JPH08178549A - 電子材料焼成用ジルコニア質セッター - Google Patents
電子材料焼成用ジルコニア質セッターInfo
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- JPH08178549A JPH08178549A JP6325652A JP32565294A JPH08178549A JP H08178549 A JPH08178549 A JP H08178549A JP 6325652 A JP6325652 A JP 6325652A JP 32565294 A JP32565294 A JP 32565294A JP H08178549 A JPH08178549 A JP H08178549A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ば
れた一種以上の安定化剤によって安定化された、前記安
定化剤とジルコニア以外の不純物の含有量が１．０重量
％以下である安定化ジルコニア原料に対し、ＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の成分を
０．１〜２．０重量％添加して得られた粉体を成形し、
これを焼成してなる電子材料焼成用ジルコニア質セッタ
ー。 【効果】 本発明のジルコニア質セッターは、被焼成体
の特性に悪影響を及ぼすような不純物の量を極力抑えな
がら、セッターとして求められる強度を満たし、かつ被
焼成体からの成分の浸透に対する耐反応性が改善された
ものである。したがって、焼成中における被焼成体との
反応が少なく、強度、耐久性にも優れたセッターとし
て、電子材料の焼成に好適に使用できる。
れた一種以上の安定化剤によって安定化された、前記安
定化剤とジルコニア以外の不純物の含有量が１．０重量
％以下である安定化ジルコニア原料に対し、ＣａＯ、Ｍ
ｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の成分を
０．１〜２．０重量％添加して得られた粉体を成形し、
これを焼成してなる電子材料焼成用ジルコニア質セッタ
ー。 【効果】 本発明のジルコニア質セッターは、被焼成体
の特性に悪影響を及ぼすような不純物の量を極力抑えな
がら、セッターとして求められる強度を満たし、かつ被
焼成体からの成分の浸透に対する耐反応性が改善された
ものである。したがって、焼成中における被焼成体との
反応が少なく、強度、耐久性にも優れたセッターとし
て、電子材料の焼成に好適に使用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フェライト、セラミッ
クコンデンサー、バリスタ等の電子材料を焼成する際に
使用するジルコニア質セッターに関する。
クコンデンサー、バリスタ等の電子材料を焼成する際に
使用するジルコニア質セッターに関する。
【０００２】
【従来の技術】フェライト、セラミックコンデンサー、
バリスタ等の電子材料の焼成は、これら被焼成体をジル
コニア質のセッター上に載置した状態で行われるのが一
般的である。この焼成の際に使用されるジルコニア質セ
ッターは、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3等によって安定化さ
れたジルコニア原料を用いて作製される。そして、より
高特性な電子材料を得るため、焼成時に電子材料（被焼
成体）と反応してその特性を害するような不純物の量を
極力低下させた原料が使用されるようになってきてい
る。
バリスタ等の電子材料の焼成は、これら被焼成体をジル
コニア質のセッター上に載置した状態で行われるのが一
般的である。この焼成の際に使用されるジルコニア質セ
ッターは、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3等によって安定化さ
れたジルコニア原料を用いて作製される。そして、より
高特性な電子材料を得るため、焼成時に電子材料（被焼
成体）と反応してその特性を害するような不純物の量を
極力低下させた原料が使用されるようになってきてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに原料中の不純物量を低下させるにつれて、一部焼結
助剤的な役割を果たしていた成分まで減少し、従来得る
ことのできたセッターとして必要な強度が得にくくなっ
てきた。また、繰り返し使用での被焼成体からの成分の
浸透によってセッターに反りや膨張が生じやすく、耐久
性に乏しいという問題があった。
うに原料中の不純物量を低下させるにつれて、一部焼結
助剤的な役割を果たしていた成分まで減少し、従来得る
ことのできたセッターとして必要な強度が得にくくなっ
てきた。また、繰り返し使用での被焼成体からの成分の
浸透によってセッターに反りや膨張が生じやすく、耐久
性に乏しいという問題があった。
【０００４】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされてたものであり、その目的とするところ
は、被焼成体の特性に悪影響を及ぼすような不純物の量
を極力抑えながら、セッターとして求められる強度を満
たし、かつ被焼成体からの成分の浸透に対する耐反応性
が改善された電子材料焼成用ジルコニア質セッターを提
供することにある。
鑑みてなされてたものであり、その目的とするところ
は、被焼成体の特性に悪影響を及ぼすような不純物の量
を極力抑えながら、セッターとして求められる強度を満
たし、かつ被焼成体からの成分の浸透に対する耐反応性
が改善された電子材料焼成用ジルコニア質セッターを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の
安定化剤によって安定化された、前記安定化剤とジルコ
ニア以外の不純物の含有量が１．０重量％以下である安
定化ジルコニア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、
ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の成分を０．１〜２．０
重量％添加して得られた粉体を成形し、これを焼成して
なることを特徴とする電子材料焼成用ジルコニア質セッ
ター、が提供される。
Ｏ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の
安定化剤によって安定化された、前記安定化剤とジルコ
ニア以外の不純物の含有量が１．０重量％以下である安
定化ジルコニア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、
ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の成分を０．１〜２．０
重量％添加して得られた粉体を成形し、これを焼成して
なることを特徴とする電子材料焼成用ジルコニア質セッ
ター、が提供される。
【０００６】また、本発明によれば、ＣａＯ、ＭｇＯ、
Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の安定化剤によ
って安定化された、前記安定化剤とジルコニア以外の不
純物の含有量が１．０重量％以下である安定化ジルコニ
ア原料に対し、ＳｉＯ2を０．１〜０．８重量％添加し
て得られた粉体を成形し、これを焼成してなることを特
徴とする電子材料焼成用ジルコニア質セッター、が提供
される。
Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の安定化剤によ
って安定化された、前記安定化剤とジルコニア以外の不
純物の含有量が１．０重量％以下である安定化ジルコニ
ア原料に対し、ＳｉＯ2を０．１〜０．８重量％添加し
て得られた粉体を成形し、これを焼成してなることを特
徴とする電子材料焼成用ジルコニア質セッター、が提供
される。
【０００７】更に、本発明によれば、ＣａＯ、ＭｇＯ、
Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の安定化剤によ
って安定化された、前記安定化剤とジルコニア以外の不
純物の含有量が１．０重量％以下である安定化ジルコニ
ア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の成分とＳｉＯ2とを両者のモル比
（ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種
以上の成分：ＳｉＯ2）が１０：０〜４：６になるよう
にして合計０．１〜２．０重量％添加して得られた粉体
を成形し、これを焼成してなることを特徴とする電子材
料焼成用ジルコニア質セッター、が提供される。
Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の安定化剤によ
って安定化された、前記安定化剤とジルコニア以外の不
純物の含有量が１．０重量％以下である安定化ジルコニ
ア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の成分とＳｉＯ2とを両者のモル比
（ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種
以上の成分：ＳｉＯ2）が１０：０〜４：６になるよう
にして合計０．１〜２．０重量％添加して得られた粉体
を成形し、これを焼成してなることを特徴とする電子材
料焼成用ジルコニア質セッター、が提供される。
【０００８】
【作用】上記のように所定の安定化剤で安定化され、そ
の不純物（安定化剤とジルコニア以外の成分）の含有量
が１．０重量％以下にまで高純度化された安定化ジルコ
ニア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2か
ら選ばれた一種以上の成分及び／又はＳｉＯ2を所定量
添加することにより、焼結性及び被焼成体からの成分の
浸透に対する耐反応性が改善され、高強度で反りなどの
生じにくい耐久性に優れたジルコニア質セッターが得ら
れる。
の不純物（安定化剤とジルコニア以外の成分）の含有量
が１．０重量％以下にまで高純度化された安定化ジルコ
ニア原料に対し、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2か
ら選ばれた一種以上の成分及び／又はＳｉＯ2を所定量
添加することにより、焼結性及び被焼成体からの成分の
浸透に対する耐反応性が改善され、高強度で反りなどの
生じにくい耐久性に優れたジルコニア質セッターが得ら
れる。
【０００９】添加される成分のうち、ＳｉＯ2は、原料
の高純度化に伴って失われた種々の不純物成分の中か
ら、特に焼結助剤としての役割を果たす成分として見出
され、原料の高純度化後に改めて所定量添加されること
が、強度、耐反応性等の特性向上に有望と認められたも
のである。
の高純度化に伴って失われた種々の不純物成分の中か
ら、特に焼結助剤としての役割を果たす成分として見出
され、原料の高純度化後に改めて所定量添加されること
が、強度、耐反応性等の特性向上に有望と認められたも
のである。
【００１０】また、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2
は、安定化剤として元来安定化ジルコニア原料にも含ま
れているものであるが、ジルコニアを安定化処理し、高
純度化した後、改めて所定量添加することにより、Ｓｉ
Ｏ2と同様に焼結助剤として作用し、強度や耐反応性を
向上させることが認められた。なお、安定化ジルコニア
原料に安定化剤として元来含まれているＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2成分は、ジルコニアの安定化にの
み作用しており、焼成過程における焼結助剤としての役
割は果たさないので、焼結助剤としての作用を目的とす
るＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2は、ジルコニアを
安定化処理し、それを高純度化した後に、別途添加する
必要がある。
は、安定化剤として元来安定化ジルコニア原料にも含ま
れているものであるが、ジルコニアを安定化処理し、高
純度化した後、改めて所定量添加することにより、Ｓｉ
Ｏ2と同様に焼結助剤として作用し、強度や耐反応性を
向上させることが認められた。なお、安定化ジルコニア
原料に安定化剤として元来含まれているＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2成分は、ジルコニアの安定化にの
み作用しており、焼成過程における焼結助剤としての役
割は果たさないので、焼結助剤としての作用を目的とす
るＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2は、ジルコニアを
安定化処理し、それを高純度化した後に、別途添加する
必要がある。
【００１１】原料の高純度化によって失われた不純物成
分には、ＳｉＯ2の他、代表的なものとしてＦｅ2Ｏ3、
Ａｌ2Ｏ3があるが、Ｆｅ2Ｏ3は被焼成体からの成分浸透
に対する耐反応性の改善にはほとんど寄与せず、更にＡ
ｌ2Ｏ3に関しては添加することにより強度が低下する傾
向にある。
分には、ＳｉＯ2の他、代表的なものとしてＦｅ2Ｏ3、
Ａｌ2Ｏ3があるが、Ｆｅ2Ｏ3は被焼成体からの成分浸透
に対する耐反応性の改善にはほとんど寄与せず、更にＡ
ｌ2Ｏ3に関しては添加することにより強度が低下する傾
向にある。
【００１２】本発明において、ＳｉＯ2を単独で添加す
る場合は、安定化ジルコニア原料に対し０．１〜０．８
重量％、好ましくは０．３〜０．５重量％の添加量とす
る。ＳｉＯ2を添加せず、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｃ
ｅＯ2から選ばれた一種以上の成分のみを添加する場合
には、安定化ジルコニア原料に対し０．１〜２．０重量
％、好ましくは０．５〜１．０重量％の添加量とする。
また、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた
一種以上の成分とＳｉＯ2とを両方添加する場合には、
両者のモル比（ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の成分：ＳｉＯ2）が１０：０〜４：
６になるようにして、その合計の添加量が安定化ジルコ
ニア原料に対し０．１〜２．０重量％、好ましくは０．
５〜１．０重量％となるようにする。ここで、両者のモ
ル比を１０：０〜４：６とするのは、添加成分中のＳｉ
Ｏ2の割合がモル比で６割を超えると、耐反応性が悪く
なるとともに、被焼成体の特性に影響を及ぼすようにな
るからである。
る場合は、安定化ジルコニア原料に対し０．１〜０．８
重量％、好ましくは０．３〜０．５重量％の添加量とす
る。ＳｉＯ2を添加せず、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｃ
ｅＯ2から選ばれた一種以上の成分のみを添加する場合
には、安定化ジルコニア原料に対し０．１〜２．０重量
％、好ましくは０．５〜１．０重量％の添加量とする。
また、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた
一種以上の成分とＳｉＯ2とを両方添加する場合には、
両者のモル比（ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の成分：ＳｉＯ2）が１０：０〜４：
６になるようにして、その合計の添加量が安定化ジルコ
ニア原料に対し０．１〜２．０重量％、好ましくは０．
５〜１．０重量％となるようにする。ここで、両者のモ
ル比を１０：０〜４：６とするのは、添加成分中のＳｉ
Ｏ2の割合がモル比で６割を超えると、耐反応性が悪く
なるとともに、被焼成体の特性に影響を及ぼすようにな
るからである。
【００１３】また、それぞれ添加量が上記範囲より少な
いと、十分な焼結力が得られず、耐反応性においても十
分な効果が得られない。一方、上記範囲を超えると、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上
の成分が添加されたものにおいては被焼成体の特性に影
響を及ぼすとともに耐スポール性が悪くなり、また、前
記成分とともにあるいは単独でＳｉＯ2が添加されたも
のにおいては被焼成体の特性に影響を及ぼすとともに、
残存膨張率が大きくなってセッターの寿命が短くなる。
なお、焼結性、残存膨張を考慮すると、ＣａＯを単独添
加するのが最も効果が高く好ましい。また、被焼成体か
らの成分の浸透に対する耐反応性は、結晶粒径、焼成温
度により変動するため、上記範囲内で添加量を微調整す
ることにより対応することが望ましい。
いと、十分な焼結力が得られず、耐反応性においても十
分な効果が得られない。一方、上記範囲を超えると、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上
の成分が添加されたものにおいては被焼成体の特性に影
響を及ぼすとともに耐スポール性が悪くなり、また、前
記成分とともにあるいは単独でＳｉＯ2が添加されたも
のにおいては被焼成体の特性に影響を及ぼすとともに、
残存膨張率が大きくなってセッターの寿命が短くなる。
なお、焼結性、残存膨張を考慮すると、ＣａＯを単独添
加するのが最も効果が高く好ましい。また、被焼成体か
らの成分の浸透に対する耐反応性は、結晶粒径、焼成温
度により変動するため、上記範囲内で添加量を微調整す
ることにより対応することが望ましい。
【００１４】上記添加成分を添加する安定化ジルコニア
原料としては、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の安定化剤によって安定化された安定
化ジルコニア原料であって、その不純物（安定化剤とジ
ルコニア以外の成分）の含有量が１．０重量％以下にま
で高純度化されたものとする。不純物含有量が１．０重
量％を超えると、被焼成体である電子材料の特性に及ぼ
す悪影響が大きくなって、高特性の製品が得られなくな
る。なお、経済性の観点からは、ＣａＯによって安定化
されたＣａＯ安定化ジルコニア原料を用いるのが好まし
い。
原料としては、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の安定化剤によって安定化された安定
化ジルコニア原料であって、その不純物（安定化剤とジ
ルコニア以外の成分）の含有量が１．０重量％以下にま
で高純度化されたものとする。不純物含有量が１．０重
量％を超えると、被焼成体である電子材料の特性に及ぼ
す悪影響が大きくなって、高特性の製品が得られなくな
る。なお、経済性の観点からは、ＣａＯによって安定化
されたＣａＯ安定化ジルコニア原料を用いるのが好まし
い。
【００１５】このような安定化ジルコニア原料に、上記
添加成分を添加して得た粉体は、油圧プレス等により所
望のセッター形状に成形され、これを乾燥後、例えば大
気中１３５０〜１６００℃程度の温度で約１〜５時間焼
成することにより、本発明のセッターが得られる。
添加成分を添加して得た粉体は、油圧プレス等により所
望のセッター形状に成形され、これを乾燥後、例えば大
気中１３５０〜１６００℃程度の温度で約１〜５時間焼
成することにより、本発明のセッターが得られる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。
【００１７】（試験Ｎｏ．１〜２３）：不純物の含有量
が０．３９重量％であるＣａＯ安定化ジルコニア原料を
＃１００Ｆ粉末が４０重量％、＃３２５Ｆ粉末が６０重
量％の配合比となるように秤量し、これに表１〜表３に
示す種々の添加成分を所定量加えて乾式で混合した（た
だし、試験Ｎｏ．１は添加成分無し）。次いで、バイン
ダー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで
混練して坏土を得た。得られた坏土を油圧プレスにより
１０００kg/cm2の圧力で成形し、８８mm×８８mm×３mm
の寸法の成形体を得た。これを電気炉にて１６００℃で
３時間焼成し、Ｎｏ．１〜２３の試験体を得た。このよ
うにして作製されたＮｏ．１〜２３の各試験体につい
て、その諸特性を測定・評価し、結果を表１〜表３に示
した。
が０．３９重量％であるＣａＯ安定化ジルコニア原料を
＃１００Ｆ粉末が４０重量％、＃３２５Ｆ粉末が６０重
量％の配合比となるように秤量し、これに表１〜表３に
示す種々の添加成分を所定量加えて乾式で混合した（た
だし、試験Ｎｏ．１は添加成分無し）。次いで、バイン
ダー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで
混練して坏土を得た。得られた坏土を油圧プレスにより
１０００kg/cm2の圧力で成形し、８８mm×８８mm×３mm
の寸法の成形体を得た。これを電気炉にて１６００℃で
３時間焼成し、Ｎｏ．１〜２３の試験体を得た。このよ
うにして作製されたＮｏ．１〜２３の各試験体につい
て、その諸特性を測定・評価し、結果を表１〜表３に示
した。
【００１８】なお、表に示す測定・評価項目のうち、見
掛気孔率、見掛比重及びカサ比重については、ＪＩＳ
Ｒ ２２０５−７４に準拠して測定した。また、常温曲
げ強度は、ＪＩＳ Ｒ ２２１３−７８に準拠し、常温に
て３点曲げ法で測定した。安定化率は、ＣｕＫα線を用
いて測定したＸ線回折の２θ＝３０．６゜での安定化ジ
ルコニアの最強ピーク高さＱ1と、同じく２θ＝２８．
２゜での未安定化ジルコニアの最強ピーク高さＭ1か
ら、｛Ｑ1／（Ｍ1＋Ｑ1）｝×１００（％）によって算
出した。
掛気孔率、見掛比重及びカサ比重については、ＪＩＳ
Ｒ ２２０５−７４に準拠して測定した。また、常温曲
げ強度は、ＪＩＳ Ｒ ２２１３−７８に準拠し、常温に
て３点曲げ法で測定した。安定化率は、ＣｕＫα線を用
いて測定したＸ線回折の２θ＝３０．６゜での安定化ジ
ルコニアの最強ピーク高さＱ1と、同じく２θ＝２８．
２゜での未安定化ジルコニアの最強ピーク高さＭ1か
ら、｛Ｑ1／（Ｍ1＋Ｑ1）｝×１００（％）によって算
出した。
【００１９】耐反応性については、各試験体より切り出
した８８mm×３０mm×３mmのサンプルの片側表面に、被
焼成体としてチタン酸バリウムとＢｉ2Ｏ3とを重量比
１：１で混合しスラリー化したＢｉ2Ｏ3含有チタン酸バ
リウムを約１〜２μの厚さに塗布し、これを塗布面が上
になるようにしてアルミナ質耐火物板の上に載せ、この
状態で電気炉にて１２００℃で２時間加熱し室温で自然
冷却した後、反り量と残存膨張率の測定を行った。
した８８mm×３０mm×３mmのサンプルの片側表面に、被
焼成体としてチタン酸バリウムとＢｉ2Ｏ3とを重量比
１：１で混合しスラリー化したＢｉ2Ｏ3含有チタン酸バ
リウムを約１〜２μの厚さに塗布し、これを塗布面が上
になるようにしてアルミナ質耐火物板の上に載せ、この
状態で電気炉にて１２００℃で２時間加熱し室温で自然
冷却した後、反り量と残存膨張率の測定を行った。
【００２０】反り量は、図１(Ａ)、(Ｂ)に示すように、
定板２上にサンプル１をおいて、サンプルの厚みａと、
反り量とサンプル厚みの合計ｂとを１/１００mmまで測
定可能なダイヤルゲージを用いて測定し、ｂの値からａ
の値を差し引いて求めた。この結果より、反り量が０．
２mm未満のものを「○」、０．２〜０．５mmのものを
「△」、０．５mmを超えるものを「×」とした。残存膨
張率は、加熱前のサンプルの長さＣ0と、加熱後のサン
プルの長さＣTから、（ＣT／Ｃ0−１）×１００（％）
によって算出し、残存膨張率が０．２％未満のものを
「○」、０．２〜０．４％のものを「△」、０．４％を
超えるものを「×」とした。ワーク反応は、所定の電子
材料を各試験体上に載せて焼成し、焼成後の電子材料の
誘電率を測定して、良好なものを「○」、合格レベル
（使用上問題なし）のものを「△」、不良レベル（使用
不可）のものを「×」とした。
定板２上にサンプル１をおいて、サンプルの厚みａと、
反り量とサンプル厚みの合計ｂとを１/１００mmまで測
定可能なダイヤルゲージを用いて測定し、ｂの値からａ
の値を差し引いて求めた。この結果より、反り量が０．
２mm未満のものを「○」、０．２〜０．５mmのものを
「△」、０．５mmを超えるものを「×」とした。残存膨
張率は、加熱前のサンプルの長さＣ0と、加熱後のサン
プルの長さＣTから、（ＣT／Ｃ0−１）×１００（％）
によって算出し、残存膨張率が０．２％未満のものを
「○」、０．２〜０．４％のものを「△」、０．４％を
超えるものを「×」とした。ワーク反応は、所定の電子
材料を各試験体上に載せて焼成し、焼成後の電子材料の
誘電率を測定して、良好なものを「○」、合格レベル
（使用上問題なし）のものを「△」、不良レベル（使用
不可）のものを「×」とした。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】（試験Ｎｏ．２４〜２７）：不純物の含有
量が０．３９重量％であるＣａＯ安定化ジルコニア原料
を＃１００Ｆ粉末が４０重量％、＃３２５Ｆ粉末が６０
重量％の配合比となるように秤量し、これに添加成分と
してＣａＯ及びＳｉＯ2を表４に示す添加量及びモル比
となるように加えて乾式で混合した。次いで、バインダ
ー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで混
練して坏土を得た。得られた坏土を上記試験Ｎｏ．１〜
２３の場合と同様にして成形及び焼成し、Ｎｏ．２４〜
２７の試験体を得た。このようにして作製されたＮｏ．
２４〜２７の各試験体について、上記試験Ｎｏ．１〜２
３の場合と同様にしてその諸特性を測定・評価し、結果
を表４に示した。
量が０．３９重量％であるＣａＯ安定化ジルコニア原料
を＃１００Ｆ粉末が４０重量％、＃３２５Ｆ粉末が６０
重量％の配合比となるように秤量し、これに添加成分と
してＣａＯ及びＳｉＯ2を表４に示す添加量及びモル比
となるように加えて乾式で混合した。次いで、バインダ
ー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで混
練して坏土を得た。得られた坏土を上記試験Ｎｏ．１〜
２３の場合と同様にして成形及び焼成し、Ｎｏ．２４〜
２７の試験体を得た。このようにして作製されたＮｏ．
２４〜２７の各試験体について、上記試験Ｎｏ．１〜２
３の場合と同様にしてその諸特性を測定・評価し、結果
を表４に示した。
【００２５】
【表４】
【００２６】（試験Ｎｏ．２８〜３２）：不純物の含有
量が０．６７重量％であるＹ2Ｏ3安定化ジルコニア原料
を＃１００Ｆ粉末が２０重量％、＃３２５Ｆ粉末が８０
重量％の配合比となるように秤量し、これに表５に示す
種々の添加成分を所定量加えて乾式で混合した（ただ
し、試験Ｎｏ．２８は添加成分無し）。次いで、バイン
ダー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで
混練して坏土を得た。得られた坏土を上記試験Ｎｏ．１
〜２３の場合と同様にして成形及び焼成し、Ｎｏ．２８
〜３２の試験体を得た。このようにして作製されたＮ
ｏ．２８〜３２の各試験体について、上記試験Ｎｏ．１
〜２３の場合と同様にしてその諸特性を測定・評価し、
結果を表５に示した。
量が０．６７重量％であるＹ2Ｏ3安定化ジルコニア原料
を＃１００Ｆ粉末が２０重量％、＃３２５Ｆ粉末が８０
重量％の配合比となるように秤量し、これに表５に示す
種々の添加成分を所定量加えて乾式で混合した（ただ
し、試験Ｎｏ．２８は添加成分無し）。次いで、バイン
ダー（ポリビニルアルコール）と水を加え、フレットで
混練して坏土を得た。得られた坏土を上記試験Ｎｏ．１
〜２３の場合と同様にして成形及び焼成し、Ｎｏ．２８
〜３２の試験体を得た。このようにして作製されたＮ
ｏ．２８〜３２の各試験体について、上記試験Ｎｏ．１
〜２３の場合と同様にしてその諸特性を測定・評価し、
結果を表５に示した。
【００２７】
【表５】
【００２８】上記表１〜表５に示すとおり、本発明の実
施例に該当する試験体は、添加成分を含まないＮｏ．１
及び２８、添加成分の添加量が過剰なＮｏ．６、１６、
２０及び３１、モル比が不適切なＮｏ．２７の各試験体
に比べ、電子材料焼成用セッターとして好ましい特性を
有するものであった。
施例に該当する試験体は、添加成分を含まないＮｏ．１
及び２８、添加成分の添加量が過剰なＮｏ．６、１６、
２０及び３１、モル比が不適切なＮｏ．２７の各試験体
に比べ、電子材料焼成用セッターとして好ましい特性を
有するものであった。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のジルコニ
ア質セッターは、被焼成体の特性に悪影響を及ぼすよう
な不純物の量を極力抑えながら、セッターとして求めら
れる強度を満たし、かつ被焼成体からの成分の浸透に対
する耐反応性が改善されたものである。したがって、焼
成中における被焼成体との反応が少なく、強度、耐久性
にも優れたセッターとして、電子材料の焼成に好適に使
用できる。
ア質セッターは、被焼成体の特性に悪影響を及ぼすよう
な不純物の量を極力抑えながら、セッターとして求めら
れる強度を満たし、かつ被焼成体からの成分の浸透に対
する耐反応性が改善されたものである。したがって、焼
成中における被焼成体との反応が少なく、強度、耐久性
にも優れたセッターとして、電子材料の焼成に好適に使
用できる。
【図１】反り量の測定方法を示す説明図である。
１…サンプル、２…定板
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の安定化剤によって安定化された、前
記安定化剤とジルコニア以外の不純物の含有量が１．０
重量％以下である安定化ジルコニア原料に対し、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の
成分を０．１〜２．０重量％添加して得られた粉体を成
形し、これを焼成してなることを特徴とする電子材料焼
成用ジルコニア質セッター。 - 【請求項２】 ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の安定化剤によって安定化された、前
記安定化剤とジルコニア以外の不純物の含有量が１．０
重量％以下である安定化ジルコニア原料に対し、ＳｉＯ
2を０．１〜０．８重量％添加して得られた粉体を成形
し、これを焼成してなることを特徴とする電子材料焼成
用ジルコニア質セッター。 - 【請求項３】 ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から
選ばれた一種以上の安定化剤によって安定化された、前
記安定化剤とジルコニア以外の不純物の含有量が１．０
重量％以下である安定化ジルコニア原料に対し、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、ＣｅＯ2から選ばれた一種以上の
成分とＳｉＯ2とを両者のモル比が１０：０〜４：６に
なるようにして合計０．１〜２．０重量％添加して得ら
れた粉体を成形し、これを焼成してなることを特徴とす
る電子材料焼成用ジルコニア質セッター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325652A JPH08178549A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電子材料焼成用ジルコニア質セッター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6325652A JPH08178549A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電子材料焼成用ジルコニア質セッター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08178549A true JPH08178549A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18179217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6325652A Pending JPH08178549A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 電子材料焼成用ジルコニア質セッター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08178549A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169142A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | ジルコニア焼結体 |
| WO2012133529A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 日本碍子株式会社 | 圧電体基板の製造方法 |
| JP2014181136A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Nikkato:Kk | ジルコニア質焼結体からなる熱処理用部材 |
| EP2851639A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-03-25 | NGK Insulators, Ltd. | Setter for roller hearth kiln |
| WO2015087664A1 (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 多孔質セラミックスの製造方法、多孔質セラミックス、セッターおよび焼成治具 |
| JP2018030775A (ja) * | 2017-08-03 | 2018-03-01 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体、ジルコニア組成物及びジルコニア仮焼体、並びに歯科用補綴物 |
| WO2022202710A1 (ja) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびセラミック粉末 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP6325652A patent/JPH08178549A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007169142A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | ジルコニア焼結体 |
| WO2012133529A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 日本碍子株式会社 | 圧電体基板の製造方法 |
| US9219224B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-12-22 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing piezoelectric substrate |
| JP5847803B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-01-27 | 日本碍子株式会社 | 圧電体基板の製造方法 |
| JP2014181136A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Nikkato:Kk | ジルコニア質焼結体からなる熱処理用部材 |
| EP2851639A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-03-25 | NGK Insulators, Ltd. | Setter for roller hearth kiln |
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| JP2015113272A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 多孔質セラミックスの製造方法、多孔質セラミックス、セッターおよび焼成治具 |
| KR20160096613A (ko) * | 2013-12-13 | 2016-08-16 | 미쓰이금속광업주식회사 | 다공질 세라믹스의 제조 방법, 다공질 세라믹스, 세터 및 소성 지그 |
| JP2018030775A (ja) * | 2017-08-03 | 2018-03-01 | クラレノリタケデンタル株式会社 | ジルコニア焼結体、ジルコニア組成物及びジルコニア仮焼体、並びに歯科用補綴物 |
| WO2022202710A1 (ja) * | 2021-03-23 | 2022-09-29 | 京セラ株式会社 | セラミック焼結体およびセラミック粉末 |
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