JP3623369B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置、具体的には、リソグラフィー工程における熱処理装置の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩデバイスのパターンサイズは０．３μｍ〜０．２５μｍと微細化が進んでいる。また、生産性の向上からＬＳＩデバイス基板であるＳｉウェハーサイズも８インチから１２インチと移行している。
【０００３】
上記Ｓｉウェハーに微細パターンを形成する手段として、ＬＳＩデバイス製造工程におけるリソグラフィー工程にて微細パターンが形成される。
【０００４】
従来技術におけるリソグラフィー工程は、液状のレジストをウェハー上に滴下した後、ウェハーを高速に回転させて均一なレジスト膜を形成する。以下、この工程をレジスト塗布工程と称し説明を継続する。ウェハー上にレジスト塗布工程により形成されたレジスト膜は、露光工程、現像工程を経て微細なレジストパターンが形成される。これらリソグラフィー工程には、上述したレジスト塗布工程、露光、現像工程の他、レジスト塗布工程後に行うレジストを溶媒している有機溶剤の除去や露光、現像工程間にレジスト膜中の光分解した感光剤を拡散させ、その濃度分布を均一する役目（以下、ＰＥＢ工程と称する）として熱処理が行われる。この熱処理が行われる熱処理ユニットは、温度コントロール機能を持ったプレート状の熱板にウェハーを接触または非接触により処理を行い、外部環境との遮断のため密閉型の構造が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の密閉型の熱処理ユニットは、レジスト塗布工程や上記ＰＥＢ工程、現像工程後のレジスト膜中から放出されるガス、水蒸気を外部へ放出する排気ユニットが取り付けられているが、ウェハーサイズが８インチから１２インチと増し、熱処理ユニットの大きさもこのウェハーサイズに比例して大きくなり、排気量も増大してきた。排気量の増加や熱処理ユニットの拡大から従来の熱処理ユニットでは、ウェハー面上にて不均一な排気がなされ、この不均一な排気が熱処理ユニット内の温度分布及びレジスト溶媒の有機溶剤の揮発量、放出ガス量のウェハー面内での不均一を生じ、レジスト膜厚のバラツキが発生する。
【０００６】
特に、ＰＥＢ工程では、光分解した感光剤を拡散させた濃度分布に不均一が生じ、結果的にリソグラフィー工程により形成されたレジストパターン寸法のバラツキが生じてデバイスの不良を発生させていた。この問題は半導体ウェハーが８インチ、１２インチと径が大きくなるにつれ顕著になる。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、熱処理ユニット内のウェハー上に排気を制御する整流板を取り付けることによって半導体ウェハー面上の不均一な排気状態を防ぎ、このことにより、熱処理ユニット内の温度分布、及びレジスト溶媒の有機溶剤の揮発量、放出ガス量、ＰＥＢ工程においては光分解した感光剤を拡散させた濃度分布を均一に制御でき、Ｓｉウェハー上のレジスト膜厚のバラツキ改善、ＰＥＢ工程における寸法精度の向上、半導体デバイスの歩留まりの向上をはかった半導体製造装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体製造装置は、プレート状の熱板に半導体ウェハーを接触または非接触により載置し、外部環境との遮断のため密閉構造を採る熱処理ユニット内の上記半導体ウェハー上に、排気を制御する整流板を所定の間隙を持って配置し、上記整流板は、上記半導体ウェハーの径、上記熱処理ユニットの排気量、排気ユニットの取り付け位置に応じた所定の径の穴を１以上形成した複数枚の整流板を重ねて構成され、上記半導体ウェハーとの間隙を制御する取り付け位置の可変機構を持つことを特徴とする。また、これら複数枚の整流板は、スライド可能で、ロックする機構を備えたものである。
【０００９】
このことにより、熱処理ユニット内の温度分布、及びレジスト溶媒の有機溶剤の揮発量、放出ガス量、ＰＥＢ工程においては光分解した感光剤を拡散させた濃度分布を均一に制御でき、Ｓｉウェハー上のレジスト膜厚のバラツキ改善、ＰＥＢ工程における寸法精度の向上、半導体デバイスの歩留まりの向上がはかれる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施形態を示す図である。参考のため、図２に従来例を示す。
【００１１】
両図において、１は密閉カバー、２は熱板３の上に所定の間隔を持って載置される半導体ウェハーである。４は排気口である。５は排気を制御する整流板であり、本発明により付加される。整流板５は、ウェハー２上の不均一な排気状態を防ぎ、熱処理ユニット内の温度分布、及びレジスト溶媒の有機溶剤の揮発量、放出ガス量、ＰＥＢ工程では、光分解した感光剤を拡散させた濃度分布を均一に制御する。
【００１２】
整流板５は、熱板３もしくは半導体ウェハー２上に取り付け、このときの半導体ウェハー２との隙間は少なくとも１ｍｍ以上必要とする。また、整流板５は、取り付け位置に関して可変機構を有し、半導体ウェハーとの隙間を調節している。取り付け位置の可変機構としては、カメラの三脚のように両端にネジを切った柱によって支え、これをステップモータで制御する構造が考えられる。
【００１３】
また整流板５は、１以上の穴を持ち、その穴の径は、半導体ウェハー２の径、熱処理ユニットの排気量、排気ユニットの取り付け位置により可変とする。この可変機構としては、例えば、穴付きの整流板５を複数枚重ね、マニュアルでスライドさせ、適当なところでロックする機構が考えられる。
【００１４】
以上説明のように本発明は、熱処理ユニット内に載置された半導体ウェハー２上に、排気を制御する整流板５を所定の間隙を持って配置し、上記整流板５は、半導体ウェハー２の径によって決まる少なくとも１以上の穴と、上記半導体ウェハー２との間隙を制御する取り付け位置の可変機構を持つことを特徴とするものである。このとき、整流板５に設けられる１以上の穴の径は、上記半導体ウェハー２の径の他、熱処理ユニットの排気量、排気ユニットの取り付け位置の組み合わせにより決まる。
【００１５】
【発明の効果】
以上説明のように本発明によれば、整流板を用いたことにより、Ｓｉウェハー上のレジスト膜厚バラツキの改善はもとより、ＰＥＢ工程では光分解した感光剤を拡散させた濃度分布が均一となり、寸法精度が向上する。このことにより半導体デバイスの歩留まりも改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示す図、
【図２】従来の熱処理ユニットの内部構造を示す図、
【符号の説明】
１…密閉カバー、２…半導体ウェハー、３…熱板、４…排気穴、５…整流板、
Claims (2)
- プレート状の熱板に半導体ウェハーを接触または非接触により載置し、外部環境との遮断のため密閉構造を採る熱処理ユニット内の上記半導体ウェハー上に、排気を制御する整流板を所定の間隙を持って配置し、上記整流板は、上記半導体ウェハーの径、上記熱処理ユニットの排気量、排気ユニットの取り付け位置に応じた所定の径の穴を１以上形成した複数枚の整流板を重ねて構成され、上記半導体ウェハーとの間隙を制御する取り付け位置の可変機構を持つことを特徴とする半導体製造装置。
- 上記複数枚の整流板は、スライド可能で、ロックする機構を備えたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21695298A JP3623369B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21695298A JP3623369B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000049084A JP2000049084A (ja) | 2000-02-18 |
| JP3623369B2 true JP3623369B2 (ja) | 2005-02-23 |
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ID=16696501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21695298A Expired - Fee Related JP3623369B2 (ja) | 1998-07-31 | 1998-07-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3623369B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008103384A (ja) | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Elpida Memory Inc | レジストパターンの形成方法およびレジスト塗布現像装置 |
-
1998
- 1998-07-31 JP JP21695298A patent/JP3623369B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000049084A (ja) | 2000-02-18 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040802 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040817 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041014 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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