JPH0794760A - 過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサの製造方法およびこの種のセンサ - Google Patents
過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサの製造方法およびこの種のセンサInfo
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- JPH0794760A JPH0794760A JP10624691A JP10624691A JPH0794760A JP H0794760 A JPH0794760 A JP H0794760A JP 10624691 A JP10624691 A JP 10624691A JP 10624691 A JP10624691 A JP 10624691A JP H0794760 A JPH0794760 A JP H0794760A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Weting (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 加速度受振器および過負荷安全装置を１つの
シリコンウエーハから構造体化できかつＩＣ製造と結合
して適用できるマイクロメカニカルセンサの製造方法を
提供する。 【構成】 センサは少なくとも１つの震動質量（３２）
を有するパドル（３１）および少なくとも１つのパドル
を取囲む枠を有する。過負荷安全装置は、パドルの表面
から枠の切欠部中へ突出するフィンガ（３０）またはビ
ーム、および／または枠の表面からパドルの表面の切欠
部（１６）中へ突出するフィンガまたはビームからな
る。枠およびパドルの構造体は、アンダカットと結合せ
る構造体化トレンチ法によって形成される。
シリコンウエーハから構造体化できかつＩＣ製造と結合
して適用できるマイクロメカニカルセンサの製造方法を
提供する。 【構成】 センサは少なくとも１つの震動質量（３２）
を有するパドル（３１）および少なくとも１つのパドル
を取囲む枠を有する。過負荷安全装置は、パドルの表面
から枠の切欠部中へ突出するフィンガ（３０）またはビ
ーム、および／または枠の表面からパドルの表面の切欠
部（１６）中へ突出するフィンガまたはビームからな
る。枠およびパドルの構造体は、アンダカットと結合せ
る構造体化トレンチ法によって形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、請求項１の部類によ
る、過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサ
の製造方法に関する。
る、過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】公表されていない特許出願Ｐ４０００４
９６号には、半導体ウエーハに構造体を、化学的エッチ
ングプロセスと結合せるホトマスキング技術を用いてエ
ッチングしうることが記載されている。殊に、フィンガ
またはビームを、等方性の湿式化学的アンダカットによ
ってウエブから露呈させることができる。
９６号には、半導体ウエーハに構造体を、化学的エッチ
ングプロセスと結合せるホトマスキング技術を用いてエ
ッチングしうることが記載されている。殊に、フィンガ
またはビームを、等方性の湿式化学的アンダカットによ
ってウエブから露呈させることができる。
【０００３】ノバ・センサ・ニュース（Ｎｏｖａ Ｓｅ
ｎｓｏｒ Ｎｅｗｓ）、１９８８年９月、Ｎｏ．２、第
３頁から、互いに接合されている２つの構造体化（Ｓｔ
ｒｕｋｔｕｒｉｅｒｅｎ）されたシリコンウエーハから
なる加速度センサは公知である。１つのシリコンウエー
ハから、ウエーハ表面に対して直角に偏向しうる震動質
量（Ｓｅｉｓｍｉｓｃｈｅ Ｍａｓｓｅ）を有するパド
ル形の加速度受振器が構造体化されている。パドル上へ
接合された第２のウエーハは、フィンガ状の偏向制限体
を有し、これがパドルを取囲む枠の切欠部中へ突出し、
これにより一方向への強すぎる偏向がさけられる。他の
方向への強すぎる偏向は、枠からパドルの切欠部中へ突
入する第２のシリコンウエーハのフィンガ状偏向制限体
によって阻止される。かかるセンサの製造は、第１に２
つのシリコンウエーハの構造体化、第２に高い温度およ
び／または大きい電場の強さを経過する接合工程を必要
とする。従って、この方法を、既に回路が集積されてい
るシリコンウエーハに適用するのは有意ではない。
ｎｓｏｒ Ｎｅｗｓ）、１９８８年９月、Ｎｏ．２、第
３頁から、互いに接合されている２つの構造体化（Ｓｔ
ｒｕｋｔｕｒｉｅｒｅｎ）されたシリコンウエーハから
なる加速度センサは公知である。１つのシリコンウエー
ハから、ウエーハ表面に対して直角に偏向しうる震動質
量（Ｓｅｉｓｍｉｓｃｈｅ Ｍａｓｓｅ）を有するパド
ル形の加速度受振器が構造体化されている。パドル上へ
接合された第２のウエーハは、フィンガ状の偏向制限体
を有し、これがパドルを取囲む枠の切欠部中へ突出し、
これにより一方向への強すぎる偏向がさけられる。他の
方向への強すぎる偏向は、枠からパドルの切欠部中へ突
入する第２のシリコンウエーハのフィンガ状偏向制限体
によって阻止される。かかるセンサの製造は、第１に２
つのシリコンウエーハの構造体化、第２に高い温度およ
び／または大きい電場の強さを経過する接合工程を必要
とする。従って、この方法を、既に回路が集積されてい
るシリコンウエーハに適用するのは有意ではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、かか
る公知方法の欠点を回避して、費用のかかる接合技術の
必要なしに、最初に記載した部類のセンサを廉価に製造
できかつ、ＩＣ製造工程と結合して適用することの可能
な方法を提供することである。
る公知方法の欠点を回避して、費用のかかる接合技術の
必要なしに、最初に記載した部類のセンサを廉価に製造
できかつ、ＩＣ製造工程と結合して適用することの可能
な方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、請求項１の特徴部に記載された手段、即ち過負荷
安全装置を、アンダカットと結合した構造体化トレンチ
法を用いて枠および／または少なくとも１つのパドルの
構造体中へ一体化することによって達成される。
れば、請求項１の特徴部に記載された手段、即ち過負荷
安全装置を、アンダカットと結合した構造体化トレンチ
法を用いて枠および／または少なくとも１つのパドルの
構造体中へ一体化することによって達成される。
【０００６】公知方法に対して、請求項１の特徴部に記
載された構成を有する本発明方法は、加速度受振器およ
び過負荷安全装置を１つのウエーハから構造体化できる
という利点を有する。費用のかかる接合技術は必要でな
い。この方法はＩＣ製造方法と結合して適用することが
でき、たとえば評価回路をさらに集積することも可能で
あることは特別な利点とみなされる。組込まれた状態で
のセンサの調整が可能であることも有利である。さら
に、本発明方法は有利には、センサの減衰を意図的に過
負荷ストッパーの適当な形状大きさによって調節するこ
とが可能である。
載された構成を有する本発明方法は、加速度受振器およ
び過負荷安全装置を１つのウエーハから構造体化できる
という利点を有する。費用のかかる接合技術は必要でな
い。この方法はＩＣ製造方法と結合して適用することが
でき、たとえば評価回路をさらに集積することも可能で
あることは特別な利点とみなされる。組込まれた状態で
のセンサの調整が可能であることも有利である。さら
に、本発明方法は有利には、センサの減衰を意図的に過
負荷ストッパーの適当な形状大きさによって調節するこ
とが可能である。
【０００７】請求項２以降に記載された手段により、請
求項１に記載された方法の有利な実施形が可能である。
シリコンウエーハを前面および裏面から出発して構造体
化するのが有利であることが立証された。ｐ−またはｎ
−ドーピング基板とその上に設けられるかまたは拡散侵
入された、基板に対して異なるドーピングを有するエッ
チングストップ層からなるシリコンウエーハを使用する
のがとくに有利である。それというのもこの場合に出現
する、基板とエッチングストップ層との間のドーピング
遷移部は、有利にエッチングストップとして使用するこ
とができるからである。遮断層中に成極せるｐｎ−接合
部または基板とｐ+−ドーピングされたエピタキシアル
層の間の接合部がとくに有利である。ウエーハの前面の
構造体化にはトレンチ法を使用するのが有利である。そ
れというのもこれによってトレンチみぞの非常に僅かな
横方向寸法において良好なアスペクト比が得られるから
である。この場合に生じる切欠部がエッチングストップ
層を完全には突き抜けないのが有利である。それという
のもこの場合には、過負荷安全装置として役立つフィン
ガを露呈する横方向のアンダカット部が有利に等方性ま
たは異方性に湿式化学的にエッチンストップ層内でエッ
チングされるからである。シリコンウエーハの前面およ
び裏面は、有利に低温酸化物層を用いてマスキングしか
つ不動態化することができる。本発明方法の特別な利点
は、異なる形の過負荷安全装置を１つのレイアウトにま
とめることができることである。過負荷に対する安全装
置は、有利にはフィンガまたはビームの形の多数のスト
ッパーの協同作業によって実現される。
求項１に記載された方法の有利な実施形が可能である。
シリコンウエーハを前面および裏面から出発して構造体
化するのが有利であることが立証された。ｐ−またはｎ
−ドーピング基板とその上に設けられるかまたは拡散侵
入された、基板に対して異なるドーピングを有するエッ
チングストップ層からなるシリコンウエーハを使用する
のがとくに有利である。それというのもこの場合に出現
する、基板とエッチングストップ層との間のドーピング
遷移部は、有利にエッチングストップとして使用するこ
とができるからである。遮断層中に成極せるｐｎ−接合
部または基板とｐ+−ドーピングされたエピタキシアル
層の間の接合部がとくに有利である。ウエーハの前面の
構造体化にはトレンチ法を使用するのが有利である。そ
れというのもこれによってトレンチみぞの非常に僅かな
横方向寸法において良好なアスペクト比が得られるから
である。この場合に生じる切欠部がエッチングストップ
層を完全には突き抜けないのが有利である。それという
のもこの場合には、過負荷安全装置として役立つフィン
ガを露呈する横方向のアンダカット部が有利に等方性ま
たは異方性に湿式化学的にエッチンストップ層内でエッ
チングされるからである。シリコンウエーハの前面およ
び裏面は、有利に低温酸化物層を用いてマスキングしか
つ不動態化することができる。本発明方法の特別な利点
は、異なる形の過負荷安全装置を１つのレイアウトにま
とめることができることである。過負荷に対する安全装
置は、有利にはフィンガまたはビームの形の多数のスト
ッパーの協同作業によって実現される。
【０００８】
【実施例】本発明の実施例は図面に示され、下記の記載
に詳述されている。
に詳述されている。
【０００９】図１において１０は、ｐ−基板１１および
その上に設けられたエッチングストップ層としてのｎ−
エピタキシアル層１２からなるシリコンウエーハを表わ
し、センサの製造方法の種々の工程で示されている。第
１工程においてはウエーハの裏面が構造体化され、意図
的にｐｎ接合部に到るまで異方性にエッチングされる。
この場合、エピタキシアル層１２と基板１１との間の、
遮断方向に接続されたｐｎ接合部はエッチングストップ
として役立つ。図１のａにおいて、１５は裏面エッチン
グの際に生じた枠形のエッチングみぞを表わす。引き続
き、ウエーハ１０の構造体化された裏面はマスキング層
２１で不動態化される。不動態化のためにはとくに低温
酸化物層またはプラズマ窒化物層が使用される。不動態
層として低温酸化物層を使用すれば、方法を既にＩＣ製
造工程を経過したシリコンウエーハに適用することが可
能である。ウエーハ１０の前面にはトレンチマスキング
２０が設けられ、引き続くトレンチ工程で構造体化され
る。トレンチするのはとくに適当であることが判明す
る。それというのもこれにより良好なアスペクト比がみ
ぞ構造の僅かな横寸法で得ることができるからである。
図１のｂには、このようにしてつくられたＵ字形の切欠
部１６が示されており、切欠部の深さはエピタキシアル
層の厚さよりも小さい。エッチングみぞ１５に対する切
欠部１６の位置は、次のエッチング工程で層１２内で切
欠部１６の横方向のアンダカット部１７が生じるように
選択されている。これは、公表されてない特許出願第Ｐ
４０００４９６号に応じて、湿式化学的に異方性または
等方性に行なうことができ、その際フィンガ３０の幅は
相応に寸法定めすることができる。さらに、切欠部１６
およびフィンガ３０の位置およびアンダカット部１７の
大きさは、アンダカット部１７がエッチングみぞ１５に
あたるように選択すべきである。これによって、震動質
量３２を有するパドル３１が生じる。図１のｃにおいて
は、この製造工程はマスキング層２０および２１の最終
的湿式化学的除去前で示されている。マスキング層２０
および２１の除去によって、センサ構造体が不必要に支
えられるのが阻止される。図１のｄは完成構造体化され
たセンサ素子を示す。
その上に設けられたエッチングストップ層としてのｎ−
エピタキシアル層１２からなるシリコンウエーハを表わ
し、センサの製造方法の種々の工程で示されている。第
１工程においてはウエーハの裏面が構造体化され、意図
的にｐｎ接合部に到るまで異方性にエッチングされる。
この場合、エピタキシアル層１２と基板１１との間の、
遮断方向に接続されたｐｎ接合部はエッチングストップ
として役立つ。図１のａにおいて、１５は裏面エッチン
グの際に生じた枠形のエッチングみぞを表わす。引き続
き、ウエーハ１０の構造体化された裏面はマスキング層
２１で不動態化される。不動態化のためにはとくに低温
酸化物層またはプラズマ窒化物層が使用される。不動態
層として低温酸化物層を使用すれば、方法を既にＩＣ製
造工程を経過したシリコンウエーハに適用することが可
能である。ウエーハ１０の前面にはトレンチマスキング
２０が設けられ、引き続くトレンチ工程で構造体化され
る。トレンチするのはとくに適当であることが判明す
る。それというのもこれにより良好なアスペクト比がみ
ぞ構造の僅かな横寸法で得ることができるからである。
図１のｂには、このようにしてつくられたＵ字形の切欠
部１６が示されており、切欠部の深さはエピタキシアル
層の厚さよりも小さい。エッチングみぞ１５に対する切
欠部１６の位置は、次のエッチング工程で層１２内で切
欠部１６の横方向のアンダカット部１７が生じるように
選択されている。これは、公表されてない特許出願第Ｐ
４０００４９６号に応じて、湿式化学的に異方性または
等方性に行なうことができ、その際フィンガ３０の幅は
相応に寸法定めすることができる。さらに、切欠部１６
およびフィンガ３０の位置およびアンダカット部１７の
大きさは、アンダカット部１７がエッチングみぞ１５に
あたるように選択すべきである。これによって、震動質
量３２を有するパドル３１が生じる。図１のｃにおいて
は、この製造工程はマスキング層２０および２１の最終
的湿式化学的除去前で示されている。マスキング層２０
および２１の除去によって、センサ構造体が不必要に支
えられるのが阻止される。図１のｄは完成構造体化され
たセンサ素子を示す。
【００１０】シリコンウエーハ１０をまず裏面から出発
して構造体化される、図１に示した方法とは異なり、図
２には、同様に図１のｄに示されたセンサ素子を生じる
が、第１工程においてトレンチマスキング２０を備え
た、シリコンウエーハ１０の前面がトレンチ法で構造体
化される方法が示されている。図２のａにおいて１６で
この場合に生じる、エピタキシアル層１２を完全には突
き抜けてないＵ字形の切欠部が表わされている。引き続
き、切欠部１６を湿式化学的な異方性または等方性にエ
ッチングすることによって、ウエーハ１０のエピタキシ
アル層１２中に、横方向のアンダカット部１７が形成さ
れる。これによってエピタキシアル層１２内に出現した
フィンガは、図２のｂに３０で示されている。前面エッ
チングに引き続き、裏面のエッチングが行なわれ、その
際図２のｃに１５で示された枠形のエッチングみぞがシ
リコンウエーハ１０の基板１１中に形成される。エッチ
ングみぞ１５は、エッチングストップとして遮断方向に
成極された、エピタキシアル層１２と基板１１との間の
ｐｎ接合部に到るまでエッチングされ、その際シリコン
ウエーハ１０の構造体化された前面に対するその位置
は、エッチングみぞ１５が片側でアンダカット部１７に
あたるように選択されている。前面のトレンチマスキン
グ２０を除去した後に、再び図１のｄに示したセンサ構
造体が得られる。この方法では、構造体化された裏面の
不動態化はなくなる。
して構造体化される、図１に示した方法とは異なり、図
２には、同様に図１のｄに示されたセンサ素子を生じる
が、第１工程においてトレンチマスキング２０を備え
た、シリコンウエーハ１０の前面がトレンチ法で構造体
化される方法が示されている。図２のａにおいて１６で
この場合に生じる、エピタキシアル層１２を完全には突
き抜けてないＵ字形の切欠部が表わされている。引き続
き、切欠部１６を湿式化学的な異方性または等方性にエ
ッチングすることによって、ウエーハ１０のエピタキシ
アル層１２中に、横方向のアンダカット部１７が形成さ
れる。これによってエピタキシアル層１２内に出現した
フィンガは、図２のｂに３０で示されている。前面エッ
チングに引き続き、裏面のエッチングが行なわれ、その
際図２のｃに１５で示された枠形のエッチングみぞがシ
リコンウエーハ１０の基板１１中に形成される。エッチ
ングみぞ１５は、エッチングストップとして遮断方向に
成極された、エピタキシアル層１２と基板１１との間の
ｐｎ接合部に到るまでエッチングされ、その際シリコン
ウエーハ１０の構造体化された前面に対するその位置
は、エッチングみぞ１５が片側でアンダカット部１７に
あたるように選択されている。前面のトレンチマスキン
グ２０を除去した後に、再び図１のｄに示したセンサ構
造体が得られる。この方法では、構造体化された裏面の
不動態化はなくなる。
【００１１】図３には、シリコンウエーハ１０から構造
体化されたセンサ素子の平面図が示されている。このも
のは、パドルウエブ３３を介して枠３４と結合している
震動質量３２を有する。パドル３１と枠３４の間には、
シリコンウエーハを完全に突き抜けるエッチングみぞ１
５が存在する。パドル３１はフィンガ３０１を有し、該
フィンガはエピタキシアル層１２中にのみ構成され、エ
ッチングみぞ１５を経て枠のエピタキシアル層１２の切
欠部１６１中にまで突出している。該フィンガは、パド
ル３１が下方へ過度に偏向するのを阻止する。パドル３
１が上方へ過度に偏向するのは、枠３４から出発し、同
様にエピタキシアル層１２中にのみ構成され、エッチン
グみぞ１５を越えてパドル３１のエピタキシアル層１２
の切欠部１６２中にまで突出しているフィンガ３０２に
よって阻止される。過負荷に対するフィンガ状のストッ
パーの安定性は、一部ではその形によるが、主として多
数のストッパーの協力作用によって実現される。
体化されたセンサ素子の平面図が示されている。このも
のは、パドルウエブ３３を介して枠３４と結合している
震動質量３２を有する。パドル３１と枠３４の間には、
シリコンウエーハを完全に突き抜けるエッチングみぞ１
５が存在する。パドル３１はフィンガ３０１を有し、該
フィンガはエピタキシアル層１２中にのみ構成され、エ
ッチングみぞ１５を経て枠のエピタキシアル層１２の切
欠部１６１中にまで突出している。該フィンガは、パド
ル３１が下方へ過度に偏向するのを阻止する。パドル３
１が上方へ過度に偏向するのは、枠３４から出発し、同
様にエピタキシアル層１２中にのみ構成され、エッチン
グみぞ１５を越えてパドル３１のエピタキシアル層１２
の切欠部１６２中にまで突出しているフィンガ３０２に
よって阻止される。過負荷に対するフィンガ状のストッ
パーの安定性は、一部ではその形によるが、主として多
数のストッパーの協力作用によって実現される。
【図１】ａ〜ｄは、製造中の半導体構造体の種々の工程
における断面図。
における断面図。
【図２】ａ〜ｃは、製造中の他の半導体構造体の同上断
面図。
面図。
【図３】センサの平面図。
１０ シリコンウエーハ １１ ｐ−基板 １２ ｎ−エピタキシアル層 １５ エッチングみぞ １６ 切欠部 １７ アンダカット部 ２０ マスキング層 ２１ マスキング層 ３０ フィンガ ３１ パドル ３２ 震動質量 ３３ パドルウエブ ３４ 枠 １６１ 切欠部 １６２ 切欠部 ３０１ フィンガ ３０２ フィンガ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ギュンター フィントラー ドイツ連邦共和国 シュトゥットガルト 80 ザールラントシュトラーセ 20
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも１つの震動質量を有するパド
ル、少なくとも１つのパドルを取囲む少なくとも１つの
枠およびフィンガまたはビームの形の過負荷安全装置を
有するマイクロメカニカルセンサを製造するため、少な
くとも１つの震動質量を有するパドルおよび枠が、乾式
エッチング法および／または湿式化学的エッチング法に
よって単結晶のシリコンウエーハから構造体化される、
過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサの製
造方法において、過負荷安全装置（３０）を、アンダカ
ットと結合せる構造体化トレンチ法を用いて枠（３４）
および／または少なくとも１つのパドル（３１）の構造
体中へ一体化することを特徴とする、過負荷安全装置を
有するマイクロメカニカルセンサの製造方法。 - 【請求項２】 シリコンウエーハ（１０）の構造体化を
ウエーハ前面およびウエーハ裏面から行ない、裏面エッ
チングおよび横方向のアンダカットに対するエッチング
ストップとして、シリコンウエーハ（１０）の２つの層
（１１，１２）の間に生じるドーピング遷移部を使用
し、その際一方の層はｐ−またはｎ−ドーピング基板
（１１）であり、第２の層はその上に設けられたかまた
は拡散された、基板（１１）に対して異なるドーピング
を有するエッチングストップ層（１２）であることを特
徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 シリコンウエーハ（１０）の前面を、と
くに構造体化低温酸化物層（２０）によりマスキング
し、前面の構造体化をトレンチ法を用いて行ない、この
場合に生じる少なくとも１つの切欠部（１６）はエッチ
ングストップ層（１２）を完全には突き抜けないことを
特徴とする、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 少なくとも１つのフィンガ（３０）の形
の過負荷安全装置を、エッチングストップ層（１２）内
の横方向のアンダカット部（１７）によって露呈させる
ことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項記
載の方法。 - 【請求項５】 シリコンウエーハ（１０）の裏面をホト
マスキング技術を用いて構造体化し、裏面エッチングを
異方性に電気化学的に行ない、少なくとも１つのエッチ
ングみぞ（１５）を、基板（１１）とエッチングストッ
プ層（１２）の間のドーピング遷移部に達するまでシリ
コンウエーハ（１０）の裏面からエッチングすることを
特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項６】 裏面のエッチングをシリコンウエーハ
（１０）の前面のエッチング前に行なう場合、シリコン
ウエーハ（１０）の構造体化された裏面を、とくに低温
酸化物層（２１）によって不動態化することを特徴とす
る、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 アンダカット部（１７）を、それが少な
くとも１つのエッチングみぞ（１５）と合流するまでエ
ッチングすることを特徴とする、請求項１から６までの
いずれか１項記載の方法。 - 【請求項８】 マスキング層（２０，２１）を、エッチ
ングした後に湿式化学的に除去することを特徴とする、
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 パドル（３１）のエッチングストップ層
（１２）中に少なくとも１つのフィンガ（３０１）が構
成されていて、該フィンガが枠（３４）のエッチングス
トップ層（１２）の少なくとも１つの切欠部（１６１）
中へ突入していることを特徴とする、請求項１から８ま
でのいずれか１項記載の方法により製造された、過負荷
安全装置を有するセンサ。 - 【請求項１０】 枠（３４）のエッチングストップ層
（１２）中に少なくとも１つのフィンガ（３０２）が構
成されていて、該フィンガがパドル（３１）のエッチン
グストップ層（１２）の少なくとも１つの切欠部（１６
２）中へ突入していることを特徴とする、請求項１から
８までのいずれか１項記載の方法により製造された、過
負荷安全装置を有するセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19904016472 DE4016472A1 (de) | 1990-05-22 | 1990-05-22 | Verfahren zur herstellung von mikromechanischen sensoren mit ueberlastsicherung |
| DE4016472.1 | 1990-05-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794760A true JPH0794760A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=6406957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10624691A Pending JPH0794760A (ja) | 1990-05-22 | 1991-05-13 | 過負荷安全装置を有するマイクロメカニカルセンサの製造方法およびこの種のセンサ |
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