JPH0818883B2 - 多孔質フィルタの製造法 - Google Patents
多孔質フィルタの製造法Info
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- JPH0818883B2 JPH0818883B2 JP61110506A JP11050686A JPH0818883B2 JP H0818883 B2 JPH0818883 B2 JP H0818883B2 JP 61110506 A JP61110506 A JP 61110506A JP 11050686 A JP11050686 A JP 11050686A JP H0818883 B2 JPH0818883 B2 JP H0818883B2
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- porous filter
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は多孔質体の孔径を自由に縮小制御することを
可能とした多孔質フィルタの製造法に関する。
可能とした多孔質フィルタの製造法に関する。
（従来の技術） 従来、セラミックスや金属の多孔質体は触媒担体、フ
ィルタ等として使用されており、種々の孔径のものが提
供されている。そしてその製造は一般に一定の粒径の原
料粉末を成形、焼成して焼結体となすことにより行われ
ている。
ィルタ等として使用されており、種々の孔径のものが提
供されている。そしてその製造は一般に一定の粒径の原
料粉末を成形、焼成して焼結体となすことにより行われ
ている。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、前記従来法では、微粉末原料を使用し
ても焼成中に結晶が粒成長を起こして個々の結晶粒は約
0.5μｍ以上になり、得られる焼結多孔質体の孔径は約
0.1μｍ程度以上となってしまう。このため、非常に微
細な原料粉末を用いたとしても、これより微小な孔径の
多孔質体を焼結法によって得ることは至難である。
ても焼成中に結晶が粒成長を起こして個々の結晶粒は約
0.5μｍ以上になり、得られる焼結多孔質体の孔径は約
0.1μｍ程度以上となってしまう。このため、非常に微
細な原料粉末を用いたとしても、これより微小な孔径の
多孔質体を焼結法によって得ることは至難である。
（問題点を解決するための手段） 本発明者は上記従来技術に鑑み、研究の結果、従来の
焼結体タイプの多孔質体を用い、その表面を物理、化学
的薄膜形成法による処理を施すことによって多孔質体表
面の細孔孔径を縮小させてフィルタを製造することに成
功した。またその際には、表面処理条件を調整すること
によって細孔孔径を自由に縮小制御できることを知見し
た。
焼結体タイプの多孔質体を用い、その表面を物理、化学
的薄膜形成法による処理を施すことによって多孔質体表
面の細孔孔径を縮小させてフィルタを製造することに成
功した。またその際には、表面処理条件を調整すること
によって細孔孔径を自由に縮小制御できることを知見し
た。
すなわち本発明は、セラミックス、金属等の多孔質体
を物理蒸着法、化学堆積法等の薄膜形成法によって表面
処理し、その表層の細孔孔径を縮小制御することを特徴
とする多孔質フィルタの製造法である。
を物理蒸着法、化学堆積法等の薄膜形成法によって表面
処理し、その表層の細孔孔径を縮小制御することを特徴
とする多孔質フィルタの製造法である。
本発明方法で処理対象とする多孔質フィルタ基材は、
薄膜法によってその表層の微細粒子の上面及び周囲に物
理蒸着物層あるいは化学堆積物層が強固に付着されるも
のであればよく、一般には粉末原料を焼結して得られる
焼結金属体、セラミックス等であり、その他乾燥シリカ
ゲル、ゼオライト等であってよい。
薄膜法によってその表層の微細粒子の上面及び周囲に物
理蒸着物層あるいは化学堆積物層が強固に付着されるも
のであればよく、一般には粉末原料を焼結して得られる
焼結金属体、セラミックス等であり、その他乾燥シリカ
ゲル、ゼオライト等であってよい。
薄膜形成法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオン化蒸着法等の物理蒸着法のほか、CVD法、プ
ラズマCVD法等の化学堆積法が適用される。
法、イオン化蒸着法等の物理蒸着法のほか、CVD法、プ
ラズマCVD法等の化学堆積法が適用される。
薄膜形成工程においては、第３図にその断面を略示す
るごとく、多孔質体表層粒子Ａの表面に薄膜Ｂが形成さ
れるのであるが、スパッタリング法、イオン化蒸着法
（イオンプレーティング法）によれば約30％、CVD法に
よれば約40％の側面へのまわり込み薄膜層Ｂ′の形成が
生じ、これによって多孔質体表面細孔の孔径をその表層
において縮小変化させることができるのである。
るごとく、多孔質体表層粒子Ａの表面に薄膜Ｂが形成さ
れるのであるが、スパッタリング法、イオン化蒸着法
（イオンプレーティング法）によれば約30％、CVD法に
よれば約40％の側面へのまわり込み薄膜層Ｂ′の形成が
生じ、これによって多孔質体表面細孔の孔径をその表層
において縮小変化させることができるのである。
なお、真空蒸着法によると、そのままでは粒子側面へ
のまわり込み薄膜層Ｂ′の形成がないので、この場合は
被処理多孔質体試料を傾けて回転させることが好まし
い。
のまわり込み薄膜層Ｂ′の形成がないので、この場合は
被処理多孔質体試料を傾けて回転させることが好まし
い。
薄膜の形成速度は、真空蒸着法が1000〜10000Å/mi
n、スパッタリング法が100〜1000Å/min、イオンプレー
ティング法が1000〜10000Å/min、CVD法が数10〜数100
Åであるので、適宜方法を採用して、必要時間の処理を
することによって、多孔質体表層の細孔孔径を任意の大
きさに縮小制御することが容易にできるのである。
n、スパッタリング法が100〜1000Å/min、イオンプレー
ティング法が1000〜10000Å/min、CVD法が数10〜数100
Åであるので、適宜方法を採用して、必要時間の処理を
することによって、多孔質体表層の細孔孔径を任意の大
きさに縮小制御することが容易にできるのである。
さらに、処理対象多孔質体とは異なった材質の薄膜を
形成する場合にあっては、例えば、金属多孔質体の表面
にセラミックスの膜を形成して耐磨耗性多孔質体のフィ
ルタを製造することができるので、被ろ過処理物として
固体粉体を適用してもそれらの接触によって前記表面が
損傷されることがなく耐久性の優れた多孔質フィルタと
なるなどの有利性が発揮される。
形成する場合にあっては、例えば、金属多孔質体の表面
にセラミックスの膜を形成して耐磨耗性多孔質体のフィ
ルタを製造することができるので、被ろ過処理物として
固体粉体を適用してもそれらの接触によって前記表面が
損傷されることがなく耐久性の優れた多孔質フィルタと
なるなどの有利性が発揮される。
（実施例） 実施例:1 孔径約0.1μｍのAl2O3多孔質焼結体を基板とし、第１
図に示されるようなスパッタリング装置により表面処理
した。
図に示されるようなスパッタリング装置により表面処理
した。
なお、第１図において、１は基板（被処理物のAl2O3
多孔質焼結体）、２は基板ホルダー、３は上部電極、４
はターゲット、５は真空容器（スパッタリング室）、６
は排気、７はガス導入バルブ、８は高周波電源、９は整
合器、である。
多孔質焼結体）、２は基板ホルダー、３は上部電極、４
はターゲット、５は真空容器（スパッタリング室）、６
は排気、７はガス導入バルブ、８は高周波電源、９は整
合器、である。
まず、スパッタリング前処理として基板（Al2O3）を
以下の工程で洗浄した。
以下の工程で洗浄した。
（１）酸素雰囲気中、600℃。30分焼成 （２）脱塩水で超音波洗浄５分 （３）乾燥、100℃、30分 次に上記工程によって洗浄した基板１をスパッタリン
グ室５内の基板ホルダー（下部電極）２上に搭載し、こ
れと相対する位置の上部電極３の円板上にAl2O3ターゲ
ット４を取り付けた後、油回転ポンプによって10-2Torr
のオーダーまで排気筒６から排気し、続いて油拡散ポン
プで10-6Torrのオーダーまで高真空に排気した。
グ室５内の基板ホルダー（下部電極）２上に搭載し、こ
れと相対する位置の上部電極３の円板上にAl2O3ターゲ
ット４を取り付けた後、油回転ポンプによって10-2Torr
のオーダーまで排気筒６から排気し、続いて油拡散ポン
プで10-6Torrのオーダーまで高真空に排気した。
その状態でアルゴンガスをライン７からスパッタリン
グ室内に10-3Torrの圧力になるまで導入し、メインバル
ブで５×10-5Torrにその圧力を調節しながら下部電極側
にRF電源８及び整合器９からの高周波（13.56MHz）を印
加して、スパッタエッチングを行い表面層を除去した。
グ室内に10-3Torrの圧力になるまで導入し、メインバル
ブで５×10-5Torrにその圧力を調節しながら下部電極側
にRF電源８及び整合器９からの高周波（13.56MHz）を印
加して、スパッタエッチングを行い表面層を除去した。
以上の処理によりAl2O3多孔質焼結体を清浄化した
後、上部電極側に高周波を印加して、基板１の表面にAl
2O3をコーティングした。
後、上部電極側に高周波を印加して、基板１の表面にAl
2O3をコーティングした。
表面処理した基板をSEM観察した結果、前記Al2O3コー
ティング処理時間を変化させることによって、表層細孔
孔径が約60Å/minの割合で縮小され、０〜基板処理前
（0.1μｍ）の孔径の範囲で自由に縮小制御できること
が判った。
ティング処理時間を変化させることによって、表層細孔
孔径が約60Å/minの割合で縮小され、０〜基板処理前
（0.1μｍ）の孔径の範囲で自由に縮小制御できること
が判った。
実施例:2 外径約1mm、内径約0.5mm、管壁孔径約0.1μｍのAl2O3
多孔質中空糸を基材とし、第２図に示されるようなスパ
ッタリング装置により、前記実施例１と同じ手順で、基
材を回転させながらAl2O3をコーティングし、表面をSEM
観察したところ、実施例１の場合と同様に、表層細孔の
孔径を自由に縮小制御できることが判った。
多孔質中空糸を基材とし、第２図に示されるようなスパ
ッタリング装置により、前記実施例１と同じ手順で、基
材を回転させながらAl2O3をコーティングし、表面をSEM
観察したところ、実施例１の場合と同様に、表層細孔の
孔径を自由に縮小制御できることが判った。
なお、第２図において、１は被処理物のAl2O3多孔質
中空糸基材、２は基材ホルダー、３は上部電極、４はタ
ーゲット、５は真空容器（スパッタリング室）、６は排
気、７はガス導入バルブ、８は高周波電源、９は整合
器、である。
中空糸基材、２は基材ホルダー、３は上部電極、４はタ
ーゲット、５は真空容器（スパッタリング室）、６は排
気、７はガス導入バルブ、８は高周波電源、９は整合
器、である。
（発明の効果） 以上本発明方法の、セラミックス、金属等の多孔質体
を物理蒸着法、化学堆積法等の薄膜形成法によって表面
処理し、その表層の細孔孔径を縮小制御する多孔質フィ
ルタの製造方法によれば、 （１）従来の微粉末原料を焼成して多孔質焼結体を得る
焼成法によっては、その達成が至難であった表層細孔孔
径0.1μｍ程度以下の多孔質フィルタが容易に得られる
こと、（２）適宜薄膜形成法の選択、表面処理時間の調
整によって、多孔質フィルタ表層の細孔孔径を自由に縮
小制御できること、さらに（３）処理対象の多孔質基
板、基材とは異なった任意の、例えば耐磨耗性材質の着
層膜を多孔質フィルタ表層の微細粒子面上に形成しつ
つ、その細孔孔径を縮小制御できることなどの多くの優
れた効果が発揮される。
を物理蒸着法、化学堆積法等の薄膜形成法によって表面
処理し、その表層の細孔孔径を縮小制御する多孔質フィ
ルタの製造方法によれば、 （１）従来の微粉末原料を焼成して多孔質焼結体を得る
焼成法によっては、その達成が至難であった表層細孔孔
径0.1μｍ程度以下の多孔質フィルタが容易に得られる
こと、（２）適宜薄膜形成法の選択、表面処理時間の調
整によって、多孔質フィルタ表層の細孔孔径を自由に縮
小制御できること、さらに（３）処理対象の多孔質基
板、基材とは異なった任意の、例えば耐磨耗性材質の着
層膜を多孔質フィルタ表層の微細粒子面上に形成しつ
つ、その細孔孔径を縮小制御できることなどの多くの優
れた効果が発揮される。
第１図、第２図は本発明方法を実施するためのスパッタ
リング装置の概略構造断面図、第３図は本発明方法によ
って得られる多孔フィルタ表層の拡大略示断面図であ
る。 図中 1:基板、基材（被処理物）、2:基板、基材ホルダー、 3:上部電極、4:ターゲット、 5:真空容器（スパッタリング室）、6:排気、 7:ガス導入バルブ、8:高周波電源、9:整合器 A:多孔質体表層粒子、B:薄膜、Ｂ′：まわり込み薄膜
層、
リング装置の概略構造断面図、第３図は本発明方法によ
って得られる多孔フィルタ表層の拡大略示断面図であ
る。 図中 1:基板、基材（被処理物）、2:基板、基材ホルダー、 3:上部電極、4:ターゲット、 5:真空容器（スパッタリング室）、6:排気、 7:ガス導入バルブ、8:高周波電源、9:整合器 A:多孔質体表層粒子、B:薄膜、Ｂ′：まわり込み薄膜
層、
Claims (3)
- 【請求項１】セラミックス、金属等の多孔質体を物理蒸
着法、化学堆積法等の薄膜形成法によって表面処理し、
その表層の細孔孔径を縮小制御することを特徴とする多
孔質フィルタの製造法。 - 【請求項２】薄膜形成法が真空蒸着法、スパッタリング
法、イオン化蒸着法等の物理蒸着法である特許請求の範
囲第１項記載の多孔質フィルタの製造法。 - 【請求項３】薄膜形成法が、CVD法、プラズマCVD法等の
化学堆積法である特許請求の範囲第１項記載の多孔質フ
ィルタの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110506A JPH0818883B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 多孔質フィルタの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61110506A JPH0818883B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 多孔質フィルタの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62270473A JPS62270473A (ja) | 1987-11-24 |
| JPH0818883B2 true JPH0818883B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=14537498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61110506A Expired - Fee Related JPH0818883B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 多孔質フィルタの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818883B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003213353A1 (en) * | 2002-03-15 | 2003-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| WO2003078688A1 (en) | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Porous material and process for producing the same |
| WO2003078685A1 (fr) * | 2002-03-15 | 2003-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Dispositif fonctionnel et procede de fabrication du dispositif, support d'enregistrement magnetique vertical, dispositif d'enregistrement et de lecture magnetique, et dispositif de traitement d'information |
| JP5082224B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2012-11-28 | ブラザー工業株式会社 | フィルタの製造方法 |
| JP4831110B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2011-12-07 | ユーシーティー株式会社 | ガスケットフィルタ |
| JP5345078B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2013-11-20 | 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー | 脂質二重膜、それを形成するために用いられる自己支持性フィルム及びそれを具備するマイクロ流路デバイス |
| SG11201706564UA (en) * | 2015-02-13 | 2017-09-28 | Entegris Inc | Coatings for enhancement of properties and performance of substrate articles and apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59164682A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-17 | 三井造船株式会社 | 多孔質セラミツクスの強化方法 |
| JPS59167009A (ja) * | 1983-03-11 | 1984-09-20 | 昭和アルミニウム株式会社 | 電解コンデンサ用電極材料の製造方法 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61110506A patent/JPH0818883B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62270473A (ja) | 1987-11-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |