JPH08181444A - セラミック多層配線基板の焼成方法 - Google Patents
セラミック多層配線基板の焼成方法Info
- Publication number
- JPH08181444A JPH08181444A JP6319756A JP31975694A JPH08181444A JP H08181444 A JPH08181444 A JP H08181444A JP 6319756 A JP6319756 A JP 6319756A JP 31975694 A JP31975694 A JP 31975694A JP H08181444 A JPH08181444 A JP H08181444A
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- JP
- Japan
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- setter
- substrate
- ceramic multilayer
- board
- multilayer wiring
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- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】セラミック多層配線基板焼成時に、セラミック
多層配線基板の雰囲気に接する表面積を拡大する。具体
的には、焼成時に基板の下あるいは基板の上下に置くセ
ッタに通気孔を設ける。セラミック多層配線基板１は、
セラミック板あるいは金属板あるいは多孔質体板からな
るセッタ２の上に置かれている。セッタ２には、格子状
の通気孔３が設けられている。雰囲気の湿潤窒素が通気
孔を通って基板下面に接するため、基板下面からも水蒸
気が供給される。 【効果】セラミック多層配線基板内への水蒸気の供給が
促進され、残留炭素除去に要する時間が短縮できる。
多層配線基板の雰囲気に接する表面積を拡大する。具体
的には、焼成時に基板の下あるいは基板の上下に置くセ
ッタに通気孔を設ける。セラミック多層配線基板１は、
セラミック板あるいは金属板あるいは多孔質体板からな
るセッタ２の上に置かれている。セッタ２には、格子状
の通気孔３が設けられている。雰囲気の湿潤窒素が通気
孔を通って基板下面に接するため、基板下面からも水蒸
気が供給される。 【効果】セラミック多層配線基板内への水蒸気の供給が
促進され、残留炭素除去に要する時間が短縮できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック多層配線基板
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミック多層配線基板の焼成は、有機
バインダの熱分解除去過程，残留炭素の除去過程，焼結
及び冷却過程の３段階に分けることができる。このう
ち、残留炭素の除去過程では、雰囲気を湿潤窒素とし、
セラミックの焼結温度以下温度を保持して、残留炭素と
水蒸気を反応させ、ＣＯ，ＣＯ2 等として除去する。
バインダの熱分解除去過程，残留炭素の除去過程，焼結
及び冷却過程の３段階に分けることができる。このう
ち、残留炭素の除去過程では、雰囲気を湿潤窒素とし、
セラミックの焼結温度以下温度を保持して、残留炭素と
水蒸気を反応させ、ＣＯ，ＣＯ2 等として除去する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】残留炭素除去過程にお
けるセラミック多層配線基板は、有機バインダの大半が
熱分解して除去され且つ焼結が開始していないため、多
孔質体である。しかし、気孔径が小さいために浸透率が
小さく、外気の流入あるいは通過はわずかである。この
ため、基板内残留炭素の除去は、反応に必要な水蒸気の
基板内への供給が律速となり、残留炭素を所定の濃度以
下にするために要する時間が全焼成過程に占める割合は
大きい。
けるセラミック多層配線基板は、有機バインダの大半が
熱分解して除去され且つ焼結が開始していないため、多
孔質体である。しかし、気孔径が小さいために浸透率が
小さく、外気の流入あるいは通過はわずかである。この
ため、基板内残留炭素の除去は、反応に必要な水蒸気の
基板内への供給が律速となり、残留炭素を所定の濃度以
下にするために要する時間が全焼成過程に占める割合は
大きい。
【０００４】本発明の目的は、セラミック多層配線基板
の焼成過程における残留炭素除去過程において上記基板
中への水蒸気の供給を促進し、所要時間を短縮すること
である。
の焼成過程における残留炭素除去過程において上記基板
中への水蒸気の供給を促進し、所要時間を短縮すること
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、セラミック
多層配線基板の焼成雰囲気に接する表面積を拡大するこ
とで達成される。具体的な第１の手段は、焼成時に基板
を固定するために基板の下あるいは基板の上下に置くセ
ッタに通気孔を設けることである。第２の手段は、通気
孔を有する多孔質体からなるセッタを用いることであ
る。
多層配線基板の焼成雰囲気に接する表面積を拡大するこ
とで達成される。具体的な第１の手段は、焼成時に基板
を固定するために基板の下あるいは基板の上下に置くセ
ッタに通気孔を設けることである。第２の手段は、通気
孔を有する多孔質体からなるセッタを用いることであ
る。
【０００６】
【作用】残留炭素除去過程におけるセラミック多層配線
基板は多孔質体であるが、気孔径が小さいために外気の
流入あるいは通過はわずかである。このため、基板内へ
の水蒸気の供給は基板内外の水蒸気濃度差に起因する拡
散が律速になっている。従って、セラミック多層配線基
板の、雰囲気に接する表面積を拡大することにより基板
内への水蒸気の供給を増加させることができる。しか
し、焼成時にはセラミック多層配線基板はセッタ上に置
かれているため、上記セッタに接している上記基板の下
側の面からは、水蒸気を供給できない。更に、上下から
加圧しながら焼成する場合、あるいは複数の多層配線基
板を積層して焼成する場合には、上記セラミック積層配
線基板の上下の面がセッタに接することになり、雰囲気
と接触して水蒸気を供給しうる基板表面は更に縮小され
る。そこで、セッタに通気のための孔を設けることで、
セラミック多層配線基板のセッタに接している面からも
水蒸気を供給できる。更に、セッタとして通気孔を有す
る多孔質体を用いれば、上記通気孔が基板に接触してい
なくても、水蒸気供給促進の効果がある。
基板は多孔質体であるが、気孔径が小さいために外気の
流入あるいは通過はわずかである。このため、基板内へ
の水蒸気の供給は基板内外の水蒸気濃度差に起因する拡
散が律速になっている。従って、セラミック多層配線基
板の、雰囲気に接する表面積を拡大することにより基板
内への水蒸気の供給を増加させることができる。しか
し、焼成時にはセラミック多層配線基板はセッタ上に置
かれているため、上記セッタに接している上記基板の下
側の面からは、水蒸気を供給できない。更に、上下から
加圧しながら焼成する場合、あるいは複数の多層配線基
板を積層して焼成する場合には、上記セラミック積層配
線基板の上下の面がセッタに接することになり、雰囲気
と接触して水蒸気を供給しうる基板表面は更に縮小され
る。そこで、セッタに通気のための孔を設けることで、
セラミック多層配線基板のセッタに接している面からも
水蒸気を供給できる。更に、セッタとして通気孔を有す
る多孔質体を用いれば、上記通気孔が基板に接触してい
なくても、水蒸気供給促進の効果がある。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【０００８】図１は、本発明の第１実施例のセラミック
多層配線基板（以下基板という。）焼成時の基板及びセ
ッタの縦断面図である。基板１は、セラミック板あるい
は金属板あるいは多孔質体板からなるセッタ２の上に置
かれている。セッタ２には、格子状の通気孔３が設けら
れている。雰囲気の湿潤窒素が通気孔を通って基板下側
の面に接するため、基板下面からも水蒸気が供給され
る。
多層配線基板（以下基板という。）焼成時の基板及びセ
ッタの縦断面図である。基板１は、セラミック板あるい
は金属板あるいは多孔質体板からなるセッタ２の上に置
かれている。セッタ２には、格子状の通気孔３が設けら
れている。雰囲気の湿潤窒素が通気孔を通って基板下側
の面に接するため、基板下面からも水蒸気が供給され
る。
【０００９】図２は、本発明の第２実施例のセラミック
多層配線基板焼成時の基板及びセッタの縦断面図であ
る。上下方向に加圧しながら焼成する場合、あるいは複
数枚の基板を重ねて焼成する場合の基板及びセッタの配
置である。基板１は、セラミック板あるいは金属板ある
いは多孔質体板からなる２枚のセッタ２の間に置かれて
いる。セッタ２には、格子状の通気孔３が設けられてい
る。雰囲気の湿潤窒素が通気孔を通って基板上下の面に
接するため、基板上下面からも水蒸気が供給される。
多層配線基板焼成時の基板及びセッタの縦断面図であ
る。上下方向に加圧しながら焼成する場合、あるいは複
数枚の基板を重ねて焼成する場合の基板及びセッタの配
置である。基板１は、セラミック板あるいは金属板ある
いは多孔質体板からなる２枚のセッタ２の間に置かれて
いる。セッタ２には、格子状の通気孔３が設けられてい
る。雰囲気の湿潤窒素が通気孔を通って基板上下の面に
接するため、基板上下面からも水蒸気が供給される。
【００１０】図３は、本発明の第３実施例のセラミック
多層配線基板焼成時の基板及びセッタの縦断面図であ
る。基板１は、多孔質体板からなるセッタ４の上に置か
れている。セッタ４には、格子状の通気孔３が設けられ
ている。通気孔３はセッタが基板に接する表面上に開口
部を持たず、従って通気孔３の内部の雰囲気は直接基板
には接触しない。しかし、通気孔３があることによっ
て、多孔質体セッタ４内の水蒸気の拡散距離が短くな
り、セッタを通しての水蒸気供給が促進される。本実施
例では、セッタの基板に接触する面に開口部がないため
この面を滑らかにすることができ、通気孔が有ることに
よる基板表面への影響がない。
多層配線基板焼成時の基板及びセッタの縦断面図であ
る。基板１は、多孔質体板からなるセッタ４の上に置か
れている。セッタ４には、格子状の通気孔３が設けられ
ている。通気孔３はセッタが基板に接する表面上に開口
部を持たず、従って通気孔３の内部の雰囲気は直接基板
には接触しない。しかし、通気孔３があることによっ
て、多孔質体セッタ４内の水蒸気の拡散距離が短くな
り、セッタを通しての水蒸気供給が促進される。本実施
例では、セッタの基板に接触する面に開口部がないため
この面を滑らかにすることができ、通気孔が有ることに
よる基板表面への影響がない。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、セラミック多層配線基
板の焼成過程ににおける残留炭素除去過程において、基
板中への水蒸気の供給を促進し、残留炭素除去に要する
時間を短縮することができる。
板の焼成過程ににおける残留炭素除去過程において、基
板中への水蒸気の供給を促進し、残留炭素除去に要する
時間を短縮することができる。
【図１】本発明の第１実施例の基板及びセッタ配置の縦
断面図。
断面図。
【図２】本発明の第２実施例の基板及びセッタ配置の縦
断面図。
断面図。
【図３】本発明の第３実施例の基板及びセッタ配置の縦
断面図。
断面図。
１…セラミック多層配線基板、２…セッタ、３…通気
孔、４…多孔質体セッタ。
孔、４…多孔質体セッタ。
Claims (3)
- 【請求項１】セラミック多層配線基板の焼成過程におい
て、上記セラミック多層配線基板の焼成雰囲気に接する
表面積を大きくすることを特徴とするセラミック多層配
線基板焼成方法。 - 【請求項２】セラミック多層配線基板の焼成過程におい
て、通気孔を有するセッタを用いることを特徴とするセ
ラミック多層配線基板焼成方法。 - 【請求項３】セラミック多層配線基板の焼成過程におい
て、通気孔を有する多孔質セッタを用いることを特徴と
するセラミック多層配線基板焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319756A JPH08181444A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | セラミック多層配線基板の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6319756A JPH08181444A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | セラミック多層配線基板の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181444A true JPH08181444A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18113830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6319756A Pending JPH08181444A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | セラミック多層配線基板の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181444A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321161A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 焼成用窯道具 |
| US7008220B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic setter plate and manufacturing method thereof |
| JP2010116291A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Tdk Corp | セラミック基板および電子部品の製造方法 |
| JP2010202472A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セラミックス焼成体及びその製造方法 |
| CN114790115A (zh) * | 2021-01-25 | 2022-07-26 | 南京以太通信技术有限公司 | 陶瓷块的烧结方法 |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP6319756A patent/JPH08181444A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7008220B2 (en) | 2001-09-20 | 2006-03-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic setter plate and manufacturing method thereof |
| CN100404467C (zh) * | 2001-09-20 | 2008-07-23 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷垫板及其制造方法 |
| JP2005321161A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 焼成用窯道具 |
| JP2010116291A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-05-27 | Tdk Corp | セラミック基板および電子部品の製造方法 |
| JP2010202472A (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | セラミックス焼成体及びその製造方法 |
| CN114790115A (zh) * | 2021-01-25 | 2022-07-26 | 南京以太通信技术有限公司 | 陶瓷块的烧结方法 |
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