JPH05299455A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05299455A JPH05299455A JP4099343A JP9934392A JPH05299455A JP H05299455 A JPH05299455 A JP H05299455A JP 4099343 A JP4099343 A JP 4099343A JP 9934392 A JP9934392 A JP 9934392A JP H05299455 A JPH05299455 A JP H05299455A
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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-
- H—ELECTRICITY
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームをトランスファーモールド法
により樹脂封止した場合、過大なゲート残りを発生を防
ぎ、トランスファーモールド工程の合理化およびタイバ
ーカット金型の保全を実現することができる半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】 ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹
脂を注入して固化させた後、そのゲート部分でその断面
縮小部を切断する。
により樹脂封止した場合、過大なゲート残りを発生を防
ぎ、トランスファーモールド工程の合理化およびタイバ
ーカット金型の保全を実現することができる半導体装置
の製造方法を提供する。 【構成】 ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹
脂を注入して固化させた後、そのゲート部分でその断面
縮小部を切断する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にリードフレームを利用して樹脂封止してなる
電力用等の半導体装置に関する。
関し、特にリードフレームを利用して樹脂封止してなる
電力用等の半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型の電力用の半導体装置は、図
２に示すように、リードフレーム１に複数個のフレーム
が形成されている。
２に示すように、リードフレーム１に複数個のフレーム
が形成されている。
【０００３】その各フレームには、図８に示すように、
載置片４０に半導体素子（図示せず）がダイボンドさ
れ、その半導体素子とリード端子６０，８０の各々とは
ボンディングワイヤ（図示せず）により、内部結線が施
されて回路が形成されている。
載置片４０に半導体素子（図示せず）がダイボンドさ
れ、その半導体素子とリード端子６０，８０の各々とは
ボンディングワイヤ（図示せず）により、内部結線が施
されて回路が形成されている。
【０００４】そして、この内部結線が施されたリードフ
レームをトランスファーモールド法により、樹脂封止す
る。すなわち、成形樹脂はランナ１３０、注入口である
ゲート１１０を経て樹脂封止部１２０に充填され、その
充填された樹脂が固化することによりより、載置片４０
上の半導体素子およびリード端子６０，８０およびボン
ディングワイヤは樹脂封止される。
レームをトランスファーモールド法により、樹脂封止す
る。すなわち、成形樹脂はランナ１３０、注入口である
ゲート１１０を経て樹脂封止部１２０に充填され、その
充填された樹脂が固化することによりより、載置片４０
上の半導体素子およびリード端子６０，８０およびボン
ディングワイヤは樹脂封止される。
【０００５】その後、図９に示すように、ゲート１１０
を除去し、固化したゲート部分の樹脂をブレイクし、さ
らに、バリ（図示せず）をレジンカットする。そして、
タイバーをカットして、所望の半導体装置が完成する。
を除去し、固化したゲート部分の樹脂をブレイクし、さ
らに、バリ（図示せず）をレジンカットする。そして、
タイバーをカットして、所望の半導体装置が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の技術
では、図８に示すようにリードフレームをトランスファ
ーモールド法により樹脂封止した場合、リードフレーム
と樹脂の密着性が良い為、図９に示すように、ゲート１
１０を除去し、固化したゲート部分の樹脂をブレイクす
ると、その固化したゲート部分の樹脂が過大に残るとい
う問題が発生していた。このように、いわゆるゲート残
りが付着した状態では、半導体装置の外観を損ねるだけ
でなく、後工程でタイバーカットする際に、タイバーカ
ット金型の破損を招くという問題もある。
では、図８に示すようにリードフレームをトランスファ
ーモールド法により樹脂封止した場合、リードフレーム
と樹脂の密着性が良い為、図９に示すように、ゲート１
１０を除去し、固化したゲート部分の樹脂をブレイクす
ると、その固化したゲート部分の樹脂が過大に残るとい
う問題が発生していた。このように、いわゆるゲート残
りが付着した状態では、半導体装置の外観を損ねるだけ
でなく、後工程でタイバーカットする際に、タイバーカ
ット金型の破損を招くという問題もある。
【０００７】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であり、リードフレームをトランスファーモールド法に
より樹脂封止した場合、過大なゲート残りを発生を防
ぎ、トランスファーモールド工程の合理化およびタイバ
ーカット金型の保全を実現する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
であり、リードフレームをトランスファーモールド法に
より樹脂封止した場合、過大なゲート残りを発生を防
ぎ、トランスファーモールド工程の合理化およびタイバ
ーカット金型の保全を実現する半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、対向する位置
に設けた２つの支持タイバー、その支持タイバー間に設
けた載置片、リード端子、およびそのリード端子を支持
するリード端子間タイバーとを、一体に形成してなるリ
ードフレームを用い、上記載置片上に載置した半導体素
子と上記リード端子とを接続した状態で、上記一方の支
持タイバー近傍に設けたゲートから樹脂を注入して樹脂
封止する半導体装置の製造方法において、上記ゲートの
先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入して固化さ
せた後、ゲート部分で固化した樹脂をその断面縮小部で
切断することによって特徴付けられる。
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、対向する位置
に設けた２つの支持タイバー、その支持タイバー間に設
けた載置片、リード端子、およびそのリード端子を支持
するリード端子間タイバーとを、一体に形成してなるリ
ードフレームを用い、上記載置片上に載置した半導体素
子と上記リード端子とを接続した状態で、上記一方の支
持タイバー近傍に設けたゲートから樹脂を注入して樹脂
封止する半導体装置の製造方法において、上記ゲートの
先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入して固化さ
せた後、ゲート部分で固化した樹脂をその断面縮小部で
切断することによって特徴付けられる。
【０００９】
【作用】注入された樹脂が固化した後、ゲート部の断面
縮小部分には残留応力が集中しており、その断面縮小部
分で容易に切断され、封止樹脂側に残存する断面縮小部
分は少ない。
縮小部分には残留応力が集中しており、その断面縮小部
分で容易に切断され、封止樹脂側に残存する断面縮小部
分は少ない。
【００１０】
【実施例】図３は、図２に示すリードフレーム１の破線
で示す部分の拡大図である。載置片４上の半導体素子３
はリード端子６，８とボンディングワイヤ５により内部
結線が施され、回路形成されている。
で示す部分の拡大図である。載置片４上の半導体素子３
はリード端子６，８とボンディングワイヤ５により内部
結線が施され、回路形成されている。
【００１１】図１は本発明実施例を説明する図であり、
（ａ）図はその外観を示し、（ｂ）図は（ａ）図におけ
る破線部分Ａを拡大した図を示す。以下、図面に基づい
て本発明実施例を説明する。
（ａ）図はその外観を示し、（ｂ）図は（ａ）図におけ
る破線部分Ａを拡大した図を示す。以下、図面に基づい
て本発明実施例を説明する。
【００１２】まず、図３に示した内部結線が施されたリ
ードフレーム１をトランスファーモールド法により樹脂
封止を行う。その樹脂封止の際、樹脂封止部１２への樹
脂の注入口となるゲート１１は、その先端部分すなわ
ち、断面縮小部１１ａは他のゲート部分より薄肉に形成
されている。また、このゲート１１は、タイバー２およ
び載置片４上に載置された状態となっている。
ードフレーム１をトランスファーモールド法により樹脂
封止を行う。その樹脂封止の際、樹脂封止部１２への樹
脂の注入口となるゲート１１は、その先端部分すなわ
ち、断面縮小部１１ａは他のゲート部分より薄肉に形成
されている。また、このゲート１１は、タイバー２およ
び載置片４上に載置された状態となっている。
【００１３】そこで、成形樹脂はランナ１３、ゲート１
１を経て樹脂封止部１２に充填され、その充填された樹
脂が固化することにより載置片４上の半導体素子（図示
せず），リード端子６，８およびボンディングワイヤ
（図示せず）は樹脂封止される。
１を経て樹脂封止部１２に充填され、その充填された樹
脂が固化することにより載置片４上の半導体素子（図示
せず），リード端子６，８およびボンディングワイヤ
（図示せず）は樹脂封止される。
【００１４】さらに、図４および図５は図１に示す樹脂
封止された状態から半導体装置の完成までの工程を説明
する図である。まず、樹脂封止部１２に注入された樹脂
が固化した後、図４（ａ）に示すように、ゲート１１お
よび樹脂封止部１２を含む金型部分を除去し、固化した
樹脂を露出させ、固化したゲートの断面縮小部１１ｂに
力Ｆを加え、ゲートブレイクする。この工程により、図
４（ｂ）および図６に示すように、断面縮小部１１ｂで
一様にブレイクされた状態となり、固化した樹脂封止部
部分１２ａ側には断面縮小部１１ｂは少ししか残存しな
い。さらに、薄バリ１３および厚バリ１４をレジンカッ
トし、その後、タイバー２，９，１０をタイバーカット
することにより、図５に示すような形状の半導体装置が
完成する。
封止された状態から半導体装置の完成までの工程を説明
する図である。まず、樹脂封止部１２に注入された樹脂
が固化した後、図４（ａ）に示すように、ゲート１１お
よび樹脂封止部１２を含む金型部分を除去し、固化した
樹脂を露出させ、固化したゲートの断面縮小部１１ｂに
力Ｆを加え、ゲートブレイクする。この工程により、図
４（ｂ）および図６に示すように、断面縮小部１１ｂで
一様にブレイクされた状態となり、固化した樹脂封止部
部分１２ａ側には断面縮小部１１ｂは少ししか残存しな
い。さらに、薄バリ１３および厚バリ１４をレジンカッ
トし、その後、タイバー２，９，１０をタイバーカット
することにより、図５に示すような形状の半導体装置が
完成する。
【００１５】なお、本発明実施例に示した半導体素子は
１つのリードフレームに複数個ダイボンドされており、
各半導体素子は同時に樹脂封止がなされる。また、本発
明実施例に用いられたゲートの形状は、これに限ること
なく、例えば、図７に示すように、先端部分の断面積が
他のゲート部分より小さければよく、（ａ）図に示すよ
うに先端部分が広がった形状でも良いし、また、（ｂ）
図に示すように先端部分が平坦であっても形状は問わな
い。さらに、ゲートの形状については、先に示した実施
例のように、その先端部分で段差があるものでも、ま
た、傾斜したものでも良い。
１つのリードフレームに複数個ダイボンドされており、
各半導体素子は同時に樹脂封止がなされる。また、本発
明実施例に用いられたゲートの形状は、これに限ること
なく、例えば、図７に示すように、先端部分の断面積が
他のゲート部分より小さければよく、（ａ）図に示すよ
うに先端部分が広がった形状でも良いし、また、（ｂ）
図に示すように先端部分が平坦であっても形状は問わな
い。さらに、ゲートの形状については、先に示した実施
例のように、その先端部分で段差があるものでも、ま
た、傾斜したものでも良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入し
て固化させた後、そのゲート部分でその断面縮小部を切
断するようにしたから、ゲート残りを一定の範囲に抑え
ることが可能となり、またその切断は容易である。従っ
て、得られる半導体装置の外観を損なうことなく、品質
は向上する。さらに、タイバーカット金型を破損する等
の工程上のトラブルもなくすことができ、このタイバー
カット金型の長寿命化による金型の保全およびトランス
ファーモールド工程の合理化を実現でき、コストを低減
することができる。
ゲートの先端部分に断面縮小部を形成し、樹脂を注入し
て固化させた後、そのゲート部分でその断面縮小部を切
断するようにしたから、ゲート残りを一定の範囲に抑え
ることが可能となり、またその切断は容易である。従っ
て、得られる半導体装置の外観を損なうことなく、品質
は向上する。さらに、タイバーカット金型を破損する等
の工程上のトラブルもなくすことができ、このタイバー
カット金型の長寿命化による金型の保全およびトランス
ファーモールド工程の合理化を実現でき、コストを低減
することができる。
【図１】本発明実施例に用いられるリードフレームの斜
視図
視図
【図２】本発明実施例に用いられるリードフレームの平
面図
面図
【図３】本発明実施例に用いられる樹脂封止前の半導体
装置の平面図
装置の平面図
【図４】本発明実施例を説明する図
【図５】本発明実施例により得られた半導体装置の平面
図
図
【図６】本発明実施例により得られた半導体装置の斜視
図
図
【図７】本発明の変形例を示す要部側面図
【図８】従来例に用いられるリードフレームの斜視図
【図９】従来例を説明する図
１・・・・リードフレーム ２，９，１０・・・・タイバー ３・・・・半導体素子 ４・・・・載置片 ５・・・・ボンディングワイヤ ６，７，８・・・・リード端子 １１・・・・ゲート １１ａ・・・・断面縮小部 １２・・・・樹脂封止部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する位置に設けた２つの支持タイバ
ー、その支持タイバー間に設けた載置片、リード端子、
およびそのリード端子を支持するリード端子間タイバー
とを、一体に形成してなるリードフレームを用い、上記
載置片上に載置した半導体素子と上記リード端子とを接
続した状態で、上記一方の支持タイバー近傍に設けたゲ
ートから樹脂を注入して樹脂封止する半導体装置の製造
方法において、上記ゲートの先端部分に断面縮小部を形
成し、樹脂を注入して固化させた後、ゲート部分で固化
した樹脂をその断面縮小部で切断することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099343A JPH05299455A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4099343A JPH05299455A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299455A true JPH05299455A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14244974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4099343A Pending JPH05299455A (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299455A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002240108A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-08-28 | Asahi Optical Co Ltd | プラスチックレンズを有する成形終了品、及び成形終了品からのプラスチックレンズの破断分離方法 |
| US6664647B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-12-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| JP4811273B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-11-09 | 国産電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN107053602A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-08-18 | 苏州吉尔巨精密工业有限公司 | 一种标准化线束模具 |
| JP2020185721A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 富士電機株式会社 | 樹脂成型物および樹脂成型物の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP4099343A patent/JPH05299455A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664647B2 (en) | 2000-08-18 | 2003-12-16 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6800507B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-10-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2002240108A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-08-28 | Asahi Optical Co Ltd | プラスチックレンズを有する成形終了品、及び成形終了品からのプラスチックレンズの破断分離方法 |
| JP4811273B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-11-09 | 国産電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN107053602A (zh) * | 2017-05-10 | 2017-08-18 | 苏州吉尔巨精密工业有限公司 | 一种标准化线束模具 |
| JP2020185721A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 富士電機株式会社 | 樹脂成型物および樹脂成型物の製造方法 |
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