JPH0793304B2 - バンプ電極の形成方法 - Google Patents

バンプ電極の形成方法

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JPH0793304B2
JPH0793304B2 JP5415387A JP5415387A JPH0793304B2 JP H0793304 B2 JPH0793304 B2 JP H0793304B2 JP 5415387 A JP5415387 A JP 5415387A JP 5415387 A JP5415387 A JP 5415387A JP H0793304 B2 JPH0793304 B2 JP H0793304B2
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metal
forming
laser
layer
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 ホールを有する基板上へ堆積させたAl膜にレーザ光を照
射してホール部に溶融したAlを落とし込みバンプ電極を
形成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はバンプ電極の形成方法に係り、特にレーザ光を
照射して金属を溶融してバンプ電極を形成する方法に関
する。
〔従来の技術と問題点〕
従来シリコン基板（ウェハ）の例えば不純物導入領域と
の電気的接続をとるためにウェハ上に形成される突起部
（バンプbump）を電極とするバンプ電極はリード線を用
いずに表面を下にして（フェースダウン）ボンディング
し特に混成ICに使用される。
このようなバンプ電極は従来第３図に示すように例えば
シリコン基板１上の熱酸化膜（Sio2膜）２を形成し更に
その上にホトレジスト３を形成しリソグラフィ技術を用
いて選択的に例えばn+領域にホール４を形成した後例え
ば金（Au）等のメッキを行なって形成される。形成され
たバンプ電極５の厚さはメッキ法のため10μｍ程度にな
る。このような厚さのメッキがなされる間に、ホトレジ
スト３に亀列等の欠陥を生じ良好なメッキがなされなか
った。
そこで本発明は従来のメッキ法を用いない容易で安定し
た、しかも安価なバンプ電極形成方法を提供することを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は本発明によれば半導体基板上に絶縁層を形
成した後該絶縁層に選択的にホールを形成した後、全面
にバンプ電極用金属を配し次に該電極用金属にレーザを
照射し該金属を溶融させて該ホール内に金属層を形成す
ることを特徴とするバンプ電極の形成方法によって解決
される。
〔作 用〕
すなわち、本発明によればバンプ電極用金属がCVD法あ
るいはスパッタリング法等により層厚の薄い層として形
成されその金属層がレーザ光による照射により溶融され
絶縁層上の溶融金属がホール内に流れ込みホール内にバ
ンプ電極が形成されるのである。
本願に係るバンプ電極の高さはホールのサイズ（口径、
深さ）と密度及び形成された金属層の厚さにより適宜制
御され微細且つ高密度化に容易に対応し得る。電極の材
質はアルミニウム、等が好ましい。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1A図第1B図及び第２図は本発明の実施例を説明するた
めの断面図である。
第1A図に示すようにシリコン基板１上に熱酸化により約
１μｍの厚さのSiO2膜2aを形成し次に該SiO2膜2aを選択
的にパターニングしバンプ電極形成部に深さ１μｍ、幅
（径）Ｗが２μｍのホール（開口部）４を形成した後、
全面にアルミニウム（Al）を約１μｍの厚さに蒸着しAl
層層６を形成する。その後エキシマレーザ（パルス）７
を約15J/cm2のエネルギー密度で基板上全面に照射、加
熱しAl層６を溶融し矢印８のようにホール内へ流し込
み、第1B図のような高さＨが約1.5μｍのバンプ電極９
を形成する。
しかし本発明ではエキシマレーザ７でAl層６を照射加熱
中第２図のような状態になったＡの部分のAlを反応性イ
オンエッチングでパターニングすることにより第1B図の
バンプ電極９を形成することができる。なお本発明で用
いるレーザはエキシマレーザ（励起子レーザ）がパルス
巾が短いことや、この光がAlへの高い吸収係数を示すこ
となどの理由から有利に使用される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば基板上に容易にしか
も安定してバンプ電極を形成することができる。またメ
ッキ法を用いていないので微細化、高密度化にも寄与し
得る。
【図面の簡単な説明】
第1A図第1B図及び第２図は本発明の実施例を説明するた
めの断面図であり、第３図は従来例を説明するための断
面図である。 １……シリコン基板、2,2a……SiO2膜、 ３……ホトレジスト、４……ホール、 ５……バンプ電極、６……Al層、 ７……エキシマレーザ、９……バンプ電極。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板１上に絶縁層２を形成した後該
    絶縁層２に選択的にホール４を形成し該半導体基板上露
    出面にバンプ電極用金属６を配し次に該電極用金属にレ
    ーザ７を照射し該金属６を溶融させて該ホール４内に金
    属層９を形成することを特徴とするバンプ電極の形成方
    法。
  2. 【請求項２】前記バンプ電極用金属６がアルミニウムで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
    法。
  3. 【請求項３】前記レーザ７がエキシマレーザであること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
    方法。
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