JP2000096240A - プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法 - Google Patents
プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法Info
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- JP2000096240A JP2000096240A JP27121898A JP27121898A JP2000096240A JP 2000096240 A JP2000096240 A JP 2000096240A JP 27121898 A JP27121898 A JP 27121898A JP 27121898 A JP27121898 A JP 27121898A JP 2000096240 A JP2000096240 A JP 2000096240A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚染物の発生を防止すると共に均一ガス流の
阻害を回避するプラズマ化学蒸着用有孔電極板の提供。 【解決手段】 プラズマ化学蒸着用有孔電極板(１)の表
面上に溶射膜(２)を形成させた後、該電極板の裏面(４)
をブラスト処理に付し、次いで該電極板を洗浄処理に付
すことを含む該有孔電極板の処理方法。
阻害を回避するプラズマ化学蒸着用有孔電極板の提供。 【解決手段】 プラズマ化学蒸着用有孔電極板(１)の表
面上に溶射膜(２)を形成させた後、該電極板の裏面(４)
をブラスト処理に付し、次いで該電極板を洗浄処理に付
すことを含む該有孔電極板の処理方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はプラズマ化学蒸着
用有孔電極板の処理方法に関する。
用有孔電極板の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板表面にプラズマ化学蒸着法に
よって蒸着膜を形成させる工程においては、半導体製造
装置の内壁面や内部部品にも蒸着膜が付着し、該付着物
が次第に成長して剥落し、該装置内を汚染させ、この汚
染に起因して高度集積化半導体の歩留まりが低下すると
いう問題がある。
よって蒸着膜を形成させる工程においては、半導体製造
装置の内壁面や内部部品にも蒸着膜が付着し、該付着物
が次第に成長して剥落し、該装置内を汚染させ、この汚
染に起因して高度集積化半導体の歩留まりが低下すると
いう問題がある。
【０００３】このような汚染物の発生の防止策として、
該内壁面や内部部品に溶射膜を形成させておくことによ
って付着成長する蒸着物の剥落を防止する方法が提案さ
れている(例えば、特開昭６１−５６２７７号公報およ
び特開昭６１−８７８６１号公報参照)。
該内壁面や内部部品に溶射膜を形成させておくことによ
って付着成長する蒸着物の剥落を防止する方法が提案さ
れている(例えば、特開昭６１−５６２７７号公報およ
び特開昭６１−８７８６１号公報参照)。
【０００４】しかしながら、内部部品がガス通過用微細
孔が穿設された有孔電極板(孔径:約４５０〜６００μ
m、孔間距離:約１０mm)の場合には、溶射膜が微細孔を
閉塞および／または縮小させてガスの均一な通過を阻害
するために、均質な蒸着膜を形成させることが困難にな
るという問題がある。
孔が穿設された有孔電極板(孔径:約４５０〜６００μ
m、孔間距離:約１０mm)の場合には、溶射膜が微細孔を
閉塞および／または縮小させてガスの均一な通過を阻害
するために、均質な蒸着膜を形成させることが困難にな
るという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、プラズマ
化学蒸着用有孔電極板の溶射処理に付随する上記問題点
を解決するためになされたものである。
化学蒸着用有孔電極板の溶射処理に付随する上記問題点
を解決するためになされたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ちこの発明は、プラズ
マ化学蒸着用有孔電極板の表面上に溶射膜を形成させた
後、該電極板の裏面をブラスト処理に付し、次いで該電
極板を洗浄処理に付すことを含むブラスト化学蒸着用有
孔電極板の処理方法に関する。
マ化学蒸着用有孔電極板の表面上に溶射膜を形成させた
後、該電極板の裏面をブラスト処理に付し、次いで該電
極板を洗浄処理に付すことを含むブラスト化学蒸着用有
孔電極板の処理方法に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図に基づいて説明する。図１は本発明によって処理した
プラズマ化学蒸着用有孔電極板の部分的な模式的断面図
である。有孔電極板(１)の表面に溶射膜を形成させる工
程は常套法に従っておこなえばよく、特に限定的ではな
い。即ち、溶射法としてはアーク法、プラズマ法および
フレーム法等が例示され、いずれの方法を用いてもよい
が、アーク法が特に好ましい。例えば、ガスプラズマ
(例えば、ＡrおよびＨe等)または可燃性ガス(例えば、
酸素等)中で加熱溶融させた溶射材料を有孔電極板表面
上にガス(例えば、Ｎ 2、ＡrおよびＨe等)圧で噴霧状に
吹きつけて溶射膜(２)を形成させればよい。溶射材とし
ては銅、アルミニウム、アルミナ、モリブデンおよびチ
タン等が例示されるが、特に銅またはアルミニウムが好
ましい。溶射膜(２)の厚さは特に限定的ではないが、通
常は５０〜１５０μmである。
図に基づいて説明する。図１は本発明によって処理した
プラズマ化学蒸着用有孔電極板の部分的な模式的断面図
である。有孔電極板(１)の表面に溶射膜を形成させる工
程は常套法に従っておこなえばよく、特に限定的ではな
い。即ち、溶射法としてはアーク法、プラズマ法および
フレーム法等が例示され、いずれの方法を用いてもよい
が、アーク法が特に好ましい。例えば、ガスプラズマ
(例えば、ＡrおよびＨe等)または可燃性ガス(例えば、
酸素等)中で加熱溶融させた溶射材料を有孔電極板表面
上にガス(例えば、Ｎ 2、ＡrおよびＨe等)圧で噴霧状に
吹きつけて溶射膜(２)を形成させればよい。溶射材とし
ては銅、アルミニウム、アルミナ、モリブデンおよびチ
タン等が例示されるが、特に銅またはアルミニウムが好
ましい。溶射膜(２)の厚さは特に限定的ではないが、通
常は５０〜１５０μmである。
【０００８】なお、有孔電極板(１)の表面と溶射膜(２)
の密着性を一層強固にするために、該表面を予めブラス
ト処理によって凹凸状に荒らすのが好ましく、溶射膜
(２)はアンカー効果によって該表面に強固に密着する。
この場合のブラスト処理は平均粒径が５０〜５００μm
のブラスト材を吐出圧３〜５kg／cm2で吹きつけておこ
なうのが一般的である。
の密着性を一層強固にするために、該表面を予めブラス
ト処理によって凹凸状に荒らすのが好ましく、溶射膜
(２)はアンカー効果によって該表面に強固に密着する。
この場合のブラスト処理は平均粒径が５０〜５００μm
のブラスト材を吐出圧３〜５kg／cm2で吹きつけておこ
なうのが一般的である。
【０００９】有孔電極板(１)に穿設された微細孔(３)は
上記の溶射処理によって閉塞または縮小するが、有孔電
極板(１)の裏面(４)をブラスト処理に付すことによって
該微細孔(３)の孔径をほぼ元の孔径に復帰させることが
できる。この場合のブラスト処理は常法に従って適当な
ブラスト材を有孔電極板(１)の裏面(４)に吹きつけてお
こなう。ブラスト材としては硬度の高いものは溶射膜の
剥離や電極板の損傷をもたらすので好ましくない。好適
なブラスト材はアルミナおよびガラスである。ブラスト
材の粒径は通常１００〜２００μmであり、１００μmよ
りも小さいと十分な孔径回復効果が得難く、２００μm
よりも大きくなると孔の目詰りが発生するので好ましく
ない。ブラスト材の吐出圧および照射時間は特に限定的
ではないが、通常はそれぞれ２〜５kg／cm2および３０
秒間〜数分間である。
上記の溶射処理によって閉塞または縮小するが、有孔電
極板(１)の裏面(４)をブラスト処理に付すことによって
該微細孔(３)の孔径をほぼ元の孔径に復帰させることが
できる。この場合のブラスト処理は常法に従って適当な
ブラスト材を有孔電極板(１)の裏面(４)に吹きつけてお
こなう。ブラスト材としては硬度の高いものは溶射膜の
剥離や電極板の損傷をもたらすので好ましくない。好適
なブラスト材はアルミナおよびガラスである。ブラスト
材の粒径は通常１００〜２００μmであり、１００μmよ
りも小さいと十分な孔径回復効果が得難く、２００μm
よりも大きくなると孔の目詰りが発生するので好ましく
ない。ブラスト材の吐出圧および照射時間は特に限定的
ではないが、通常はそれぞれ２〜５kg／cm2および３０
秒間〜数分間である。
【００１０】上記の溶射処理とブラスト処理に付した有
孔電極板は次いで洗浄処理に付される。洗浄処理は一般
的には純水を用いる超音波洗浄法でおこなうのが特に有
効である。
孔電極板は次いで洗浄処理に付される。洗浄処理は一般
的には純水を用いる超音波洗浄法でおこなうのが特に有
効である。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例によって説明する。実施例１ プラズマ化学蒸着用有孔電極板(材質:ＳＵＳ ４３０、
孔径:４５０〜５００μm、孔間距離:５〜１０mm)の表面
上に下記の条件下でアルミニウム溶射膜(膜厚:１００μ
m)を形成させた後、該電極板の裏面を平均粒径１００μ
mのアルミナ粒子を用いるブラスト処理に付し(吐出圧:
３〜５kg／cm2、照射時間:数十秒〜数分間)、次いで該
電極板を純水を用いる超音波洗浄処理に付した:溶射処理条件（アーク溶射） 溶融媒体:Ａl 吹きつけガス:空気 (ガス圧:３．５kg／cm2) 溶射距離:約２００mm 上記のようにして処理した有孔電極板の孔径の測定結果
を図２において「◆」で示す。なお、図２における「〇」は
溶射膜を形成させる前の電極板の孔径を示す。また、上
記のようにして処理した有孔電極板を、プラズマ化学蒸
着法によって半導体基板(ＳＵＳおよびＡl等)上に蒸着
膜(Ｓi、ＳiＮ、ＳiＯ2等)を形成させる実際の製造工程
に用いたところ、該電極板の再生処理は１回／月で済ん
だ。
孔径:４５０〜５００μm、孔間距離:５〜１０mm)の表面
上に下記の条件下でアルミニウム溶射膜(膜厚:１００μ
m)を形成させた後、該電極板の裏面を平均粒径１００μ
mのアルミナ粒子を用いるブラスト処理に付し(吐出圧:
３〜５kg／cm2、照射時間:数十秒〜数分間)、次いで該
電極板を純水を用いる超音波洗浄処理に付した:溶射処理条件（アーク溶射） 溶融媒体:Ａl 吹きつけガス:空気 (ガス圧:３．５kg／cm2) 溶射距離:約２００mm 上記のようにして処理した有孔電極板の孔径の測定結果
を図２において「◆」で示す。なお、図２における「〇」は
溶射膜を形成させる前の電極板の孔径を示す。また、上
記のようにして処理した有孔電極板を、プラズマ化学蒸
着法によって半導体基板(ＳＵＳおよびＡl等)上に蒸着
膜(Ｓi、ＳiＮ、ＳiＯ2等)を形成させる実際の製造工程
に用いたところ、該電極板の再生処理は１回／月で済ん
だ。
【００１２】比較例１ 実施例１と同様の条件下でアルミニウム溶射膜を表面に
形成させた有孔電極板の孔径を測定した。測定結果を図
２において「□」で示す。また、該電極板を実施例１の場
合と同様にして実際の蒸着膜製造工程に用いたところ、
該電極板の再生処理は４回／月必要であった。
形成させた有孔電極板の孔径を測定した。測定結果を図
２において「□」で示す。また、該電極板を実施例１の場
合と同様にして実際の蒸着膜製造工程に用いたところ、
該電極板の再生処理は４回／月必要であった。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着膜の剥落に起因す
る汚染物の発生を有効に防止できるだけでなく、微細孔
の閉塞および／または縮小に起因する均一ガス流の阻害
が回避されるため、均質な蒸着膜の歩留まりを有意に向
上させることができる。また、本発明によって処理され
た有孔電極板の再生処理の回数は従来法による有孔電極
板の場合よりも少なくて済む。
る汚染物の発生を有効に防止できるだけでなく、微細孔
の閉塞および／または縮小に起因する均一ガス流の阻害
が回避されるため、均質な蒸着膜の歩留まりを有意に向
上させることができる。また、本発明によって処理され
た有孔電極板の再生処理の回数は従来法による有孔電極
板の場合よりも少なくて済む。
【図１】 本発明によって処理したプラズマ化学蒸着用
有孔電極板の部分的な模式的断面図である。
有孔電極板の部分的な模式的断面図である。
【図２】 実施例１および比較例１で処理した有孔電極
板の孔径を示す。
板の孔径を示す。
１ 有孔電極板 ２ 溶射膜 ３ 微細孔 ４ 有孔電極板の裏面 ◆ 実施例１で処理した有孔電極板の孔径 ■ 比較例１で処理した有孔電極板の孔径 ○ 非処理有孔電極板の孔径
Claims (7)
- 【請求項１】 プラズマ化学蒸着用有孔電極板の表面上
に溶射膜を形成させた後、該電極板の裏面をブラスト処
理に付し、次いで該電極板を洗浄処理に付すことを含む
プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法。 - 【請求項２】 溶射膜の材質が銅またはアルミニウムで
ある請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 ブラスト処理を平均粒径が１００〜１５
０μmのブラスト材を用いておこなう請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】 ブラスト材がアルミナビーズまたはガラ
スビーズである請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 洗浄処理を純水を用いる超音波洗浄法で
おこなう請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 溶射膜形成前の電極板表面をブラスト処
理に付す請求項１から５いずれかに記載の方法。 - 【請求項７】 請求項１から６いずれかに記載の方法に
よって処理されたプラズマ化学蒸着用有孔電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27121898A JP2000096240A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27121898A JP2000096240A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000096240A true JP2000096240A (ja) | 2000-04-04 |
Family
ID=17497003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27121898A Pending JP2000096240A (ja) | 1998-09-25 | 1998-09-25 | プラズマ化学蒸着用有孔電極板の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000096240A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427842B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2004-04-30 | 장건 | 진공증착박막코팅챔버용 실드 및 그 제조방법 |
| JP2004523649A (ja) * | 2000-12-29 | 2004-08-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理装置の窒化ホウ素又はイットリア複合材料の構成部品及びその製造方法 |
| EP1694463A2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-30 | Turbocombustor Technology, Inc. | Process for removing thermal barrier coatings |
| JP2011137215A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Shimadzu Corp | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 |
-
1998
- 1998-09-25 JP JP27121898A patent/JP2000096240A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004523649A (ja) * | 2000-12-29 | 2004-08-05 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体処理装置の窒化ホウ素又はイットリア複合材料の構成部品及びその製造方法 |
| KR100427842B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2004-04-30 | 장건 | 진공증착박막코팅챔버용 실드 및 그 제조방법 |
| EP1694463A2 (en) * | 2003-12-15 | 2006-08-30 | Turbocombustor Technology, Inc. | Process for removing thermal barrier coatings |
| EP1694463A4 (en) * | 2003-12-15 | 2009-03-25 | Turbocombustor Technology Inc | METHOD FOR REMOVING THERMAL BARRIER COATINGS |
| US7805822B2 (en) | 2003-12-15 | 2010-10-05 | Turbocombustor Technology, Inc. | Process for removing thermal barrier coatings |
| JP2011137215A (ja) * | 2010-01-04 | 2011-07-14 | Shimadzu Corp | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置 |
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