の構成によれば、半導体基板上に形成
された段差を有する絶縁膜の表面を、高温に加熱された
プレス部材を用いて直接プレスし、絶縁膜の平坦化を行
うので、絶縁膜の完全平坦化を実現できる。また、プレ
ス後に高温に加熱されたプレス部材を除去してやれば、
半導体基板の温度は急速に冷却されるため、従来例のよ
うに熱処理後に異常粒子が析出する問題は生じない。し
たがって、絶縁膜の上層に形成する配線の信頼性および
半導体デバイスの歩留りの向上を図ることができる。
された段差を有する絶縁膜の表面を、高温に加熱された
プレス部材を用いて直接プレスし、絶縁膜の平坦化を行
うので、絶縁膜の完全平坦化を実現できる。また、プレ
ス後に高温に加熱されたプレス部材を除去してやれば、
半導体基板の温度は急速に冷却されるため、従来例のよ
うに熱処理後に異常粒子が析出する問題は生じない。し
たがって、絶縁膜の上層に形成する配線の信頼性および
半導体デバイスの歩留りの向上を図ることができる。
【０００７】
【実施例】この発明の一実施例の半導体装置の製造方法
を図１に基づいて説明する。図１は本発明の実施例であ
る半導体装置の製造方法の工程断面図である。図１にお
いて、１はシリコン基板（半導体基板）、２はＬＯＣＯ
Ｓ酸化膜、３はポリシリコン電極、４はボロンリン珪酸
ガラス膜（絶縁膜）である。
を図１に基づいて説明する。図１は本発明の実施例であ
る半導体装置の製造方法の工程断面図である。図１にお
いて、１はシリコン基板（半導体基板）、２はＬＯＣＯ
Ｓ酸化膜、３はポリシリコン電極、４はボロンリン珪酸
ガラス膜（絶縁膜）である。
【０００８】製造時には、図１（ａ）に示すように、ポ
リシリコン電極３上にボロンリン珪酸ガラス膜４を成長
する。この状態でボロンリン珪酸ガラス膜４の表面は段
差を有する。つぎに、図１（ｂ）に示すように、約８０
０〜１０００℃に加熱されたシリコンカーバイト（Ｓｉ
Ｃ）からなるプレス部材５を直接ボロンリン珪酸ガラス
膜４の表面にプレスする。
リシリコン電極３上にボロンリン珪酸ガラス膜４を成長
する。この状態でボロンリン珪酸ガラス膜４の表面は段
差を有する。つぎに、図１（ｂ）に示すように、約８０
０〜１０００℃に加熱されたシリコンカーバイト（Ｓｉ
Ｃ）からなるプレス部材５を直接ボロンリン珪酸ガラス
膜４の表面にプレスする。
【０００９】これにより、図１（ｃ）に示すように、段
差の高い位置にあるボロンリン珪酸ガラス膜４を、フロ
ーさせてポリシリコン電極３の周囲に埋め込むことがで
きる。このため、完全な平坦化形状を得ることができ
る。また、プレス後に高温に加熱されたプレス部材５を
除去してやれば、シリコン基板１の温度は急速に冷却さ
れるため、従来の技術で生じていた熱処理後に異常粒子
が析出する問題も発生しない。
差の高い位置にあるボロンリン珪酸ガラス膜４を、フロ
ーさせてポリシリコン電極３の周囲に埋め込むことがで
きる。このため、完全な平坦化形状を得ることができ
る。また、プレス後に高温に加熱されたプレス部材５を
除去してやれば、シリコン基板１の温度は急速に冷却さ
れるため、従来の技術で生じていた熱処理後に異常粒子
が析出する問題も発生しない。
【００１０】この実施例では、高温に加熱する材料とし
てシリコンカーバイトからなるプレス部材５を用いた
が、熱容量がシリコンと比べて大きく、高温でも変形し
ないような材料であれば、同様の効果が得られる。ま
た、シリコン基板１の表面からのみ高温に加熱したプレ
ス部材５をプレスしたが、シリコン基板１の裏面からも
高温に加熱したプレス部材５を同時にプレスすることも
可能である。また、フローガラス膜としてボロンリン珪
酸ガラス膜４を用いた場合について説明したが、リンガ
ラス膜、ボロンガラス膜、あるいは他のフローガラス膜
を用いた場合も、同様の効果が得られる。
てシリコンカーバイトからなるプレス部材５を用いた
が、熱容量がシリコンと比べて大きく、高温でも変形し
ないような材料であれば、同様の効果が得られる。ま
た、シリコン基板１の表面からのみ高温に加熱したプレ
ス部材５をプレスしたが、シリコン基板１の裏面からも
高温に加熱したプレス部材５を同時にプレスすることも
可能である。また、フローガラス膜としてボロンリン珪
酸ガラス膜４を用いた場合について説明したが、リンガ
ラス膜、ボロンガラス膜、あるいは他のフローガラス膜
を用いた場合も、同様の効果が得られる。
【００１１】
【発明の効果】この発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、半導体基板上に形成された段差を有する絶縁膜の表
面を、高温に加熱されたプレス部材を用いて直接プレス
し、絶縁膜の平坦化を行うので、絶縁膜の完全平坦化を
実現できる。また、プレス後に高温に加熱されたプレス
部材を除去してやれば、半導体基板の温度は急速に冷却
されるため、従来例のように熱処理後に異常粒子が析出
する問題は生じない。したがって、絶縁膜の上層に形成
する配線の信頼性および半導体デバイスの歩留りの向上
を図ることができる。また、上記のようにプレス部材を
用いて絶縁膜の平坦化を行うので、従来の拡散炉におい
て窒素雰囲気中で熱処理を行う等の複雑な処理工程がな
くなり、生産性が向上する。
ば、半導体基板上に形成された段差を有する絶縁膜の表
面を、高温に加熱されたプレス部材を用いて直接プレス
し、絶縁膜の平坦化を行うので、絶縁膜の完全平坦化を
実現できる。また、プレス後に高温に加熱されたプレス
部材を除去してやれば、半導体基板の温度は急速に冷却
されるため、従来例のように熱処理後に異常粒子が析出
する問題は生じない。したがって、絶縁膜の上層に形成
する配線の信頼性および半導体デバイスの歩留りの向上
を図ることができる。また、上記のようにプレス部材を
用いて絶縁膜の平坦化を行うので、従来の拡散炉におい
て窒素雰囲気中で熱処理を行う等の複雑な処理工程がな
くなり、生産性が向上する。
【図１】この発明の一実施例の半導体装置の製造方法の
工程説明図である。
工程説明図である。
【図２】従来例の半導体装置の製造方法の工程説明図で
ある。
ある。
１ シリコン基板（半導体基板） ２ ＬＯＣＯＳ酸化膜 ３ ポリシリコンゲート電極 ４ ボロンリン珪酸ガラス膜（絶縁膜） ５ プレス部材
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された段差を有する
絶縁膜の表面を、高温に加熱されたプレス部材を用いて
直接プレスし、前記絶縁膜の平坦化を行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388095A JPH08250493A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5388095A JPH08250493A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250493A true JPH08250493A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=12955068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5388095A Pending JPH08250493A (ja) | 1995-03-14 | 1995-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08250493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7757626B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1995
- 1995-03-14 JP JP5388095A patent/JPH08250493A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7757626B2 (en) | 2005-08-26 | 2010-07-20 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8192796B2 (en) | 2005-08-26 | 2012-06-05 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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