JPH08169644A - ファインワイヤ供給用スプール - Google Patents

ファインワイヤ供給用スプール

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JPH08169644A JP33442894A JP33442894A JPH08169644A JP H08169644 A JPH08169644 A JP H08169644A JP 33442894 A JP33442894 A JP 33442894A JP 33442894 A JP33442894 A JP 33442894A JP H08169644 A JPH08169644 A JP H08169644A
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  • Storage Of Web-Like Or Filamentary Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 低廉な製造コストで必要個所を導電性にで
き、充分な腐食性をも有するファインワイヤ供給用スプ
ールを提供する。 【構成】 筒状に形成されたＡ１スプール本体の軸芯方
向の両端にフランジが形成され、ファインワイヤは、ス
プール本体の一端で、対接支持されて、スプール本体に
巻装され、他端側がスプール本体から巻き戻されて、半
導体素子のワイヤボンディングが行うワイヤボンダに供
給される。スプール本体のファインワイヤの対接支持部
分とファインワイヤのスプール保持具との接触部分で、
スプール本体の内外壁の陽極酸化処理の皮膜厚が、０．
０１μｍ〜０．５μｍに設定され、処理皮膜が導電性
で、ファインワイヤ、スプール本体の他端のスプール保
持具及びワイヤボンダの導通により、ファインワイヤの
断線を監視しながら、ファインワイヤの供給が可能で、
耐蝕性があり製造コスト上でも有利である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のワイヤボ
ンディングに使用されるファインワイヤ供給用スプール
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子上の電極とリード端子との結
線（以下ボンディングという）には、直径１０〜５０ミ
クロン、なかんずく２０〜３０ミクロンの金、アルミニ
ウム及び銅等の微細線（以下ファインワイヤという）が
用いられている。このようなファインワイヤは、通常胴
部の端部にフランジを有するスプールに巻装され、スプ
ールから巻き戻されてボンディングを行うワイヤボンダ
に供給される。
【０００３】このスプールは、通常アルミで形成され、
その表面には腐食防止のために、陽極酸化処理が施され
ている。
【０００４】このようなワイヤボンディングに使用され
るファインワイヤは、抗張力が小さく僅かの食い込みや
引っ掛かりがあると、比較的簡単に折れ曲がったり断線
したりする。このため、ボンディングの途中でファイン
ワイヤが断線した時、ワイヤボンダがそのまま作動し続
けると、ボンディング不良の半導体部品を生産すること
になるので、これを防止するために、ワイヤボンダとフ
ァインワイヤとの間での導通を検知しながらボンディン
グを行い、ファインワイヤの断線が検出されると、ボン
ディングを停止しオペレータに警報を発するようにして
いる。
【０００５】ところで、スプール本体は通常アルミで作
成され、その表面には腐食防止のために、陽極酸化処理
が施され、１５μｍ程度の厚みの陽極酸化皮膜が形成さ
れているので、ワイヤボンダとファインワイヤとの間で
の導通検知のために、必要な個所においてスプール本体
のアルミ地にニッケルやクロムのメッキを施したり、サ
ンドブラストや切削加工によって、アルミの露出部を形
成したりしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来のこの種の
スプールでは、導通検知個所にアルミ露出部を形成する
方法は、通常のアルミを使用すると製造コスト上では有
利であるが、露出部が腐食し易く寿命が短くなり、鉄等
の不純物の少ないアルミをして、寿命を延長しようとす
ると、製造コストが増大してしまう。また、導通検知個
所にニッケルやクロムのメッキを施す方法では、腐食抑
制上では問題はないが、製造コスト上で問題が生じる。
【０００７】本発明は、前述したようなこの種のスプー
ルの現状に鑑みてなされたものであり、その目的は、低
廉な製造コストで必要個所を導電性にすることができ、
充分な腐食性をも有するファインワイヤ供給用スプール
を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、導電材で筒状に形成されたスプール本体
の軸芯方向の端部にフランジが形成され、前記スプール
本体の内外壁面には、陽極酸化処理が施され、前記フラ
ンジ位置において一端が前記スプール本体に対接保持さ
れたファインワイヤが、前記スプール本体に巻装され、
ワイヤボンダに取り付けられた状態では、前記スプール
本体の他端を保持するスプール保持具、前記ワイヤボン
ダ、前記ファインワイヤ及び前記スプール本体を通じた
導通により、前記ファインワイヤの断線を監視しなが
ら、半導体素子に対するワイヤボンディングを行うワイ
ヤボンダに、前記スプール本体から巻き戻したファイン
ワイヤを供給するファインワイヤ供給用スプールであ
り、前記スプール本体の前記ファインワイヤの対接支持
部分及び前記ファインワイヤの前記スプール保持具との
接触部分において、前記陽極酸化処理の皮膜厚が、０．
０１μｍ〜０．５μｍに設定されていることを特徴とす
るものである。
【０００９】
【作用】本発明に係るファインワイヤ供給用スプール
は、導電材で筒状に形成され、軸芯方向の端部にフラン
ジが形成され、スプール本体の内外壁面には陽極酸化処
理が施されている。このファインワイヤ供給用スプール
のフランジ位置に、ファインワイヤの一端がスプールに
対接保持され、ファインワイヤが、スプール本体に巻装
されており、スプール本体の他端側は、スプール保持具
で保持され、ファインワイヤの他端側が、スプール本体
から巻き戻されてワイヤボンダに供給される。
【００１０】この場合、スプール本体のファインワイヤ
の対接支持部分及びファインワイヤのスプール保持具と
の接触部分において、陽極酸化処理の皮膜厚が、０．０
１μｍ〜０．５μｍに設定され、これらの部分では陽極
酸化処理の皮膜が導電性になっていて、ファインワイ
ヤ、スプール本体、スプール保持具及びワイヤボンダを
通じての導通に基づいて、ファインワイヤの断線を監視
しながら、ファインワイヤの他端が前記スプールから巻
き戻されて、半導体素子のワイヤボンディングを行うワ
イヤボンダに供給される。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の一実施例を、図１及び図２を
参照して説明する。
【００１２】図１は本実施例の構成を示す平面図、図２
は本実施例のワイヤボンダへの装着時の全体構成を示す
説明図である。
【００１３】本実施例では、図１に示すように、スプー
ル本体１は、ほぼ円筒状に形成され、その軸芯方向の両
端部には、スプール本体１の外周面に直角に突出したフ
ランジ１ａ、１ｂが一体に形成されている。このスプー
ル本体１の外周面の全面には、陽極酸化処理によりほぼ
厚み１０μｍの処理皮膜３が形成されており、スプール
本体１の内周面及び両端面の全面には、陽極酸化処理に
よりほぼ厚み０．１５μｍの処理皮膜２が形成されてい
る。
【００１４】本実施例に係るスプール本体１は、図２に
示すように、ワイヤボンダに装着されて使用されるが、
スプール本体１の一端側で、フランジ１ａにスプールキ
ャップ８が係止固定され、スプール本体１の他端には、
スプール保持具６が嵌合固定されている。また、ファイ
ンワイヤ４は、一端がスプールキャップ８側のフランジ
１ａに対接するように、テープ５によって保持され、こ
のファインワイヤ４は、スプール１の胴部１ｃに巻装さ
れ、その他端側は、スプールキャップ８の開口８ａ及び
スプール保持具６の開口６ａに挿通保持されているガラ
ス管７を挿通して導出され、その端部にはキャピラリー
１０が取り付けられ、このキャピラリー１０がアースさ
れた電気トーチ１１に対向配置されている。さらに、断
線検出器９の一方の端子が、信号線９ａによってスプー
ル保持具６の端部に接続され、断線検出器９の他方の端
子はアースされている。
【００１５】このような構成の本実施例の動作を説明す
る。
【００１６】スプール本体１の内周面及び両端面の全面
に、陽極酸化処理により形成されているほぼ厚み０．１
５μｍの処理皮膜２は、充分な耐蝕性を有しながら導電
性を保持しているので、図示せぬ半導体素子に対して、
ワイヤボンディングを行う場合、ファインワイヤ４に断
線がない状態では、キャピラリー１０、電気トーチ１
１、断線検出器９、スプール保持具６、処理皮膜２及び
ファインワイヤ４で閉回路が形成され、断線検出器９に
よって正常状態が確認される。従って、通常は断線検出
器９による正常状態の判定下で、キャピラリー１０と電
気トーチ１１によって、半導体素子に対してボンディン
グが行われる。
【００１７】このボンディングの過程において、ファイ
ンワイヤ４に断線が生じると、キャピラリー１０、電気
トーチ１１、断線検出器９、スプール保持具６、処理皮
膜３及びファインワイヤ４で閉回路が形成されなくな
り、この断線状態を断線検出器９が検知して、ボンディ
ングが停止されオペレータに警報が発せられる。
【００１８】また、本実施例の耐蝕性の試験を行うため
に、スプールに直径３０μｍの金線を３６回巻装したも
のを、３％の食塩溶液にスプールの中間位置まで浸した
状態で放置し、スプールの表面の変化状態を試験確認し
た結果を表１に示す。
【００１９】
【表１】 耐食性加速試験結果（目視観察） ─────────────────────────────────── 経過日数 本発明品Ａ 比較品Ｂ 比較品Ｃ 比較品Ｄ ─────────────────────────────────── 開始日 変化無し 変化無し 変化無し Ni面で発泡 １日目 変化無し 変化無し 変化無し Ni面で発泡 ２ 変化無し 変化無し 変化無し 白色懸濁物 ３ 変化無し 変化無し 全面薄灰色化 白色懸濁物 ４ 変化無し 変化無し 全面灰色化 Ni面にヒビ ５ 孔食６ケ所 変化無し 変わらず Ni面はがれ ６ 変わらず 変化無し 変わらず はがれ進行 ７ 孔食15ケ所 変化無し 液面部濃灰色 白濁ゲル化 ８ 孔食50ケ所 変化無し 変わらず 白濁固化 ９ 孔食白色化 変化無し 変わらず 変わらず 12 半面灰色化 変化無し 液面上部白色化 変わらず ─────────────────────────────────── 図３は耐蝕性の試験に使用した試験スプールの構成を示す説明図である。
【００２０】試験スプールとしては、本体１の外周面の
全面に、陽極酸化処理により厚み１０μｍの処理皮膜３
が形成され、スプール本体１の内周面及び両端面の全面
に、陽極酸化処理により厚み０．１５μｍの処理皮膜２
が形成された本実施例に係るスプール本体１をスプール
Ａとして取り上げて腐食性の試験を行った。この場合、
図３（ａ）に示すように、本実施例と同形のスプール本
体を用い、その全面に、陽極酸化処理により厚み１５μ
ｍの処理皮膜２０が形成されたスプールＢ、同図（ｂ）
に示すように、スプール本体の外周面のほぼ全面に、陽
極酸化処理により厚み１５μｍの処理皮膜２０が形成さ
れ、その他の表面ではアルミを露出させたスプールＣ、
同図（ｃ）に示すように、スプール本体の外周面のほぼ
全面に、陽極酸化処理により厚み１５μｍの処理皮膜２
０が形成され、その他の表面には厚み５μｍのニッケル
メッキ２１を施したスプールＤに対して、同一の耐蝕性
の試験を行い比較データを取った。なお、これらの試験
スプールに形成される陽極酸化処理による処理皮膜は、
緑色に着色している。
【００２１】表１から明らかなように、スプールＣで
は、試験開始３日目に溶液に浸されていたアルミニウム
面の全面に薄い灰色皮膜が形成され、スプールＤでは、
５日目に溶液に浸っていたニッケルメッキに剥がれが生
じた。
【００２２】これに対して、スプールＡでは、溶液に浸
されている胴部１ｃの内壁には、試験開始５日目に６個
所に灰色の直径０．５ｍｍ以下の孔食が発生したが、ア
ルミニウムの光沢は損なわれず、９日目にはその孔食は
白色に変化し、灰色面が観察されたのは、試験開始から
１２日目であった。
【００２３】また、金線の下の陽極酸化皮膜の着色が最
も脱色したのは、スプールＣであり、スプールＡ、スプ
ールＢ及びスプールＤがほぼ同程度に脱色した。
【００２４】このように、本実施例では、外周面の全面
に、陽極酸化処理により厚み１０μｍの処理皮膜９が形
成され、内周面及び両端面の全面に、陽極酸化処理によ
り厚み０．１５μｍの処理皮膜２が形成されたスプール
本体１にファインワイヤ４を巻装し、ファインワイヤ４
の一端を処理皮膜２に対接保持させて、このスプール本
体１をワイヤボンダに取り付けると、簡単にファインワ
イヤ４とワイヤボンダ間の導通が得られる。そして、ス
プール本体１は充分な耐蝕性を有し、ファインワイヤ４
とワイヤボンダ間の導通によって、断線検出器９でファ
インワイヤ４の断線を監視しながら、常に安定した状態
で半導体素子のボンディングを行うことが可能になる。
本実施例に係るスプール本体１は、メッキ工程や陽極酸
化処理後の金属面露出工程を行わずに、陽極酸化処理工
程のみで製造されるので、製造コストは全面陽極酸化処
理スプールと同程度に抑えることができる。
【００２５】なお、実施例では、スプール本体１の内周
面及び両端面の全面に、陽極酸化処理により厚み０．１
５μｍの処理皮膜２を形成する場合を説明したが、本発
明は実施例に限定されず、厚み０．１５μｍの処理皮膜
２は、スプール本体のファインワイヤの対接支持部分及
びファインワイヤのスプール保持具との接触部分に存在
すればよいので、その他の部分で処理皮膜を厚くして、
より耐蝕性を高めた構成とすることも可能である。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係るファインワイヤ供給用スプ
ールは、導電材で筒状に形成され、軸芯方向の端部にフ
ランジが形成され、スプール本体の内外壁面には陽極酸
化処理が施され、一端がフランジ位置でスプール本体に
対接支持されたファインワイヤが、スプール本体に巻装
され、その他端がスプール本体から巻き戻されて、半導
体素子のワイヤボンディングを行うワイヤボンダに供給
される。
【００２７】この場合、スプール本体のファインワイヤ
の対接支持部分及びファインワイヤのスプール保持具と
の接触部分において、陽極酸化処理の皮膜厚が、０．０
１μｍ〜０．５μｍに設定されているので、これらの部
分では陽極酸化処理の皮膜が導電性になっていて、ファ
インワイヤ、スプール本体、スプール保持具及びワイヤ
ボンダを通じての導通により、ファインワイヤの断線を
監視しながら、半導体素子のワイヤボンディングを行う
ワイヤボンダに、ファインワイヤの供給が可能で、耐蝕
性があり製造コスト上でも有利なファインワイヤ供給用
スプールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の構成を示す平面図である。
【図２】同実施例のワイヤボンダへの装着時の全体構成
を示す説明図である。
【図３】同実施例の耐蝕性試験に使用した試験スプール
を示す説明図で、（ａ）〜（ｃ) は各構成を有する試験
スプールの断面図である。
【符号の説明】
１ スプール本体 １ａ、１ｂ フランジ ２、３ 処理皮膜 ４ ファインワイヤ ６ スプール保持具 ８ スプールキャップ ９ 断線検出器 １０ キャピラリー １１ 電気トーチ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導電材で筒状に形成されたスプール本体
    の軸芯方向の端部にフランジが形成され、前記スプール
    本体の内外壁面には、陽極酸化処理が施され、前記フラ
    ンジ位置において一端が前記スプール本体に対接保持さ
    れたファインワイヤが、前記スプール本体に巻装され、 ワイヤボンダに取り付けられた状態では、前記スプール
    本体の他端を保持するスプール保持具、前記ワイヤボン
    ダ、前記ファインワイヤ及び前記スプール本体を通じた
    導通により、前記ファインワイヤの断線を監視しなが
    ら、半導体素子に対するワイヤボンディングを行うワイ
    ヤボンダに、前記スプール本体から巻き戻したファイン
    ワイヤを供給するファインワイヤ供給用スプールであ
    り、 前記スプール本体の前記ファインワイヤの対接支持部分
    及び前記ファインワイヤの前記スプール保持具との接触
    部分において、前記陽極酸化処理の皮膜厚が、０．０１
    μｍ〜０．５μｍに設定されていることを特徴とするフ
    ァインワイヤ供給用スプール。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015029558A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 日本合成化学工業株式会社 ポリビニルアルコール系フィルムロール及びそれを用いた偏光膜

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015029558A1 (ja) * 2013-08-28 2015-03-05 日本合成化学工業株式会社 ポリビニルアルコール系フィルムロール及びそれを用いた偏光膜
CN105283396A (zh) * 2013-08-28 2016-01-27 日本合成化学工业株式会社 聚乙烯醇系薄膜卷和使用其的偏光膜
TWI609911B (zh) * 2013-08-28 2018-01-01 Mitsubishi Chemical Corporation 聚乙烯醇系薄膜捲筒及利用此薄膜捲筒之偏光膜

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