JPH0796677A - 感熱記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 保存安定性に優れた感熱記録材料を提供す
る。 【構成】 電子供与性発色性化合物および電子受容性化
合物を含有する感熱記録材料において、該電子受容性化
合物として一般式（１）で表される安息香酸誘導体また
は該誘導体の金属塩を少なくとも一種含有する感熱記録
材料。 【化１】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、ハロゲン原子またはニトロ基を表し、環Ａは
ベンゼン環、ナフタレン環、シクロアルカン環またはシ
クロアルケン環を表す） 【効果】 本発明の感熱記録材料は、未発色部および発
色画像の保存安定性（耐湿熱性、耐油性など）に優れて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は感熱記録材料に関し、特
に発色画像の保存安定性を向上させた感熱記録材料に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、電子供与性発色性化合物と電
子受容性化合物（顕色剤）との呈色反応を利用した感熱
記録材料はよく知られている（たとえば特公昭４３−４
１６０号公報、特公昭４５−１４０３９号公報）。感熱
記録材料は、比較的安価であり、また、記録機器がコン
パクトで且つメンテナンスフリーであるという利点があ
るため、ファクシミリ、記録計、プリンター等の分野に
おいて幅広く利用されている。

【０００３】電子受容性化合物としては、フェノール性
化合物が広く使用されており、中でも、２，２−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン（別名、ビスフ
ェノ−ルＡ）は、低価格で入手し易いという点で広く利
用されてはいるものの、ビスフェノールＡを電子受容性
化合物として使用した感熱記録材料は発色画像の保存安
定性が悪いという問題点がある。更にはビスフェノール
Ａを電子受容性化合物とする感熱記録材料は発色感度が
低いという問題点もある。ビスフェノールＡ以外のフェ
ノール性化合物として、例えば、４−ヒドロキシ安息香
酸エステル類（特開昭５６−１４４１９３号公報、特公
平１−３０６４０号公報）、アラルキルオキシフェノ−
ル類（特公平２−３１６７８号公報、特開昭６０−２２
５７８９号公報）、ヒドロキシベンゾフェノン類（特開
昭５７−１９３３８８号公報）を電子受容性化合物とし
て使用する感熱記録材料が提案されている。

【０００４】しかしながら、４−ヒドロキシ安息香酸エ
ステル類、例えば、４−ヒドロキシ安息香酸ベンジルエ
ステルを電子受容性化合物として使用すると、発色画像
濃度が経時と共に低下するいう欠点があり、且つ発色画
像上に４−ヒドロキシ安息香酸ベンジルの白色の結晶が
析出し、粉をふいた状態（いわゆる白化現象）を呈する
という問題点がある。アラルキルオキシフェノ−ル類、
例えば、４−ベンジルオキシフェノ−ルを電子受容性化
合物として使用した場合も、発色画像濃度が経時と共に
低下するいう欠点がある。ヒドロキシベンゾフェノン
類、例えば、４−ヒドロキシベンゾフェノンを電子受容
性化合物として使用した場合も、発色画像の保存安定性
（例えば、耐湿熱性、耐水性）は悪く、実用上充分な性
能を有しているとは言えない。

【０００５】また、発色感度を向上させる方法として、
電子供与性発色性化合物と電子受容性化合物の他にさら
に熱可融性化合物（増感剤）を含有した感熱記録材料も
広く利用されている。熱可融性化合物として、タ−フェ
ニル類（特公昭６３−７９５８号公報）、４−ベンジル
オキシ安息香酸ベンジル（特公昭６３−３０８７８号公
報）、ナフト−ル誘導体（特公昭６３−４２５９０号公
報）、アミノフェノ−ル誘導体（特開昭５８−２１１４
９４号公報）、ベンジルビフェニル類（特公平２−１１
４３７号公報）、ジアリ−ルオキシアルカン誘導体（特
開昭６０−５６５８８号公報、特開昭６１−１６８８８
号公報）あるいはシュウ酸エステル誘導体（特開平１−
１５８３号公報）などが提案されている。しかし、これ
らの熱可融性化合物を含有する感熱記録材料は、発色感
度はある程度向上するものの、発色画像の保存安定性が
著しく悪く、通常は熱可融性化合物を添加しない場合に
比べ、発色画像の保存安定性は一層劣るという問題点が
あるのが現状である。

【０００６】現在では、上述したような問題点を克服し
た、発色画像の保存安定性に優れた感熱記録材料が強く
求められている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、特に
発色画像の保存安定性を著しく改善した感熱記録材料を
提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の要
望にこたえるべく、感熱記録材料に関し鋭意検討した結
果、本発明に到達した。

【０００９】すなわち、本発明は、電子供与性発色性化
合物および電子受容性化合物を含有する感熱記録材料に
おいて、該電子受容性化合物として一般式（１）で表さ
れる安息香酸誘導体または該誘導体の金属塩を少なくと
も一種含有する感熱記録材料である。

【００１０】

【化２】 （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子またはニトロ基を表し、環Ａはベ
ンゼン環、ナフタレン環、シクロアルカン環またはシク
ロアルケン環を表す）

【００１１】本発明に係る一般式（１）で表される安息
香酸誘導体において、Ｒ1およびＲ2は水素原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、ハロゲン原子またはニトロ基を表
し、好ましくは水素原子、炭素数１〜１０のアルキル
基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、炭素数１〜１０
のアルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子また
はニトロ基であり、より好ましくは水素原子、炭素数１
〜４のアルキル基、シクロヘキシル基、炭素数１〜４の
アルコキシ基、塩素原子またはニトロ基であり、特に水
素原子は好ましい。

【００１２】Ｒ1およびＲ2の具体例としては、例えば、
水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソ
プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル
基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル
基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチ
ル−２−ペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチ
ル基、１−メチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、１−メ
チルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル
基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−
トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、シクロペンチル
基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、
２，６−ジメチルシクロヘキシル基、メトキシ基、エト
キシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブ
トキシ基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert−ブ
トキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ
基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ
基、２−エチルブチルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ
基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ
基、２，６−ジメチル−４−ヘプチルオキシ基、３，
５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキ
シ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ
基、４−メチルシクロヘキシルオキシ基、２，６−ジメ
チルシクロヘキシルオキシ基、ニトロ基、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子を例示することができる。

【００１３】本発明に係る一般式（１）で表される安息
香酸誘導体または該誘導体の金属塩において、環Ａはベ
ンゼン環、ナフタレン環、シクロアルカン環またはシク
ロアルケン環を表し、好ましくは、ベンゼン環、ナフタ
レン環、総炭素数５〜２０のシクロアルカン環または総
炭素数５〜２０のシクロアルケン環を表し、より好まし
くは、ベンゼン環、ナフタレン環、炭素数５〜１４のシ
クロアルカン環、炭素数５〜１４のシクロアルケン環を
表す。

【００１４】上記の環Ａの中で、シクロアルカン環また
はシクロアルケン環は架橋されていても良い。

【００１５】環Ａの具体例としては、例えば、ベンゼン
環、１，２−ナフタレン環、２，３−ナフタレン環、
１，８−ナフタレン環、１，２−シクロペンタン環、
１，３−シクロペンタン環、１，２−シクロヘキサン
環、１，３−シクロヘキサン環、１，２−シクロヘプタ
ン環、１，２−シクロオクタン環、１，２−シクロヘキ
セ−１−エン環、１，２−シクロヘキセ−２−エン環、
１，２−シクロヘキセン−３−エン環、１，２−シクロ
ヘキセ−４−エン環、ビシクロ［２，２，１］ヘプタン
環、１，２−ビシクロ［２，２，１］ヘプテ−２−エン
環、１，２−ビシクロ［２，２，１］ヘプテ−５−エン
環、１，２−ビシクロ［２，２，２］オクテ−２−エン
環、１，２−ビシクロ［２，２，２］オクテ−５−エン
環、１，２−ビシクロ［２，２，２］オクテ−７−エン
環を例示することができる。

【００１６】上記の環Ａの中で、シクロアルカン環、シ
クロアルケン環は、環の構成原子として、ヘテロ原子を
含有していても良く、該ヘテロ原子としては、例えば、
酸素原子、硫黄原子、窒素原子を例示することができ、
特に、酸素原子は好ましい。上記の環Ａは、１個、もし
くは、同一または異なる２個以上の置換基によって置換
されても良い。

【００１７】該置換基としては、アルキル基、アルコキ
シ基、ニトロ基またはハロゲン原子を挙げることがで
き、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１
〜１０のアルコキシ基、ニトロ基またはハロゲン原子で
あり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素
数１〜４のアルコキシ基、ニトロ基またはハロゲン原子
であり、特に水素原子は好ましい。

【００１８】該置換基の具体例としては、例えば、水素
原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロ
ピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、
tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｎ
−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２
−ペンチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、
１−メチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、１−メチルヘ
プチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、２，
６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチ
ルヘキシル基、ｎ−デシル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、２，６−
ジメチルシクロヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ
基、イソブトキシ基、sec-ブトキシ基、tert−ブトキシ
基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｎ
−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ基、２
−エチルブチルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−
オクチルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−
エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、２，６
−ジメチル−４−ヘプチルオキシ基、３，５，５−トリ
メチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、シクロ
ペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、４−メチ
ルシクロヘキシルオキシ基、２，６−ジメチルシクロヘ
キシルオキシ基、ニトロ基、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子を例示することができる。

【００１９】本発明に係る一般式（１）で表される化合
物において、環Ａの、特に好ましい例として、例えば、
置換基を有してもよいベンゼン環、置換基を有してもよ
いナフタレン環、

【００２０】

【化３】 を例示することができる。

【００２１】本発明に係る一般式（１）で表される化合
物は、シス体またはトランス体、あるいは、エキソ体ま
たはエンド体等の、全ての立体異性体をも包含するもの
である。

【００２２】本発明に係る一般式（１）で表される化合
物は、イミド基で置換された安息香酸であるが、イミド
基の置換位置はカルボン酸基に対して、オルソ位、メタ
位あるいはパラ位の位置であり、具体的には、下記一般
式（１−ａ）、一般式（１−ｂ）または一般式（１−
ｃ）で表される安息香酸誘導体である。

【００２３】

【化４】

【００２４】

【化５】

【００２５】

【化６】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 および環Ａは前記に同じ）

【００２６】本発明に係る一般式（１）で表される安息
香酸誘導体および該誘導体の金属塩の具体例としては、
例えば、以下に挙げる安息香酸誘導体および該誘導体の
金属塩を例示することができるが、勿論、本発明はこれ
らにより限定されるものではない。

【００２７】例示化合物 番号 １．２−フタルイミド安息香酸 ２．２−フタルイミド−３−エチル安息香酸 ３．２−フタルイミド−４−ｎ−ブチル安息香酸 ４．２−フタルイミド−５−シクロヘキシル安息香酸 ５．２−フタルイミド−６−メトキシ安息香酸 ６．２−フタルイミド−３−イソプロポキシ安息香酸 ７．２−フタルイミド−４−クロロ安息香酸 ８．２−フタルイミド−５，６−ジメチル安息香酸 ９．２−フタルイミド−３，６−ジエトキシ安息香酸 １０．２−フタルイミド−４，６−ジクロロ安息香酸 １１．２−（３’−tert−ブチルフタルイミド）安息香
酸 １２．２−（４’−メトキシフタルイミド）安息香酸 １３．２−（４’，５’−ジメチルフタルイミド）安息
香酸 １４．２−（３’，６’−ジメチルフタルイミド）−
４，６−ジメチル安息香酸 １５．２−（３’，４’，５’，６’−テトラメチルフ
タルイミド）安息香酸 １６．２−（４’−ヒドロキシフタルイミド）安息香酸

【００２８】１７．３−フタルイミド安息香酸 １８．３−フタルイミド−２−メチル安息香酸 １９．３−フタルイミド−４−シクロヘキシル安息香酸 ２０．３−フタルイミド−５−ｎ−プロポキシ安息香酸 ２１．３−フタルイミド−６−クロロ安息香酸 ２２．３−フタルイミド−２，４−ジエチル安息香酸 ２３．３−フタルイミド−４，５−ジメトキシ安息香酸 ２４．３−（３’−イソプロポキシフタルイミド）安息
香酸 ２５．３−（４’−エトキシフタルイミド）安息香酸 ２６．３−（３’，４’−ジメトキシフタルイミド）−
４，６−ジメチル安息香酸 ２７．３−（３’，４’，５’，６’−テトラクロロフ
タルイミド）安息香酸 ２８．３−（４’−ヒドロキシフタルイミド）安息香酸

【００２９】２９．４−フタルイミド安息香酸 ３０．４−フタルイミド−２−メチル安息香酸 ３１．４−フタルイミド−３−ｎ−ブトキシ安息香酸 ３２．４−フタルイミド−２−フルオロ安息香酸 ３３．４−フタルイミド−２−ニトロ安息香酸 ３４．４−フタルイミド−３，５−ジ−ｎ−プロピル安
息香酸 ３５．４−フタルイミド−２，６−ジメトキシ安息香酸 ３６．４−（３’−ｎ−プロポキシフタルイミド）安息
香酸 ３７．４−（３’，４’−ジメトキシフタルイミド）安
息香酸 ３８．４−（３’，６’−ジクロロフタルイミド）−
４，６−ジクロロ安息香酸 ３９．４−（３’，４’，５’，６’−テトラクロロフ
タルイミド）安息香酸 ４０．４−（２’−ヒドロキシフタルイミド）安息香酸

【００３０】４１．２−（１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ４２．２−（２’，３’−ナフタルイミド）−安息香酸 ４３．２−（１’，２’−ナフタルイミド）−４−ｎ−
プロピル安息香酸 ４４．２−（１’，２’−ナフタルイミド）−３−エト
キシ安息香酸 ４５．２−（２’，３’−ナフタルイミド）−５−tert
−ブチル安息香酸 ４６．２−（２’，３’−ナフタルイミド）−３−クロ
ロ安息香酸 ４７．２−（２’，３’−ナフタルイミド）−４−ニト
ロ安息香酸 ４８．２−（６’−エチル−２’，３’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ４９．２−（５’−ニトロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ５０．２−（４’−ブロモ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ５１．２−（２’，４’−ジブロモ−１’，８’−ナフ
タルイミド）安息香酸 ５２．２−（４’−ニトロ−５’−クロロ−１’，８’
−ナフタルイミド）安息香酸

【００３１】５３．３−（２’，３’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ５４．３−（１’，２’−ナフタルイミド）−２−エチ
ル安息香酸 ５５．３−（１’，２’−ナフタルイミド）−４−ｎ−
ペンチル安息香酸 ５６．３−（１’，２’−ナフタルイミド）−５−ｎ−
プロポキシ安息香酸 ５７．３−（２’，３’−ナフタルイミド）−４−メト
キシ安息香酸 ５８．３−（２’，３’−ナフタルイミド）−２−クロ
ロ安息香酸 ５９．３−（２’，３’−ナフタルイミド）−５−ニト
ロ安息香酸 ６０．３−（６’−ｎ−ブチル−２’，３’−ナフタル
イミド）安息香酸 ６１．３−（４’−ニトロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ６２．３−（５’−ブロモ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ６３．３−（４’，５’−ジクロロ−１’，８’−ナフ
タルイミド）安息香酸 ６４．３−（４’−ニトロ−５’−クロロ−１’，８’
−ナフタルイミド）安息香酸

【００３２】６５．４−（１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ６６．４−（２’，３’−ナフタルイミド）−安息香酸 ６７．４−（１’，２’−ナフタルイミド）−２−ｎ−
プロピル安息香酸 ６８．４−（１’，２’−ナフタルイミド）−３−エト
キシ安息香酸 ６９．４−（２’，３’−ナフタルイミド）−３−tert
−ブトキシ安息香酸 ７０．４−（２’，３’−ナフタルイミド）−３−クロ
ロ安息香酸 ７１．４−（２’，３’−ナフタルイミド）−２−ニト
ロ安息香酸 ７２．４−（６’−エチル−２’，３’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ７３．４−（５’−ニトロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ７４．４−（４’−ブロモ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）安息香酸 ７５．４−（２’，４’−ジブロモ−１’，８’−ナフ
タルイミド）安息香酸 ７６．４−（４’−ニトロ−５’−クロロ−１’，８’
−ナフタルイミド）安息香酸

【００３３】７７．３−（４’−クロロ−１’，８’−
ナフタルイミド）−２−メチル安息香酸 ７８．３−（５’−クロロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）−４，６−ジメチル安息香酸 ７９．４−（５’−ニトロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）−２−クロロ安息香酸 ８０．４−（５’−ニトロ−１’，８’−ナフタルイミ
ド）−３−メトキシ安息香酸 ８１．４−（４’，５’−ジブロモ−１’，８’−ナフ
タルイミド）安息香酸 ８２．４−（３’，６’−ジメトキシ−１’，８’−ナ
フタルイミド）−２，６−ジクロロ安息香酸

【００３４】８３．２−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイ
ミド安息香酸 ８４．３−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香酸 ８５．４−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香酸 ８６．２−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テトラ
ヒドロフタルイミド）安息香酸 ８７．３−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テトラ
ヒドロフタルイミド）安息香酸 ８８．４−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テトラ
ヒドロフタルイミド）安息香酸 ８９．２−（エキソ−３’，６’−エポキシ−１’，
２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）安息香
酸 ９０．３−（エキソ−３’，６’−エポキシ−１’，
２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）安息香
酸 ９１．４−（エキソ−３’，６’−エポキシ−１’，
２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）安息香
酸 ９２．２−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸 ９３．３−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸 ９４．４−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸

【００３５】なお、一般式（１）で表される安息香酸誘
導体は、公知の製造方法〔例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．２４，１１２１（１９５９）または特開平４−２０
２１７９号公報など〕により、製造することができる。

【００３６】すなわち、代表的には、例えば、一般式
（２）で表されるアミノ安息香酸誘導体に、一般式
（３）で表されるジカルボン酸無水物を作用させ、中間
体であるアミド酸を製造し、さらにこのアミド酸の分子
内脱水反応を行うことにより、好適に製造することがで
きる。一般的には、これらの反応は、同一の反応器内
で、連続的に行われる。

【００３７】

【化７】 （式中、Ｒ1 およびＲ2 は前記に同じ）

【００３８】

【化８】 （式中、環Ａは前記に同じ）

【００３９】一般式（１）で表される安息香酸誘導体
を、感熱記録材料用の電子受容性化合物等として使用す
る場合には、高純度に精製することは好ましいことであ
り、公知の精製方法（例えば、再結晶、カラムクロマト
グラフィー）によりさらに純度を高めることができる。

【００４０】本発明に係る一般式（１）で表される安息
香酸誘導体の金属塩としては、ナトリウム、カリウム、
リチウムなどのアルカリ金属塩を包含するものではある
が、該金属塩を感熱記録材料用の電子受容性化合物とし
て使用する場合、好ましくは、水難溶性あるいは水不溶
性の２価、３価あるいは４価の多価金属塩であり、より
好ましくは２価の多価金属塩である。

【００４１】多価金属塩の具体例としては、亜鉛、マグ
ネシウム、カルシウム、バリウム、ニッケル、スズ、
銅、マンガン、コバルト、チタン、アルミニウム、鉄の
塩を挙げることができ、好ましくは、亜鉛、マグネシウ
ム、カルシウム、バリウム、ニッケル、マンガン、コバ
ルト、アルミニウムの塩であり、より好ましくは、亜
鉛、カルシウム、マンガンの塩であリ、特に、亜鉛塩は
好ましい金属塩である。

【００４２】本発明に係る一般式（１）で表される安息
香酸誘導体のアルカリ金属塩は、公知の方法により製造
することができ、通常、一般式（１）で表される安息香
酸誘導体１当量に対し、０．８〜１．２当量、好ましく
は、１．０〜１．１当量の水酸化アルカリ金属化合物、
炭酸アルカリ金属化合物、炭酸水素アルカリ金属化合物
（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナ
トリウムなど）を、水の存在下で反応させて製造するこ
とができる。

【００４３】一般式（１）で表される安息香酸誘導体の
多価金属塩は、上述した一般式（１）で表される安息香
酸誘導体のアルカリ金属塩と多価金属化合物を水の存在
下で作用させて得ることができる。

【００４４】この際に使用する好適な多価金属化合物と
しては、水可溶性の多価金属化合物が好ましく、例え
ば、硫酸亜鉛、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫
酸アルミニウム等の硫酸塩、塩化亜鉛、塩化マグネシウ
ム、塩化カルシウム、塩化バリウム、塩化ニッケル、塩
化コバルト、塩化アルミニウム等の塩化物、酢酸亜鉛、
酢酸マンガン等の酢酸塩等が挙げられる。

【００４５】なお、一般式（１）で表される安息香酸誘
導体のアルカリ金属塩の水溶液としては、複数の異なる
一般式（１）で表される安息香酸誘導体のアルカリ金属
塩を用いても良く、例えば、４−フタルイミド安息香酸
と２−（１’，８’−ナフチルイミド）安息香酸のそれ
ぞれのアルカリ金属塩の混合塩、あるいは４−ヘキサヒ
ドロフタルイミド安息香酸と３−フタルイミド安息香酸
のそれぞれのアルカリ金属塩の混合塩に、多価金属化合
物を反応させてもよい。この場合には、異なる構造の一
般式（１）で表される安息香酸誘導体の多価金属塩が生
成することはいうまでもない。

【００４６】上述のようにして製造される一般式（１）
で表される安息香酸誘導体の多価金属塩は、製造条件、
一般式（１）で表される安息香酸誘導体の種類あるいは
多価金属の種類によっては、時として水和物を形成する
ことがあるが、該水和物も本発明に係る一般式（１）で
表される安息香酸誘導体の多価金属塩に包含されるもの
である。

【００４７】本発明の感熱記録材料は、電子供与性発色
性化合物と電子受容性化合物を含有する感熱記録材料に
おいて、該電子受容性化合物として一般式（Ｉ）で表わ
される安息香酸誘導体または該誘導体の金属塩を少なく
とも１種含有するものであるが、該感熱記録材料にさら
に亜鉛化合物を含有させることは、発色画像の保存安定
性を高める目的で好ましい。

【００４８】上記の亜鉛化合物の具体例としては、例え
ば、酸化亜鉛、水酸化亜鉛、アルミン酸亜鉛、硫化亜
鉛、炭酸亜鉛、リン酸亜鉛、ケイ酸亜鉛等が挙げられ、
これらの中でも、特に酸化亜鉛は好ましい。これら亜鉛
化合物の使用量については必ずしも限定するものではな
いが、通常、電子受容性化合物として使用する一般式
（Ｉ）で表わされる安息香酸誘導体または該誘導体の金
属塩１００重量部に対して、１〜５００重量部、好まし
くは、５〜３００重量部の範囲で使用するのが望まし
い。

【００４９】本発明の感熱記録材料においては、通常、
電子供与性発色性化合物１００重量部に対し、電子受容
性化合物５０〜７００重量部、好ましくは、１００〜５
００重量部使用するのが望ましい。

【００５０】本発明に使用する無色ないし淡色の電子供
与性発色性化合物としては、トリアリールメタン系化合
物、ジアリールメタン系化合物、ローダミン−ラクタム
系化合物、フルオラン系化合物、インドリルフタリド系
化合物、ジビニルフタリド系化合物、ピリジン系化合
物、スピロ系化合物、フルオレン系化合物、チアジン系
化合物などが挙げられる。

【００５１】これらの化合物のいくつかの具体例を挙げ
ると、トリアリールメタン系化合物としては、３，３−
ビス（４−ジメチルアミノフェニル）−６−ジメチルア
ミノフタリド〔”クリスタルバイオレットラクト
ン”〕、３，３−ビス（４−ジメチルアミノフェニル）
フタリド、３−（４−ジメチルアミノフェニル）−３−
（４−ジエチルアミノフェニル）−６−ジメチルアミノ
フタリド、３，３−ビス（９−エチルカルバゾール−３
−イル）−６−ジメチルアミノフタリド、３−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−３−（１−メチルピロール−
３−イル）−６−ジメチルアミノフタリドなどがある。

【００５２】ジアリールメタン系化合物としては、４，
４−ビス−ジメチルアミノベンズヒドリンベンジルエー
テル、Ｎ−ハロフェニル−ロイコオーラミン、Ｎ−２，
４，５−トリクロロフェニルロイコオーラミンなどがあ
る。

【００５３】ローダミン−ラクタム系化合物としては、
ローダミン−Ｂ−アニリノラクタム、ローダミン−（４
−ニトロアニリノ）ラクタム、ローダミン−Ｂ−（２−
クロロアニリノ）ラクタムなどがある。

【００５４】フルオラン系化合物としては、３，６−ジ
メトキシフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メトキ
シフルオラン、３−ジメチルアミノ−７−メトキシフル
オラン、３−ジエチルアミノ−７−メチルフルオラン、
３−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ｎ−ブチルアミノ−７−
メチルフルオラン、３−Ｎ−エチル−Ｎ−イソペンチル
アミノ−７−メチルフルオラン、３−ジエチルアミノ−
７−メトキシフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−ク
ロロフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７
−クロロフルオラン、３−ジエチルアミノ−６，７−ジ
メチルフルオラン、３，６−ビス（ジフェニルアミノ）
フルオラン、

【００５５】３−ジエチルアミノ−７−ジベンジルアミ
ノフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−７−ジベン
ジルアミノフルオラン、３−ジエチルアミノ−７−ジ−
ｎ−ヘキシルアミノフルオラン、３−ジエチルアミノ−
７−ｎ−オクチルアミノフルオラン、３−ジエチルアミ
ノ−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−エチル−Ｎ−イ
ソペンチルアミノ−７−アニリノフルオラン、

【００５６】３−ジエチルアミノ−７−（２’−クロロ
フェニルアミノ）フルオラン、３−ジエチルアミノ−７
−（３’−クロロフェニルアミノ）フルオラン、３−ジ
エチルアミノ−７−（２’，３’−ジクロロフェニルア
ミノ）フルオラン、３−ジエチルアミノ−７−（３’−
トリフルオロメチルフェニルアミノ）フルオラン、３−
ジ−ｎ−ブチルアミノ−７−（２’−クロロフェニルア
ミノ）フルオラン、

【００５７】３−ジエチルアミノ−６−クロロ−７−ア
ニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−６−ク
ロロ−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−
６−メトキシ−７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−
ブチルアミノ−６−エトキシ−７−アニリノフルオラ
ン、

【００５８】３−ピロリジノ−６−メチル−７−アニリ
ノフルオラン、３−モルホリノ−６−メチル−７−アニ
リノフルオラン、３−ジメチルアミノ−６−メチル−７
−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチ
ル−７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミ
ノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ
−ペンチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、３−ジ−ｎ−オクチルアミノ−６−メチル−７−ア
ニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ−プロピル−Ｎ−メチル
アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ
−ｎ−ブチル−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−７−ア
ニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−エチルア
ミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−
イソブチル−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−７−アニ
リノフルオラン、３−Ｎ−イソブチル−Ｎ−エチルアミ
ノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ
−ペンチル−Ｎ−エチルアミノ−６−メチル−７−アニ
リノフルオラン、３−Ｎ−イソペンチル−Ｎ−エチルア
ミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−
ｎ−ヘキシル−Ｎ−エチルアミノ−６−メチル−７−ア
ニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ−オクチル−Ｎ−エチル
アミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、

【００５９】３−Ｎ−シクロペンチル−Ｎ−エチルアミ
ノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−シ
クロヘキシル−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−７−ア
ニリノフルオラン、３−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ｎ−
プロピルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、３−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ｎ−ブチルアミノ−
６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−シクロ
ヘキシル−Ｎ−ｎ−ヘキシルアミノ−６−メチル−７−
アニリノフルオラン、３−Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−ｎ
−オクチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、

【００６０】３−Ｎ−（２’−メトキシエチル）−Ｎ−
イソブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、３−Ｎ−（２’−エトキシエチル）−Ｎ−エチルア
ミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−
（３’−メトキシプロピル）−Ｎ−メチルアミノ−６−
メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−（３’−メ
トキシプロピル）−Ｎ−エチルアミノ−６−メチル−７
−アニリノフルオラン、３−Ｎ−（３’−エトキシプロ
ピル）−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−７−アニリノ
フルオラン、３−Ｎ−（３’−エトキシプロピル）−Ｎ
−エチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、３−Ｎ−（２’−テトラヒドロフルフリル）−Ｎ−
エチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、
３−Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−エチルアミノ
−６−メチル−７−アニリノフルオラン、

【００６１】３−ジエチルアミノ−６−エチル−７−ア
ニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−
７−（３’−メチルフェニルアミノ）フルオラン、３−
ジエチルアミノ−６−メチル−７−（２’，６’−ジメ
チルフェニルアミノ）フルオラン、３−ジ−ｎ−ブチル
アミノ−６−メチル−７−（２’，６’−ジメチルフェ
ニルアミノ）フルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−
７−（２’，６’−ジメチルフェニルアミノ）フルオラ
ン、２，２−ビス［４’−（３−Ｎ−シクロヘキシル−
Ｎ−メチルアミノ−６−メチルフルオラン）−７−イル
アミノフェニル］プロパン、３−［４’−（４−フェニ
ルアミノフェニル）アミノフェニル］アミノ−６−メチ
ル−７−クロロフルオランなどがある。

【００６２】インドリルフタリド系化合物としては、
３，３−ビス（１，２−ジメチルインドール−３−イ
ル）−５−ジメチルアミノフタリド、３，３−ビス
（１，２−ジメチルインドール−３−イル）−６−ジメ
チルアミノフタリド、３，３−ビス（２−フェニルイン
ドール−３−イル）−６−ジメチルアミノフタリド、
３，３−ビス（１−エチル−２−メチルインドール−３
−イル）フタリド、３，３−ビス（１−オクチル−２−
メチルインドール−３−イル）フタリド、３−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−３−（１，２−ジメチルイン
ドール−３−イル）フタリド、３−（４−ジメチルアミ
ノフェニル）−３−（２−メチルインドール−３−イ
ル）フタリド、３−（２−エトキシ−４−ジエチルアミ
ノフェニル）−３−（１−エチル−２−メチルインドー
ル−３−イル）フタリド、３−（２−エトキシ−４−ジ
ブチルアミノフェニル）−３−（１−エチル−２−メチ
ルインドール−３−イル）フタリド、３−（２−エトキ
シ−４−ジエチルアミノフェニル）−３−（１−オクチ
ル−２−メチルインドール−３−イル）フタリドなどが
ある。

【００６３】ジビニルフタリド系化合物としては、３，
３−ビス［２，２−ビス（４−ジメチルアミノフェニ
ル）エテニル］−４，５，６，７−テトラクロロフタリ
ド、３，３−ビス［２，２−ビス（４−ピロリジノフェ
ニル）エテニル］−４，５，６，７−テトラブロモフタ
リド、３，３−ビス［２−（４−メトキシフェニル）−
２−（４−ジメチルアミノフェニル）エテニル］−４，
５，６，７−テトラクロロフタリド、３，３−ビス［２
−（４−メトキシフェニル）−２−（４−ピロリジノフ
ェニル）エテニル］−４，５，６，７−テトラクロロフ
タリドなどがある。

【００６４】ピリジン系化合物としては、３−（２−エ
トキシ−４−ジエチルアミノフェニル）−３−（１−エ
チル−２−メチルインドール−３−イル）−４または７
−アザフタリド、３−（２−エトキシ−４−ジエチルア
ミノフェニル）−３−（１−エチル−２−フェニルイン
ドール−３−イル）−４または７−アザフタリド、３−
（２−エトキシ−４−ジエチルアミノフェニル）−３−
（１−オクチル−２−メチルインドール−３−イル）−
４または７−アザフタリド、３−（２−ヘキシルオキシ
−４−ジエチルアミノフェニル）−３−（１−エチル−
２−メチルインドール−３−イル）−４または７−アザ
フタリド、３−（２−ｎ−ブトキシ−４−ジエチルアミ
ノフェニル）−３−（１−エチル−２−フェニルインド
ール−３−イル）−４または７−アザフタリド、３−
（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−３−
（１−エチル−２−メチルインドール−３−イル）−４
または７−アザフタリド、３−（４−ジエチルアミノ−
２−メチルフェニル）−３−（１−ｎ−オクチル−２−
メチルインドール−３−イル）−４または７−アザフタ
リド、３，３−ビス（４−ジエチルアミノ−２−メトキ
シフェニル）−４または７−アザフタリド、３，３−ビ
ス（４−ジエチルアミノ−２−エトキシフェニル）−４
または７−アザフタリドなどがある。

【００６５】スピロ系化合物としては、３−メチル−ス
ピロ−ジナフトピラン、３−エチル−スピロ−ジナフト
ピラン、３−フェニル−スピロ−ジナフトピラン、３−
ベンジル−スピロ−ジナフトピラン、３−メチル−ナフ
ト−（３−メトキシベンゾ）スピロピラン、３−プロピ
ル−スピロ−ジベンゾピランなどがある。

【００６６】フルオレン系化合物としては、３，６−ビ
ス（ジメチルアミノ）フルオレン−９−スピロ−３’−
（６’−ジメチルアミノ）フタリド、３−ジエチルアミ
ノ−６−（Ｎ−アリル−Ｎ−メチルアミノ）フルオレン
−９−スピロ−３’−（６’−ジメチルアミノ）フタリ
ド、３，６−ビス（ジメチルアミノ）−スピロ［フルオ
レン−９，６’−６’Ｈ−クロメノ（４，３−ｂ）イン
ドール］、３，６−ビス（ジメチルアミノ）−３’−メ
チル−スピロ［フルオレン−９，６’−６’Ｈ−クロメ
ノ（４，３−ｂ）インドール］、３，６−ビス（ジエチ
ルアミノ）−３’−メチル−スピロ［フルオレン−９，
６’−６’Ｈ−クロメノ（４，３−ｂ）インドール］な
どがある。

【００６７】チアジン系化合物としては、ベンゾイルロ
イコメチレンブルー、４−ニトロベンゾイルロイコメチ
レレンブルーなどがある。

【００６８】電子供与性発色性化合物としては、特に、
黒色発色するフルオラン系化合物が好ましく、中でも、
ジ−ｎ−ブチルアミノ−７−（２’−クロロフェニルア
ミノ）フルオラン、３−ジメチルアミノ−６−メチル−
７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メ
チル−７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルア
ミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジ−
ｎ−ペンチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオ
ラン、３−Ｎ−ｎ−プロピル−Ｎ−メチルアミノ−６−
メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ−ブチル
−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオ
ラン、３−Ｎ−イソブチル−Ｎ−メチルアミノ−６−メ
チル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−イソブチル−
Ｎ−エチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラ
ン、３−Ｎ−イソペンチル−Ｎ−エチルアミノ−６−メ
チル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−（２’−メト
キシエチル）−Ｎ−イソブチルアミノ−６−メチル−７
−アニリノフルオラン、３−Ｎ−（３’−エトキシプロ
ピル）−Ｎ−エチルアミノ−６−メチル−７−アニリノ
フルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−
（３’−メチルフェニルアミノ）フルオランは、未発色
時の光安定性に優れており特に好ましい電子供与性発色
性化合物である。

【００６９】これらの電子供与性発色性化合物は単独、
あるいは複数併用してもよい。

【００７０】本発明の感熱記録材料は、電子受容性化合
物として一般式（１）表される安息香酸誘導体または該
誘導体の金属塩を、少なくとも１種を含有することを特
徴とするものであるが、本発明の所望の効果を損なわな
い範囲で他の電子受容性化合物を併用することも可能で
ある。

【００７１】この場合、全電子受容性化合物中に占める
一般式（１）で表される安息香酸誘導体または該誘導体
の金属塩の割合は、通常、１０重量％以上、好ましくは
２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上に調整
するのが望ましい。

【００７２】一般式（１）で表される安息香酸誘導体ま
たは該誘導体の金属塩以外の電子受容性化合物としては
フェノール誘導体、有機酸あるいはその金属塩、錯体、
尿素誘導体などの有機電子受容性化合物あるいは酸性白
土などの無機電子受容性化合物が挙げられる。

【００７３】これらの化合物のいくつかの具体例を挙げ
ると、４−tert−ブチルフェノール、４−tert−オクチ
ルフェノール、４−フェニルフェノール、１−ナフトー
ル、２−ナフトール、ハイドロキノン、レゾルシノー
ル、４−tert−オクチルカテコール、２，２’−ジヒド
ロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシジフェニル
エーテル、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）
プロパン〔”ビスフェノールＡ”〕、１，１−ビス
（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２
−ビス（４’−ヒドロキシ−３’−メチルフェニル）プ
ロパン、１，３−ビス（４’−ヒドロキシクミル）ベン
ゼン、１，４−ビス（４’−ヒドロキシクミル）ベンゼ
ン、１，３，５−トリス（４’−ヒドロキシクミル）ベ
ンゼン、

【００７４】２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ル）酢酸エチルエステル、４，４−（４’−ヒドロキシ
フェニル）ペンタン酸−ｎ−ブチルエステル、４−ヒド
ロキシ安息香酸ベンジルエステル、４−ヒドロキシ安息
香酸フェネチルエステル、２，４−ジヒドロキシ安息香
酸フェノキシエチルエステル、４−ヒドロキシフタル酸
ジメチルエステル、没食子酸−ｎ−プロピルエステル、
没食子酸−ｎ−オクチルエステル、没食子酸−ｎ−ドデ
シルエステル、没食子酸−ｎ−オクタデシルエステル、
ハイドロキノンモノベンジルエーテル、

【００７５】ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィド、ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフ
ェニル）スルフィド、ビス（３−フェニル−４−ヒドロ
キシフェニル）スルフィド、ビス（３−シクロヘキシル
−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）スルフォン、ビス（３−アリル−４−ヒド
ロキシフェニル）スルフォン、４−ヒドロキシ−４’−
メチルジフェニルスルフォン、４−ヒドロキシ−４’−
tert−ブチルジフェニルスルフォン、４−ヒドロキシ−
４’−クロロジフェニルスルフォン、４−ヒドロキシ−
４’−メトキシジフェニルスルフォン、４−ヒドロキシ
−４’−ｎ−プロポキシジフェニルスルフォン、４−ヒ
ドロキシ−４’−イソプロポキシジフェニルスルフォ
ン、４−ヒドロキシ−４’−ｎ−ブトキシジフェニルス
ルフォン、４−ヒドロキシ−４’−ベンジルオキシジフ
ェニルスルフォン、３，４−ジヒドロキシ−４’−メチ
ルジフェニルスルフォン、２，４’−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、２−メトキシ−４’−ヒドロキシジ
フェニルスルフォン、２−エトキシ−２’−ヒドロキシ
ジフェニルスルフォン、４−ヒドロキシ−３−メチル−
４’−ｎ−プロポキシジフェニルスルフォン、ビス（２
−ヒドロキシ−５−tert−ブチルフェニル）スルフォ
ン、ビス（２−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）スル
フォン、ビス［４−（３’−ヒドロキシフェニルオキ
シ）フェニル］スルフォン、４−ヒドロキシベンゾフェ
ノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、１，７−
ビス（４’−ヒドロキシフェニルチオ）−３，５−ジオ
キサヘプタン、１，５−ビス（４’−ヒドロキシフェニ
ルチオ）−３−オキサペンタンなどのフェノール誘導
体、

【００７６】サリチル酸、３−イソプロピルサリチル
酸、３−シクロヘキシルサリチル酸、３，５−ジ−tert
−ブチルサリチル酸、３，５−ジ−α−メチルベンジル
サリチル酸、３−メチル−５−α−メチルベンジルサリ
チル酸、４−［２’−（４−メトキシフェニルオキシ）
エチルオキシ］サリチル酸、４−［３’−（４−メチル
フェニルスルホニル）プロピルオキシ］サリチル酸、４
−［３’−（４−メトキシフェニルスルホニル）プロピ
ルオキシ］サリチル酸、５−｛４’−［２−（４−メト
キシフェニルオキシ）エチルオキシ］クミル｝サリチル
酸、１−ナフトエ酸、２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ
−３−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、
６−アセトキシ−２−ナフトエ酸、フタル酸モノベンジ
ルエステル、フタル酸モノフェニルエステル、４−ホル
ミル安息香酸などの有機酸あるいはこれらの金属塩（た
とえば、ニッケル、亜鉛、アルミニウム、カルシウム等
の金属塩）、チオシアン酸亜鉛アンチピリン錯体、モリ
ブデン酸アセチルアセトン錯体などの錯体、Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−トリフルオロ
メチルフェニル）チオ尿素、１，４−ジ（３’−クロロ
フェニル）−３−チオセミカルバジドなどの尿素誘導体
などの有機電子受容性化合物、酸性白土、アタパルガイ
ト、コロイダルシリカ、珪酸アルミニウム、活性白土、
塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化亜鉛などの無機電子
受容性化合物を好ましい化合物として挙げることができ
る。これらの中でも、特に、フェノール誘導体は好まし
い電子受容性化合物である。これらの電子受容性化合物
は、単独あるいは複数併用してもよい。

【００７７】本発明の感熱記録材料は、以下述べるよう
に、公知の感熱記録材料を製造するための各種公知の処
方（熱可融性化合物の添加など）がさらに付与される。

【００７８】本発明の感熱記録材料において、所望によ
り熱可融性化合物（融点約７０〜１５０℃、より好まし
くは、融点約８０〜１３０℃の化合物）を本発明の感熱
記録材料にさらに添加することは、高速記録に対応した
感熱記録材料を得るためには好ましいことである。この
場合、通常、電子供与性発色性化合物１００重量部に対
し、熱可融性化合物１０〜７００重量部、好ましくは、
２０〜５００重量部使用するのが望ましい。

【００７９】かかる熱可融性化合物の具体例としては、
例えば、カプロン酸アミド、カプリン酸アミド、パルミ
チン酸アミド、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミ
ド、エルシン酸アミド、リノ−ル酸アミド、リノレン酸
アミド、ステアリン酸メチレンビスアミド、ステアリル
尿素、ステアリン酸アニリド、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、４−メトキシジフェニルアミンなどの含窒素化合
物、

【００８０】４−ベンジルオキシ安息香酸ベンジルエス
テル、２−ナフトエ酸フェニルエステル、１−ヒドロキ
シ−２−ナフトエ酸フェニルエステル、シュウ酸ジベン
ジルエステル、シュウ酸ジ（４−メチルベンジル）エス
テル、シュウ酸ジ（４−クロロベンジル）エステル、グ
ルタル酸ジフェナシルエステル、ジ（４−メチルフェニ
ル）カーボネート、テレフタル酸ジメチルエステル、テ
レフタル酸ジ−ｎ−ブチルエステル、テレフタル酸ジベ
ンジルエステル、イソフタル酸ジ−ｎ−ブチルエステ
ル、イソフタル酸ビス（４−ベンジルオキシカルボニル
フェニル）エステル、ビス［２−（ベンゾイルオキシ）
エチル］スルフィドなどのエステル化合物、

【００８１】４−ベンジルビフェニル、ｍ−ターフェニ
ル、フルオレン、フルオランテン、２，６−ジイソプロ
ピルナフタレン、３−ベンジルアセナフテンなどの炭化
水素化合物、

【００８２】２−ベンジルオキシナフタレン、２−
（４’−メチルベンジルオキシ）ナフタレン、１，４−
ジエトキシナフタレン、

【００８３】１，２−ジフェノキシエタン、１，２−ビ
ス（３’−メチルフェノキシ）エタン、１，２−ビス
（４’−メチルフェノキシ）エタン、１−フェノキシ−
２−（４’−エチルフェノキシ）エタン、１−（４’−
メトキシフェノキシ）−２−フェノキシエタン、１−
（４’−メトキシフェノキシ）−２−（３’−メチルフ
ェノキシ）エタン、１−（４’−メトキシフェノキシ）
−２−（２’−メチルフェノキシ）エタン、１−（４’
−メトキシフェノキシ）−２−フェノキシプロパン、１
−フェノキシ−２−（４’−メトキシフェノキシ）プロ
パン、１，２−ビス（４’−メトキシフェノキシ）プロ
パン、１，３−ビス（４’−メトキシフェノキシ）プロ
パン、１−（４’−メトキシフェノキシ）−２−（２’
−クロロフェノキシ）エタン、１，４−ジフェノキシブ
タン、ビス［２−（４’−メトキシフェノキシ）エチ
ル］エーテル、

【００８４】４−（４’−メチルフェノキシ）ビフェニ
ル、１，２−ジフェノキシベンゼン、１，４−ジフェノ
キシベンゼン、１，４−ビスベンジルオキシベンゼン、
１，４−ビス（２’−クロロベンジルオキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（２’−クロロフェノキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４’−メチルフェノキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（３’−メチルフェノキシメチル）ベ
ンゼン、４−（４’−クロロベンジルオキシ）エトキシ
ベンゼン、４，４’−ビス（フェノキシ）ジフェニルエ
ーテル、１，４−ビス（４’−ベンジルフェノキシ）ベ
ンゼン、１，４−ビス［（４’−メチルフェニルオキ
シ）メトキシメチル］ベンゼン、

【００８５】４−（４’−メトキシベンジルチオ）アニ
ソール、１−フェノキシ−２−（４’−メトキシフェニ
ルチオ）エタン、１，２−ビス（４’−メトキシフェニ
ルチオ）エタン、１−（４’−メチルフェノキシ）−２
−（４’−メトキシフェニルチオ）エタン、ベンジル−
４−メチルチオフェニルエーテル、４，４’−ビス（フ
ェノキシ）ジフェニルチオエーテル、４，４’−ジ−ｎ
−ブトキシジフェニルスルフォンなどのエ−テル化合
物、含硫黄化合物、

【００８６】１，４−ジ（グリシジルオキシ）ベンゼ
ン、１，４−ジグリシジルテレフタレート、４−グリシ
ジルオキシ−４’−イソプロピルオキシジフェニルスル
フォン、４−［（２，３−エポキシ−２−メチル）プロ
ピルオキシ］フェニル−４’−（ベンジルオキシ）フェ
ニルスルフォン、４−［（２，３−エポキシ）プロピル
オキシ］フェニル−４’−（４−メチルベンジルオキ
シ）ジフェニルスルフォンなどのエポキシ基を有する化
合物などを挙げることができる。これらの熱可融性化合
物は、単独あるいは複数併用してもよい。

【００８７】本発明の感熱記録材料を製造するには、特
殊な方法によらなくとも公知の方法により製造すること
ができる。

【００８８】一般的には、電子供与性発色性化合物、一
般式（１）で表される安息香酸誘導体または該誘導体の
金属塩などは、各々水溶性バインダー中で、ボールミ
ル、サンドミル、横型サンドミル、アトライタ、コロイ
ダルミルなどの手段により分散、通常、３μｍ以下、好
ましくは、２μｍ以下の粒径にまで粉砕分散し、混合
し、感熱記録層用の塗液を調製することができる。

【００８９】かかる水溶性バインダーとしては、具体的
には、たとえば、ポリビニールアルコール、スルフォン
化ポリビニールアルコール、ヒドロキシエチルセルロー
ス、ヒドロキシプロピルセルロース、エピクロルヒドリ
ン変性ポリアミド、エチレン−無水マレイン酸共重合
体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、イソブチレン
−無水マレイン酸共重合体、ポリアクリル酸、ポリアク
リルアミド、メチロール変性ポリアクリルアミド、デン
プン誘導体、カゼイン、ゼラチン、メチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース、アラビアゴム、カルボキ
シル基変性ポリビニールアルコールなどを例示すること
ができる。

【００９０】更に必要に応じて、本発明の感熱記録材料
の記録層中には、顔料、水不溶性バインダー、金属石
鹸、ワックス、界面活性剤、紫外線吸収剤、ヒンダード
フェノール、消泡剤などを添加する。

【００９１】顔料としては、炭酸亜鉛、炭酸カルシウ
ム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸バリウム、
酸化チタン、タルク、ロウ石、カオリン、ケイソウ土、
水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、アルミナ、
シリカ、非晶質シリカ、尿素−ホルマリン充填剤、ポリ
エチレン粒子、セルロース充填剤などが用いられる。

【００９２】水不溶性バインダーとしては、合成ゴムラ
テックスあるいは合成樹脂エマルジョンが一般的であ
り、スチレン−ブタジエンゴムラテックス、アクリロニ
トリル−ブタジエンラテックス、アクリル酸メチル−ブ
タジエンゴムラテックス、酢酸ビニルエマルジョンなど
が知られており、必要に応じて使用される。

【００９３】金属石鹸としては、高級脂肪酸金属塩が用
いられ、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、
ステアリン酸アルミニウム、オレイン酸亜鉛などが用い
られる。

【００９４】ワックスとしては、パラフィンワックス、
マイクロクリスタリンワックス、カルボキシ変性パラフ
ィンワックス、カルナウバワックス、ポリエチレンワッ
クス、ポリスチレンワックス、キャンデリラワックス、
モンタンワックス、高級脂肪酸エステルなどが挙げられ
る。

【００９５】界面活性剤としては、スルホコハク酸系の
アルカリ金属塩〔例えば、ジ（ｎ−ヘキシル）スルホコ
ハク酸、ジ（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸等の
ナトリウム塩〕、ドデシルベンゼンスルフォン酸のナト
リウム塩、ラウリルアルコール硫酸エステルのナトリウ
ム塩、フッ素含有の界面活性剤などが挙げられる。

【００９６】紫外線吸収剤としては、桂皮酸誘導体、ベ
ンゾフェノン誘導体、ベンゾトリアゾリルフェノール誘
導体などが挙げられる。

【００９７】ヒンダードフェノールとしては、フェノー
ル性水酸基のオルト位の少なくとも１つが分枝アルキル
基で置換されたフェノール誘導体が好ましく、１，１，
３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−tert−
ブチルフェニル）ブタン、１，１，３−トリス（２−メ
チル−４−ヒドロキシ−５−シクロヘキシルフェニル）
ブタン、１，１，３−トリス（２−エチル−４−ヒドロ
キシ−５−tert−ブチルフェニル）ブタン、１，１，３
−トリス（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、１，１，３−トリス（２−メチル−
４−ヒドロキシ−５−tert−ブチルフェニル）プロパ
ン、２，２’−メチレン−ビス（６−tert−ブチル−４
−メチルフェノール）、２，２’−メチレン−ビス（６
−tert−ブチル−４−エチルフェノ−ル）、１，３，５
−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−tert
−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、１，
３，５−トリス（４−tert−ブチル−３−ヒドロキシ−
２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌル酸、１，３，
５−トリス（４−tert−ブチル−３−ヒドロキシ−２−
メチル−６−エチルベンジル）イソシアヌル酸、ビス
（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−tert−ブチルフェ
ニル）スルフィドなどが挙げられる。

【００９８】本発明の感熱記録材料において、記録層の
形成方法に関しては特に限定されるものではなく、従来
より公知の技術に従って形成することができる。

【００９９】例えば感熱記録層用の塗液を、支持体上に
エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコータ
ー、グラビアコーター、カーテンコーター、ワイヤーバ
ーなどの適当な塗布装置で塗布、乾燥して記録層を形成
することができる。

【０１００】また、塗液の塗布量に関しても特に限定さ
れるものではなく、一般に乾燥重量で１．５〜１２ｇ／
ｍ²、好ましくは、２．５〜１０ｇ／ｍ²の範囲で調整さ
れる。

【０１０１】支持体としては紙、プラスチックシート、
合成紙、あるいはこれらを組み合わせた複合シートが用
いられる。

【０１０２】なお、必要に応じて感熱記録層の表面およ
び／あるいは裏面に保護層（オーバーコート層）を設け
たり、支持体と感熱記録層の間に単層あるいは複数層の
顔料（例えば、カオリン）あるいは合成樹脂（例えば、
プラスチック球状粒子、プラスチック球状中空粒子）な
どからなる下塗り層（アンダーコート層）を設けるこ
と、感熱記録層と下塗り層との間、あるいは感熱記録層
と保護層との間に顔料、バインダーなどからなる中間層
を設けることも勿論可能であり、さらには支持体の裏側
面に粘着加工を施すなど感熱記録材料の製造方法におけ
る各種の公知技術を付与することができる。

【０１０３】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもの
ではない。なお、製造例および実施例において％は重量
％を表す。

【０１０４】〔一般式（１）で表される安息香酸誘導体
及び該誘導体の金属塩の製造例〕 製造例１ （例示化合物番号４１の化合物の製造） 撹拌器、還流冷却器、ディーンスターク水分離器および
窒素導入管を取りつけた反応容器に、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド１００ｍｌおよびトルエン１００ｍｌを装
入し、共沸脱水により溶媒中の水分を除去した。その
後、室温に冷却して、窒素雰囲気下で１，８−ナフタレ
ンジカルボン酸無水物３０．０ｇを装入した。この溶液
に、４０℃でアントラニル酸２２．０ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド５０ｍｌに溶解した溶液を１時間かけ
て、滴下した。ついで同温度で４時間撹拌した後、１５
０℃で系中より水が出なくなるまで、約４時間還流を行
った。反応終了後、溶媒を留去し冷却した後、析出した
固体を濾過し、６０℃で２４時間乾燥して、白色の粉末
状結晶の２−（１’，８’−ナフタルイミド）安息香酸
４２．０ｇを得た。 融点 ２３８〜２４２℃

【０１０５】製造例２ （例示化合物番号１の化合物の
カルシウム塩の製造例） ２−フタルイミド安息香酸２０．０ｇのメタノール懸濁
溶液（１００ｍｌ）に対して、炭酸水素ナトリウム６．
３ｇを溶解させた水溶液２００ｍｌを室温で１５分要し
て滴下した後、室温でさらに２時間撹拌した。該２−フ
タルイミド安息香酸のナトリウム塩の水溶液に、塩化カ
ルシウム４．２ｇを溶解させた水溶液１００ｍｌを、室
温で３０分を要して滴下した。滴下後、３０分間撹拌し
た後、析出した固体を濾過し、無色結晶の２−フタルイ
ミド安息香酸のカルシウム塩２１．０ｇを得た。 融点 ＞３００℃

【０１０６】製造例３ （例示化合物番号１の化合物の
亜鉛塩の製造例） ２−フタルイミド安息香酸２０．０ｇのメタノール懸濁
溶液（１００ｍｌ）に対して、炭酸水素ナトリウム６．
３ｇを溶解させた水溶液２００ｍｌを室温で１５分要し
て滴下した後、室温でさらに２時間撹拌した。該２−フ
タルイミド安息香酸のナトリウム塩の水溶液に、硫酸亜
鉛七水和物１１．０ｇを溶解させた水溶液１００ｍｌ
を、室温で３０分を要して滴下した。滴下後、３０分間
撹拌した後、析出した固体を濾過し、無色結晶の２−フ
タルイミド安息香酸の亜鉛塩２３．０ｇを得た。 融点 １８０〜２２０℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）６．６°に強いピークを示
すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図１に示した。

【０１０７】製造例４ （例示化合物番号２９の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、４−フタルイミド安息香酸を用いた以外は、製
造例３に記載の方法と同様の方法により、４−フタルイ
ミド安息香酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）１１．０°に強いピークを
示すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図２に示し
た。

【０１０８】製造例５ （例示化合物番号４２の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、２−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸
を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様の方法に
より、２−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸の
亜鉛塩を得た。 融点 ２３５〜２５０℃（ｄｅｃｏｍｐ．） この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）１３．３°および１７．９
°に強いピークを示すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折
図を図３に示した。

【０１０９】製造例６ （例示化合物番号６６の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、４−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸
を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様の方法に
より、４−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸の
亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）７．８°に強いピークを示
すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図４に示した。

【０１１０】製造例７ （例示化合物番号８３の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、２−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様の方法
により、２−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）６．１°に強いピークを示
すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図５に示した。

【０１１１】製造例８ （例示化合物番号８５の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、４−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様の方法
により、４−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）１２．３°に強いピークを
示すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図６に示し
た。

【０１１２】製造例９ （例示化合物番号８６の化合物
の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、２−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テト
ラヒドロフタルイミド）安息香酸を用いた以外は、製造
例３に記載の方法と同様の方法により、２−（ｃｉｓ−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）６．４°、６．７°および
６．８°に強いピークを示すＸ線回折図を示す。そのＸ
線回折図を図７に示した。

【０１１３】製造例１０ （例示化合物番号８８の化合
物の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、４−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テト
ラヒドロフタルイミド）安息香酸を用いた以外は、製造
例３に記載の方法と同様の方法により、４−（ｃｉｓ−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）１２．６°に強いピークを
示すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図８に示し
た。

【０１１４】製造例１１ （例示化合物番号９２の化合
物の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、２−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様
の方法により、２−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチ
レン−１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイ
ミド）安息香酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）６．３°に強いピークを示
すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図９に示した。

【０１１５】製造例１２ （例示化合物番号９４の化合
物の亜鉛塩の製造例） 製造例３において２−フタルイミド安息香酸誘導体の代
わりに、４−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸を用いた以外は、製造例３に記載の方法と同様
の方法により、４−（ｃｉｓ−３’，６’−エンドメチ
レン−１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイ
ミド）安息香酸の亜鉛塩を得た。 融点 ＞３００℃ この亜鉛塩の結晶は、Ｃｕ−Ｋα線による粉末Ｘ線回折
法において、回折角（２θ）２０．９°に強いピークを
示すＸ線回折図を示す。そのＸ線回折図を図１０に示し
た。

【０１１６】なお上記の製造例中の、回折角（２θ）の
表示においては、通常、±０．２°程度の誤差はあるも
のである。

【０１１７】上記の製造例と同様の方法により、下記の
第１表に示す一般式（１）で表される安息香酸誘導体ま
たは該誘導体の金属塩を製造した。

【０１１８】

【表１】

【０１１９】〔感熱記録紙の評価〕 １．未発色部の保存安定性試験 以下の実施例および比較例で作製した各感熱記録紙の塗
布直後の未発色部（地肌）の白色度を色差計（Σ−８
０、日本電色製）を用いて測定した。なお、保存安定性
試験は、耐油性試験を行った。耐油性試験は各感熱記録
紙に、ジオクチルフタレートを含有したカプセル塗工紙
を重ね、加圧ロールを通過させた後、１週間２５℃で保
存した後の、白色度を色差計を用いて測定した。数値が
大きいほど、未発色部の白色度が優れていることを示し
ている。また、耐筆記具性試験として、未発色部分を蛍
光ペンで筆記した後、２５℃、７２時間放置後の、未発
色部分の白色度を目視で観察した。○は汚れの無い白色
度の高い状態を示し、×は黒灰色に汚れた状態を示す。

【０１２０】２．発色画像の保存安定性試験 さらに、各感熱記録紙を感熱紙発色装置（大倉電気製Ｔ
Ｈ−ＰＭＤ）を用いて、マクベス濃度計（ＴＲ−５２４
型）を用いて測定した発色濃度が０．９である発色画像
を形成した後、保存安定性試験を行った。

【０１２１】なお、保存安定性試験は、耐湿熱性試験お
よび耐油性試験を行い、各試験後の各感熱記録紙の発色
画像の残存率を調べた。

【０１２２】耐湿熱性試験は各感熱記録紙を、４０℃、
９０％相対湿度中に２４時間保存した後の発色画像濃度
を、マクベス濃度計を用いて測定し、発色画像の残存率
を求めた。

【０１２３】耐油性試験は各感熱記録紙に、ジオクチル
フタレートを含有したカプセル塗工紙を重ね、加圧ロー
ルを通過させた後、１週間２５℃で保存した後の発色画
像濃度を、マクベス濃度計を用いて測定し、発色画像の
残存率を求めた。

【０１２４】

【数１】 数値が大きいほど、発色画像の保存安定性が優れている
ことを示している。

【０１２５】実施例１〜１５ 〔感熱記録紙の作製〕

【０１２６】

【表２】

【０１２７】

【表３】

【０１２８】

【表４】

【０１２９】上記Ａ液、Ｂ液、Ｃ液をそれぞれサンドグ
ラインディングミルで平均粒子径が１．５μｍになるよ
うに分散し分散液を調製した。

【０１３０】Ａ液１００ｇ、Ｂ液２５０ｇ、Ｃ液２５０
ｇの分散液と３０％パラフィンワックス２３ｇを混合し
て、これを上質紙に乾燥塗布量が５．０ｇ／ｍ²となる
ように塗布、乾燥し、感熱記録紙を作製した。

【０１３１】尚、各実施例に使用したＡ液中の電子供与
性発色性化合物およびＢ液中の電子受容性化合物として
用いた一般式（１）で表される安息香酸誘導体または該
誘導体の金属塩は第２表に示した。

【０１３２】

【表５】

【０１３３】実施例１５〜２０ 上記実施例において、Ｂ液の代わりに、下記のＤ液を用
いた以外は、同様の方法により、感熱記録紙を作製し
た。

【０１３４】

【表６】

【０１３５】なお、使用したＡ液中の電子供与性発色化
合物およびＤ液中の電子受容性化合物として用いた一般
式（１）で表される安息香酸誘導体または該誘導体の金
属塩は第３表に示した。

【０１３６】

【表７】

【０１３７】比較例１〜５ 前記の方法で調製したＡ液１００ｇ、Ｂ液２５０ｇ、Ｃ
液２５０ｇの分散液と３０％パラフィンワックス２３ｇ
を混合して、これを上質紙に乾燥塗布量が５．０ｇ／ｍ
²となるように塗布、乾燥し、感熱記録紙を作製した。

【０１３８】なお、各比較例に使用したＡ液中の電子供
与性発色性化合物およびＢ液中の電子受容性化合物は第
４表に示した。

【０１３９】

【表８】

【０１４０】第５表および第６表には、実施例１〜２０
および比較例１〜５で作製した感熱記録紙の未発色部お
よび発色画像の保存安定性試験の結果を示した。

【０１４１】

【表９】

【０１４２】

【表１０】

【０１４３】第５表および第６表の結果から明らかなよ
うに、本発明の、電子受容性化合物として一般式（１）
で表される安息香酸誘導体または該誘導体の金属塩を含
有する感熱記録材料は、従来の感熱記録材料に比較し
て、未発色部の保存安定性に優れ、且つ発色画像の保存
安定性にも優れている。

【０１４４】実施例２１〜４４

【０１４５】

【表１１】

【０１４６】

【表１２】

【０１４７】

【表１３】

【０１４８】

【表１４】

【０１４９】Ａ’液１００ｇ、Ｂ’液２５０ｇ、Ｃ’液
２５０ｇ、Ｄ’液２５０ｇの分散液と３０％パラフィン
ワックス２３ｇを混合して、これを上質紙に乾燥塗布量
が５．０ｇ／ｍ²となるように塗布、乾燥し、感熱記録
紙を作製した。

【０１５０】尚、各実施例に使用したＡ’液中の電子供
与性発色性化合物およびＣ’液中の一般式（１）で表さ
れる安息香酸誘導体または該安息香酸誘導体の金属塩は
第７表に示した。なお、第７表に示した電子受容性化合
物において、（ａ）はビスフェノールＡを表し、（ｂ）
は４−ヒドロキシ−４’−イソプロポキシジフェニルス
ルフォンを表す。

【０１５１】

【表１５】

【０１５２】比較例６〜７ Ａ’液１００ｇ、Ｂ’液２５０ｇＤ’液２５０ｇの各分
散液と、３０％パラフィンワックス２３ｇを混合して、
これを上質紙に、乾燥塗布量が５．０ｇ／ｍ²となるよ
うに塗布、乾燥して、感熱記録紙を作製した。

【０１５３】なお、Ａ’液中の電子供与性発色化合物と
しては、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−６−メチル−７−
アニリノフルオランを使用した。また、Ｂ’液中の電子
受容性化合物としては、ビスフェノールＡ（比較例６）
および４−ヒドロキシ−４’−ジフェニルスルフォン
（比較例７）を使用した。

【０１５４】比較例８ 実施例２１〜４４と同様の方法により感熱記録紙を作製
した。なお、Ａ’液中の電子供与性発色化合物として
は、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−６−メチル−７−アニ
リノフルオランを使用し、Ｂ’液中の電子受容性化合物
としては、ビスフェノールＡを使用した。また、Ｃ’液
中の一般式（１）で表される安息香酸誘導体または該誘
導体の金属塩の代わりに、ステアリン酸亜鉛を用いた。

【０１５５】第８表には、実施例２１〜４４および比較
例６〜８で作製した感熱記録紙について発色画像の保存
安定性試験（耐湿熱性試験および耐油性試験）の結果を
示した。

【０１５６】

【表１６】

【０１５７】第８表の結果から明らかなように、電子受
容性化合物として、一般式（１）で表される安息香酸誘
導体または該誘導体の金属塩の少なくとも一種と、従来
知られているフェノール化合物とを併用した、本発明の
感熱記録材料は、従来の感熱記録材料と比較して発色画
像の保存安定性において、優れている。また、本発明の
感熱記録材料は、発色感度も実用上、充分な性能を有し
ていた。

【０１５８】

【発明の効果】本発明の、電子受容性化合物として一般
式（１）で表される安息香酸誘導体または該誘導体の金
属塩を少なくとも一種含有する感熱記録材料は、未発色
部の保存安定性および発色画像の保存安定性に優れてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】２−フタルイミド安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折
図を示す。

【図２】４−フタルイミド安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折
図を示す。

【図３】２−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸
の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

【図４】２−（２’，３’−ナフタルイミド）安息香酸
の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

【図５】２−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

【図６】４−ｃｉｓ−ヘキサヒドロフタルイミド安息香
酸の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

【図７】２−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テト
ラヒドロフタルイミド）安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折図
を示す。

【図８】４−（ｃｉｓ−１’，２’，３’，６’−テト
ラヒドロフタルイミド）安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折図
を示す。

【図９】２−（エキソ−３’，６’−エンドメチレン−
１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミド）
安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

【図１０】４−（エキソ−３’，６’−エンドメチレン
−１’，２’，３’，６’−テトラヒドロフタルイミ
ド）安息香酸の亜鉛塩のＸ線回折図を示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲来▼田 丈太郎 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 長谷川 清春 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 吉川 和良 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 中塚 正勝 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子供与性発色性化合物および電子受容
   性化合物を含有する感熱記録材料において、該電子受容
   性化合物として一般式（１）で表される安息香酸誘導体
   または該誘導体の金属塩を少なくとも一種含有する感熱
   記録材料。 【化１】 （式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子、アルキル基、アルコ
   キシ基、ハロゲン原子またはニトロ基を表し、環Ａはベ
   ンゼン環、ナフタレン環、シクロアルカン環またはシク
   ロアルケン環を表す）
2. 【請求項２】 さらに亜鉛化合物を含有する請求項１記
   載の感熱記録材料。
3. 【請求項３】 電子供与性発色性化合物が、３−ジ−ｎ
   −ブチルアミノ−７−（２’−クロロフェニルアミノ）
   フルオラン、３−ジメチルアミノ−６−メチル−７−ア
   ニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−
   ７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−ブチルアミノ−
   ６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−ジ−ｎ−ペ
   ンチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、
   ３−Ｎ−ｎ−プロピル−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル
   −７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−ｎ−ブチル−Ｎ−
   メチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、
   ３−Ｎ−イソブチル−Ｎ−メチルアミノ−６−メチル−
   ７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−イソペンチル−Ｎ−
   エチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、
   ３−Ｎ−（２’−メトキシエチル）−Ｎ−イソブチルア
   ミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、３−Ｎ−
   （３’−エトキシプロピル）−Ｎ−エチルアミノ−６−
   メチル−７−アニリノフルオランおよび３−ジエチルア
   ミノ−６−メチル−７−（３’−メチルフェニルアミ
   ノ）フルオランの群から選ばれる請求項１記載の感熱記
   録材料。