JPH08113622A - ポリアゾメチンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子 - Google Patents
ポリアゾメチンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子Info
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- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 下記式で表される繰り返し単位を有するポリ
アゾメチンおよびその製造方法。 −（Ｘ−Ｎ＝ＣＨ−Ｙ−ＣＨ＝Ｎ）− （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示し、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有
する基を示す。） 前記電界発光層、ホール注入・輸送層および電子注入・
輸送層のうち少なくとも１つの層が、上記ポリアゾメチ
ンからなる薄膜電界発光素子。 【効果】 本発明のポリアゾメチンは、電子輸送性、発
光性またはホール輸送性に優れた薄膜を形成する薄膜電
界発光素子材料などとして用いられる。この薄膜電界発
光素子は、耐熱性および耐久性に優れている。
アゾメチンおよびその製造方法。 −（Ｘ−Ｎ＝ＣＨ−Ｙ−ＣＨ＝Ｎ）− （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
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する基を示す。） 前記電界発光層、ホール注入・輸送層および電子注入・
輸送層のうち少なくとも１つの層が、上記ポリアゾメチ
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光性またはホール輸送性に優れた薄膜を形成する薄膜電
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光素子は、耐熱性および耐久性に優れている。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、新規なポリアゾメチンお
よびその製造方法、ならびに該ポリアゾメチンからなる
層を有する薄膜電界発光素子に関し、さらに詳しくは、
薄膜電界発光材料などとして用いられるポリアゾメチン
およびその製造方法、ならびにフラットパネルディスプ
レイあるいはそのバックライトなどとして使用される薄
膜電界発光素子に関するものである。
よびその製造方法、ならびに該ポリアゾメチンからなる
層を有する薄膜電界発光素子に関し、さらに詳しくは、
薄膜電界発光材料などとして用いられるポリアゾメチン
およびその製造方法、ならびにフラットパネルディスプ
レイあるいはそのバックライトなどとして使用される薄
膜電界発光素子に関するものである。
【０００２】
【発明の技術的背景】有機薄膜電界発光素子は、完全固
体素子であるため耐衝撃性に優れ、かつ自己発光のため
視認性が高いという特徴を有しており、現在フラットパ
ネル型ディスプレイとして用いる研究が活発に行われて
いる。
体素子であるため耐衝撃性に優れ、かつ自己発光のため
視認性が高いという特徴を有しており、現在フラットパ
ネル型ディスプレイとして用いる研究が活発に行われて
いる。
【０００３】有機薄膜電界発光素子とは、特定の有機材
料に対して電極から電圧を印加することにより注入され
たホールと電子とが、その材料内で再結合して緩和する
ことにより材料固有の光（蛍光）を発光する素子であ
る。このような素子に用いられる有機材料としては、青
色に電界発光をするアントラセン単結晶が古くから知ら
れている。しかし、この単結晶は厚さが数十μｍ〜数ｍ
ｍと厚いため、発光させるためには、数百Ｖの駆動電圧
が必要であった。その後、薄膜化することにより駆動電
圧は低減化されたが、注入効率は未だ充分ではない。
料に対して電極から電圧を印加することにより注入され
たホールと電子とが、その材料内で再結合して緩和する
ことにより材料固有の光（蛍光）を発光する素子であ
る。このような素子に用いられる有機材料としては、青
色に電界発光をするアントラセン単結晶が古くから知ら
れている。しかし、この単結晶は厚さが数十μｍ〜数ｍ
ｍと厚いため、発光させるためには、数百Ｖの駆動電圧
が必要であった。その後、薄膜化することにより駆動電
圧は低減化されたが、注入効率は未だ充分ではない。
【０００４】また、有機材料を用いた積層型電界発光素
子も報告されており、この積層型電界発光素子は、ＩＴ
Ｏ上にホール注入層、発光層、Ｍｇ：Ａｇの電子注入電
極をこの順に蒸着積層したものであり、数十Ｖの印加電
圧で発光が観測されている。しかし、蒸着した材料が結
晶化して素子が発光しなくなったり、あるいは発光に伴
う発熱によって電極と有機材料からなる層との間が剥離
することもあった。
子も報告されており、この積層型電界発光素子は、ＩＴ
Ｏ上にホール注入層、発光層、Ｍｇ：Ａｇの電子注入電
極をこの順に蒸着積層したものであり、数十Ｖの印加電
圧で発光が観測されている。しかし、蒸着した材料が結
晶化して素子が発光しなくなったり、あるいは発光に伴
う発熱によって電極と有機材料からなる層との間が剥離
することもあった。
【０００５】このような問題を解決する手段として、有
機材料を高分子化する試みがあり、電荷輸送性高分子材
料に低分子化合物を添加したり、あるいはπ共役系高分
子材料を用いた電界発光素子が報告されている。たとえ
ばホール輸送材料として知られているポリ（メチルフェ
ニルシラン）に発光性色素を微量ドープしてスピンコー
ト薄膜とし、これに電子輸送材料を真空蒸着して作製し
た２層積層型電界発光素子や、ホール輸送材料であるポ
リ（N-ビニルカルバゾール）に発光性色素と電子輸送性
化合物を添加してスピンコートして作製した単層型電界
発光素子などが提案されている。一方、π共役系高分子
材料であるポリ（フェニレンビニレン）およびその共重
合体や部分変換体、ポリ（p-フェニレン）、ポリ（アル
キルチオフェン）、ポリ（フルオレノン）を用いた高分
子電界発光素子も報告されている。これらの高分子材料
を用いることにより電界発光素子の耐久性上問題となっ
ている発熱による薄膜の結晶化を大幅に改良できるもの
と期待されている。
機材料を高分子化する試みがあり、電荷輸送性高分子材
料に低分子化合物を添加したり、あるいはπ共役系高分
子材料を用いた電界発光素子が報告されている。たとえ
ばホール輸送材料として知られているポリ（メチルフェ
ニルシラン）に発光性色素を微量ドープしてスピンコー
ト薄膜とし、これに電子輸送材料を真空蒸着して作製し
た２層積層型電界発光素子や、ホール輸送材料であるポ
リ（N-ビニルカルバゾール）に発光性色素と電子輸送性
化合物を添加してスピンコートして作製した単層型電界
発光素子などが提案されている。一方、π共役系高分子
材料であるポリ（フェニレンビニレン）およびその共重
合体や部分変換体、ポリ（p-フェニレン）、ポリ（アル
キルチオフェン）、ポリ（フルオレノン）を用いた高分
子電界発光素子も報告されている。これらの高分子材料
を用いることにより電界発光素子の耐久性上問題となっ
ている発熱による薄膜の結晶化を大幅に改良できるもの
と期待されている。
【０００６】しかしながら、高分子薄膜の作製プロセス
として溶液から薄膜を形成するウエットプロセスを採用
すると、各種不純物を素子中に混入させたり表面が汚染
されることがある。
として溶液から薄膜を形成するウエットプロセスを採用
すると、各種不純物を素子中に混入させたり表面が汚染
されることがある。
【０００７】また、一旦形成された有機薄膜の上にさら
に有機層を塗布形成する際には、上層を塗布形成する際
に使用する溶剤は、下層が溶解あるいは溶出しないもの
を選択しなければならないし、高分子材料や含有させる
低分子材料の選択の適用範囲が制限されてくる。
に有機層を塗布形成する際には、上層を塗布形成する際
に使用する溶剤は、下層が溶解あるいは溶出しないもの
を選択しなければならないし、高分子材料や含有させる
低分子材料の選択の適用範囲が制限されてくる。
【０００８】そこで、ドライプロセスによる電界発光素
子の作製法である蒸着重合法が提案されている。特開平
５−２７１６５１号公報には、蒸着重合法による電界発
光素子の作製方法が開示されている。しかしながら電界
発光機能を示すための電荷輸送を担う分子であるテトラ
シアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）やテトラチオフルバレ
ン（ＴＴＦ）などは、その平面性が高いため、結晶化を
起こしやすい傾向にある。また、側鎖に電荷輸送基を有
するポリ（N-ビニルカルバゾール）では、それら分子の
平面性が高いために分子間相互作用を起こして二量体化
し、そのダイマー部分が電荷（ホール）輸送のトラップ
となることが報告されており、側鎖に電荷輸送基を有す
る高分子薄膜では電荷輸送に不利な面が存在する。
子の作製法である蒸着重合法が提案されている。特開平
５−２７１６５１号公報には、蒸着重合法による電界発
光素子の作製方法が開示されている。しかしながら電界
発光機能を示すための電荷輸送を担う分子であるテトラ
シアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）やテトラチオフルバレ
ン（ＴＴＦ）などは、その平面性が高いため、結晶化を
起こしやすい傾向にある。また、側鎖に電荷輸送基を有
するポリ（N-ビニルカルバゾール）では、それら分子の
平面性が高いために分子間相互作用を起こして二量体化
し、そのダイマー部分が電荷（ホール）輸送のトラップ
となることが報告されており、側鎖に電荷輸送基を有す
る高分子薄膜では電荷輸送に不利な面が存在する。
【０００９】したがって、電荷輸送を担う分子に要求さ
れる条件として、平面性が崩れている、電荷輸送を
担う基が高分子の主鎖中に存在する、などが考えられ
る。これらの条件を満たすことにより高性能な有機薄膜
電界発光素子が可能になると期待される。
れる条件として、平面性が崩れている、電荷輸送を
担う基が高分子の主鎖中に存在する、などが考えられ
る。これらの条件を満たすことにより高性能な有機薄膜
電界発光素子が可能になると期待される。
【００１０】
【発明の目的】本発明は、上記のような現状に鑑みてな
されたものであって、薄膜電界発光材料として好適に用
いられるポリアゾメチンおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするとともに、耐熱性および耐久性に優れ
た薄膜電界発光素子を提供することを目的としている。
されたものであって、薄膜電界発光材料として好適に用
いられるポリアゾメチンおよびその製造方法を提供する
ことを目的とするとともに、耐熱性および耐久性に優れ
た薄膜電界発光素子を提供することを目的としている。
【００１１】
【発明の概要】本発明に係るポリアゾメチンは、下記式
［Ｉ］で表される繰り返し単位を有することを特徴とし
ている。
［Ｉ］で表される繰り返し単位を有することを特徴とし
ている。
【００１２】
【化３】
【００１３】（式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテ
ロ環化合物から誘導される基を示し、Ｙは芳香族三級ア
ミン骨格を有する基を示す。） 前記式［Ｉ］においてＸが芳香族炭化水素基または炭素
原子数４以上の窒素含有芳香族ヘテロ環化合物から誘導
される基であるポリアゾメチンは、特に薄膜電界素子材
料として有用である。
ロ環化合物から誘導される基を示し、Ｙは芳香族三級ア
ミン骨格を有する基を示す。） 前記式［Ｉ］においてＸが芳香族炭化水素基または炭素
原子数４以上の窒素含有芳香族ヘテロ環化合物から誘導
される基であるポリアゾメチンは、特に薄膜電界素子材
料として有用である。
【００１４】本発明に係るポリアゾメチンの製造方法
は、下記式［II］で表されるジアミノ化合物と、下記式
［III］で表されるジアルデヒド化合物とを反応させる
て前記式［Ｉ］で表される繰り返し単位を有するポリア
ゾメチンを得ることを特徴としている。
は、下記式［II］で表されるジアミノ化合物と、下記式
［III］で表されるジアルデヒド化合物とを反応させる
て前記式［Ｉ］で表される繰り返し単位を有するポリア
ゾメチンを得ることを特徴としている。
【００１５】 Ｘ−（ＮＨ2 ）2 … ［II］ （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示す。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有する基を示
す。） 本発明に係る薄膜電界発光素子は、少なくとも一方が透
明である一対の電極間に電界発光層を有し、かつ必要に
応じて前記電極の一方と前記電界発光層との間にホール
注入・輸送層または電子注入・輸送層を有するか、また
は前記電極の一方と前記電界発光層との間にホール注入
・輸送層を有するとともに、前記電極の他方と前記電界
発光層との間に電子注入・輸送層を有する薄膜電界発光
素子において、前記電界発光層、ホール注入・輸送層お
よび電子注入・輸送層のうち少なくとも一つの層が、上
記ポリアゾメチンからなることを特徴としている。
ら誘導される基を示す。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有する基を示
す。） 本発明に係る薄膜電界発光素子は、少なくとも一方が透
明である一対の電極間に電界発光層を有し、かつ必要に
応じて前記電極の一方と前記電界発光層との間にホール
注入・輸送層または電子注入・輸送層を有するか、また
は前記電極の一方と前記電界発光層との間にホール注入
・輸送層を有するとともに、前記電極の他方と前記電界
発光層との間に電子注入・輸送層を有する薄膜電界発光
素子において、前記電界発光層、ホール注入・輸送層お
よび電子注入・輸送層のうち少なくとも一つの層が、上
記ポリアゾメチンからなることを特徴としている。
【００１６】本発明では、前記電界発光層が、前記式
［II］で表されるジアミノ化合物と、前記式［III］で
表されるジアルデヒド化合物とを蒸着重合して得られる
層であることが好ましい。
［II］で表されるジアミノ化合物と、前記式［III］で
表されるジアルデヒド化合物とを蒸着重合して得られる
層であることが好ましい。
【００１７】本発明では、前記ポリアゾメチンからなる
層が、前記式［II］で表されるジアミノ化合物と、前記
式［III］で表されるジアルデヒド化合物とを蒸着重合
して得られる層であることが好ましい。
層が、前記式［II］で表されるジアミノ化合物と、前記
式［III］で表されるジアルデヒド化合物とを蒸着重合
して得られる層であることが好ましい。
【００１８】
【発明の具体的説明】以下、本発明に係るポリアゾメチ
ンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子につ
いて具体的に説明する。
ンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子につ
いて具体的に説明する。
【００１９】本発明のポリアゾメチンは、下記式［Ｉ］
で表される繰り返し単位を有する高分子化合物である。
で表される繰り返し単位を有する高分子化合物である。
【００２０】
【化４】
【００２１】式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ
環化合物から誘導される基を示し、具体的には、下記の
ような基が挙げられる。
環化合物から誘導される基を示し、具体的には、下記の
ような基が挙げられる。
【００２２】
【化５】
【００２３】
【化６】
【００２４】
【化７】
【００２５】
【化８】
【００２６】
【化９】
【００２７】
【化１０】
【００２８】
【化１１】
【００２９】なお、上記式中Ｒ1 〜Ｒ6 は、それぞれ独
立して水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どの炭素原子数１〜１０のアルキル基、ベンジル、フェ
ネチルなどの炭素原子数７〜１０アラルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素原子数
１〜１０のアルキルオキシ基を示す。
立して水素原子、メチル、エチル、プロピル、ブチルな
どの炭素原子数１〜１０のアルキル基、ベンジル、フェ
ネチルなどの炭素原子数７〜１０アラルキル基、メトキ
シ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素原子数
１〜１０のアルキルオキシ基を示す。
【００３０】上記したＸで示される基の中では、芳香族
炭化水素基または炭素原子数４以上の芳香族ヘテロ環化
合物から誘導される基が好ましく、炭素原子数４以上の
窒素含有芳香族ヘテロ環化合物から誘導される基がより
好ましい。
炭化水素基または炭素原子数４以上の芳香族ヘテロ環化
合物から誘導される基が好ましく、炭素原子数４以上の
窒素含有芳香族ヘテロ環化合物から誘導される基がより
好ましい。
【００３１】窒素原子の電気陰性度は炭素原子の電気陰
性度より大きいので、電子輸送に必要な電子受容性を向
上させることができる。したがって式［Ｉ］におけるＸ
として窒素含有ヘテロ環化合物から誘導される基を用い
ることにより、電子注入・輸送性を付与することができ
る。
性度より大きいので、電子輸送に必要な電子受容性を向
上させることができる。したがって式［Ｉ］におけるＸ
として窒素含有ヘテロ環化合物から誘導される基を用い
ることにより、電子注入・輸送性を付与することができ
る。
【００３２】Ｙは、電子写真感光体などで知られている
各種化合物の誘導体残基、たとえば特開昭６３−２９５
６９５号公報に開示されているような芳香族三級アミン
あるいはポルフィリン化合物、特開昭５３−２７０３３
号公報、特開昭５４−５８４４５号公報、特開昭５４−
１４９６３４号公報、特開昭５４−６４２９９号公報、
特開昭５５−１４４２５０号公報、特開昭５６−１１９
１３２号公報、特開昭６１−２９５５５８号公報、特開
昭６１−９８３０３号公報などに開示されている化合物
から誘導される基が挙げられる。このような基は、ホー
ル注入・輸送性を付与する。
各種化合物の誘導体残基、たとえば特開昭６３−２９５
６９５号公報に開示されているような芳香族三級アミン
あるいはポルフィリン化合物、特開昭５３−２７０３３
号公報、特開昭５４−５８４４５号公報、特開昭５４−
１４９６３４号公報、特開昭５４−６４２９９号公報、
特開昭５５−１４４２５０号公報、特開昭５６−１１９
１３２号公報、特開昭６１−２９５５５８号公報、特開
昭６１−９８３０３号公報などに開示されている化合物
から誘導される基が挙げられる。このような基は、ホー
ル注入・輸送性を付与する。
【００３３】本発明ではＹは、芳香族三級アミン骨格を
有する基であることが好ましく、具体的には、下記のよ
うな基が挙げられる。
有する基であることが好ましく、具体的には、下記のよ
うな基が挙げられる。
【００３４】
【化１２】
【００３５】
【化１３】
【００３６】
【化１４】
【００３７】
【化１５】
【００３８】上記ような芳香族三級アミン骨格を有する
基は、窒素原子の不対電子により平面性が崩れた構造
（ピラミッド型）を有する。このような平面性が崩れた
構造を有する分子は、分子間相互作用を起こしにくいた
め電荷輸送のトラップとなることがなく電荷輸送には好
都合である。
基は、窒素原子の不対電子により平面性が崩れた構造
（ピラミッド型）を有する。このような平面性が崩れた
構造を有する分子は、分子間相互作用を起こしにくいた
め電荷輸送のトラップとなることがなく電荷輸送には好
都合である。
【００３９】本発明に係るポリアゾメチンはその重合度
が、２以上、好ましくは５以上、より好ましくは１０以
上である。前記式［Ｉ］で表されるアゾメチン繰り返し
単位を有するポリマーは、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルスルホオキサイド（ＤＭＳＯ）などの極
性溶媒に溶解する場合は、粘度法によりその重合度を求
めることができる。
が、２以上、好ましくは５以上、より好ましくは１０以
上である。前記式［Ｉ］で表されるアゾメチン繰り返し
単位を有するポリマーは、ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）、ジメチルスルホオキサイド（ＤＭＳＯ）などの極
性溶媒に溶解する場合は、粘度法によりその重合度を求
めることができる。
【００４０】本発明に係るポリアゾメチンは、たとえば
薄膜電界発光素子材料として用いることができる。この
場合ポリアゾメチンは、Ｘ，Ｙで示される基を適宜選択
することにより、電界発光層、電子注入・輸送層または
ホール注入・輸送層とすることができる。
薄膜電界発光素子材料として用いることができる。この
場合ポリアゾメチンは、Ｘ，Ｙで示される基を適宜選択
することにより、電界発光層、電子注入・輸送層または
ホール注入・輸送層とすることができる。
【００４１】本発明のポリアゾメチンは、電界発光機
能、電荷注入・輸送機能を有する基が主鎖に組み込まれ
ており、結晶化しにくく、耐熱性および耐久性に優れて
いる。本発明のポリアゾメチンは、下記式［II］で表さ
れるジアミノ化合物と、下記式［III］で表されるジア
ルデヒド化合物とを反応させることにより製造すること
ができる。
能、電荷注入・輸送機能を有する基が主鎖に組み込まれ
ており、結晶化しにくく、耐熱性および耐久性に優れて
いる。本発明のポリアゾメチンは、下記式［II］で表さ
れるジアミノ化合物と、下記式［III］で表されるジア
ルデヒド化合物とを反応させることにより製造すること
ができる。
【００４２】 Ｘ−（ＮＨ2 ）2 … ［II］ （式中、Ｘは前記式［Ｉ］におけるＸと同様である。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは前記式［Ｉ］におけるＹと同様である。） 本発明のポリアゾメチンを薄膜電界発光素子材料として
使用する場合は、上記式［II］で表されるジアミノ化合
物と、上記式［III］で表されるジアルデヒド化合物と
を蒸着重合させ、基板上にポリアゾメチンを薄膜として
形成する。蒸着重合によるポリアゾメチン薄膜の製膜法
は、公知の各種方法により行うことができる。
使用する場合は、上記式［II］で表されるジアミノ化合
物と、上記式［III］で表されるジアルデヒド化合物と
を蒸着重合させ、基板上にポリアゾメチンを薄膜として
形成する。蒸着重合によるポリアゾメチン薄膜の製膜法
は、公知の各種方法により行うことができる。
【００４３】より具体的には、後述するように上記式
［II］で表されるジアミノ化合物と、上記式［III］で
表されるジアルデヒド化合物をそれぞれ蒸着源とし、真
空槽内で２元蒸着を行い、基板上でモノマーを反応させ
ることによりポリアゾメチン薄膜を得る。
［II］で表されるジアミノ化合物と、上記式［III］で
表されるジアルデヒド化合物をそれぞれ蒸着源とし、真
空槽内で２元蒸着を行い、基板上でモノマーを反応させ
ることによりポリアゾメチン薄膜を得る。
【００４４】このような方法によると、不純物の混入が
少なく、ピンホールもなく、耐久性に優れた薄膜を形成
することができる。次に、本発明に係る薄膜電界発光素
子について説明する。
少なく、ピンホールもなく、耐久性に優れた薄膜を形成
することができる。次に、本発明に係る薄膜電界発光素
子について説明する。
【００４５】図１〜４は、本発明に係る薄膜電界発光素
子の構成を模式的に示す断面図であり、図中１は負極を
示し、２は正極を示し、３は電界発光層を示し、４は電
子注入・輸送層を示し、５はホール注入・輸送層を示
す。図５は、本発明に係る薄膜電界発光素子の製造に用
いられる真空蒸着装置の一例を示す概略図である。
子の構成を模式的に示す断面図であり、図中１は負極を
示し、２は正極を示し、３は電界発光層を示し、４は電
子注入・輸送層を示し、５はホール注入・輸送層を示
す。図５は、本発明に係る薄膜電界発光素子の製造に用
いられる真空蒸着装置の一例を示す概略図である。
【００４６】本発明に係る薄膜電界発光素子１０は、た
とえば図１に示すように一対の電極（負極１および正極
２）間に電界発光層３を有する積層体である。負極１と
しては、電界発光層３への電子の注入効率が高く、しか
も電界発光層３に電子を繰り返し注入できる電極、たと
えばＭｇ、Ｉｎ、Ｃａ、Ａｌおよびこれらの合金などの
公知の電極が使用できる。
とえば図１に示すように一対の電極（負極１および正極
２）間に電界発光層３を有する積層体である。負極１と
しては、電界発光層３への電子の注入効率が高く、しか
も電界発光層３に電子を繰り返し注入できる電極、たと
えばＭｇ、Ｉｎ、Ｃａ、Ａｌおよびこれらの合金などの
公知の電極が使用できる。
【００４７】正極２としては、電界発光層３へのホール
（正孔）の注入効率が高く、しかも電界発光層３にホー
ルを繰り返し注入できる電極、たとえばインジウムスズ
オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、Ａｕ、
Ｐｔ、Ａｇなどの公知の電極単体およびＩＴＯあるいは
ＮＥＳＡなどの透明電極上にＡｕ、Ｐｔ、Ａｇなどを半
透明に積層した電極などが使用できる。
（正孔）の注入効率が高く、しかも電界発光層３にホー
ルを繰り返し注入できる電極、たとえばインジウムスズ
オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＮＥＳＡ）、Ａｕ、
Ｐｔ、Ａｇなどの公知の電極単体およびＩＴＯあるいは
ＮＥＳＡなどの透明電極上にＡｕ、Ｐｔ、Ａｇなどを半
透明に積層した電極などが使用できる。
【００４８】前記負極１および正極２のいずれか一方は
透明であり、この透明電極を通して電界発光層３からの
光が照射できるようになっている。また、負極１および
正極２のいずれか一方は、通常ガラスやポリマーフィル
ムなどの透明基板上に形成されている。たとえば、正極
２として、ガラスやポリマーフィルム上に薄膜状に形成
されたＩＴＯ電極が用いられる。
透明であり、この透明電極を通して電界発光層３からの
光が照射できるようになっている。また、負極１および
正極２のいずれか一方は、通常ガラスやポリマーフィル
ムなどの透明基板上に形成されている。たとえば、正極
２として、ガラスやポリマーフィルム上に薄膜状に形成
されたＩＴＯ電極が用いられる。
【００４９】電界発光層３は、下記式［Ｉ］で表される
繰り返し単位を有するポリアゾメチンから形成されてい
る。
繰り返し単位を有するポリアゾメチンから形成されてい
る。
【００５０】
【化１６】
【００５１】（式中、ＸおよびＹは前記と同様であ
る。） ＸおよびＹは、負極１、正極２を形成する材料の種類、
および電界発光層３から発光される光の波長などに応じ
て適宜選択される。
る。） ＸおよびＹは、負極１、正極２を形成する材料の種類、
および電界発光層３から発光される光の波長などに応じ
て適宜選択される。
【００５２】本発明に係る薄膜電界発光素子１０は、図
２に示すように負極１と電界発光層３との間に電子注入
・輸送層４を有していてもよく、図３に示すように正極
２と電界発光層３との間にホール注入・輸送層５を有し
ていてもよく、また図４に示すように負極１と電界発光
層３との間に電子注入・輸送層４を有し、かつ正極２と
電界発光層３との間にホール注入・輸送層５を有してい
てもよい。
２に示すように負極１と電界発光層３との間に電子注入
・輸送層４を有していてもよく、図３に示すように正極
２と電界発光層３との間にホール注入・輸送層５を有し
ていてもよく、また図４に示すように負極１と電界発光
層３との間に電子注入・輸送層４を有し、かつ正極２と
電界発光層３との間にホール注入・輸送層５を有してい
てもよい。
【００５３】ここで電子注入・輸送層４は、負極１から
電界発光層３に注入される電子の注入効率を高める役割
を果たし、ホール注入・輸送層５は、正極２から電界発
光層３に注入されるホールの注入効率を高める役割を果
たす。
電界発光層３に注入される電子の注入効率を高める役割
を果たし、ホール注入・輸送層５は、正極２から電界発
光層３に注入されるホールの注入効率を高める役割を果
たす。
【００５４】薄膜電界発光素子１０が、電子注入・輸送
層４および／またはホール注入・輸送層５を有する場
合、電界発光層３、電子注入・輸送層４および／または
ホール注入・輸送層５のいずれか一つの層が前記式
［Ｉ］で表される繰り返し単位を有するポリアゾメチン
から形成されている。前記ポリアゾメチンから形成され
る層以外の層は公知の材料で形成されている。
層４および／またはホール注入・輸送層５を有する場
合、電界発光層３、電子注入・輸送層４および／または
ホール注入・輸送層５のいずれか一つの層が前記式
［Ｉ］で表される繰り返し単位を有するポリアゾメチン
から形成されている。前記ポリアゾメチンから形成され
る層以外の層は公知の材料で形成されている。
【００５５】本発明では、薄膜電界発光素子１０が、電
子注入・輸送層４および／またはホール注入・輸送層５
を有する場合、電界発光層３、電子注入・輸送層４、ホ
ール注入・輸送層５のすべてが前記ポリアゾメチンから
形成されていることが望ましい。この場合、電界発光層
３は電界発光性に優れたポリアゾメチンで形成され、電
子注入・輸送層４は電子注入・輸送性に優れたポリアゾ
メチンで形成され、ホール注入・輸送層５はホール注入
・輸送性に優れたポリアゾメチンで形成される。なお、
電界発光層３を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸおよびＹのうち少なくとも一方は、ホール注
入・輸送層５を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸまたはＹとは異なっており、電界発光層３を
形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよ
びＹのうち少なくとも一方は、電子注入・輸送層４を形
成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸまたは
Ｙとは異なっており、電子注入・輸送層４を形成するポ
リアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹのうち
少なくとも一方は、ホール注入・輸送層５を形成するポ
リアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸまたはＹとは異
なっている。
子注入・輸送層４および／またはホール注入・輸送層５
を有する場合、電界発光層３、電子注入・輸送層４、ホ
ール注入・輸送層５のすべてが前記ポリアゾメチンから
形成されていることが望ましい。この場合、電界発光層
３は電界発光性に優れたポリアゾメチンで形成され、電
子注入・輸送層４は電子注入・輸送性に優れたポリアゾ
メチンで形成され、ホール注入・輸送層５はホール注入
・輸送性に優れたポリアゾメチンで形成される。なお、
電界発光層３を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸおよびＹのうち少なくとも一方は、ホール注
入・輸送層５を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸまたはＹとは異なっており、電界発光層３を
形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよ
びＹのうち少なくとも一方は、電子注入・輸送層４を形
成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸまたは
Ｙとは異なっており、電子注入・輸送層４を形成するポ
リアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹのうち
少なくとも一方は、ホール注入・輸送層５を形成するポ
リアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸまたはＹとは異
なっている。
【００５６】電界発光層３を形成するポリアゾメチンの
前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹは、電界発光層３から
発光される光の波長などに応じて適宜選択され、電子注
入・輸送層４を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸおよびＹは、負極１を形成する材料の種類な
どに応じて適宜選択され、ホール注入・輸送層５を形成
するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹ
は、正極２を形成する材料の種類などに応じて適宜選択
される。
前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹは、電界発光層３から
発光される光の波長などに応じて適宜選択され、電子注
入・輸送層４を形成するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］
におけるＸおよびＹは、負極１を形成する材料の種類な
どに応じて適宜選択され、ホール注入・輸送層５を形成
するポリアゾメチンの前記式［Ｉ］におけるＸおよびＹ
は、正極２を形成する材料の種類などに応じて適宜選択
される。
【００５７】電界発光層３、電子注入・輸送層４および
ホール注入・輸送層５は、たとえば蒸着重合法により形
成することができる。このような薄膜電界発光素子１０
を形成する電界発光層３の厚さは、通常１００〜２００
０Å、好ましくは２００〜１２００Åであり、電子注入
・輸送層４の厚さは、通常５０〜２０００Å、好ましく
は５０〜５００Åであり、ホール注入・輸送層５の厚さ
は、通常５０〜２０００Å、好ましくは５０〜５００Å
である。
ホール注入・輸送層５は、たとえば蒸着重合法により形
成することができる。このような薄膜電界発光素子１０
を形成する電界発光層３の厚さは、通常１００〜２００
０Å、好ましくは２００〜１２００Åであり、電子注入
・輸送層４の厚さは、通常５０〜２０００Å、好ましく
は５０〜５００Åであり、ホール注入・輸送層５の厚さ
は、通常５０〜２０００Å、好ましくは５０〜５００Å
である。
【００５８】本発明では、薄膜電界発光素子１０の負極
１または正極２上に酸化防止膜などの保護膜を有してい
てもよい。このような保護膜の存在によって電極の安定
性が増し、素子としての実用性・耐久性が向上する。保
護膜は、スピンコート法あるいは蒸着法などの方法によ
り形成することができる。このような保護膜としては、
たとえば金属、金属酸化物、金属フッ化物などの封止剤
を用いることができる。
１または正極２上に酸化防止膜などの保護膜を有してい
てもよい。このような保護膜の存在によって電極の安定
性が増し、素子としての実用性・耐久性が向上する。保
護膜は、スピンコート法あるいは蒸着法などの方法によ
り形成することができる。このような保護膜としては、
たとえば金属、金属酸化物、金属フッ化物などの封止剤
を用いることができる。
【００５９】本発明の薄膜電界発光素子は、電界発光
層、電子注入・輸送層およびホール注入・輸送層のうち
少なくとも一つの層が前記式［Ｉ］で表される繰り返し
単位を有するポリアゾメチンから形成されているので結
晶化による劣化や、電極などからの剥離を起こしにく
い。また、ドライプロセスにより形成されたポリアゾメ
チンからなる層は、不純物の混入が少なく、ピンホール
がない。
層、電子注入・輸送層およびホール注入・輸送層のうち
少なくとも一つの層が前記式［Ｉ］で表される繰り返し
単位を有するポリアゾメチンから形成されているので結
晶化による劣化や、電極などからの剥離を起こしにく
い。また、ドライプロセスにより形成されたポリアゾメ
チンからなる層は、不純物の混入が少なく、ピンホール
がない。
【００６０】このような本発明の薄膜電界発光素子１０
は、負極１および正極２から電圧を印加することによっ
て発光させることができる。印加する電圧はＤＣ電圧の
みならず、パルス印加や三角波などの駆動波形によって
発光させることも可能である。特にパルスを用いた場合
には、ＤＣ電圧に比べて消費電力が格段に少なくなるだ
けでなく、素子の寿命の向上にもつながる。このように
特定の電圧の波形で駆動することにより、薄膜電界発光
素子を表示素子として利用することもできる。
は、負極１および正極２から電圧を印加することによっ
て発光させることができる。印加する電圧はＤＣ電圧の
みならず、パルス印加や三角波などの駆動波形によって
発光させることも可能である。特にパルスを用いた場合
には、ＤＣ電圧に比べて消費電力が格段に少なくなるだ
けでなく、素子の寿命の向上にもつながる。このように
特定の電圧の波形で駆動することにより、薄膜電界発光
素子を表示素子として利用することもできる。
【００６１】また、本発明の薄膜電界発光素子は、電子
注入電極およびホール注入電極としてマトリックス電極
あるいは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）電極等のパターン
を施して駆動し、液晶と一体化させたバックライトや表
示素子として利用することも可能である。
注入電極およびホール注入電極としてマトリックス電極
あるいは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）電極等のパターン
を施して駆動し、液晶と一体化させたバックライトや表
示素子として利用することも可能である。
【００６２】このような薄膜電界発光素子は、通常、下
記（ｉ）〜（vi）の工程を経て製造される。 （ｉ）基板上に第１の電極を形成する工程 （ii）第１の電極上に所望により第１の電荷注入・輸送
層を形成する工程 （iii）第１の電極上、または前記工程（ii）で第１の
電荷注入・輸送層を形成した場合は第１の電荷注入・輸
送層上に電界発光層（３）を形成する工程 （iv）電界発光層（３）上に所望により第１の電荷注入
・輸送層とは反対符号の電荷を注入・輸送する能力を有
する第２の電荷注入・輸送層を形成する工程〔たとえ
ば、第１の電荷注入・輸送層が電子注入・輸送層（４）
である場合、第２の電荷注入・輸送層はホール注入・輸
送層（５）である） （ｖ）電界発光層（３）上、または前記工程（iv）で第
２の電荷注入・輸送層を形成した場合は第２の電荷注入
・輸送層上に対向電極を形成する工程〔たとえば、工程
（ｉ）で形成された電極が負極（１）である場合、対向
電極は正極（２）である〕 （vi）所望により対向電極上に電界発光素子の封止層を
形成する工程 本発明では、薄膜電界発光素子を製造する際には、基板
上に電極を成形する工程から対向電極を形成する工程ま
での全工程〔前記工程（ｉ）から工程（ｖ）〕を同一チ
ャンバー内で連続的に行い、かつ対向電極を形成する工
程に到るまでの間、チャンバー内に外気を流入させるこ
となく次工程を行うことが好ましい。
記（ｉ）〜（vi）の工程を経て製造される。 （ｉ）基板上に第１の電極を形成する工程 （ii）第１の電極上に所望により第１の電荷注入・輸送
層を形成する工程 （iii）第１の電極上、または前記工程（ii）で第１の
電荷注入・輸送層を形成した場合は第１の電荷注入・輸
送層上に電界発光層（３）を形成する工程 （iv）電界発光層（３）上に所望により第１の電荷注入
・輸送層とは反対符号の電荷を注入・輸送する能力を有
する第２の電荷注入・輸送層を形成する工程〔たとえ
ば、第１の電荷注入・輸送層が電子注入・輸送層（４）
である場合、第２の電荷注入・輸送層はホール注入・輸
送層（５）である） （ｖ）電界発光層（３）上、または前記工程（iv）で第
２の電荷注入・輸送層を形成した場合は第２の電荷注入
・輸送層上に対向電極を形成する工程〔たとえば、工程
（ｉ）で形成された電極が負極（１）である場合、対向
電極は正極（２）である〕 （vi）所望により対向電極上に電界発光素子の封止層を
形成する工程 本発明では、薄膜電界発光素子を製造する際には、基板
上に電極を成形する工程から対向電極を形成する工程ま
での全工程〔前記工程（ｉ）から工程（ｖ）〕を同一チ
ャンバー内で連続的に行い、かつ対向電極を形成する工
程に到るまでの間、チャンバー内に外気を流入させるこ
となく次工程を行うことが好ましい。
【００６３】このようにして薄膜電界発光素子を製造す
ると、外気中に含まれる埃が形成した薄膜に付着した
り、薄膜が外気中の酸素あるいは水分を吸着して劣化す
ることがない。
ると、外気中に含まれる埃が形成した薄膜に付着した
り、薄膜が外気中の酸素あるいは水分を吸着して劣化す
ることがない。
【００６４】本発明の薄膜電界発光素子では、電界発光
層（３）、第１および第２の電荷注入・輸送層〔電子注
入・輸送層（４）およびホール注入・輸送層（５）〕の
うち少なくとも１つの層は、前記式［Ｉ］で表されるポ
リアゾメチンからなり、このポリアゾメチンからなる層
は、蒸着重合法により形成される。
層（３）、第１および第２の電荷注入・輸送層〔電子注
入・輸送層（４）およびホール注入・輸送層（５）〕の
うち少なくとも１つの層は、前記式［Ｉ］で表されるポ
リアゾメチンからなり、このポリアゾメチンからなる層
は、蒸着重合法により形成される。
【００６５】蒸着重合により前記層を形成する際には、
下記式［II］で表されるジアミノ化合物と、下記式［II
I］で表されるジアルデヒド化合物とが重合用モノマー
として用いられる。
下記式［II］で表されるジアミノ化合物と、下記式［II
I］で表されるジアルデヒド化合物とが重合用モノマー
として用いられる。
【００６６】 Ｘ−（ＮＨ2 ）2 … ［II］ （式中、Ｘは前記式［Ｉ］におけるＸと同様である。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは前記式［Ｉ］におけるＹと同様である。） 本発明に係る薄膜電界発光素子を形成するポリアゾメチ
ン薄膜は、たとえば、図５に示すような蒸着装置２０を
用いて下記のようにして形成される。
ン薄膜は、たとえば、図５に示すような蒸着装置２０を
用いて下記のようにして形成される。
【００６７】すなわち、 （ａ）まず真空蒸着装置２０の蒸着用チャンバー２１内
に、被蒸着基板２２をセットする。（たとえば、被蒸着
基板としてＩＴＯ電極付基板を用いる場合ＩＴＯ電極上
に蒸着膜が形成されるようにセットする） （ｂ）前記重合用モノマー（ジアミノ化合物［II］およ
びジアルデヒド化合物［III］）を、真空蒸着装置２０
内の蒸着源２３ａ，２３ｂにそれぞれ載置する。 （ｃ）蒸着用チャンバー２１内の圧力が、１０-2Ｐａ以
下、好ましくは１０-3Ｐａ以下になるまで蒸着用チャン
バー２１内を減圧する。また、蒸着用チャンバー２１内
が所定の圧力に達するまでの間に、被蒸着基板２２の被
蒸着面の温度を−５０〜２００℃、好ましくは２０〜１
００℃に調整する。 （ｄ）蒸着用チャンバー２１内が所定の圧力に達した
後、この圧力下でジアミノ化合物［II］およびジアルデ
ヒド化合物［III］が、１：１〜１：３０、好ましくは
１：１〜１：２０のモル比で蒸発し、かつ０．１〜１０
Å／秒、好ましくは１〜５Å／秒の蒸着速度で蒸着被膜
が形成されるように蒸着源２３ａ，２３ｂの温度を制御
する。この際の温度は、通常−１０〜５００℃、好まし
くは４０〜４００℃、より好ましくは７０〜３００℃、
特に好ましくは１００〜２５０℃である。
に、被蒸着基板２２をセットする。（たとえば、被蒸着
基板としてＩＴＯ電極付基板を用いる場合ＩＴＯ電極上
に蒸着膜が形成されるようにセットする） （ｂ）前記重合用モノマー（ジアミノ化合物［II］およ
びジアルデヒド化合物［III］）を、真空蒸着装置２０
内の蒸着源２３ａ，２３ｂにそれぞれ載置する。 （ｃ）蒸着用チャンバー２１内の圧力が、１０-2Ｐａ以
下、好ましくは１０-3Ｐａ以下になるまで蒸着用チャン
バー２１内を減圧する。また、蒸着用チャンバー２１内
が所定の圧力に達するまでの間に、被蒸着基板２２の被
蒸着面の温度を−５０〜２００℃、好ましくは２０〜１
００℃に調整する。 （ｄ）蒸着用チャンバー２１内が所定の圧力に達した
後、この圧力下でジアミノ化合物［II］およびジアルデ
ヒド化合物［III］が、１：１〜１：３０、好ましくは
１：１〜１：２０のモル比で蒸発し、かつ０．１〜１０
Å／秒、好ましくは１〜５Å／秒の蒸着速度で蒸着被膜
が形成されるように蒸着源２３ａ，２３ｂの温度を制御
する。この際の温度は、通常−１０〜５００℃、好まし
くは４０〜４００℃、より好ましくは７０〜３００℃、
特に好ましくは１００〜２５０℃である。
【００６８】上記のようにして蒸着薄膜を所望の膜厚に
形成する。ポリアゾメチンからなる層を複数形成する場
合は、重合用モノマーを替えて、上記の工程を繰り返
す。
形成する。ポリアゾメチンからなる層を複数形成する場
合は、重合用モノマーを替えて、上記の工程を繰り返
す。
【００６９】
【発明の効果】本発明に係るポリアゾメチンは、電子輸
送性、発光性またはホール輸送性に優れた薄膜を形成す
る薄膜電界発光素子材料などとして用いられる。
送性、発光性またはホール輸送性に優れた薄膜を形成す
る薄膜電界発光素子材料などとして用いられる。
【００７０】本発明の薄膜電界発光素子は、耐熱性およ
び耐久性に優れている。このような薄膜電界発光素子
は、フラットパネルディスプレイまたはそのバックライ
トなどとして用いることができる。
び耐久性に優れている。このような薄膜電界発光素子
は、フラットパネルディスプレイまたはそのバックライ
トなどとして用いることができる。
【００７１】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。
的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるも
のではない。
【００７２】
【実施例１】4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデヒド
の合成 5-アミノイソフタル酸とＮａＮＯ2 ／ＫＩとをＨＣｌの
存在下で反応させ、5-ヨードイソフタル酸を得た。次に
5-ヨードイソフタル酸とエタノールとをＨ2 ＳＯ4 の存
在下で反応させて5-ヨードイソフタル酸のエチルエステ
ルを得た。次にこのエステルとジトリルアミンとをウル
マン（Ullmann）反応させることにより4',4''-ジメチル
トリフェニルアミン-3,5-ジエチルエステルを得た。
の合成 5-アミノイソフタル酸とＮａＮＯ2 ／ＫＩとをＨＣｌの
存在下で反応させ、5-ヨードイソフタル酸を得た。次に
5-ヨードイソフタル酸とエタノールとをＨ2 ＳＯ4 の存
在下で反応させて5-ヨードイソフタル酸のエチルエステ
ルを得た。次にこのエステルとジトリルアミンとをウル
マン（Ullmann）反応させることにより4',4''-ジメチル
トリフェニルアミン-3,5-ジエチルエステルを得た。
【００７３】続いて、この4',4''-ジメチルトリフェニ
ルアミン-3,5-ジエチルエステルを水酸化ナトリウム水
溶液で処理することにより4',4''-ジメチルトリフェニ
ルアミン-3,5-ジカルボン酸を得た。さらに、この4',
4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジカルボン酸を
ＳＯＣｌ2 とを反応させることにより4',4''-ジメチル
トリフェニルアミン-3,5-ジカルボン酸クロライドを得
た。
ルアミン-3,5-ジエチルエステルを水酸化ナトリウム水
溶液で処理することにより4',4''-ジメチルトリフェニ
ルアミン-3,5-ジカルボン酸を得た。さらに、この4',
4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジカルボン酸を
ＳＯＣｌ2 とを反応させることにより4',4''-ジメチル
トリフェニルアミン-3,5-ジカルボン酸クロライドを得
た。
【００７４】次に、この4',4''-ジメチルトリフェニル
アミン-3,5-ジカルボン酸クロライドをジメチルホルム
アミド中で−７８℃にてt-ブトキシ水素化アルミニウム
リチウム〔ＬｉＡｌＨ（Ｏ-t-Ｃ4Ｈ9）3 〕と反応さ
せ、目的の4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジ
アルデヒドを得た。
アミン-3,5-ジカルボン酸クロライドをジメチルホルム
アミド中で−７８℃にてt-ブトキシ水素化アルミニウム
リチウム〔ＬｉＡｌＨ（Ｏ-t-Ｃ4Ｈ9）3 〕と反応さ
せ、目的の4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジ
アルデヒドを得た。
【００７５】蒸着重合 前記の方法で得た4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-
3,5-ジアルデヒドと、市販の1,4-フェニレンジアミン
（和光純薬製）をそれぞれ第１蒸着源および第２蒸着源
に充填した。
3,5-ジアルデヒドと、市販の1,4-フェニレンジアミン
（和光純薬製）をそれぞれ第１蒸着源および第２蒸着源
に充填した。
【００７６】基板としては、１０００ÅのＩＴＯ付ガラ
ス（ＨＯＹＡ社製）を用い、アセトン、超純水、基板洗
浄剤、超純水、イソプロピルアルコールをこの順序で用
いて超音波洗浄した後、イソプロピルアルコール蒸気か
ら引き上げた。この基板を蒸着装置内の温度制御可能な
基板ホルダーに設置した。
ス（ＨＯＹＡ社製）を用い、アセトン、超純水、基板洗
浄剤、超純水、イソプロピルアルコールをこの順序で用
いて超音波洗浄した後、イソプロピルアルコール蒸気か
ら引き上げた。この基板を蒸着装置内の温度制御可能な
基板ホルダーに設置した。
【００７７】装置内の全圧が１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に
なるまで減圧した。予め蒸着源のシャッターを閉じてお
いて前記蒸着源を抵抗加熱した。各蒸着源からのモノマ
ーの蒸発速度をモニターしながら、それぞれの蒸着源の
温度を設定した。次に、蒸着源のシャッターを開いて、
４Å／sec.の成膜速度で薄膜が形成されるように4',4''
-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデヒドと1,4-
フェニレンジアミンの蒸発速度を制御した。基板上に形
成された薄膜の膜厚が水晶振動子式膜厚計による測定で
１０００Åを示したところでシャッターを閉じた。な
お、4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデ
ヒドと1,4-フェニレンジアミンの蒸発速度は、モル比で
１：１となるように制御した。
なるまで減圧した。予め蒸着源のシャッターを閉じてお
いて前記蒸着源を抵抗加熱した。各蒸着源からのモノマ
ーの蒸発速度をモニターしながら、それぞれの蒸着源の
温度を設定した。次に、蒸着源のシャッターを開いて、
４Å／sec.の成膜速度で薄膜が形成されるように4',4''
-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデヒドと1,4-
フェニレンジアミンの蒸発速度を制御した。基板上に形
成された薄膜の膜厚が水晶振動子式膜厚計による測定で
１０００Åを示したところでシャッターを閉じた。な
お、4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデ
ヒドと1,4-フェニレンジアミンの蒸発速度は、モル比で
１：１となるように制御した。
【００７８】このように作製した薄膜の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、極めて平坦性に優れ、ピン
ホールのない薄膜であることを確認した。薄膜の構造確認 基板として厚さ０．５ｍｍのＡｌ基板を用い、上記と同
様の操作を行うことにより基板上に厚さ１μｍの薄膜を
作製した。
子顕微鏡で観察したところ、極めて平坦性に優れ、ピン
ホールのない薄膜であることを確認した。薄膜の構造確認 基板として厚さ０．５ｍｍのＡｌ基板を用い、上記と同
様の操作を行うことにより基板上に厚さ１μｍの薄膜を
作製した。
【００７９】この薄膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを反射法
で測定したところ、1,4-フェニレンジアミンのアミノ基
のＮ−Ｈ伸縮振動に基づく３３７０，３２００ｃｍ-1の
ピークが消滅し、アゾメチン基のＣ＝Ｎ伸縮振動に基づ
く１６００ｃｍ-1のピークが認められた。このことから
4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデヒド
と1,4-フェニレンジアミンの重合反応により目的のポリ
アゾメチンが生成していることを確認した。
で測定したところ、1,4-フェニレンジアミンのアミノ基
のＮ−Ｈ伸縮振動に基づく３３７０，３２００ｃｍ-1の
ピークが消滅し、アゾメチン基のＣ＝Ｎ伸縮振動に基づ
く１６００ｃｍ-1のピークが認められた。このことから
4',4''-ジメチルトリフェニルアミン-3,5-ジアルデヒド
と1,4-フェニレンジアミンの重合反応により目的のポリ
アゾメチンが生成していることを確認した。
【００８０】薄膜電界発光素子の製作および発光確認 前記ガラス基板上に作製したポリアゾメチン薄膜上に、
電子注入電極となるＡｇＭｇ電極を作製した。Ｍｇの蒸
着速度は１０Å／sec.、Ａｇの蒸着速度は１Å／sec.と
なるように設定した。
電子注入電極となるＡｇＭｇ電極を作製した。Ｍｇの蒸
着速度は１０Å／sec.、Ａｇの蒸着速度は１Å／sec.と
なるように設定した。
【００８１】得られた薄膜電界発光素子に対して、ＩＴ
Ｏ電極を正に、ＡｇＭｇ電極を負にして直流１５Ｖを印
加したところ、５２０ｎｍにピーク波長をもつ電界発光
が生じた。
Ｏ電極を正に、ＡｇＭｇ電極を負にして直流１５Ｖを印
加したところ、５２０ｎｍにピーク波長をもつ電界発光
が生じた。
【００８２】
【実施例２】2,5-ビス（p-アミノフェニル）-1,3,5-オキサジアゾー
ルの合成 p-ニトロ安息香酸とヒドラジン水和物とをポリリン酸に
混合し、攪拌しながら１３０℃で２４時間加熱した後、
氷水に添加した。得られた沈澱物を濾過し、蒸留水、重
炭酸ナトリウム水溶液、蒸留水の順でよく洗浄し、乾燥
させた。その後ニトロベンゼンから再結晶し、黄色結晶
を得た。
ルの合成 p-ニトロ安息香酸とヒドラジン水和物とをポリリン酸に
混合し、攪拌しながら１３０℃で２４時間加熱した後、
氷水に添加した。得られた沈澱物を濾過し、蒸留水、重
炭酸ナトリウム水溶液、蒸留水の順でよく洗浄し、乾燥
させた。その後ニトロベンゼンから再結晶し、黄色結晶
を得た。
【００８３】この結晶とRaney 触媒とを混合してジオキ
サンに添加し、５５℃で１０時間水添を行った。触媒を
濾過した後、生成物を５％塩酸−５％水酸化ナトリウム
水溶液で洗浄し、粉末の2,5-ビス（p-アミノフェニル）
-1,3,5-オキサジアゾールを得た。
サンに添加し、５５℃で１０時間水添を行った。触媒を
濾過した後、生成物を５％塩酸−５％水酸化ナトリウム
水溶液で洗浄し、粉末の2,5-ビス（p-アミノフェニル）
-1,3,5-オキサジアゾールを得た。
【００８４】蒸着重合 上記の方法で合成した2,5-ビス（p-アミノフェニル）-
1,3,5-オキサジアゾールと市販のテレフタルアルデヒド
（和光純薬製）をそれぞれ第１蒸着源および第２蒸着源
に充填した。
1,3,5-オキサジアゾールと市販のテレフタルアルデヒド
（和光純薬製）をそれぞれ第１蒸着源および第２蒸着源
に充填した。
【００８５】基板としては、１０００ÅのＩＴＯ付ガラ
ス（ＨＯＹＡ社製）を用い、アセトン、超純水、基板洗
浄剤、超純水、イソプロピルアルコールをこの順序で用
いて超音波洗浄した後、イソプロピルアルコール蒸気か
ら引き上げた。この基板を蒸着装置内の温度制御可能な
基板ホルダーに設置した。
ス（ＨＯＹＡ社製）を用い、アセトン、超純水、基板洗
浄剤、超純水、イソプロピルアルコールをこの順序で用
いて超音波洗浄した後、イソプロピルアルコール蒸気か
ら引き上げた。この基板を蒸着装置内の温度制御可能な
基板ホルダーに設置した。
【００８６】装置内の全圧が１×１０-5Ｔｏｒｒ以下に
なるまで減圧した。予め蒸着源のシャッターを閉じてお
いて前記蒸着源を抵抗加熱した。各蒸着源からのモノマ
ーの蒸発速度をモニターしながら、それぞれの蒸着源の
温度を設定した。次に、蒸着源のシャッターを開いて、
４Å／sec.の成膜速度で薄膜が形成されるように2,5-ビ
ス（p-アミノフェニル）-1,3,5-オキサジアゾールとテ
レフタルアルデヒドの蒸発速度を制御した。基板上に形
成された薄膜の膜厚が水晶振動子式膜厚計の測定により
１０００Åを示したところでシャッターを閉じた。な
お、2,5-ビス（p-アミノフェニル）-1,3,5-オキサジア
ゾールとテレフタルアルデヒドの蒸発速度は、モル比で
１：１となるように制御した。
なるまで減圧した。予め蒸着源のシャッターを閉じてお
いて前記蒸着源を抵抗加熱した。各蒸着源からのモノマ
ーの蒸発速度をモニターしながら、それぞれの蒸着源の
温度を設定した。次に、蒸着源のシャッターを開いて、
４Å／sec.の成膜速度で薄膜が形成されるように2,5-ビ
ス（p-アミノフェニル）-1,3,5-オキサジアゾールとテ
レフタルアルデヒドの蒸発速度を制御した。基板上に形
成された薄膜の膜厚が水晶振動子式膜厚計の測定により
１０００Åを示したところでシャッターを閉じた。な
お、2,5-ビス（p-アミノフェニル）-1,3,5-オキサジア
ゾールとテレフタルアルデヒドの蒸発速度は、モル比で
１：１となるように制御した。
【００８７】このように作製した薄膜の表面を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、極めて平坦性に優れ、ピン
ホールのない薄膜であることを確認した。薄膜の構造確認 基板として厚さ０．５ｍｍのＡｌ基板を用い、上記と同
様の操作を行うことにより基板上に厚さ１μｍの高分子
薄膜を作製した。
子顕微鏡で観察したところ、極めて平坦性に優れ、ピン
ホールのない薄膜であることを確認した。薄膜の構造確認 基板として厚さ０．５ｍｍのＡｌ基板を用い、上記と同
様の操作を行うことにより基板上に厚さ１μｍの高分子
薄膜を作製した。
【００８８】この高分子薄膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを
反射法で測定したところ、1,4-フェニレンジアミンのア
ミノ基のＮ−Ｈ伸縮振動に基づく３３５０，３２００ｃ
ｍ-1のピークが消滅し、アゾメチン基あるいはオキサチ
アゾール環のＣ＝Ｎ伸縮振動に基づく１６００ｃｍ-1の
ピークが認められた。このことから2,5-ビス（p-アミノ
フェニル）-1,3,5-オキサジアゾールとテレフタルアル
デヒドの重合反応により目的のポリアゾメチンが生成し
ていることを確認した。
反射法で測定したところ、1,4-フェニレンジアミンのア
ミノ基のＮ−Ｈ伸縮振動に基づく３３５０，３２００ｃ
ｍ-1のピークが消滅し、アゾメチン基あるいはオキサチ
アゾール環のＣ＝Ｎ伸縮振動に基づく１６００ｃｍ-1の
ピークが認められた。このことから2,5-ビス（p-アミノ
フェニル）-1,3,5-オキサジアゾールとテレフタルアル
デヒドの重合反応により目的のポリアゾメチンが生成し
ていることを確認した。
【００８９】薄膜電界発光素子の製作および発光確認 前記ガラス基板上に作製したポリアゾメチン薄膜上に、
電子注入電極となるＡｇＭｇ電極を作製した。Ｍｇの蒸
着速度は１０Å／sec.、Ａｇの蒸着速度は１Å／sec.と
なるように設定した。
電子注入電極となるＡｇＭｇ電極を作製した。Ｍｇの蒸
着速度は１０Å／sec.、Ａｇの蒸着速度は１Å／sec.と
なるように設定した。
【００９０】得られた薄膜電界発光素子に対して、ＩＴ
Ｏ電極を正に、ＡｇＭｇ電極を負にして直流１５Ｖを印
加したところ、４８０ｎｍにピーク波長をもつ電界発光
が生じた。
Ｏ電極を正に、ＡｇＭｇ電極を負にして直流１５Ｖを印
加したところ、４８０ｎｍにピーク波長をもつ電界発光
が生じた。
【図１】 本発明に係る薄膜電界発光素子の構成の一例
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
【図２】 本発明に係る薄膜電界発光素子の構成の他の
例を模式的に示す断面図である。
例を模式的に示す断面図である。
【図３】 本発明に係る薄膜電界発光素子の構成の他の
例を模式的に示す断面図である。
例を模式的に示す断面図である。
【図４】 本発明に係る薄膜電界発光素子の構成の他の
例を模式的に示す断面図である。
例を模式的に示す断面図である。
【図５】 本発明に係る薄膜電界発光素子の製造に用い
られる真空蒸着装置の概略図である。
られる真空蒸着装置の概略図である。
10 … 薄膜電界発光素子 １ … 負極 ２ … 正極 ３ … 電界発光層 ４ … 電子注入・輸送層 ５ … ホール注入・輸送層 20 … 真空蒸着装置 21 … 蒸着用チャンバー 22 … 被蒸着基板 23a,23b … 蒸着源
Claims (6)
- 【請求項１】 下記式［Ｉ］で表される繰り返し単位を
有することを特徴とするポリアゾメチン； 【化１】 （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示し、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有
する基を示す。） - 【請求項２】 前記式［Ｉ］においてＸが芳香族炭化水
素基または炭素原子数４以上の窒素含有芳香族ヘテロ環
化合物から誘導される基である請求項１に記載のポリア
ゾメチン。 - 【請求項３】 下記式［II］で表されるジアミノ化合物
と、下記式［III］で表されるジアルデヒド化合物とを
反応させて請求項１に記載のポリアゾメチンを製造する
ことを特徴とするポリアゾメチンの製造方法； Ｘ−（ＮＨ2 ）2 … ［II］ （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示す。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有する基を示
す。） - 【請求項４】 少なくとも一方が透明である一対の電極
間に電界発光層を有し、かつ必要に応じて前記電極の一
方と前記電界発光層との間にホール注入・輸送層または
電子注入・輸送層を有するか、または前記電極の一方と
前記電界発光層との間にホール注入・輸送層を有すると
ともに、前記電極の他方と前記電界発光層との間に電子
注入・輸送層を有する薄膜電界発光素子において、 前記電界発光層が、下記式［Ｉ］で表される繰り返し単
位を有するポリアゾメチンからなることを特徴とする薄
膜電界発光素子； 【化２】 （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示し、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有
する基を示す。） - 【請求項５】 前記電界発光層が、下記式［II］で表さ
れるジアミノ化合物と、下記式［III］で表されるジア
ルデヒド化合物とを蒸着重合して得られる層である請求
項４に記載の薄膜電界発光素子； Ｘ−（ＮＨ2 ）2 … ［II］ （式中、Ｘは芳香族炭化水素基またはヘテロ環化合物か
ら誘導される基を示す。） Ｙ−（ＣＨＯ）2 … ［III］ （式中、Ｙは芳香族三級アミン骨格を有する基を示
す。） - 【請求項６】 前記式［Ｉ］および式［II］においてＸ
が芳香族炭化水素基または炭素原子数４以上の窒素含有
芳香族ヘテロ環化合物から誘導される基である請求項４
または請求項５に記載の薄膜電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252509A JPH08113622A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | ポリアゾメチンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252509A JPH08113622A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | ポリアゾメチンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08113622A true JPH08113622A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=17238365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6252509A Pending JPH08113622A (ja) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | ポリアゾメチンおよびその製造方法、ならびに薄膜電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08113622A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332347A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Toshio Masuda | サリチリデンアニリン系重合体、その製造方法及びそれを用いたマルチカラー発光材料 |
| JP2006131801A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Japan Science & Technology Agency | 導電性有機分子およびそれを用いた電子デバイスならびに導電性有機分子および電子デバイスの製造方法 |
| WO2011102330A1 (ja) | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 綜研化学株式会社 | 新規ポリアゾメチン |
| WO2011129386A1 (ja) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | ダイセル化学工業株式会社 | 架橋性組成物 |
| JP5665772B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-02-04 | 綜研化学株式会社 | 新規アゾメチンオリゴマー |
-
1994
- 1994-10-18 JP JP6252509A patent/JPH08113622A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002332347A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Toshio Masuda | サリチリデンアニリン系重合体、その製造方法及びそれを用いたマルチカラー発光材料 |
| JP4653903B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2011-03-16 | 俊夫 増田 | サリチリデンアニリン系重合体、その製造方法及びそれを用いたマルチカラー発光材料 |
| JP2006131801A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-25 | Japan Science & Technology Agency | 導電性有機分子およびそれを用いた電子デバイスならびに導電性有機分子および電子デバイスの製造方法 |
| JP5665772B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-02-04 | 綜研化学株式会社 | 新規アゾメチンオリゴマー |
| WO2011102330A1 (ja) | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 綜研化学株式会社 | 新規ポリアゾメチン |
| WO2011129386A1 (ja) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | ダイセル化学工業株式会社 | 架橋性組成物 |
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