SU363124A1 - ВСЕСОЮЗНАЯ ПАТЕНГйО-ГЕХййЧЕСаУ - Google Patents

Description

СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ МИКРОПРОВОДА В СТЕКЛЯННОЙ ИЗОЛЯЦИИ С ТОКОПОДВОДОМ

1

Известен сиособ электрического соединени  микропровода в стекл нной изол ции с токоподводом , используемый, например, при изготовлении резисторов, по которому микронровод в изол ции укладывают на токоподвод, нанос т на него электропровод щее покрытне и разрушают стекл нную изол цию.

Целью изобретени   вл етс  -повышение качества электрического соединени .

Дл  этого по предложенному способу микропровод укладывают в механически напр женном состо нии и покрытие нанос т гальваническим осаждением.

Дл  осуш,ествлени  предложеиного способа предварительно создают 1 икротреш,нны в изол ции , укладыва  микропровод на основание таким образом, чтобы на отдельных участках зоны контакта радиус изгиба микропровода был пор дка 50-100 раднусов микропровода.

К токоподводам присоедин ют микропровода диаметром 10-30 мк с жилой из меди и из различных сплавов сопротивлени . На электропровод щие участки основани , на которые намотан микропровод, гальванически осаждают медь. Осуществл ют это в растворе сернокислой меди (250 г/л) и серной кислоты (20 г/л) при плотности тока 4 а/дм в течение 10 мин при комнатной температуре. При наличии поверхностных микротрещин в стекл нной изол ции надежный электрический

контакт получают в процессе осаждени , поскольку изол ци  провода, лежащего на электропровод щем участке, разрушаетс  полностью . Дл  получени  микротрещин -в зоне контактного узла микропровод наматывают на основание достаточно малого диаметра. Например , при диаметре основани  в зоне контактного узла 1 мм надежный электрический контакт получают во всех случа х. Если этот

диаметр равеи 5 мм, то контакт получают примерно в 20% образцов.

При проведении экспериментов по гальвапическому осаждению серебра, которое дает контакты на значительно больших диаметрах,

хот  менее удобно по технологическим и экономическим соображени м, непосредственно к осажденному металлу приваривают либо припаивают проволочные или ленточные выводы . При контактировании к микропро&оду

диаметром 10 мк и менее примен ют намотку непосредственно на проволочные выводы, предварительно прикрепленные к основанию (диаметр вывода 0,4-0,6 мм, диаметр основани  1-2 МЛ1). Перед гальваническим осаждением микропровод на основании покрывают защитным лаком.

При отсутствии микротрещин в cтeкл иlюi изол ции, погруженной в слой гальванически осажденного металла, контакт осуществл ют

посредством сварки. Между двум  участками

осажденного металла создают разность потенциалов от 100 до 1000 в, в результате чего изол ци  пробиваетс  и возникающа  электрическа  дуга обеспечивает получение надежного контактного узла. Внутреннее сопротивление источника напр жени  подбирают таким образом, чтобы сварочный ток, протекающий по цепи: осажденный металл - жила микропровода - осажденный металл, не превышал допустимых дл  этого микропровода значений . Используют как посто нное, так и импульсное напр жени . Импульсное напр жение дает несколько лучщие результаты. Путем механического воздействи  на осажденный металл в зоне контактного узла удаетс  уменьщить сварочное напр жение до 10 в и менее. Гальваническое осаждение металла провод т одновременно на большом количестве изделий, что позвол ет добитьс  высокой производительности труда на этой операции.

Предложенный способ прост в осуществлении и не требует специального оборудовани .

Предмет изобретени 

Способ электрического соединени  микропровода в стекл нной изол ции с токоподводом , по которому микропровод :В изол ции укладывают на токоподвод, нанос т на него электропровод щее покрытие, и разрушают стекл нную изол цию, отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества электрического соединени , микропровод укладывают в механически напр женном состо нии и покрытие нанос т гальваническим осаждением.