JPH08150634A - 樹脂封止型半導体装置の製造金型及びそれを用いた製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造金型及びそれを用いた製造方法Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止型半導体装置の製造金型において、
外観不良等の発生を防止することを可能とする樹脂封止
型半導体装置の製造金型を提供する。 【構成】 上面モールド金型１１と下面金型１２との間
に一端側に半導体チップ２を実装したリードフレーム１
を配置し、該リードフレーム１の一端側を上面モールド
金型１１の凹部１１ａと下面モールド金型１２の凹部１
２ａとによって形成されたキャビティ１３内に配置する
と共に他端側を上面モールド金型１１と下面モールド金
型１２とで挟持し、前記キャビティ１３内に封止樹脂３
を注入して上記リードフレーム１の一端側を樹脂封止す
る樹脂封止型半導体装置の製造金型において、前記キャ
ビティ１３内に封止樹脂３を注入する樹脂注入口１４
に、該樹脂注入口１４の開口量を調整する可動ゲート１
８を設けてなることを特徴とする。
外観不良等の発生を防止することを可能とする樹脂封止
型半導体装置の製造金型を提供する。 【構成】 上面モールド金型１１と下面金型１２との間
に一端側に半導体チップ２を実装したリードフレーム１
を配置し、該リードフレーム１の一端側を上面モールド
金型１１の凹部１１ａと下面モールド金型１２の凹部１
２ａとによって形成されたキャビティ１３内に配置する
と共に他端側を上面モールド金型１１と下面モールド金
型１２とで挟持し、前記キャビティ１３内に封止樹脂３
を注入して上記リードフレーム１の一端側を樹脂封止す
る樹脂封止型半導体装置の製造金型において、前記キャ
ビティ１３内に封止樹脂３を注入する樹脂注入口１４
に、該樹脂注入口１４の開口量を調整する可動ゲート１
８を設けてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランスファーモール
ド成形されてなる電力用樹脂封止型半導体装置等の樹脂
封止型半導体装置の製造金型及びそれを用いた製造方法
に関するものである。
ド成形されてなる電力用樹脂封止型半導体装置等の樹脂
封止型半導体装置の製造金型及びそれを用いた製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の電力用樹脂封止型半導体
装置を示す斜視図である。図６は、図５に示す電力用樹
脂封止型半導体装置の製造金型及び製造方法を説明する
ための図であり、（ａ）は側面断面図であり、（ｂ）は
上面側からの透視図である。
装置を示す斜視図である。図６は、図５に示す電力用樹
脂封止型半導体装置の製造金型及び製造方法を説明する
ための図であり、（ａ）は側面断面図であり、（ｂ）は
上面側からの透視図である。
【０００３】該電力用樹脂封止型半導体装置（以下、単
に「半導体装置」と称す。）は、リードフレーム１の半
導体チップ２が実装された支持板１ａの表面のみが封止
樹脂（例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等）３に
て封止されてなる構造からなる。
に「半導体装置」と称す。）は、リードフレーム１の半
導体チップ２が実装された支持板１ａの表面のみが封止
樹脂（例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等）３に
て封止されてなる構造からなる。
【０００４】該半導体装置の樹脂封止技術では、図６に
示すように、上面モールド金型１１と下面モールド金型
１２とを用いて半導体チップ２の樹脂封止が行われる。
示すように、上面モールド金型１１と下面モールド金型
１２とを用いて半導体チップ２の樹脂封止が行われる。
【０００５】即ち、この方法では、まず、リードフレー
ム１の一部を構成する支持板１ａ上に半導体チップ２を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ２をボンディ
ングワイヤ４にて外部リード端子１ｂと接続する。
ム１の一部を構成する支持板１ａ上に半導体チップ２を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ２をボンディ
ングワイヤ４にて外部リード端子１ｂと接続する。
【０００６】次に、前記支持板１ａを、図６に示すよう
に、上記モールド金型１１，１２にて構成するキャビテ
ィ（モールド空間部）１３内に配置し、樹脂注入口１４
から前記キャビティ１３内に封止樹脂３を圧入される。
前記樹脂注入口１４のサイズは、厚み方向（両金型１
１，１２の並置方向）が０．５ｍｍからなり、幅方向が
３ｍｍからなる。ここで、前記リードフレーム１は、そ
の支持板１ａの裏面側が下面モールド金型１１の表面に
沿って配置され、外部リード端子１ｂが前記両モールド
金型１１，１２にて挟持される。
に、上記モールド金型１１，１２にて構成するキャビテ
ィ（モールド空間部）１３内に配置し、樹脂注入口１４
から前記キャビティ１３内に封止樹脂３を圧入される。
前記樹脂注入口１４のサイズは、厚み方向（両金型１
１，１２の並置方向）が０．５ｍｍからなり、幅方向が
３ｍｍからなる。ここで、前記リードフレーム１は、そ
の支持板１ａの裏面側が下面モールド金型１１の表面に
沿って配置され、外部リード端子１ｂが前記両モールド
金型１１，１２にて挟持される。
【０００７】上記封止樹脂３の硬化後、両モールド金型
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、細条５及びタイバー６等のリードフレーム１の不
要部分を切断すると共に、封止樹脂３の不要部分（樹脂
注入による注入溝１５跡部分）を除去することにより、
図５に示すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
図７は、他の半導体装置を示す斜視図である。図８は、
図７に示す電力用樹脂封止型半導体装置の製造金型及び
製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断面
図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、細条５及びタイバー６等のリードフレーム１の不
要部分を切断すると共に、封止樹脂３の不要部分（樹脂
注入による注入溝１５跡部分）を除去することにより、
図５に示すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
図７は、他の半導体装置を示す斜視図である。図８は、
図７に示す電力用樹脂封止型半導体装置の製造金型及び
製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断面
図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
【０００８】該半導体装置は、リードフレーム１の半導
体チップ２が実装された支持板１ａ全体を封止樹脂３に
て樹脂封止してなる構造からなる。
体チップ２が実装された支持板１ａ全体を封止樹脂３に
て樹脂封止してなる構造からなる。
【０００９】該半導体装置の樹脂封止技術では、図８に
示すように、上面モールド金型１１と下面モールド金型
１２とを用いて半導体チップの樹脂封止が行われる。前
記上面モールド金型１１及び下面モールド金型１２はそ
れぞれキャビティ１３内において支持板１ａの端部を支
持する位置決めピン１６，１７を備えてなる。
示すように、上面モールド金型１１と下面モールド金型
１２とを用いて半導体チップの樹脂封止が行われる。前
記上面モールド金型１１及び下面モールド金型１２はそ
れぞれキャビティ１３内において支持板１ａの端部を支
持する位置決めピン１６，１７を備えてなる。
【００１０】即ち、この方法では、まず、リードフレー
ム１の一部を構成する支持板１ａ上に半導体チップ２を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ２をボンディ
ングワイヤ４にて外部リード端子１ｂと接続する。
ム１の一部を構成する支持板１ａ上に半導体チップ２を
電気伝導可能に接着し、この半導体チップ２をボンディ
ングワイヤ４にて外部リード端子１ｂと接続する。
【００１１】次に、前記支持板１ａを、図８に示すよう
に、上記モールド金型１１，１２にて構成するキャビテ
ィ１３内に配置し、樹脂注入口１４からキャビティ１３
内に封止樹脂３を圧入される。前記樹脂注入口１４のサ
イズは、上記従来例同様、厚み方向が０．５ｍｍからな
り、幅方向が３ｍｍからなる。ここで、前記リードフレ
ーム１は、その支持板１ａ端部が前記位置決めピン１
６，１７にて挟持され、外部リード端子１ｂが前記両モ
ールド金型１１，１２にて挟持される。
に、上記モールド金型１１，１２にて構成するキャビテ
ィ１３内に配置し、樹脂注入口１４からキャビティ１３
内に封止樹脂３を圧入される。前記樹脂注入口１４のサ
イズは、上記従来例同様、厚み方向が０．５ｍｍからな
り、幅方向が３ｍｍからなる。ここで、前記リードフレ
ーム１は、その支持板１ａ端部が前記位置決めピン１
６，１７にて挟持され、外部リード端子１ｂが前記両モ
ールド金型１１，１２にて挟持される。
【００１２】上記封止樹脂３の半硬化後、前記位置決め
ピン１６，１７を各モールド金型１１，１２の表面まで
移動させる。
ピン１６，１７を各モールド金型１１，１２の表面まで
移動させる。
【００１３】上記封止樹脂３の硬化後、両モールド金型
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー６等のリードフレーム１の不要部分を切
断すると共に、封止樹脂３の不要部分を除去することに
より、図７に示すような樹脂封止型の半導体装置が得ら
れる。
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー６等のリードフレーム１の不要部分を切
断すると共に、封止樹脂３の不要部分を除去することに
より、図７に示すような樹脂封止型の半導体装置が得ら
れる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来例では、
封止樹脂３の不要部分を除去する方法として、例えば図
５に示す半導体装置では、図９に示すように前記不要部
分３ａを固定して半導体装置部分を上下動させることに
よってゲートブレイク（不要部分３ａの除去）を行って
いる。図９（ａ）は、不要部分３ａを固定した時の側面
図であり、（ｂ）は上下動させた時の側面図である。
封止樹脂３の不要部分を除去する方法として、例えば図
５に示す半導体装置では、図９に示すように前記不要部
分３ａを固定して半導体装置部分を上下動させることに
よってゲートブレイク（不要部分３ａの除去）を行って
いる。図９（ａ）は、不要部分３ａを固定した時の側面
図であり、（ｂ）は上下動させた時の側面図である。
【００１５】ここで、前記不要部分３ａの付け根部分、
即ち半導体装置と連結している部分はその厚みが０．５
ｍｍと厚く形成されているため、図１０（ａ）のように
不要部分残りや、図１０（ｂ）のように半導体装置部分
に欠けを発生させるといった不都合を生じ、外観不良品
が発生していた。また、前記支持板１ａと封止樹脂３の
不要部分３ａとの密着力により、切断時の上下動によっ
て図１０（ｃ）のように前記支持板１ａが変形するとと
いった不都合も発生していた。
即ち半導体装置と連結している部分はその厚みが０．５
ｍｍと厚く形成されているため、図１０（ａ）のように
不要部分残りや、図１０（ｂ）のように半導体装置部分
に欠けを発生させるといった不都合を生じ、外観不良品
が発生していた。また、前記支持板１ａと封止樹脂３の
不要部分３ａとの密着力により、切断時の上下動によっ
て図１０（ｃ）のように前記支持板１ａが変形するとと
いった不都合も発生していた。
【００１６】また、図７に示す半導体装置では、図１１
に示すように、ゲートブレイクローラー２１等を用いて
封止樹脂３の不要部分３ａに応力を加え、機械的に強制
ブレイクを行っていたが、上記同様、図１２（ａ），
（ｂ）に示すように不要部分残りや、図１２（ｃ），
（ｄ）に示すように半導体部分に欠けを発生させるとい
った不都合を生じ、外観不良品となった。図１２（ａ）
は不要部分残りが発生した場合の側面図であり、（ｂ）
は（ａ）の斜視図であり、（ｃ）は欠けが発生した場合
の側面図であり、（ｄ）は（ｃ）の斜視図である。
に示すように、ゲートブレイクローラー２１等を用いて
封止樹脂３の不要部分３ａに応力を加え、機械的に強制
ブレイクを行っていたが、上記同様、図１２（ａ），
（ｂ）に示すように不要部分残りや、図１２（ｃ），
（ｄ）に示すように半導体部分に欠けを発生させるとい
った不都合を生じ、外観不良品となった。図１２（ａ）
は不要部分残りが発生した場合の側面図であり、（ｂ）
は（ａ）の斜視図であり、（ｃ）は欠けが発生した場合
の側面図であり、（ｄ）は（ｃ）の斜視図である。
【００１７】本発明は、上記課題に鑑み、外観不良等の
発生を防止することが可能な樹脂封止型半導体装置の製
造金型及びそれを用いた製造方法を提供することを目的
とするものである。
発生を防止することが可能な樹脂封止型半導体装置の製
造金型及びそれを用いた製造方法を提供することを目的
とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
樹脂封止型半導体装置の製造金型は、上面金型と下面金
型との間に一端側に半導体チップを実装したリードフレ
ームを配置し、該リードフレームの一端側を上面金型と
下面金型との間で形成されたモールド空間部に配置する
と共に他端側を上面金型と下面金型とで挟持し、前記モ
ールド空間部に樹脂を注入して上記リードフレームの一
端側を樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造金型に
おいて、前記モールド空間部に樹脂を注入する注入口
に、該注入口の開口量を調整する調整手段を設けてなる
ことを特徴とするものである。
樹脂封止型半導体装置の製造金型は、上面金型と下面金
型との間に一端側に半導体チップを実装したリードフレ
ームを配置し、該リードフレームの一端側を上面金型と
下面金型との間で形成されたモールド空間部に配置する
と共に他端側を上面金型と下面金型とで挟持し、前記モ
ールド空間部に樹脂を注入して上記リードフレームの一
端側を樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造金型に
おいて、前記モールド空間部に樹脂を注入する注入口
に、該注入口の開口量を調整する調整手段を設けてなる
ことを特徴とするものである。
【００１９】本発明の請求項２記載の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、前記上面金型及び下面金型の何れか
一方の金型に、上面金型と下面金型とが略重なり合う部
分の一部分に前記モールド空間部に樹脂を導く注入溝を
設け、さらに前記上面金型及び下面金型の何れか一方の
金型に、前記注入溝に挿通される前記調整手段が設けて
なることを特徴とするものである。
装置の製造金型は、前記上面金型及び下面金型の何れか
一方の金型に、上面金型と下面金型とが略重なり合う部
分の一部分に前記モールド空間部に樹脂を導く注入溝を
設け、さらに前記上面金型及び下面金型の何れか一方の
金型に、前記注入溝に挿通される前記調整手段が設けて
なることを特徴とするものである。
【００２０】本発明の請求項３記載の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、前記調整手段の先端面が注入口側か
らその反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が広
くなるよう傾斜させてなることを特徴とするものであ
る。
装置の製造金型は、前記調整手段の先端面が注入口側か
らその反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が広
くなるよう傾斜させてなることを特徴とするものであ
る。
【００２１】本発明の請求項４記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、上記製造金型を用いた樹脂封止型半
導体装置の製造方法であって、一端側に半導体チップを
実装したリードフレームの一端側を上面金型と下面金型
との間で形成されたモールド空間部に配置すると共に他
端側を上面金型と下面金型とで挟持する工程と、前記注
入口の開口量を大きくした状態で前記モールド空間部に
前記注入口より樹脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬
化状態となったとき、上記注入口に設けられた調整手段
により注入口の開口量を小さくする工程とを備えてなる
ことを特徴とするものである。
装置の製造方法は、上記製造金型を用いた樹脂封止型半
導体装置の製造方法であって、一端側に半導体チップを
実装したリードフレームの一端側を上面金型と下面金型
との間で形成されたモールド空間部に配置すると共に他
端側を上面金型と下面金型とで挟持する工程と、前記注
入口の開口量を大きくした状態で前記モールド空間部に
前記注入口より樹脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬
化状態となったとき、上記注入口に設けられた調整手段
により注入口の開口量を小さくする工程とを備えてなる
ことを特徴とするものである。
【００２２】本発明の請求項５記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法は、樹脂が半硬化状態となったときの前
記注入口の開口量を、上面金型と下面金型とが並置する
方向に対して０．３ｍｍ以下としてなることを特徴とす
るものである。
装置の製造方法は、樹脂が半硬化状態となったときの前
記注入口の開口量を、上面金型と下面金型とが並置する
方向に対して０．３ｍｍ以下としてなることを特徴とす
るものである。
【００２３】
【作用】上記構成によれば、本発明の請求項１又は２記
載の樹脂封止型半導体装置の製造金型は、モールド空間
部に樹脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を調整
する調整手段を設けてなる構成なので、注入口の開口量
を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂注入時
には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該樹脂が半
硬化状態となった時、開口量を小さくすることが可能で
ある。
載の樹脂封止型半導体装置の製造金型は、モールド空間
部に樹脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を調整
する調整手段を設けてなる構成なので、注入口の開口量
を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂注入時
には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該樹脂が半
硬化状態となった時、開口量を小さくすることが可能で
ある。
【００２４】また、本発明の請求項３記載の樹脂封止型
半導体装置の製造金型は、前記調整手段の先端面が注入
口側からその反対側にかけて該先端面と下面金型との距
離が広くなるよう傾斜させてなる構成なので、注入溝跡
からなる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向に対し
て徐々に薄くすることが可能である。
半導体装置の製造金型は、前記調整手段の先端面が注入
口側からその反対側にかけて該先端面と下面金型との距
離が広くなるよう傾斜させてなる構成なので、注入溝跡
からなる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向に対し
て徐々に薄くすることが可能である。
【００２５】さらに、本発明の請求項４又は５記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法は、前記注入口の開口量
を大きくした状態でモールド空間部に前記注入口より樹
脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となったと
き、上記注入口に設けられた調整手段により注入口の開
口量を小さくする工程とを備えてなる構成なので、樹脂
注入時には大きく開口した注入口から樹脂が注入され注
入時間を短くでき、また、注入された樹脂が半硬化状態
となった時開口量を小さくして硬化させることにより、
樹脂の不要部分の付け根部分の厚みを薄くすることがで
きる。
脂封止型半導体装置の製造方法は、前記注入口の開口量
を大きくした状態でモールド空間部に前記注入口より樹
脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となったと
き、上記注入口に設けられた調整手段により注入口の開
口量を小さくする工程とを備えてなる構成なので、樹脂
注入時には大きく開口した注入口から樹脂が注入され注
入時間を短くでき、また、注入された樹脂が半硬化状態
となった時開口量を小さくして硬化させることにより、
樹脂の不要部分の付け根部分の厚みを薄くすることがで
きる。
【００２６】
【実施例】図１は、本発明の一実施例からなる樹脂封止
型半導体装置の製造金型およびそれを用いた製造方法に
て形成されてなる樹脂封止型半導体装置の外観図であ
り、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。
型半導体装置の製造金型およびそれを用いた製造方法に
て形成されてなる樹脂封止型半導体装置の外観図であ
り、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は側面図である。
【００２７】本実施例より形成される樹脂封止型半導体
装置（以下、単に「半導体装置」と称す。）は、リード
フレーム１の支持板１ａの裏面側についても樹脂封止し
てなる半導体装置からなる。
装置（以下、単に「半導体装置」と称す。）は、リード
フレーム１の支持板１ａの裏面側についても樹脂封止し
てなる半導体装置からなる。
【００２８】本実施例からなる半導体装置の製造金型
は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２とからなり、前記両モー
ルド金型１１，１２はそれぞれ凹部１１ａ，１２ａが形
成されており、互いの凹部１１ａ，１２ａを重ね合わせ
ることによってキャビティ（モールド空間部）１３が形
成される。
は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２とからなり、前記両モー
ルド金型１１，１２はそれぞれ凹部１１ａ，１２ａが形
成されており、互いの凹部１１ａ，１２ａを重ね合わせ
ることによってキャビティ（モールド空間部）１３が形
成される。
【００２９】また、前記上面モールド金型１１は、前記
キャビティ１３に封止樹脂３を導くための注入溝１５が
形成されており、さらに、該注入溝１５のキャビティ１
３に隣接する樹脂注入口１４近傍に該樹脂注入口１４の
開口量を調整する可動ゲート等かならなる調整手段１８
が設けられてなる。
キャビティ１３に封止樹脂３を導くための注入溝１５が
形成されており、さらに、該注入溝１５のキャビティ１
３に隣接する樹脂注入口１４近傍に該樹脂注入口１４の
開口量を調整する可動ゲート等かならなる調整手段１８
が設けられてなる。
【００３０】該可動ゲート１８は、上面モールド金型１
１の注入溝１５に対応する位置に前記両モールド金型１
１，１２の並置方向に形成された貫通孔１９に挿通され
てなるものであり、該貫通孔１９内を上下動することに
よって前記樹脂注入口１４の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート１８の先端面１８ａは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面１８ａと下面モールド金
型１２との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
１の注入溝１５に対応する位置に前記両モールド金型１
１，１２の並置方向に形成された貫通孔１９に挿通され
てなるものであり、該貫通孔１９内を上下動することに
よって前記樹脂注入口１４の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート１８の先端面１８ａは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面１８ａと下面モールド金
型１２との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
【００３１】さらに、前記両モールド金型１１，１２
は、それぞれキャビティ１３内においてリードフレーム
１の支持板１ａの端部を支持する位置決めピン１６，１
７を備えている。これにより、リードフレーム１の支持
板１ａ端部は該位置決めピン１６，１７によって挟持さ
れる。該位置決めピン１６，１７は、それぞれ上面モー
ルド金型１１又は下面モールド金型１２の所定の位置に
設けられた貫通孔を介してキャビティ１３内に導かれ、
前記貫通孔内を上下動することによって支持板１ａ端部
を挟持したりしなかったりするものである。
は、それぞれキャビティ１３内においてリードフレーム
１の支持板１ａの端部を支持する位置決めピン１６，１
７を備えている。これにより、リードフレーム１の支持
板１ａ端部は該位置決めピン１６，１７によって挟持さ
れる。該位置決めピン１６，１７は、それぞれ上面モー
ルド金型１１又は下面モールド金型１２の所定の位置に
設けられた貫通孔を介してキャビティ１３内に導かれ、
前記貫通孔内を上下動することによって支持板１ａ端部
を挟持したりしなかったりするものである。
【００３２】以下、上述した上面モールド金型１１及び
下面モールド金型１２を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
下面モールド金型１２を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００３３】まず、半導体チップ２をリードフレーム１
の支持板１ａ上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ２をボンディングワイヤ４にて外部リード端子
１ｂに接続する。
の支持板１ａ上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ２をボンディングワイヤ４にて外部リード端子
１ｂに接続する。
【００３４】次に、半導体チップ２が実装されたリード
フレーム１を、図２（ａ）に示すように、下面モールド
金型１２上にセットし、上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２にて外部リード端子１ｂを挟持する。次
に、キャビティ１３内に各モールド金型１１，１２の位
置決めピン１６，１７を挿通し、支持板１ａの端部を固
定する。
フレーム１を、図２（ａ）に示すように、下面モールド
金型１２上にセットし、上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２にて外部リード端子１ｂを挟持する。次
に、キャビティ１３内に各モールド金型１１，１２の位
置決めピン１６，１７を挿通し、支持板１ａの端部を固
定する。
【００３５】この後、トランスファーモールド法によ
り、両モールド金型１１，１２間に形成されるキャビテ
ィ１３内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂３を樹脂注入口１４から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート１８は、その先端が上面
モールド金型１１の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口１４を大きく開けておく。このときの
樹脂注入口１４のサイズは、厚み方向（両金型１１，１
２の並置方向）が０．５ｍｍからなり、幅方向が３ｍｍ
からなる。
り、両モールド金型１１，１２間に形成されるキャビテ
ィ１３内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂３を樹脂注入口１４から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート１８は、その先端が上面
モールド金型１１の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口１４を大きく開けておく。このときの
樹脂注入口１４のサイズは、厚み方向（両金型１１，１
２の並置方向）が０．５ｍｍからなり、幅方向が３ｍｍ
からなる。
【００３６】上記封止樹脂３の半硬化後、図２（ｂ）に
示すように、前記位置決めピン１６，１７を各モールド
金型１１，１２の表面まで移動させると共に、前記可動
ゲート１８をその注入口側と下面モールド金型１２との
間の距離が０．２ｍｍとなる位置まで下降させる。この
とき、前記位置決めピン１６，１７の残り跡部分には、
前記可動ゲート１８の下降による押された際の封止樹脂
３の流動によって前記位置決めピン１６，１７跡が充填
される。
示すように、前記位置決めピン１６，１７を各モールド
金型１１，１２の表面まで移動させると共に、前記可動
ゲート１８をその注入口側と下面モールド金型１２との
間の距離が０．２ｍｍとなる位置まで下降させる。この
とき、前記位置決めピン１６，１７の残り跡部分には、
前記可動ゲート１８の下降による押された際の封止樹脂
３の流動によって前記位置決めピン１６，１７跡が充填
される。
【００３７】上記封止樹脂３の硬化後、両モールド金型
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー，横枠等のリードフレーム１の不要部分
を切断すると共に、図２（ｃ）に示すように、ゲートブ
レイクローラ２１等を用いて封止樹脂３の不要部分３ａ
に応力を加え、機械的に除去することにより、図１に示
すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー，横枠等のリードフレーム１の不要部分
を切断すると共に、図２（ｃ）に示すように、ゲートブ
レイクローラ２１等を用いて封止樹脂３の不要部分３ａ
に応力を加え、機械的に除去することにより、図１に示
すような樹脂封止型の半導体装置が得られる。
【００３８】このように、本実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、キャビティ１３内に封止樹脂３を注
入する樹脂注入口１４に、該樹脂注入口１４の開口量を
調整する可動ゲート１８を設けてなる構成なので、前記
樹脂注入口１４の開口量を任意に設定することが可能で
あり、例えば樹脂注入時には開口量を大きくし、樹脂注
入後であって該封止樹脂３が半硬化状態となった時、開
口量を小さくすることが可能である。これによって、半
導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分３
ａの半導体装置と連結する付け根部分の厚みを制御する
ことが可能となる。したがって、前記付け根部分の厚み
を薄くすることが可能となる。
装置の製造金型は、キャビティ１３内に封止樹脂３を注
入する樹脂注入口１４に、該樹脂注入口１４の開口量を
調整する可動ゲート１８を設けてなる構成なので、前記
樹脂注入口１４の開口量を任意に設定することが可能で
あり、例えば樹脂注入時には開口量を大きくし、樹脂注
入後であって該封止樹脂３が半硬化状態となった時、開
口量を小さくすることが可能である。これによって、半
導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分３
ａの半導体装置と連結する付け根部分の厚みを制御する
ことが可能となる。したがって、前記付け根部分の厚み
を薄くすることが可能となる。
【００３９】また、前記可動ゲート１８は、その先端面
１８ａが樹脂注入口１４側からその反対側にかけて該先
端面１８ａと下面モールド金型１２との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝１５跡か
らなる封止樹脂３の不要部分３ａの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分３ａの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
１８ａが樹脂注入口１４側からその反対側にかけて該先
端面１８ａと下面モールド金型１２との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝１５跡か
らなる封止樹脂３の不要部分３ａの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分３ａの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
【００４０】さらに、樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、前記樹脂注入口１４の開口量を大きくした状態でキ
ャビティ１３内に前記樹脂注入口１４より封止樹脂３を
注入する工程と、前記封止樹脂３が半硬化状態となった
とき、上記樹脂注入口１４に設けられた可動ゲート１８
により前記樹脂注入口１４の開口量を小さくする工程と
を備えてなる構成なので、樹脂注入時には大きく開口し
た樹脂注入口１４から封止樹脂３が注入され注入時間を
短くでき、また、注入された封止樹脂３が半硬化状態と
なった時開口量を小さくして硬化させることにより、半
導体装置部分より突出する注入溝１５跡からなる不要部
分３ａの半導体装置と連結する不要部分３ａの付け根部
分の厚みを薄くすることができる。これにより、半導体
装置と不要部分３ａとの接合面積を小さくでき、且つ切
断時の応力をかける方向に薄く形成しているので、切断
時の応力が小さくてすむと共に、半導体装置に不要樹脂
残りや欠け等を発生することなしに不要部分３ａを除去
でき、外観不良を防止できる。図３は、本発明の他の実
施例からなる樹脂封止型半導体装置の製造金型およびそ
れを用いた製造方法にて形成されてなる樹脂封止型半導
体装置の外観図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）
は側面図である。
は、前記樹脂注入口１４の開口量を大きくした状態でキ
ャビティ１３内に前記樹脂注入口１４より封止樹脂３を
注入する工程と、前記封止樹脂３が半硬化状態となった
とき、上記樹脂注入口１４に設けられた可動ゲート１８
により前記樹脂注入口１４の開口量を小さくする工程と
を備えてなる構成なので、樹脂注入時には大きく開口し
た樹脂注入口１４から封止樹脂３が注入され注入時間を
短くでき、また、注入された封止樹脂３が半硬化状態と
なった時開口量を小さくして硬化させることにより、半
導体装置部分より突出する注入溝１５跡からなる不要部
分３ａの半導体装置と連結する不要部分３ａの付け根部
分の厚みを薄くすることができる。これにより、半導体
装置と不要部分３ａとの接合面積を小さくでき、且つ切
断時の応力をかける方向に薄く形成しているので、切断
時の応力が小さくてすむと共に、半導体装置に不要樹脂
残りや欠け等を発生することなしに不要部分３ａを除去
でき、外観不良を防止できる。図３は、本発明の他の実
施例からなる樹脂封止型半導体装置の製造金型およびそ
れを用いた製造方法にて形成されてなる樹脂封止型半導
体装置の外観図であり、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）
は側面図である。
【００４１】本実施例より形成される樹脂封止型半導体
装置（以下、単に「半導体装置」と称す。）は、リード
フレーム１の支持板１ａの裏面側を樹脂封止せず、露出
させてなる半導体装置からなる。
装置（以下、単に「半導体装置」と称す。）は、リード
フレーム１の支持板１ａの裏面側を樹脂封止せず、露出
させてなる半導体装置からなる。
【００４２】本実施例からなる半導体装置の製造金型
は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２とからなり、前記両モー
ルド金型１１，１２はそれぞれ凹部１１ａ，１２ａが形
成されており、互いの凹部１１ａ，１２ａを重ね合わせ
ることによってキャビティ１３が形成される。
は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、上面モールド金
型１１と下面モールド金型１２とからなり、前記両モー
ルド金型１１，１２はそれぞれ凹部１１ａ，１２ａが形
成されており、互いの凹部１１ａ，１２ａを重ね合わせ
ることによってキャビティ１３が形成される。
【００４３】また、前記下面モールド金型１２は、前記
キャビティ１３に封止樹脂３を導くための注入溝１５が
形成されており、さらに、前記上面モールド金型１１
は、注入溝１５のキャビティ１３に隣接する樹脂注入口
１４近傍に該樹脂注入口１４の開口量を調整する可動ゲ
ート等かならなる調整手段１８が設けられてなる。
キャビティ１３に封止樹脂３を導くための注入溝１５が
形成されており、さらに、前記上面モールド金型１１
は、注入溝１５のキャビティ１３に隣接する樹脂注入口
１４近傍に該樹脂注入口１４の開口量を調整する可動ゲ
ート等かならなる調整手段１８が設けられてなる。
【００４４】該可動ゲート１８は、上面モールド金型１
１の注入溝１５に対応する位置に前記両モールド金型１
１，１２の並置方向に形成された貫通孔１９に挿通され
てなるものであり、該貫通孔１９内を上下動することに
よって前記樹脂注入口１４の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート１８の先端面１８ａは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面１８ａと下面モールド金
型１２との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
１の注入溝１５に対応する位置に前記両モールド金型１
１，１２の並置方向に形成された貫通孔１９に挿通され
てなるものであり、該貫通孔１９内を上下動することに
よって前記樹脂注入口１４の開口量を調整するものであ
る。前記可動ゲート１８の先端面１８ａは、注入口側か
らその反対側にかけて該先端面１８ａと下面モールド金
型１２との距離が広くなるよう傾斜させてなる構造を有
する。
【００４５】以下、上述した上面モールド金型１１及び
下面モールド金型１２を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
下面モールド金型１２を用いた樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。
【００４６】まず、半導体チップ２をリードフレーム１
の支持板１ａ上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ２をボンディングワイヤ４にて外部リード端子
１ｂに接続する。
の支持板１ａ上に電気伝導可能に接着し、さらに、半導
体チップ２をボンディングワイヤ４にて外部リード端子
１ｂに接続する。
【００４７】次に、半導体チップ２が実装されたリード
フレーム１を、図４（ａ）に示すように、下面モールド
金型１２上にセットし、上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２にて外部リード端子１ｂを挟持すると共
に、前記リードフレーム１の支持板１ａの裏面側を前記
下面モールド金型１２の凹部１２ａの底面に沿わせて前
記支持板１ａをキャビティ１３内に配置する。
フレーム１を、図４（ａ）に示すように、下面モールド
金型１２上にセットし、上面モールド金型１１と下面モ
ールド金型１２にて外部リード端子１ｂを挟持すると共
に、前記リードフレーム１の支持板１ａの裏面側を前記
下面モールド金型１２の凹部１２ａの底面に沿わせて前
記支持板１ａをキャビティ１３内に配置する。
【００４８】この後、トランスファーモールド法によ
り、両モールド金型１１，１２間に形成されるキャビテ
ィ１３内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂３を樹脂注入口１４から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート１８は、その先端が上面
モールド金型１１の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口１４を大きく開けておく。
り、両モールド金型１１，１２間に形成されるキャビテ
ィ１３内に例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の封
止樹脂３を樹脂注入口１４から圧入し、射出成形を行
う。このとき、前記可動ゲート１８は、その先端が上面
モールド金型１１の表面と略々一致する位置に配置して
おき、樹脂注入口１４を大きく開けておく。
【００４９】上記封止樹脂３の半硬化後、図４（ｂ）に
示すように、前記可動ゲート１８をその注入口側と下面
モールド金型１２上に配置された支持板１ａとの間の距
離が０．２ｍｍとなる位置まで下降させる。
示すように、前記可動ゲート１８をその注入口側と下面
モールド金型１２上に配置された支持板１ａとの間の距
離が０．２ｍｍとなる位置まで下降させる。
【００５０】上記封止樹脂３の硬化後、両モールド金型
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー，横枠等のリードフレーム１の不要部分
を切断すると共に、図４（ｃ）に示すように、不要部分
３ａを固定して外部リード端子１ｂ側を上下動させるこ
とにより前記不要部分３ａを除去し、図１に示すような
樹脂封止型の半導体装置が得られる。
１１，１２から樹脂封止されたリードフレーム１を取り
出し、タイバー，横枠等のリードフレーム１の不要部分
を切断すると共に、図４（ｃ）に示すように、不要部分
３ａを固定して外部リード端子１ｂ側を上下動させるこ
とにより前記不要部分３ａを除去し、図１に示すような
樹脂封止型の半導体装置が得られる。
【００５１】このように、本実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造金型は、上記実施例同様、樹脂注入口１４の
開口量を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂
注入時には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該封
止樹脂３が半硬化状態となった時、開口量を小さくする
ことが可能である。これによって、半導体装置部分より
突出する注入溝１５跡からなる不要部分３ａの半導体装
置と連結する付け根部分の厚みを制御することが可能と
なる。したがって、前記付け根部分の厚みを薄くするこ
とが可能となる。
装置の製造金型は、上記実施例同様、樹脂注入口１４の
開口量を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂
注入時には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該封
止樹脂３が半硬化状態となった時、開口量を小さくする
ことが可能である。これによって、半導体装置部分より
突出する注入溝１５跡からなる不要部分３ａの半導体装
置と連結する付け根部分の厚みを制御することが可能と
なる。したがって、前記付け根部分の厚みを薄くするこ
とが可能となる。
【００５２】また、前記可動ゲート１８は、その先端面
１８ａが樹脂注入口１４側からその反対側にかけて該先
端面１８ａと下面モールド金型１２との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝１５跡か
らなる封止樹脂３の不要部分３ａの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分３ａの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
１８ａが樹脂注入口１４側からその反対側にかけて該先
端面１８ａと下面モールド金型１２との距離が広くなる
よう傾斜させてなる構造よりなるので、注入溝１５跡か
らなる封止樹脂３の不要部分３ａの厚みを付け根方向に
対して徐々に薄くすることが可能である。これによって
不要部分３ａの切断時の応力は一番薄い付け根部分に加
わることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断
することが可能となる。
【００５３】さらに、樹脂封止型半導体装置の製造方法
についても、上記実施例同様、樹脂注入時には大きく開
口した樹脂注入口１４から封止樹脂３が注入され注入時
間を短くでき、また、注入された封止樹脂３が半硬化状
態となった時開口量を小さくして硬化させることによ
り、半導体装置の封止部分より突出する注入溝１５跡か
らなる不要部分３ａの半導体装置の封止部分と連結する
不要部分３ａの付け根部分の厚みを薄くすることができ
る。これにより、半導体装置の封止部分と不要部分３ａ
との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかける
方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さくて
すむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発生
することなしに不要部分３ａを除去でき、外観不良を防
止できる。上述した実施例においては、可動ゲート１８
の先端面１８ａの樹脂注入口側と下面モールド金型１２
との間、又は可動ゲート１８の先端面１８ａの樹脂注入
口側とリードフレーム１の支持板１ａとの間からなる樹
脂注入口１４の金型１１，１２が並置する方向の開口量
を０．２ｍｍとしたが、０．２ｍｍに限定されるもので
はなく、以下にその数値について説明する。
についても、上記実施例同様、樹脂注入時には大きく開
口した樹脂注入口１４から封止樹脂３が注入され注入時
間を短くでき、また、注入された封止樹脂３が半硬化状
態となった時開口量を小さくして硬化させることによ
り、半導体装置の封止部分より突出する注入溝１５跡か
らなる不要部分３ａの半導体装置の封止部分と連結する
不要部分３ａの付け根部分の厚みを薄くすることができ
る。これにより、半導体装置の封止部分と不要部分３ａ
との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかける
方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さくて
すむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発生
することなしに不要部分３ａを除去でき、外観不良を防
止できる。上述した実施例においては、可動ゲート１８
の先端面１８ａの樹脂注入口側と下面モールド金型１２
との間、又は可動ゲート１８の先端面１８ａの樹脂注入
口側とリードフレーム１の支持板１ａとの間からなる樹
脂注入口１４の金型１１，１２が並置する方向の開口量
を０．２ｍｍとしたが、０．２ｍｍに限定されるもので
はなく、以下にその数値について説明する。
【００５４】一般的には、前記樹脂注入口１４の金型１
１，１２が並置する方向の開口量を小さくすればする
程、封止樹脂３の不要部分３ａの付け根部分の肉厚は薄
くなり、薄くする程樹脂の強度は弱くなるため上述した
ように問題点は解決される。したがって、従来の開口量
０．５ｍｍよりも小さくすれば問題点の発生は多少低減
される。
１，１２が並置する方向の開口量を小さくすればする
程、封止樹脂３の不要部分３ａの付け根部分の肉厚は薄
くなり、薄くする程樹脂の強度は弱くなるため上述した
ように問題点は解決される。したがって、従来の開口量
０．５ｍｍよりも小さくすれば問題点の発生は多少低減
される。
【００５５】ここで、問題点を完全に解決するために
は、０．３〜０．２ｍｍ程度とすることが望ましい。
は、０．３〜０．２ｍｍ程度とすることが望ましい。
【００５６】ところで、前記樹脂注入口１４の金型１
１，１２が並置する方向の開口量を０．２ｍｍよりも小
さく設定した場合には、不要部分３ａの付け根部分の肉
厚は前記開口量に対応して０．２ｍｍよりも小さくな
り、非常に薄いものとなり、このような薄い肉厚である
と樹脂の強度は弱く、封止樹脂３が硬化後、半導体装置
を金型１１，１２から離脱させる際に前記不要部分３ａ
が落下し、金型内に残る等の不具合を発生する恐れがあ
る。このため、０．２ｍｍよりも小さく設定することこ
とはあまり望ましくはない。
１，１２が並置する方向の開口量を０．２ｍｍよりも小
さく設定した場合には、不要部分３ａの付け根部分の肉
厚は前記開口量に対応して０．２ｍｍよりも小さくな
り、非常に薄いものとなり、このような薄い肉厚である
と樹脂の強度は弱く、封止樹脂３が硬化後、半導体装置
を金型１１，１２から離脱させる際に前記不要部分３ａ
が落下し、金型内に残る等の不具合を発生する恐れがあ
る。このため、０．２ｍｍよりも小さく設定することこ
とはあまり望ましくはない。
【００５７】しかしながら、前記開口量を０ｍｍ、即ち
樹脂注入口１４を封止樹脂３が半硬化時に完全に閉じて
しまえば、前記不要部分３ａが発生することがなくな
り、半導体装置の製造工程におけるケートブレイク工程
を削除することが可能となる。これにより、製造工程の
簡略化が図れる。
樹脂注入口１４を封止樹脂３が半硬化時に完全に閉じて
しまえば、前記不要部分３ａが発生することがなくな
り、半導体装置の製造工程におけるケートブレイク工程
を削除することが可能となる。これにより、製造工程の
簡略化が図れる。
【００５８】
【発明の効果】このように、本発明の請求項１又は２記
載の樹脂封止型半導体装置の製造金型は、モールド空間
部に封止樹脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を
調整する調整手段を設けてなる構成なので、注入口の開
口量を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂注
入時には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該封止
樹脂が半硬化状態となった時、開口量を小さくすること
が可能であり、これによって、半導体装置部分より突出
する注入溝跡からなる不要部分の半導体装置と連結する
付け根部分の厚みを制御することが可能となる。
載の樹脂封止型半導体装置の製造金型は、モールド空間
部に封止樹脂を注入する注入口に、該注入口の開口量を
調整する調整手段を設けてなる構成なので、注入口の開
口量を任意に設定することが可能であり、例えば樹脂注
入時には開口量を大きくし、樹脂注入後であって該封止
樹脂が半硬化状態となった時、開口量を小さくすること
が可能であり、これによって、半導体装置部分より突出
する注入溝跡からなる不要部分の半導体装置と連結する
付け根部分の厚みを制御することが可能となる。
【００５９】また、本発明の請求項３記載の樹脂封止型
半導体装置の製造金型によれば、前記調整手段の先端面
が注入口側からその反対側にかけて該先端面と下面金型
との距離が広くなるよう傾斜させてなる構成なので、注
入溝跡からなる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向
に対して徐々に薄くすることが可能であり、これによっ
て不要部分の切断時の応力は一番薄い付け根部分に加わ
ることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断す
ることが可能となる。
半導体装置の製造金型によれば、前記調整手段の先端面
が注入口側からその反対側にかけて該先端面と下面金型
との距離が広くなるよう傾斜させてなる構成なので、注
入溝跡からなる封止樹脂の不要部分の厚みを付け根方向
に対して徐々に薄くすることが可能であり、これによっ
て不要部分の切断時の応力は一番薄い付け根部分に加わ
ることとなり、外観不良等起こすことなく容易に切断す
ることが可能となる。
【００６０】さらに、本発明の請求項４又は５記載の樹
脂封止型半導体装置の製造方法は、前記注入口の開口量
を大きくした状態でモールド空間部に前記注入口より樹
脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となったと
き、上記注入口に設けられた調整手段により注入口の開
口量を小さくする工程とを備えてなる構成なので、樹脂
注入時には大きく開口した注入口から樹脂が注入され注
入時間を短くでき、また、注入された樹脂が半硬化状態
となった時開口量を小さくして硬化させることにより、
半導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分
の半導体装置と連結する不要部分の付け根部分の厚みを
薄くすることができ、これによって半導体装置と不要部
分との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかけ
る方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さく
てすむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発
生することなしに不要部分を除去でき、外観不良を防止
できる。
脂封止型半導体装置の製造方法は、前記注入口の開口量
を大きくした状態でモールド空間部に前記注入口より樹
脂を注入する工程と、前記樹脂が半硬化状態となったと
き、上記注入口に設けられた調整手段により注入口の開
口量を小さくする工程とを備えてなる構成なので、樹脂
注入時には大きく開口した注入口から樹脂が注入され注
入時間を短くでき、また、注入された樹脂が半硬化状態
となった時開口量を小さくして硬化させることにより、
半導体装置部分より突出する注入溝跡からなる不要部分
の半導体装置と連結する不要部分の付け根部分の厚みを
薄くすることができ、これによって半導体装置と不要部
分との接合面積を小さくでき、且つ切断時の応力をかけ
る方向に薄く形成しているので、切断時の応力が小さく
てすむと共に、半導体装置に不要樹脂残りや欠け等を発
生することなしに不要部分を除去でき、外観不良を防止
できる。
【図１】本発明の一実施例より形成されてなる樹脂封止
型半導体装置を示す外観図であり、（ａ）は斜視図であ
り、（ｂ）は側面図である。
型半導体装置を示す外観図であり、（ａ）は斜視図であ
り、（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の一実施例からなる樹脂封止型半導体装
置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面図
である。
置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面図
である。
【図３】本発明の他の実施例より形成されてなる樹脂封
止型半導体装置を示す外観図であり、（ａ）は斜視図で
あり、（ｂ）は側面図である。
止型半導体装置を示す外観図であり、（ａ）は斜視図で
あり、（ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の他の実施例からなる樹脂封止型半導体
装置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面
図である。
装置の製造金型及び製造方法を説明するための側面断面
図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５に示す樹脂封止型半導体装置の製造金型及
び製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断
面図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
び製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断
面図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
【図７】従来の他の樹脂封止型半導体装置を示す斜視図
である。
である。
【図８】図７に示す樹脂封止型半導体装置の製造金型及
び製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断
面図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
び製造方法を説明するための図であり、（ａ）は側面断
面図であり、（ｂ）は上面側からの透視図である。
【図９】図５及び図６に示す従来例の封止樹脂の不要部
分の除去方法を説明するための側面図である。
分の除去方法を説明するための側面図である。
【図１０】図９に示す除去方法にて封止樹脂の不要部分
を除去した場合の問題点を説明するための図である。
を除去した場合の問題点を説明するための図である。
【図１１】図７及び図８に示す従来例の封止樹脂の不要
部分の除去方法を説明するための図である。
部分の除去方法を説明するための図である。
【図１２】図１１に示す除去方法にて封止樹脂の不要部
分を除去した場合の問題点を説明するための図である。
分を除去した場合の問題点を説明するための図である。
１ リードフレーム １ａ 支持板 １ｂ 外部リード端子 ２ 半導体チップ ３ 封止樹脂 ３ａ 不要部分 １１ 上面モールド金型 １１ａ 凹部 １２ 下面モールド金型 １２ａ 凹部 １３ キャビティ（モールド空間部） １４ 樹脂注入口 １５ 注入溝 １８ 可動ゲート（調整手段） １８ａ 先端面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｋ 105:20 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 上面金型と下面金型との間に一端側に半
導体チップを実装したリードフレームを配置し、該リー
ドフレームの一端側を上面金型と下面金型との間で形成
されたモールド空間部に配置すると共に他端側を上面金
型と下面金型とで挟持し、前記モールド空間部に樹脂を
注入して上記リードフレームの一端側を樹脂封止する樹
脂封止型半導体装置の製造金型において、 前記モールド空間部に樹脂を注入する注入口に、該注入
口の開口量を調整する調整手段を設けてなることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造金型。 - 【請求項２】 前記上面金型及び下面金型の何れか一方
の金型は、上面金型と下面金型とが略重なり合う部分の
一部分に前記モールド空間部に樹脂を導く注入溝が設け
られ、さらに前記上面金型及び下面金型の何れか一方の
金型は、前記注入溝に挿通される前記調整手段が設けら
れてなることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半
導体装置の製造金型。 - 【請求項３】 前記調整手段は、その先端面が注入口側
からその反対側にかけて該先端面と下面金型との距離が
広くなるよう傾斜させてなることを特徴とする請求項２
記載の樹脂封止型半導体装置の製造金型。 - 【請求項４】 上記製造金型を用いた樹脂封止型半導体
装置の製造方法であって、 一端側に半導体チップを実装したリードフレームの一端
側を上面金型と下面金型との間で形成されたモールド空
間部に配置すると共に他端側を上面金型と下面金型とで
挟持する工程と、 前記注入口の開口量を大きくした状態で前記モールド空
間部に前記注入口より樹脂を注入する工程と、 前記樹脂が半硬化状態となったとき、上記注入口に設け
られた調整手段により注入口の開口量を小さくする工程
と、を備えてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。 - 【請求項５】 樹脂が半硬化状態となったときの前記注
入口の開口量を、上面金型と下面金型とが並置する方向
に対して０．３ｍｍ以下としてなることを特徴とする請
求項４記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29300294A JP3182302B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29300294A JP3182302B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08150634A true JPH08150634A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3182302B2 JP3182302B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=17789209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29300294A Expired - Fee Related JP3182302B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3182302B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2368044A1 (es) * | 2008-05-28 | 2011-11-14 | Comercial De Útiles Y Moldes S.A. | Dispositivo regulador del orificio de entrada de material en moldes de inyección de materias plásticas. |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29300294A patent/JP3182302B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2368044A1 (es) * | 2008-05-28 | 2011-11-14 | Comercial De Útiles Y Moldes S.A. | Dispositivo regulador del orificio de entrada de material en moldes de inyección de materias plásticas. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3182302B2 (ja) | 2001-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |