JPH08144047A - 窒化物膜被覆基体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 IVａ属元素及びVIａ属元素の中から選ばれた
元素物質の窒化物膜で被覆された基体であって、高硬度
で化学的安定性に優れ、しかも基体に対する密着性が良
好な窒化物膜で被覆された基体及びその製造方法を提供
する。 【構成】 窒化物膜Ｓｆは複数層からなり、複数層のう
ち最内層Ｓ１は、基体Ｓとの界面部分において基体Ｓと
の混合層Ｓ１１を形成していて基体密着層となってお
り、最外層Ｓｎは最内層Ｓ１よりも結晶化度が高い窒化
物膜被覆基体、及びその製造方法であって、基体Ｓ上へ
の物質蒸着とイオン照射とを併用して複数層からなる窒
化物膜Ｓｆを形成するようにし、イオン照射におけるイ
オン加速エネルギを０．０５ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以下
とし、この範囲内で、最内層Ｓ１形成時のイオン加速エ
ネルギを、最外層Ｓｎ形成時のイオン加速エネルギより
大きくする窒化物膜被覆基体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、工具、金型、磁気ヘッ
ド、磁気記録媒体或いは各種の摺動部品といった耐摩耗
性、潤滑性、耐食性等の１又２以上が要求される物品の
基体であって、これらの性能を向上させることができる
とともに該基体への密着性良好な窒化物膜で被覆された
基体及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】基体の耐摩耗性や耐食性等を向上させる
ために該基体上への形成が試みられてきた膜として、代
表的には、チタン、ジルコニウム、ハフニウムのような
IVａ属元素物質或いはクロムのようなVIａ属元素物質の
窒化物膜がある。これらは従来各種の物理的蒸着（ＰＶ
Ｄ）法により形成されている。例えば特開昭５８−２０
２２号公報によると、基体への金属物質の蒸着とイオン
照射とを併用することにより化学量論的組成比を有する
金属化合物膜が該基体上に形成されることが開示されて
おり、また、前記成膜方法において、照射イオンのイオ
ン加速エネルギが低いと蒸発物質とイオンとの化学結合
が生じ難いため、照射イオンによる蒸発物質のスパッタ
現象が生じるより大きな加速エネルギをイオンに与える
ことが提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、物質蒸
着とイオン照射とを併用する手法によりIVａ属元素物質
又はVIａ属元素物質の窒化物膜を基体上に形成する場合
には、照射イオンによる蒸発物質のスパッタ現象が生じ
るより大きな加速エネルギでイオン照射すると、形成さ
れる膜と基体との界面で該両者の構成原子からなる混合
層が形成され易く、その結果、該膜と基体との密着性は
良好なものとなるが、一方、膜の結晶化度が低下し、そ
の結果、形成される膜の硬度、化学的安定性が低下す
る。従って、物質蒸着とイオン照射を併用する手法によ
っては、高硬度で化学的安定性に優れ、しかも基体への
密着性良好な、IVａ属元素物質又はVIａ属元素物質の窒
化物膜は得られていないのが現状である。

【０００４】そこで本発明は、IVａ属元素及びVIａ属元
素の中から選ばれた元素物質の窒化物膜で被覆された基
体であって、高硬度で化学的安定性に優れ、しかも基体
に対する密着性が良好な窒化物膜で被覆された基体及び
その製造方法を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明者は研究を重ね、以下の事実を見出した。すな
わち、物質蒸着とイオン照射を併用する手法によりIVａ
属元素物質或いはVIａ属元素物質の窒化物膜を形成する
場合、IVａ属元素及びVIａ属元素は該元素自体が活性で
イオンとの化学結合を生じ易いため、イオン照射時の加
速エネルギを比較的低エネルギとしても、該元素の窒化
物膜を形成できる。しかも、イオン加速エネルギを数１
００ｅＶ程度の低エネルギとすると、形成される膜の結
晶化度が高くなるため該膜の硬度及び化学的安定性が向
上する。また、照射イオンにより膜欠損が生じて該膜の
保護膜としての機能が劣化するのを防ぐことができる。

【０００６】一方、イオン照射時のイオン加速エネルギ
を数ｋｅＶ程度の高エネルギにすると、形成される前記
窒化物膜と基体との界面に該両者の混合層が効率よく形
成されるため、該膜の基体に対する密着性が向上する。
従って、物質蒸着とイオン照射を併用する手法により、
IVａ属元素及びVIａ属元素の中から選ばれた元素物質の
窒化物層を基体上に複数積層させ、イオン照射時の加速
エネルギを、基体に接する最内層を形成するときには比
較的大きくし、基体から最も離れた最外層を形成すると
きには比較的小さくすることにより、該窒化物層からな
る膜は全体として高硬度で化学的安定性に優れ、しかも
基体に対する密着性が良好なものとなる。

【０００７】前記知見に基づき本発明は、IVａ属元素及
びVIａ属元素の中から選ばれた元素物質の窒化物膜で被
覆された基体であり、前記窒化物膜は複数層からなり、
該複数層のうち前記基体に最も近い最内層は、前記基体
との界面部分において該基体との混合層を形成していて
基体密着層となっており、前記基体から最も離れた最外
層は前記最内層よりも結晶化度が高いことを特徴とする
窒化物膜被覆基体を提供する。

【０００８】また前記知見に基づき本発明は、基体上へ
の物質蒸着とイオン照射を併用することにより、IVａ属
元素及びVIａ属元素の中から選ばれた元素物質の窒化物
膜で被覆された基体を製造する方法であって、該窒化物
膜を複数層から形成し、いずれの層を形成するときにも
イオン照射におけるイオン加速エネルギを０．０５ｋｅ
Ｖ以上２０ｋｅＶ以下とし、この範囲内で、前記基体に
最も近い最内層形成時のイオン加速エネルギを、前記基
体から最も離れた最外層形成時のイオン加速エネルギよ
り大きくすることを特徴とする窒化物膜被覆基体の製造
方法を提供する。

【０００９】本発明の基体及びその製造方法において、
IVａ属元素としてはチタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚ
ｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）を挙げることができ、VIａ
属元素としてはクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、
タングステン（Ｗ）を挙げることができ、これらのうち
１又は２以上の窒化物が前記窒化物膜に含まれる。該窒
化物膜に含まれる窒化物の組成比は種々のものが考えら
れる。

【００１０】本発明の基体において、前記最内層と前記
最外層の間に１以上の窒化物層を有する場合、代表的に
は、前記最内層から前記最外層に向けて窒化物の結晶化
度が順次高くなっていることが考えられる。本発明の基
体の製造方法において、基体上に蒸着される蒸着物質と
しては、IVａ属元素及びVIａ属元素の中から選ばれた元
素物質の単体、これらの合金、又はこれらの窒化物等を
挙げることができ、これらの１又は２以上が用いられ
る。

【００１１】また、基体上に照射されるイオン種として
は、前記の蒸着物質に作用して目的とする窒化物膜を形
成するものであればよく、例えば、窒素原子イオン、窒
素分子イオン、アンモニアイオン（ＮＨ₃ ⁺ ）等のよう
な窒素化合物イオンの中から１又は２以上が用いられ、
その他これらの窒素元素を含むイオン種にアルゴンイオ
ン（Ａｒ⁺ ）のような不活性ガスイオン、水素原子イオ
ン（Ｈ⁺ ）、水素分子イオン（Ｈ₂ ⁺ ）のうち１又は２
以上を混合したもの等が用いられる。

【００１２】そして、各層の形成において前記蒸着物質
を基体上に蒸着すると同時、交互又は該蒸着後に、前記
イオンを照射する。前記蒸着としては、前記蒸着物質の
電子ビーム、抵抗、レーザ、高周波等の手段による真空
蒸着や、前記蒸着物質のイオンビーム、マグネトロン、
高周波等の手段によるスパッタ蒸着が考えられる。

【００１３】本発明の基体の製造方法において、照射イ
オンの加速エネルギを０．０５ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以
下とするのは、０．０５ｋｅＶより小さいと、形成され
る窒化物層とその内側の窒化物層又は基体との界面での
混合層の形成が不十分になるため該両者の密着性が劣
り、ひいては窒化物膜全体の基体に対する密着性が劣る
からであり、また、２０ｋｅＶより大きいと、内側の窒
化物層又は基体に多大な熱的損傷が加わるため、膜中に
過大な欠陥が生成したり、基体の材質が限定されたりす
るからである。

【００１４】さらに本発明の基体の製造方法において、
前記最内層形成時のイオン加速エネルギを０．５ｋｅＶ
以上２０ｋｅＶ以下とし、前記最外層形成時のイオン加
速エネルギを０．０５ｋｅＶ以上２ｋｅＶ以下とするこ
とが望ましい。これは、前記最内層形成時のイオン加速
エネルギが０．５ｋｅＶより小さいと、該層と基体との
密着性が劣りがちであり、ひいては窒化物膜全体の基体
に対する密着性が劣りがちになるからである。また、前
記最外層形成時のイオン加速エネルギを０．０５ｋｅＶ
以上２ｋｅＶ以下とするのは、２ｋｅＶより大きいと、
膜中に欠陥が生成しがちになるからである。

【００１５】また、本発明の基体において、前記の窒化
物膜は、具体的１例として２層の窒化クロム層からなる
窒化クロム膜であることが考えられ、またこのとき本発
明の基体の製造方法において、前記最内層を形成すると
きのイオン加速エネルギを０．６ｋｅＶ以上２ｋｅＶ以
下とし、前記最外層を形成するときのイオン加速エネル
ギを０．０５ｋｅＶ以上０．６ｋｅＶ以下とすることが
考えられる。

【００１６】前記２層構造の窒化クロム膜を形成する場
合、前記内層を形成するときのイオン加速エネルギを
０．６ｋｅＶ以上２ｋｅＶ以下とするのは、０．６ｋｅ
Ｖより小さいと該層の基体に対する密着性が不十分にな
るからであり、２ｋｅＶより大きいと蒸発クロム原子が
照射イオンにより過剰にスパッタされるからである。ま
た、前記外層を形成するときのイオン加速エネルギを
０．０５ｋｅＶ以上０．６ｋｅＶ以下とするのは、０．
０５ｋｅＶより小さいと内層との密着性が劣るからであ
り、０．６ｋｅＶより大きいと該層の結晶化度が低下す
るからである。

【００１７】本発明の基体の製造方法において、使用す
るイオン源は、少なくとも０．０５ｋｅＶ〜２０ｋｅＶ
の範囲でイオン加速エネルギを制御できるイオン源があ
ればそれを使用することができるが、そのような広範囲
なイオン加速エネルギ制御を１台のイオン源で行うこと
が困難であるときは、例えば、加速エネルギを０．０５
ｋｅＶ〜２ｋｅＶ程度にしてイオン照射できるイオン源
と加速エネルギを２ｋｅＶ〜４０ｋｅＶ程度にしてイオ
ン照射できるイオン源との２台のイオン源を用いて、い
ずれかのイオン源から選択的にイオン照射することが考
えられる。

【００１８】なお、基体へのイオン入射角度は特に限定
されず、基体を回転させながら成膜を行ってもよい。イ
オン源の方式も特に限定は無く、例えばカウフマン型、
バケット型等のものが考えられる。さらに、熱的なダメ
ージを充分に避けなければならない基体については基体
を冷却させながら成膜を行うこともできる。

【００１９】前記基体の材質は特に限定されず、例えば
各種セラミック、金属、又は高分子から成る材質等が考
えられる。

【００２０】

【作用】本発明の窒化物膜被覆基体によると、該窒化物
膜を構成する複数層のうち最内層は前記基体との界面部
分において該基体との混合層を形成していて基体密着層
となっており、また最外層は前記最内層よりも結晶化度
が高く、その結果高硬度で化学的安定性に優れるため、
該窒化物膜は全体として高硬度で化学的安定性に優れ、
しかも基体との密着性に優れたものである。

【００２１】また本発明の基体の製造方法によると、最
内層形成時には比較的大きな加速エネルギでイオン照射
されるため、該層と基体との界面部分に該両者の構成原
子からなる混合層が形成され易く、該両者間の密着性は
良好なものとなる。また、最外層形成時には比較的小さ
な加速エネルギでイオン照射されるため、照射イオンに
よる蒸着物質の過剰なスパッタリングが抑制され、また
その内側の層に過剰な損傷を与えるのが抑制される。こ
れらにより該層に含まれる窒化物の結晶化度が高くなっ
て該層が緻密になり、該層は高硬度で化学的安定性に優
れたものとなる。その結果、窒化物膜被覆基体は全体と
して高硬度で化学的安定性に優れ、しかも基体への密着
性良好な窒化物膜で被覆されたものとなる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の窒化物膜被覆基体の１例の一部の
拡大断面図であり、図２は図１に示す基体の製造に用い
る成膜装置の概略構成を示したものである。図２に示す
装置は、真空容器１を有し、容器１内には被成膜基体Ｓ
を支持するホルダ２、並びにこれに対向する位置に、IV
ａ属元素又は（及び）VIａ属元素を含有する物質を蒸発
させる蒸発源３及び窒素元素を含むイオンを照射するイ
オン源４が設置されている。また基体ホルダ２付近に
は、例えば水晶振動子式膜厚モニタ等の膜厚モニタ５、
及び例えばファラデーカップ等のイオン電流測定器６が
配置されている。また容器１には排気装置７が付設され
て容器１内を所定の真空度にすることができる。

【００２３】前記装置によると、基体Ｓをホルダ２に支
持させた後、真空容器１内を所定の真空度にする。次い
で、基体Ｓに向けて蒸発源３からIVａ属元素又は（及
び）VIａ属元素を含有する物質３ａを真空蒸着（又はス
パッタ蒸着）させ、それと同時、交互、又は該蒸着後
に、イオン源４より窒素元素を含むイオン４ａを当該蒸
着面に照射して最内層の窒化物層を形成する。

【００２４】前記成膜操作を複数回繰り返す。但し各層
形成時の照射イオンのイオン加速エネルギは０．０５ｋ
ｅＶ以上２０ｋｅＶ以下とし、この範囲内で最内層形成
時のイオン加速エネルギを最外層形成時のイオン加速エ
ネルギより大きくする。各層の構成原子の組成比は、基
体Ｓ上に到達する蒸着原子の数及びイオン４ａの数の比
（輸送比）、イオン種及びイオン加速エネルギの条件を
適宜組み合わせることで制御する。基体Ｓ上に到達する
蒸着原子の数は膜厚モニタ５によりモニタして調整し、
基体Ｓ上に到達するイオン４ａの数は予めイオン電流測
定器６によりモニタして調整しておく。

【００２５】なお、ここでは１台のイオン源４を用いた
が、例えばイオン加速エネルギが０．０５ｋｅＶ〜２ｋ
ｅＶ及び２ｋｅＶ〜２０ｋｅＶの両範囲にわたるとき
は、加速エネルギを０．０５ｋｅＶ〜２ｋｅＶ程度にし
てイオン照射できるイオン源と加速エネルギを２ｋｅＶ
〜４０ｋｅＶ程度にしてイオン照射できるイオン源との
２台のイオン源を用い、いずれかのイオン源から選択的
にイオン照射することもできる。

【００２６】これにより図１に示すように基体Ｓ上に、
窒化物層Ｓ１・・・Ｓｎが積層し、最内層Ｓ１は基体Ｓ
との界面部分において基体Ｓとの混合層Ｓ１１を有し、
最外層Ｓｎは最内層Ｓ１より結晶化度が高い窒化物膜Ｓ
ｆが形成される。窒化物膜Ｓｆにおいては、最内層Ｓ１
が基体Ｓとの混合層Ｓ１１を有するため最内層Ｓ１は基
体Ｓとの密着性が良く、最外層Ｓｎは窒化物の結晶化度
が比較的高く、すなわち緻密であるため高硬度で化学的
安定性に優れ、その結果、窒化物膜Ｓｆは全体として高
硬度で化学的安定性（耐食性を含む）に優れ、しかも基
体Ｓとの密着性が良好なものである。

【００２７】次に図２に示す装置による本発明の基体の
製造の具体例と、それによって得られる窒化物膜被覆基
体について説明する。 実験例１ 図１に示す装置を用いて、高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）
よりなる基体Ｓを基体ホルダ２に設置し、真空容器１内
を５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした。その後、純
度９９．９９％（４Ｎ）のチタンペレット３ａを電子ビ
ーム蒸発源３を用いて蒸気化し、基体Ｓ上に成膜した。
それと同時にイオン源４に窒素ガスを真空容器１内が２
×１０^-5Ｔｏｒｒになるまで導入し、イオン化させ、該
窒素イオン４ａを５ｋｅＶの加速エネルギで基体Ｓに対
して垂直に照射した。なお、イオン源にはバケット型イ
オン源を用いた。

【００２８】以上の成膜操作により基体Ｓ上に層厚約５
００ｎｍの窒化チタンの最内層Ｓ１を形成し、それに伴
い基体Ｓとの界面部分に混合層Ｓ１１が形成された。次
いで、イオン４ａの加速エネルギを２ｋｅＶとし、その
他は前記最内層Ｓ１形成と同様の条件で層厚約５００ｎ
ｍの窒化タチンの最外層Ｓ２を形成した。 実験例２ 図１に示す装置を用いて、実験例１の最内層Ｓ１形成と
同様にして、但し蒸着物質３ａとして、純度９９．９９
％（４Ｎ）のジルコニウムペレットを用い、また窒素イ
オン４ａ照射時の加速エネルギを２ｋｅＶとして層厚５
００ｎｍの窒化ジルコニウムの最内層Ｓ１を形成した。

【００２９】次いで、イオン４ａの加速エネルギを０．
５ｋｅＶとし、その他は前記窒化ジルコニウムの最内層
Ｓ１形成と同様の条件で、層厚約５００ｎｍの窒化ジル
コニウムの最外層Ｓ２を形成した。 実験例３ 図１に示す装置を用いて、実験例１の最内層Ｓ１形成と
同様にして、但し蒸着物質３ａとして、純度９９．９９
％（４Ｎ）のクロムペレットを用い、また窒素イオン４
ａ照射時の加速エネルギを１ｋｅＶとして層厚５００ｎ
ｍの窒化クロムの最内層Ｓ１を形成した。

【００３０】次いで、イオン４ａの加速エネルギを０．
５ｋｅＶとし、その他は前記窒化クロムの最内層Ｓ１形
成と同様の条件で、層厚約５００ｎｍの窒化クロムの最
外層Ｓ２を形成した。 比較例１ 窒素イオン４ａ照射時の加速エネルギを２０ｋｅＶと
し、その他は実験例１の最内層Ｓ１形成と同様の条件で
膜厚１０００ｎｍの窒化チタン膜を形成した。 比較例２ 実験例２の最内層Ｓ１形成と同様にして層厚５００ｎｍ
の窒化ジルコニウムの最内層を形成した。

【００３１】次いで、イオン４ａの加速エネルギを１０
ｋｅＶとし、その他は前記窒化ジルコニウムの最内層形
成と同様の条件で層厚５００ｎｍの窒化ジルコニウムの
最外層を形成した。 比較例３ 窒素イオン４ａ照射時の加速エネルギを１０ｋｅＶと
し、その他は実験例３の最内層Ｓ１形成と同様の条件で
層厚５００ｎｍの窒化クロムの最内層を形成した。

【００３２】次いで、イオン４ａの加速エネルギを５ｋ
ｅＶとし、その他は前記窒化クロムの最内層形成と同様
の条件で層厚５００ｎｍの窒化クロムの最外層を形成し
た。なお、実験例１、２、３及び比較例１、２、３によ
る成膜においては各層の構成原子の組成比が化学量論的
組成比になるように蒸着原子とイオンの輸送比を調整し
た。

【００３３】次に、実験例１、２、３及び比較例１、
２、３による窒化物膜被覆基体について、硬度、化学的
安定性及び膜密着性を測定した実験について説明する。
硬度は１０ｇ荷重ビッカース硬度計で測定することで評
価した。また化学的安定性は、膜被覆基体を空気中で温
度７００℃まで加熱して膜が酸化するときの温度を示差
走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて測定することで評価し
た。また膜密着性は、膜表面をダイヤモンド圧子により
無荷重から連続的に荷重を増加させながらスクラッチ
し、膜内に裂け目（クラック）が生じたときの臨界荷重
（Ｌｃ）を測定することで評価した。

【００３４】結果を表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】比較例１による窒化チタン膜被覆基体は、
照射イオンの加速エネルギを比較的低くして形成される
最外層を有していないため、実験例１による窒化チタン
膜被覆基体に比べて硬度が低く、酸化され易かったもの
と考えられる。比較例２による窒化ジルコニウム膜被覆
基体は最内層形成時のイオン加速エネルギが最外層形成
時のイオン加速エネルギより小さいため、実験例２によ
る窒化ジルコニウム膜被覆基体に比べて硬度が低く、酸
化され易く、膜密着力も劣っていたと考えられる。比較
例３による窒化クロム膜は、最外層形成時のイオン加速
エネルギが最内層形成時のイオン加速エネルギより小さ
いものの、該加速エネルギは十分な結晶化度が得られる
ほど小さくないため、実験例３による窒化クロム膜より
も硬度が低く、酸化され易かったものと考えられる。

【００３７】これに対し、実験例１、２、３による窒化
物膜被覆基体は、硬度、化学的安定性及び膜密着性の全
ての点について優れていた。

【００３８】

【発明の効果】本発明によると、IVａ属元素及びVIａ属
元素の中から選ばれた元素物質の窒化物膜で被覆された
基体であって、高硬度で化学的安定性に優れ、しかも基
体に対する密着性が良好な窒化物膜で被覆された基体及
びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例である窒化物膜被覆基体の一
部の拡大断面図である。

【図２】図１に示す基体の製造に用いる成膜装置の概略
構成を示す図である。

【符号の説明】

１ 真空容器 ２ 基体ホルダ ３ 蒸発源 ３ａ 蒸着物質 ４ イオン源 ４ａ イオン ５ 膜厚モニタ ６ イオン電流測定器 ７ 排気装置 Ｓ 基体 Ｓ１ 最内層 Ｓ１１ 混合層 Ｓｎ 最外層 Ｓｆ 窒化物膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 5/255 7303−5Ｄ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 IVａ属元素及びVIａ属元素の中から選ば
   れた元素物質の窒化物膜で被覆された基体であり、前記
   窒化物膜は複数層からなり、該複数層のうち前記基体に
   最も近い最内層は、前記基体との界面部分において該基
   体との混合層を形成していて基体密着層となっており、
   前記基体から最も離れた最外層は前記最内層よりも結晶
   化度が高いことを特徴とする窒化物膜被覆基体。
2. 【請求項２】 前記の窒化物膜が２層の窒化クロム層か
   らなる窒化クロム膜である請求項１記載の窒化物膜被覆
   基体。
3. 【請求項３】 基体上への物質蒸着とイオン照射を併用
   することにより、IVａ属元素及びVIａ属元素の中から選
   ばれた元素物質の窒化物膜で被覆された基体を製造する
   方法であって、該窒化物膜を複数層から形成し、いずれ
   の層を形成するときにもイオン照射におけるイオン加速
   エネルギを０．０５ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以下とし、こ
   の範囲内で、前記基体に最も近い最内層形成時のイオン
   加速エネルギを、前記基体から最も離れた最外層形成時
   のイオン加速エネルギより大きくすることを特徴とする
   窒化物膜被覆基体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記最内層形成時のイオン加速エネルギ
   を０．５ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以下とし、前記最外層形
   成時のイオン加速エネルギを０．０５ｋｅＶ以上２ｋｅ
   Ｖ以下とする請求項３記載の窒化物膜被覆基体の製造方
   法。
5. 【請求項５】 前記の窒化物膜が２層の窒化クロム層か
   らなる窒化クロム膜であり、前記最内層形成時のイオン
   加速エネルギを０．６ｋｅＶ以上２ｋｅＶ以下とし、前
   記最外層形成時のイオン加速エネルギを０．０５ｋｅＶ
   以上０．６ｋｅＶ以下とする請求項３記載の窒化物膜被
   覆基体の製造方法。